CN115565482A - 补偿电路、驱动方法及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请提供的补偿电路、驱动方法及显示面板，采用6T2C(6个晶体管以及2个电容)结构的补偿电路对像素中的驱动晶体管的阈值电压进行补偿，该补偿电路的架构相较于现有的补偿电路，其补偿驱动晶体管的阈值电压的漂移范围更广、补偿精度更高；且该补偿电路不需要设置负压源，从而可以节约成本；此外，该补偿电路还可以通过调整第一控制信号的脉宽，从而当数据信号的电压较高时，可以使得第一节点的电位也可以达到高电位，进而解决充电不足的问题。

Description

补偿电路、驱动方法及显示面板
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种补偿电路、驱动方法及显示面板。
背景技术
Micro-LED(Micro Light-Emitting Diode，微发光二极管)、Mini-LED(MiniLight-Emitting Diode，次毫米发光二极管)及OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)因其高色域、高对比度和低功耗等优点，逐渐成为显示领域的热门研究对象。然而，Mini-LED、Micro-LED及OLED普遍存在的问题是像素电路中的驱动晶体管在长时间的工作偏压下会发生阈值电压的偏移，从而造成发光器件亮度衰减及显示不均。目前，人们为了补偿驱动晶体管的阈值电压的偏移进行了大量的研究，主要采用补偿电路的方式。
现有的补偿电路的驱动晶体管的阈值电压的补偿范围较窄，在阈值电压偏移大的情况下明显表现出补偿能力不足。
发明内容
本申请提供一种补偿电路、驱动方法及显示面板，可以解决现有的补偿电路的驱动晶体管的阈值电压的补偿范围较窄，在阈值电压偏移大的情况下明显表现出补偿能力不足的技术问题。
第一方面，本申请提供一种补偿电路，其包括：
双栅极晶体管，所述双栅极晶体管的第一栅极与第一节点电连接，所述双栅极晶体管的第二栅极与第二节点电连接，所述双栅极晶体管的源极与第一电源端电连接，所述双栅极晶体管的漏极与第三节点电连接；
发光器件，所述发光器件的第一端与所述第三节点电连接，所述发光器件的第二端与第二电源端电连接；
第一写入模块，所述第一写入模块接入数据信号以及第一控制信号，并电性连接于所述第一节点，所述第一写入模块用于在所述第一控制信号的控制下将所述数据信号输出至所述第一节点；
第二写入模块，所述第二写入模块接入写入信号以及所述第一控制信号，并电性连接于所述第三节点，所述第二写入模块用于在所述第二控制信号的控制下将所述写入信号输出至所述第三节点；
复位模块，所述复位模块接入第一复位信号、第二复位信号、第二控制信号以及第三控制信号，并电性连接于所述第二节点以及所述第三节点，所述复位模块用于在所述第二控制信号的控制下将所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述复位模块还用于在所述第三控制信号的控制下将所述第二复位信号输出至所述第三节点；
电位控制模块，所述电位控制模块接入所述第二控制信号，并电性连接于所述第一节点与所述第三节点，所述电位控制模块用于在所述第二控制信号的控制下，保持所述第一节点与所述第三节点的电位相同。
在本申请提供的补偿电路中，所述第一写入模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第一晶体管的源极接入所述数据信号，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点电连接。
在本申请提供的补偿电路中，所述第二写入模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第二晶体管的源极接入所述写入信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
在本申请提供的补偿电路中，所述复位模块包括第三晶体管、第四晶体管以及第一电容；
所述第三晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第三晶体管的源极接入所述第一复位信号，所述第三晶体管的漏极与所述第二节点电连接；
所述第四晶体管的栅极接入所述第三控制信号，所述第四晶体管的源极接入所述第二复位信号，所述第四晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第一电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第一电容的第二端与所述第三节点电连接。
在本申请提供的补偿电路中，所述电位控制模块包括第五晶体管以及第二电容；
所述第五晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第五晶体管的源极与所述第一节点电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第二电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第二电容的第二端与所述第三节点电连接。
第二方面，本申请还提供一种补偿电路，其包括：
双栅极晶体管，所述双栅极晶体管的第一栅极与第一节点电连接，所述双栅极晶体管的第二栅极与第二节点电连接，所述双栅极晶体管的源极与第一电源端电连接，所述双栅极晶体管的漏极与第三节点电连接；
发光器件，所述发光器件的第一端与所述第三节点电连接，所述发光器件的第二端与第二电源端电连接；
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第一晶体管的源极接入所述数据信号，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点电连接；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第二晶体管的源极接入所述写入信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第三晶体管的源极接入所述第一复位信号，所述第三晶体管的漏极与所述第二节点电连接；
第四晶体管，所述第四晶体管的栅极接入所述第三控制信号，所述第四晶体管的源极接入所述第二复位信号，所述第四晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第五晶体管的源极与所述第一节点电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第一电容，所述第一电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第一电容的第二端与所述第三节点电连接；
第二电容，所述第二电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第二电容的第二端与所述第三节点电连接。
第三方面，本申请还提供一种补偿电路的驱动方法，其用于驱动以上所述的驱动电路，所述驱动方法包括：
复位阶段，所述第三晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号输出至所述第三节点，所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位；
补偿阶段，所述第三晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号继续输出至所述第二节点，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下关闭，所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位，所述第一电源端给所述第三节点充电直至所述第二节点与所述第三节点之间的压差等于所述双栅极晶体管的阈值电压时截止；
写入阶段，所述第一晶体管以及所述第二晶体管在所述第一控制信号的控制下打开，所述数据信号输出至所述第一节点，所述写入信号输出至所述第三节点；
发光阶段，所述发光器件发光。
在本申请提供的驱动方法中，所述复位阶段包括第一复位阶段以及第二复位阶段；
在所述第一复位阶段，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号输出至所述第三节点，对所述发光器件进行复位，所述第三晶体管以及所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下关闭；
在所述第二复位阶段，所述第三晶体管以及所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号继续输出至所述第三节点。
在本申请提供的驱动方法中，所述驱动方法还包括缓冲阶段，所述缓冲阶段设置在所述补偿阶段与所述写入阶段之间；在所述缓冲阶段，所述第二控制信号由高电位缓慢降低至低电位。
第四方面，本申请还提供一种显示面板，所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素，每一所述像素均包括以上所述的补偿电路。
本申请提供的补偿电路、驱动方法及显示面板，采用6T2C(6个晶体管以及2个电容)结构的补偿电路对像素中的驱动晶体管的阈值电压进行补偿，该补偿电路的架构相较于现有的补偿电路，其补偿驱动晶体管的阈值电压的漂移范围更广、补偿精度更高；且该补偿电路不需要设置负压源，从而可以节约成本；此外，该补偿电路还可以通过调整第一控制信号的脉宽，从而当数据信号的电压较高时，可以使得第一节点的电位也可以达到高电位，进而解决充电不足的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的补偿电路的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的补偿电路的第一种电路示意图；
图3为本申请实施例提供的补偿电路的第二种电路示意图；
图4为本申请实施例提供的补偿电路的第三种电路示意图；
图5为本申请实施例提供的补偿电路的第四种电路示意图；
图6为本申请实施例提供的补偿电路的第五种电路示意图；
图7为图6所示的补偿电路的时序示意图；
图8为本申请实施例提供的驱动方法的第一种流程示意图；
图9为本申请实施例提供的驱动方法的第二种流程示意图；
图10为本申请实施例提供的驱动方法的第三种流程示意图；
图11为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请所有实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。由于这里采用的晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本申请实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。
此外本申请实施例所采用的晶体管可以包括P型晶体管和/或N型晶体管两种，其中，P型晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止。
请参阅图1，图1为本申请实施例提供的补偿电路的结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的补偿电路包括双栅极晶体管T1、发光器件D、第一写入模块101、第二写入模块102、复位模块103以及电位控制模块104。
需要说明的是，该双栅极晶体管T0为补偿电路中的驱动晶体管。该双栅极晶体管T0为一个四端子器件，其包括两个栅极、一个源极以及一个漏极。该双栅极晶体管T0实际工作的等效栅漏电压满足以下关系式：V＝Vgs-a*Vbs，V为该双栅极晶体管T0实际工作的等效栅漏电压，Vgs为该栅极晶体管的其中一个栅极的电压与漏极的电压之间的压差，Vbs为该栅极晶体管的另一个栅极的电压与漏极的电压之间的压差，a为常量。
该发光器件D可以为Micro-LED、Mini-LED或者OLED。在一些实施方式中，该发光器件D可以包括一个Micro-LED、一个Mini-LED或者一个OLED。在另一些实施方式中，该发光器件D可以包括多个Micro-LED、多个Mini-LED或者多个OLED，多个Micro-LED可以串联设置或者并联设置，多个Mini-LED，多个OLED可以串联设置或者并联设置。
其中，双栅极晶体管T0的第一栅极与第一节点g电连接。双栅极晶体管T0的第二栅极与第二节点b电连接。双栅极晶体管T1的源极与第一电源端VDD电连接。双栅极晶体管T0的漏极与第三节点s电连接。发光器件D的第一端与第三节点s电连接。发光器件D的第二端与第二电源端VSS电连接。第一写入模块101接入数据信号Data以及第一控制信号Scan，并电性连接于第一节点g。第二写入模块102接入写入信号Vini1以及第一控制信号Scan，并电性连接于第三节点s。复位模块103接入第一复位信号Vref、第二复位信号Vini2、第二控制信号Sense以及第三控制信号Reset，并电性连接于第二节点b以及第三节点s。电位控制模块104接入第二控制信号Sense，并电性连接于第一节点g与第三节点s。
第一写入模块101用于在第一控制信号Scan的控制下将数据信号Data输出至第一节点g。第二写入模块102用于在第二控制信号Sense的控制下将写入信号Vini1输出至第三节点s。复位模块103用于在第二控制信号Sense的控制下将第一复位信号Vref输出至第二节点b。复位模块103还用于在第三控制信号Reset的控制下将第二复位信号Vini2输出至第三节点s。电位控制模块104用于在第二控制信号Sense的控制下，保持第一节点g与第三节点s的电位相同。
需要说明的是，第一节点g、第二节点b以及第三节点s均表示为与相应器件电连接的节点，在此仅仅表示为电连接关系，此处第一节点g、第二节点b以及第三节点s并不表示为端子。
在一些实施例中，请参阅图2，图2为本申请实施例提供的补偿电路的第一种电路示意图。结合图1、图2所示，第一写入模块101包括第一晶体管T1。第一晶体管T1的栅极接入第一控制信号Scan。第一晶体管T1的源极接入数据信号Data。第一晶体管T1的漏极与第一节点g电连接。需要说明的是，本申请实施例提供的补偿电路中的第一写入模块101的具体电路结构仅仅为一示例，可以理解地，第一写入模块101还可以采用多个晶体管串联形成。
在一些实施例中，请参阅图3，图3为本申请实施例提供的补偿电路的第二种电路示意图。结合图1、图3所示，第二写入模块102包括第二晶体管T2。第二晶体管T2的栅极接入第一控制信号Scan。第二晶体管T2的源极接入写入信号Vini1。第二晶体管T2的漏极与第三节点s电连接。需要说明的是，本申请实施例提供的补偿电路中的第二写入模块102的具体电路结构仅仅为一示例，可以理解地，第二写入模块102还可以采用多个晶体管串联形成。
在一些实施例中，请参阅图4，图4为本申请实施例提供的补偿电路的第三种电路示意图。结合图1、图4所示，复位模块103包括第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第一电容C1。第三晶体管T3的栅极接入第二控制信号Sense。第三晶体管T3的源极接入第一复位信号Vref。第三晶体管T3的漏极与第二节点b电连接。第四晶体管T4的栅极接入第三控制信号Reset。第四晶体管T4的源极接入第二复位信号Vini2。第四晶体管T4的漏极与第三节点s电连接。第一电容C1的第一端与第二节点b电连接。第一电容C1的第二端与第三节点s电连接。需要说明的是，本申请实施例提供的补偿电路中的复位模块103的具体电路结构仅仅为一示例，可以理解地，复位模块103还可以采用多个晶体管串联形成。
在一些实施例中，请参阅图5，图5为本申请实施例提供的补偿电路的第四种电路示意图。结合图1、图5所示，电位控制模块104包括第五晶体管T5以及第二电容C2。第五晶体管T5的栅极接入第二控制信号Sense。第五晶体管T5的源极与第一节点g电连接。第五晶体管T5的漏极与第三节点s电连接。第二电容C2的第一端与第一节点g电连接。第二电容C2的第二端与第三节点s电连接。需要说明的是，本申请实施例提供的补偿电路中的电位控制模块104的具体电路结构仅仅为一示例，可以理解地，电位控制模块104还可以采用多个晶体管串联形成。
进一步的，本申请实施例将对该补偿电路的一完整电路进行说明。请参阅图6，图6为本申请实施例提供的补偿电路的第五种电路示意图。如图6所示，本申请实施例提供的补偿电路包括双栅极晶体管T0、发光器件D、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第一电容C1以及第二电容C2。
需要说明的是，双栅极晶体管T0、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4以及第五晶体管T5可以为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管或非晶硅薄膜晶体管中的一种或者多种。在一些实施例中，可以设置本申请实施例提供的补偿电路中的晶体管为同一种类型的晶体管，从而避免不同类型的晶体管之间的差异性对补偿电路造成的影响。
其中，双栅极晶体管T0的第一栅极与第一节点g电连接。双栅极晶体管T0的第二栅极与第二节点b电连接。双栅极晶体管T0的源极与第一电源端VDD电连接。双栅极晶体管T0的漏极与第三节点s电连接。发光器件D的第一端与第三节点s电连接。发光器件D的第二端与第二电源端VSS电连接。第一晶体管T1的栅极接入第一控制信号Scan。第一晶体管T1的源极接入数据信号Data。第一晶体管T1的漏极与第一节点g电连接。第二晶体管T2的栅极接入第一控制信号Scan。第二晶体管T2的源极接入写入信号Vini1。第二晶体管T2的漏极与第三节点s电连接。第三晶体管T3的栅极接入第二控制信号Sense。第三晶体管T3的源极接入第一复位信号Vref。第三晶体管T3的漏极与第二节点b电连接。第四晶体管T4的栅极接入第三控制信号Reset。第四晶体管T4的源极接入第二复位信号Vini2。第四晶体管T4的漏极与第三节点s电连接。第一电容C1的第一端与第二节点b电连接。第一电容C1的第二端与第三节点s电连接。第五晶体管T5的栅极接入第二控制信号Sense。第五晶体管T5的源极与第一节点g电连接。第五晶体管T5的漏极与第三节点s电连接。第二电容C2的第一端与第一节点g电连接。第二电容C2的第二端与第三节点s电连接。
请参阅图7，图7为图6所示的补偿电路的时序示意图。结合图6、图7所示，本申请实施例提供的补偿电路的驱动时序包括复位阶段TT1、补偿阶段TT2、写入阶段TT3以及发光阶段TT4。
其中，在复位阶段TT1，第一晶体管T1在第一控制信号Scan的控制下关闭。第二晶体管T2在第一控制信号Scan的控制下关闭。第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下先打开后关闭，第一复位信号Vref输出至第二节点b。第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下打开，第二复位信号Vini2输出至第三节点s。第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下先打开后关闭，第一节点g与第二节点b保持相同的电位。
具体的，复位阶段TT1包括第一复位阶段t1以及第二复位阶段t2。在第一复位阶段t1，第一晶体管T1在第一控制信号Scan的控制下关闭。第二晶体管T2在第一控制信号Scan的控制下关闭。第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下关闭。第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下打开，第二复位信号Vini2输出至第三节点s。第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下关闭。在第二复位阶段t2，第一晶体管T1在第一控制信号Scan的控制下关闭。第二晶体管T2在第一控制信号Scan的控制下关闭。第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下打开，第一复位信号Vref输出至第二节点b。第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下打开，第二复位信号Vini2输出至第三节点s。第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下打开，第一节点g与第三节点s保持相同的电位。
需要说明的是，在复位阶段TT1，第三控制信号Reset为高电位，第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下打开，第二复位信号Vini2输出至第三节点s，从而对发光器件D的第一端进行初始化；随后，第二控制信号Sense由低电位转为高电位，第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下打开，第一复位信号Vref输出至第二节点b，使得双栅极晶体管T0的第二栅极复位为第一复位信号Vref的电位；与此同时，第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下打开，使得第一节点g与第三节点s保持相同的电位。也即，本申请实施例通过这样的时序设置是为了使得第三节点s复位的时候不受到第一节点g的电位的影响。
其中，在补偿阶段TT2，第一晶体管T1在第一控制信号Scan的控制下关闭。第二晶体管T2在第一控制信号Scan的控制下关闭。第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下继续打开，第一复位信号Vref继续输出至第二节点b。第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下关闭。第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下继续打开，第一节点g与第二节点b保持相同的电位；第一电源端VDD给第三节点s充电直至第二节点b与第三节点s之间的压差等于双栅极晶体管T0的阈值电压时截止。
其中，在写入阶段TT3，第一晶体管T1在第一控制信号Scan的控制下打开，数据信号Data输出至第一节点g。第二晶体管T2在第一控制信号Scan的控制下打开，写入信号Vini1输出至第三节点s。第三晶体管T3在第二控制信号Sense的控制下关闭。第四晶体管T4在第三控制信号Reset的控制下关闭。第五晶体管T5在第二控制信号Sense的控制下关闭。此时，双栅极晶体管T0的第一栅极与漏极之间的压差等于数据信号Data的电位与写入信号Vini1的电位之间的差值。
其中，在发光阶段TT4，发光器件D发光。由于双栅极晶体管T0是一个四端子器件，其含有两个栅极，实际工作的等效栅漏电压满足以下关系式：V＝Vgs-a*Vbs，V为该双栅极晶体管T1实际工作的等效栅漏电压，Vgs为该双栅晶体管T0的第一栅极的电压与漏极的电压之间的压差，Vbs为该双栅晶体管T0的第二栅极的电压与漏极的电压之间的压差，a为常量。
根据驱动电流计算公式：I＝k(V-Vth)2，其中，k为常数；也即，I＝k(Vgs-a*Vbs-Vth)2＝k(Vdata-Vini1)2。可以看出，根据电流计算公式，流经发光器件D的电流此时与双栅极晶体管T0的阈值电压无关。
进一步的，本申请实施例提供的补偿电路的驱动时序还包括缓冲阶段TT5。缓冲阶段TT5设置在补偿阶段T2与写入阶段T3之间。在缓冲阶段TT5，第二控制信号Sense由高电位缓慢降低至低电位。由于实际显示面板中接入第二控制信号Sense的走线会受到RC延迟的影响，当从高电位转到低电位的时候，是缓慢降下来的，为了保证各阶段信号不受其它信号影响，一般需隔开一段时间再到写入阶段TT3，确保接入第二控制信号Sense的信号线完全由高电位转至低电位后再打开接入第一控制信号Scan的信号线。
本申请提供的补偿电路，采用6T2C(6个晶体管以及2个电容)结构的补偿电路对像素中的驱动晶体管的阈值电压进行补偿，该补偿电路的架构相较于现有的补偿电路，其补偿驱动晶体管的阈值电压的漂移范围更广、补偿精度更高；且该补偿电路不需要设置负压源，从而可以节约成本；此外，该补偿电路还可以通过调整第一控制信号Scan的脉宽，从而当数据信号Data的电压较高时，可以使得第一节点g的电位也可以达到高电位，进而解决充电不足的问题。
请参阅图8，图8为本申请实施例提供的驱动方法的第一种流程示意图。结合图6、图7、图8所示，本申请实施例提供的驱动方法用于以上所述的补偿电路。所述驱动方法包括步骤100、步骤200、步骤300以及步骤400。
复位阶段TT1，所述第三晶体管T4在所述第二控制信号Sense的控制下打开，所述第一复位信号Vref输出至所述第二节点b，所述第四晶体管T4在所述第三控制信号Reset的控制下打开，所述第二复位信号Vini2输出至所述第三节点s，所述第五晶体管T5在所述第二控制信号Sense的控制下打开，所述第一节点g与所述第三节点s保持相同的电位。
补偿阶段TT2，所述第三晶体管T3在所述第二控制信号Sense的控制下打开，所述第一复位信号Vref继续输出至所述第二节点b，所述第四晶体管T4在所述第三控制信号Reset的控制下关闭，所述第五晶体管T5在所述第二控制信号Sense的控制下打开，所述第一节点g与所述第三节点s保持相同的电位，所述第一电源端VDD给所述第三节点s充电直至所述第二节点b与所述第三节点s之间的压差等于所述双栅极晶体管T0的阈值电压时截止。
写入阶段TT3，所述第一晶体管T1以及所述第二晶体管T2在所述第一控制信号Scan的控制下打开，所述数据信号Data输出至所述第一节点g，所述写入信号Vini1输出至所述第三节点s。
发光阶段TT4，所述发光器件D发光。
在一些实施例中，请参阅图9，图9为本申请实施例提供的驱动方法的第二种流程示意图。步骤100具体包括步骤110以及步骤120。所述复位阶段TT1包括第一复位阶段t1以及第二复位阶段t2；在所述第一复位阶段t1，所述第四晶体管T5在所述第三控制信号Reset的控制下打开，所述第二复位信号Vini2输出至所述第三节点s，对所述发光器件D进行复位，所述第三晶体管T3以及所述第五晶体管T5在所述第二控制信号Sense的控制下关闭；在所述第二复位阶段t2，所述第三晶体管T3以及所述第五晶体管T5在所述第二控制信号Sense的控制下打开，所述第一复位信号Vref输出至所述第二节点b，所述第一节点g与所述第三节点s保持相同的电位，所述第四晶体管T4在所述第三控制信号Reset的控制下打开，所述第二复位信号Vini2继续输出至所述第三节点s。
在一些实施例中，请参阅图10，图10为本申请实施例提供的驱动方法的第三种流程示意图。所述驱动方法还包括步骤500。所述驱动方法还包括缓冲阶段TT5，所述缓冲阶段TT5设置在所述补偿阶段TT2与所述写入阶段TT3之间；在所述缓冲阶段TT5，所述第二控制信号Sense由高电位缓慢降低至低电位。
请参阅图11，图11为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。本申请实施例还提供一种显示面板12，包括多个呈阵列排布的像素11，每一像素均11包括以上所述的补偿电路10，具体可参照以上对该补偿电路10的描述，在此不做赘述。
本申请提供的显示面板，采用6T2C(6个晶体管以及2个电容)结构的补偿电路对像素中的驱动晶体管的阈值电压进行补偿，该补偿电路的架构相较于现有的补偿电路，其补偿驱动晶体管的阈值电压的漂移范围更广、补偿精度更高；且该补偿电路不需要设置负压源，从而可以节约成本；此外，该补偿电路还可以通过调整第一控制信号Scan的脉宽，从而当数据信号Data的电压较高时，可以使得第一节点g的电位也可以达到高电位，进而解决充电不足的问题。
以上所述是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种补偿电路，其特征在于，包括：
双栅极晶体管，所述双栅极晶体管的第一栅极与第一节点电连接，所述双栅极晶体管的第二栅极与第二节点电连接，所述双栅极晶体管的源极与第一电源端电连接，所述双栅极晶体管的漏极与第三节点电连接；
发光器件，所述发光器件的第一端与所述第三节点电连接，所述发光器件的第二端与第二电源端电连接；
第一写入模块，所述第一写入模块接入数据信号以及第一控制信号，并电性连接于所述第一节点，所述第一写入模块用于在所述第一控制信号的控制下将所述数据信号输出至所述第一节点；
第二写入模块，所述第二写入模块接入写入信号以及所述第一控制信号，并电性连接于所述第三节点，所述第二写入模块用于在所述第二控制信号的控制下将所述写入信号输出至所述第三节点；
复位模块，所述复位模块接入第一复位信号、第二复位信号、第二控制信号以及第三控制信号，并电性连接于所述第二节点以及所述第三节点，所述复位模块用于在所述第二控制信号的控制下将所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述复位模块还用于在所述第三控制信号的控制下将所述第二复位信号输出至所述第三节点；
电位控制模块，所述电位控制模块接入所述第二控制信号，并电性连接于所述第一节点与所述第三节点，所述电位控制模块用于在所述第二控制信号的控制下，保持所述第一节点与所述第三节点的电位相同。
2.根据权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述第一写入模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第一晶体管的源极接入所述数据信号，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点电连接。
3.根据权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述第二写入模块包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第二晶体管的源极接入所述写入信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三节点电连接。
4.根据权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述复位模块包括第三晶体管、第四晶体管以及第一电容；
所述第三晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第三晶体管的源极接入所述第一复位信号，所述第三晶体管的漏极与所述第二节点电连接；
所述第四晶体管的栅极接入所述第三控制信号，所述第四晶体管的源极接入所述第二复位信号，所述第四晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第一电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第一电容的第二端与所述第三节点电连接。
5.根据权利要求1所述的补偿电路，其特征在于，所述电位控制模块包括第五晶体管以及第二电容；
所述第五晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第五晶体管的源极与所述第一节点电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
所述第二电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第二电容的第二端与所述第三节点电连接。
6.一种补偿电路，其特征在于，包括：
双栅极晶体管，所述双栅极晶体管的第一栅极与第一节点电连接，所述双栅极晶体管的第二栅极与第二节点电连接，所述双栅极晶体管的源极与第一电源端电连接，所述双栅极晶体管的漏极与第三节点电连接；
发光器件，所述发光器件的第一端与所述第三节点电连接，所述发光器件的第二端与第二电源端电连接；
第一晶体管，所述第一晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第一晶体管的源极接入所述数据信号，所述第一晶体管的漏极与所述第一节点电连接；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极接入所述第一控制信号，所述第二晶体管的源极接入所述写入信号，所述第二晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第三晶体管，所述第三晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第三晶体管的源极接入所述第一复位信号，所述第三晶体管的漏极与所述第二节点电连接；
第四晶体管，所述第四晶体管的栅极接入所述第三控制信号，所述第四晶体管的源极接入所述第二复位信号，所述第四晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第五晶体管，所述第五晶体管的栅极接入所述第二控制信号，所述第五晶体管的源极与所述第一节点电连接，所述第五晶体管的漏极与所述第三节点电连接；
第一电容，所述第一电容的第一端与所述第二节点电连接，所述第一电容的第二端与所述第三节点电连接；
第二电容，所述第二电容的第一端与所述第一节点电连接，所述第二电容的第二端与所述第三节点电连接。
7.一种驱动方法，其用于驱动如权利要求6所述的补偿电路，其特征在于，所述驱动方法包括：
复位阶段，所述第三晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号输出至所述第三节点，所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位；
补偿阶段，所述第三晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号继续输出至所述第二节点，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下关闭，所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位，所述第一电源端给所述第三节点充电直至所述第二节点与所述第三节点之间的压差等于所述双栅极晶体管的阈值电压时截止；
写入阶段，所述第一晶体管以及所述第二晶体管在所述第一控制信号的控制下打开，所述数据信号输出至所述第一节点，所述写入信号输出至所述第三节点；
发光阶段，所述发光器件发光。
8.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，所述复位阶段包括第一复位阶段以及第二复位阶段；
在所述第一复位阶段，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号输出至所述第三节点，对所述发光器件进行复位，所述第三晶体管以及所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下关闭；
在所述第二复位阶段，所述第三晶体管以及所述第五晶体管在所述第二控制信号的控制下打开，所述第一复位信号输出至所述第二节点，所述第一节点与所述第三节点保持相同的电位，所述第四晶体管在所述第三控制信号的控制下打开，所述第二复位信号继续输出至所述第三节点。
9.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，所述驱动方法还包括缓冲阶段，所述缓冲阶段设置在所述补偿阶段与所述写入阶段之间；在所述缓冲阶段，所述第二控制信号由高电位缓慢降低至低电位。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括多个呈阵列排布的像素，每一所述像素均包括权利要求1-5任一项所述的补偿电路。
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