JP2011128140A5 - - Google Patents

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  1. 有機材料を含み、配線を有する基板と、
    前記基板上に配置されて、前記配線と電気的に接続されたセンサと、
    前記基板上に配置されて、且つ前記センサを覆う有機材料を含むパッケージキャップと、
    を具備し、
    前記パッケージキャップは、前記基板上に配置された前記センサと対向する側とは反対側に凸部を有し、
    前記パッケージキャップの内側は中空であることを特徴とするセンサデバイス。
  2. 前記基板は、凹部を含み、
    前記センサの一部または全体は、前記凹部内に収納されていることを特徴とする請求項1に記載のセンサデバイス。
  3. 前記基板上に配置されたICをさらに具備し、
    前記センサは、前記IC上に配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載されたセンサデバイス。
  4. 前記ICと前記センサとを電気的に接続するバンプをさらに具備することを特徴とする請求項3に記載のセンサデバイス。
  5. 前記基板上に配置されたICをさらに具備し、
    前記センサと前記ICとは、前記基板上に並んで配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のセンサデバイス。
  6. 前記ICは、前記センサと共に前記パッケージキャップに覆われることを特徴とする請求項5に記載のセンサデバイス。
  7. 前記ICを覆う、有機材料を含むパッケージキャップをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のセンサデバイス。
  8. 前記基板の熱膨張係数の値と前記パッケージキャップの熱膨張係数の値とは略等しいことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のセンサデバイス。
  9. 前記センサは、外力に応じて変位する変位部を有することを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のセンサデバイス。
  10. 前記センサは、外力に応じて変位する錘部と前記錘部の変位に応じて撓む可撓部とを有する力学量センサであることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のセンサデバイス。
  11. 有機材料を含み、配線を有する基板上に複数のセンサを配置し、
    前記配線と前記複数のセンサとをそれぞれ電気的に接続し、
    複数の開口部を有する型枠に一部が嵌めこまれ、有機材料を含むパッケージキャップと、前記複数のセンサが配置された基板とを前記複数のセンサのそれぞれが前記開口部と相対するように対向配置させて、前記複数のセンサを一括で封止し、
    前記パッケージキャップを前記型枠から外し、
    前記パッケージキャップにおける前記開口部に対応する位置の外側領域で、前記複数のセンサのそれぞれが内包されるように前記パッケージキャップを複数に分割して前記センサチップを個片化すること、
    を含むセンサデバイスの製造方法。
  12. 前記基板は、複数の凹部を含み、
    前記複数のセンサの各々の一部または全体は、前記凹部内にそれぞれ収納されることを特徴とする請求項11に記載のセンサデバイスの製造方法。
  13. 前記複数のセンサと前記複数のパッケージキャップとの間が中空であることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載のセンサデバイスの製造方法。
  14. 複数のICを前記基板上に配置し、
    前記複数のセンサは、前記複数のIC上にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載のセンサデバイスの製造方法。
  15. 前記複数のセンサと前記複数のICとは、バンプを介してそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする請求項14に記載のセンサデバイスの製造方法。
  16. 有機材料を含み、配線を有する基板と、
    前記基板上に配置されて、前記配線に接続された請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載されたセンサデバイスと、
    を含む半導体装置。
  17. 凹部又は開口を有する基板と、
    前記基板の凹部又は開口に配置された金属基板と、
    前記金属基板の一方の面上に配置されたICと、
    前記IC上に配置され、前記ICと電気的に接続されたセンサと、
    前記基板上に配置されて、且つ前記センサを覆うパッケージキャップと、
    を具備し、
    前記パッケージキャップは、前記基板上に配置された前記センサと対向する側とは反対側に凸部を有し、
    前記パッケージキャップの内側は中空であることを特徴とするセンサデバイス。
  18. 前記金属基板は、銅を含むことを特徴とする請求項17に記載のセンサデバイス。
  19. 前記ICは、前記金属基板と接着剤を介して配置されていることを特徴とする請求項17に記載のセンサデバイス。
  20. 前記金属基板の他方の面を覆う絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置されたダミーパッドと、
    をさらに有する請求項17乃至請求項19のいずれか一項に記載されたセンサデバイス。
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