JP2011176340A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. 半導体基板と、前記半導体基板の一面上の周辺部を除く領域に設けられ、比誘電率が３．０以下でガラス転移温度が４００℃以上である低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部と、前記低誘電率膜配線積層構造部上に設けられた有機樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記低誘電率膜配線積層構造部の最上層の配線の接続パッド部に接続されて設けられた電極用接続パッド部と、前記電極用接続パッド部上に設けられた外部接続用バンプ電極と、少なくとも前記外部接続用バンプ電極の周囲における前記絶縁膜上に設けられた有機樹脂からなる封止膜とを備え、前記低誘電率膜配線積層構造部の側面が前記絶縁膜および前記封止膜のいずれか一方の膜によって覆われていて、前記一方の膜は前記半導体基板に接触するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜は無機材料からなるパッシベーション膜と有機材料からなる保護膜とを含むことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項２に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記保護膜と前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項２に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成し、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は前記保護膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記封止膜によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項４に記載の発明において、前記保護膜は前記半導体基板の端面と同一面まで延出されていることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項２に記載の発明において、前記保護膜の側面は前記低誘電率膜配線積層構造部の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項７に記載の発明において、前記パッシベーション膜と前記低誘電率膜配線積層構造部の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項６に記載の発明において、前記パッシベーション膜の側面は前記保護膜の側面よりも内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
10. 請求項７に記載の発明において、前記保護膜と前記パッシベーション膜の側面は実質的に一面を形成していることを特徴とする半導体装置。
11. 請求項１に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその最上層の低誘電率膜との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とする半導体装置。
12. 請求項１に記載の発明において、前記低誘電率膜配線積層構造部は、その最上層の配線とその下の配線との間に下層パッシベーション膜を有することを特徴とする半導体装置。
13. 請求項１１または１２に記載の発明において、前記下層パッシベーション膜は酸化シリコンからなることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１３に記載の発明において、前記絶縁膜は窒化シリコンからなるパッシベーション膜を含むことを特徴とする半導体装置。
15. 請求項１に記載の発明において、前記絶縁膜上に前記電極用接続パッド部を有する上層配線が形成されていることを特徴とする半導体装置。
16. 請求項１５に記載の発明において、前記上層配線の接続パッド部上に形成された外部接続用バンプ電極は柱状電極であることを特徴とする半導体装置。
17. 請求項１６に記載の発明において、前記柱状電極上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
18. 請求項１に記載の発明において、前記低誘電率膜は、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−Ｈ結合を有するポリシロキサン系材料、Ｓｉ−Ｏ結合とＳｉ−ＣＨ₃ 結合を有するポリシロキサン系材料、炭素添加酸化シリコン、有機ポリマー系のｌｏｗ−ｋ材料のいずれかを含み、あるいは、フッ素添加酸化シリコン、ボロン添加酸化シリコン、酸化シリコンのいずれかであってポーラス型のものを含むことを特徴とする半導体装置。