JPH1164369A

JPH1164369A - 半導体センサ

Info

Publication number: JPH1164369A
Application number: JP9229876A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Nodera; 健一野寺; Shogo Suzuki; 章悟鈴木; Masaya Ichino; 雅也市野; Akihiro Azuma; 晃広吾妻
Original assignee: Nihon Inter Electronics Corp
Current assignee: Nihon Inter Electronics Corp
Priority date: 1997-08-26
Filing date: 1997-08-26
Publication date: 1999-03-05

Abstract

(57)【要約】【課題】従来より簡単な作業によって、パッケージに
対して加速度センサチップを平行な状態で固定すること
ができる半導体センサを提供する。【解決手段】外面１３と、外面１３に対し平行する主
面２ａを有する内面２とからなる底部を備える箱体であ
るパッケージ１の内面２には、直方体形状の加速度セン
サチップ８の下面８ａが当接できる膨出部３、３…が形
成されていて、内面２上に前記チップ８を載置すると、
この膨出部３、３…によって、前記チップ８の下面８ａ
が主面２ａに対して平行な状態で、支持されるように構
成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、内部に半導体セン
サチップが固定されている半導体センサに関する。

【０００２】

【従来の技術】物体、例えば自動車やカメラ等に組み込
まれて、それらの移動、衝突などで生じる加速度を、抵
抗素子の抵抗値の変化に基づいて検出する半導体センサ
が知られている。このような半導体センサを図１２に示
す。半導体センサ６０は、上下方向の形状が正方形であ
る直方体形状であり、図１２はその横断面図である。半
導体センサ６０は、パッケージ６１、蓋６２の中に、抵
抗素子（図示せず）が設けられている加速度センサチッ
プ６３を固定してなるものである。ボンディングワイヤ
ー６４、６４は、加速度センサチップ６３の抵抗素子
と、パッケージ６１に形成されている金属配線（図示せ
ず）とを電気的に接続している。パッケージ６１の底部
は互いに平行する内面６１ａと外面６１ｂとからなる。

【０００３】上記の加速度センサチップ６３は半導体セ
ンサ６０の内部に次のようにして固定される。パッケー
ジ６１の正方形状の内面６１ａの４角近傍にダイボンド
剤６６を適量滴下し、その中に均一の直径を有するガラ
スビーズ６５を各箇所２、３個ずつ設置する。そのガラ
スビース６５の上に加速度センサチップ６３を設置後、
パッケージ６１ごと加熱しダイボンド剤６６を固化する
と、図１２の状態で加速度センサチップ６３は半導体セ
ンサ６０内部に固定される。半導体センサ６０において
は、加速度を正確に検出するために、パッケージ６１の
底部に対して、加速度センサチップ６３の上面及び下面
が平行になるように、前記チップ６３を固定しなければ
ならない。内面６１ａと加速度センサチップ６３との間
に単にダイボンド剤６６を介在させただけでは、加速度
センサチップ６３をパッケージ６１底部の内面６１ａに
対して平行な状態で固定することは難しいことから、上
記の半導体センサ６０で述べたように、均一の直径を有
するガラスビーズ６５を、内面６１ａと加速度センサチ
ップ６３との間に置くと、ガラスビーズ６５の直径分の
間隔をもって、内面６１ａに対して加速度センサチップ
６３が平行な状態になる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のガラス
ビーズ６５を内面６１ａに置く作業は、顕微鏡下で先の
細い道具で、必要に応じてダイボンド剤６６を粘着剤と
して用い、１つ１つ数えながら置いていくことから、非
常に作業性が悪かった。

【０００５】本発明の目的は、従来より簡単な作業によ
って、パッケージに対して加速度センサチップを平行な
状態で固定することができる半導体センサを提供するこ
とにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべ
く、本発明の請求項１に記載の発明は、外面と前記外面
に対し平行する主面を有する内面とからなる底部を備え
る箱体であるパッケージの前記内面上に、直方体形状の
加速度センサチップが、該加速度センサチップの下面が
前記主面に対して平行になるように、固定されている半
導体センサにおいて、前記パッケージの前記内面と前記
加速度センサチップの前記下面のいずれか一方には、他
方に当接することができる当接部が設けられ、前記当接
部によって、前記加速度センサチップは、前記下面が前
記主面に対して平行な状態で、前記内面上に、支持され
るように構成されていることを特徴とする。

【０００７】請求項１に記載の半導体センサによれば、
パッケージの内面と加速度センサチップの下面のいずれ
か一方には、他方に当接することができる当接部が設け
られ、この当接部によって、加速度センサチップが、加
速度センサチップの下面がパッケージ内面の主面に対し
て平行な状態で、前記内面上に、支持されるように構成
されていることから、加速度センサチップを、パッケー
ジの内面上に載置すれば、加速度センサチップが当接部
によって支持されることで、加速度センサチップの下面
がパッケージ底部内面の主面に対して平行な状態にな
る。この状態で、双方の間をダイボンド剤で接着すれ
ば、パッケージに対して加速度センサチップを平行な状
態で固定することができる。

【０００８】ここで、加速度センサチップとは、半導体
である抵抗素子が設けられ、外部から加えられた加速度
によってその抵抗素子の抵抗が変化するものである。パ
ッケージは、導電性ではない材質から製造され、例え
ば、セラミックや樹脂からなる。また、当接部は、パッ
ケージと加速度センサチップのどちらに設けられてもよ
く、その形状、大きさも加速度センサチップをパッケー
ジ内面上に支持できるものであればよい。さらに、当接
部は、パッケージまたはチップに対して、一体に形成さ
れていてもよいし、別途接着等により設けてもよい。

【０００９】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記当接部は、前記パッケージの前記
内面に設けられていることを特徴とする。

【００１０】請求項２に記載の半導体センサによれば、
当接部は、パッケージ底部の内面に設けられていること
から、加速度センサチップを当接部上に載置すれば、加
速度センサチップの下面がパッケージ底部の主面に対し
て平行な状態になる。この状態で、双方の間をダイボン
ド剤で接着すれば、パッケージに対して加速度センサチ
ップを平行な状態で固定することができる。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記当接部は前記内面から突出して形
成されていることを特徴とする。

【００１２】請求項３に記載の半導体センサによれば、
当接部は、パッケージの内面から突出して形成されてい
て、加速度センサチップをこの当接部に載置すれば、加
速度センサチップの下面がパッケージ底部の主面に対し
て平行な状態になる。この状態で、双方の間をダイボン
ド剤で接着すれば、パッケージに対して加速度センサチ
ップを平行な状態で固定することができる。ここで、当
接部はパッケージ内面から突出して形成されている、例
えば、膨出部や突部である。このような当接部は、パッ
ケージと一体にモールド成型することで形成してもよい
し、パッケージ内面に対して別途形成してもよい。

【００１３】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記パッケージの前記内面には前記主
面に対して窪んでいる凹部が形成されていて、前記当接
部は前記凹部に囲まれている前記主面の一部であること
を特徴とする。

【００１４】請求項４に記載の半導体センサによれば、
パッケージ底部の内面には主面に対して窪んでいる凹部
が形成されていて、当接部は凹部に囲まれている主面の
一部である。例を挙げると、主面に対して窪んでいる凹
部を、内面の４角近傍に三角形状に形成し、また内面の
中央部には八角形状に形成する。これによって、主面の
一部であって、４つの三角形状の凹部と中央部の八角形
状の凹部との間にはリブが形成されることになり、この
リブを当接部とする。そして、この当接部であるリブが
形成されている主面上に加速度センサチップを載置すれ
ば、加速度センサチップの下面が、リブによって支持さ
れて、当然に、パッケージ底部の主面に対して平行な状
態になる。この状態で、凹部においてチップとパッケー
ジ内面との間をダイボンド剤で接着すれば、パッケージ
に対して加速度センサチップを平行な状態で固定するこ
とができる。

【００１５】請求項５に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、前記内面は、前記主面のみからなり、
前記当接部は、前記加速度センサチップの前記下面に設
けられていることを特徴とする。

【００１６】請求項５に記載の半導体センサによれば、
加速度センサチップの下面に設けられている当接部を脚
部として、主面のみからなる内面、つまり外面に平行す
る内面上に載置すれば、加速度センサチップの下面がパ
ッケージ底部の内面に対して平行な状態になる。この状
態で、双方の間をダイボンド剤で接着すれば、パッケー
ジに対して加速度センサチップを平行な状態で固定する
ことができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体センサにつ
いて図面に基づいて説明する。（第１実施形態例）図１は、本発明の第１の実施形態例
の半導体センサに用いられるパッケージであり、図２は
該パッケージを用いた半導体センサを示している。パッ
ケージ１は、上下方向から見た形状が一辺の長さが１ｃ
ｍ程度の略正方形であり、高さは５ｍｍ程度の箱体であ
る。パッケージ１の内側の側面には２段階の段差が形成
され、外側の側面には溝部５、５…が多数形成されてい
る。そして、前記の内側の２つの段差のうち上の段差に
よって形成され、上を向いている面４から、溝部５、５
…、さらにパッケージ１底部の外面１３（図２）にかけ
て連続して、多数の金属配線６、６…が配設されてい
る。パッケージ１の底部は外面１３と内面２とからな
る。該内面２は、外面１３に対して平行である主面２ａ
と、正方形状の内面２の４角近傍に１つずつ形成されて
いる膨出部３、３…（当接部）とからなる。この膨出部
３…の上端は略球状であり、４つの膨出部３の上端を結
んで形成される平面は主面２ａに対し平行になる。よっ
て、この４つの膨出部３に平らな下面を有する加速度セ
ンサチップを載置すれば、膨出部３…によってその下面
は主面２ａに対し平行な状態で支持されるようになって
いる。

【００１８】このパッケージ１は、硬質な樹脂から製造
される。まず、膨出部３、溝部５等に対応する形状が形
成されている型を用いて、モールド成型によって、数十
個分が一体に形成される。次にレジストを全体に塗布
後、フォトリソグラフィ技術により、金属配線６が形成
されるべき部分のレジストを取り除いておく。この状態
で、無電解銅メッキ、さらに金メッキを施すと、レジス
トが取り除かれている部分だけに金属配線６が形成され
る。その後、個々のパッケージに切断し、パッケージ１
は製造される。

【００１９】このパッケージ１を用いた半導体センサ１
０の製造方法について以下に説明する。図２には、パッ
ケージ１を用いた半導体センサ１０の断面図を示す。パ
ッケージ１の膨出部３…の部分に、ダイボンド剤７を滴
下する。このダイボンド剤７は、後述する加熱工程によ
って固化後も、可撓性を有し、ひずみが残留しないタイ
プの接着剤で、例えばシリコン系の接着剤が用いられ
る。次に、これら４つの膨出部３の上に、加速度センサ
チップ８を載置する。該チップ８は、主にシリコン基板
からなり、その内部に重錘部（図示せず）が形成され、
外部から加速度が加えられるとその重錘部が変位し、チ
ップ８上面に形成されている抵抗素子の抵抗値が変化す
るもので、上下方向から見た形状がパッケージ１底部の
内面２より短い一辺の長さを有する正方形状で、全体と
して直方体形状である。前述のように、４つの膨出部３
上に載置された前記チップ８の下面８ａは、主面２ａに
対して平行な状態で膨出部３…によって支持されてい
る。

【００２０】上記の状態の該チップ８上に軽い錘を載せ
る。数分放置後、その錘を載せた状態のままで、パッケ
ージ１ごと１５０℃の熱板上に５分間置いてダイボンド
剤７を固化する。これによって、加速度センサチップ８
は、ダイボンド剤７によって、その下面８ａが主面２ａ
に対して平行な状態のまま、パッケージ１底部の内面２
上に固定される。次に、錘を取り除き、パッケージ１の
面４上の金属配線６、６…と、前記チップ８の上部に形
成されている図示しない抵抗素子とを、複数の、金から
なるボンディングワイヤー９、９…（図２では２つのみ
図示）を用いて電気的に接続する。さらに、樹脂製の蓋
１１を、エポキシ樹脂等をシール剤１２として用いて、
パッケージ１に被せ、加熱すると、図２に示すように、
半導体センサ１０がほぼ密閉された構造で製造される。
なお、金属配線６、６…は、パッケージ１の外側に形成
されている部分において、図示しないプリント基板に電
気的に接続されていて、これによって前記チップ８の抵
抗素子の抵抗値の変化によって生じる電気的な変化が検
出されるようになっている。

【００２１】上記のように製造された半導体センサ１０
においては、膨出部３…の上端は略球状であるので、加
速度センサチップ８と各々の膨出部３…はほぼ点接触で
あり、これらの間にダイボンド剤７が残存することはほ
とんどない。

【００２２】以上の半導体センサ１０によれば、外面１
３と、外面１３に対し平行する主面２ａを有する内面２
とからなる底部を備える箱体であるパッケージ１の内面
２には、直方体形状の加速度センサチップ８の下面８ａ
が当接できる膨出部３…が形成されていて、内面２上に
前記チップ８を載置すると、この膨出部３によって、前
記チップ８の下面８ａが主面２ａに対して平行な状態
で、支持されるようになっている。したがって、上記の
ように、双方の間をダイボンド剤７で接着すれば、パッ
ケージ１に対して加速度センサチップ８を平行な状態で
固定することができる。すなわち、チップ８を膨出部３
…上に載置するというだけで、双方を平行な状態にする
ことができ、従来より簡単な作業でパッケージ１に対し
て加速度センサチップ８を平行な状態で固定することが
できる。

【００２３】（第２実施形態例）図３は、本発明の第２
の実施形態例の半導体センサに用いられるパッケージで
ある。パッケージ２１は、上下方向から見た形状が、一
辺の長さが１ｃｍ程度の略正方形で、高さは４ｍｍ程度
の箱体である。パッケージ２１の内側の側面には段差が
形成されていて、外側の側面には溝部２５、２５…が多
数形成されている。前記の内側の段差によって形成され
る、上に向いている面２４から、溝部２５…、さらにパ
ッケージ２１の底部の外面２８（図６）にかけて連続し
て、多数の金属配線２６、２６…が配設されている。該
金属配線２６…は、パッケージ２１の最上面２１ｂによ
って被われていて、その部分については外部からは見え
ない。パッケージ２１の底部は外面２８と内面２２とか
らなる。該内面２２は、外面２８に対して平行である主
面２２ａと、凹部２７、２７…とからなり、主面２２ａ
の一部は凹部２７…によって囲まれているリブ２３、２
３…となっている。

【００２４】上記のリブ２３…及び凹部２７…の形成方
法も含めたパッケージ２１の製造方法について以下に説
明する。パッケージ２１は、適宜加工が施された薄いセ
ラミックシートを数枚重ねたものから数十個一度に製造
される。まず、外面２８となる、一辺１２ｃｍの正方形
状で厚さ０．２〜０．４ｍｍのセラミックシート（図示
せず）の片面には、所定の形状でスクリーン印刷により
ペースト状のタングステンが印刷される。次に、そのタ
ングステンが印刷された面とは逆の面の上に、図４に示
すように、リブ２３…となる部分を残して正方形状の開
口部３５ａ…が形成されたセラミックシート３５を重ね
る。該シート３５上に、図５に示すように、開口部３５
ａよりも大きな開口部３６ａ…が形成されているセラミ
ックシート３６を、例えば６枚重ねる。このときに一番
上に重ねるセラミックシート３６の開口部３６ａ…の周
りはパッケージ２１の面４となり、予め所定の形状でス
クリーン印刷により、ペースト状のタングステンが印刷
されている。この状態で、個々のパッケージの境界の部
分（図４及び図５では点線の部分）に、重ねられた８枚
のセラミックシートの最上面から最下面まで貫通し、印
刷によって配設されているタングステンと連続する多数
の貫通孔をドリルで設ける。この貫通孔が溝部２５…と
なる。この状態で、貫通孔にニッケルメッキを施す。次
に、開口部３６ａよりも大きい正方形状の開口部が形成
されているセラミックシート（図示せず）を一枚重ね、
この状態で焼成する。焼成後、全体を金メッキ槽に浸す
と、タングステンが印刷された部分とニッケルメッキが
施された貫通孔に、金メッキが施され、これが金属配線
２６…となる。最後に、ダイヤモンドソー等を用いて個
々に割ると、パッケージ２１が得られる。

【００２５】このように製造されたパッケージ２１の底
部の内面２２は、セラミックシート３５を由来とする主
面２２ａを有し、内面２２の４角近傍と中央部には、セ
ラミックシート３５の開口部３５ａを由来とする、凹部
２７、２７…が５ヶ所形成されている。そして、凹部２
７…に囲まれている、主面２２ａの一部である４つのリ
ブ２３…は、主面２２ａと同一平面に形成されている当
接部となる。リブ２３…の幅は、非常に細く、例えば
０．２ｍｍ程度である。このリブ２３…を含む主面２２
ａに、平らな下面を有する加速度センサチップを載置す
れば、その下面は当然に主面２２ａに対し平行な状態
で、支持されるようになっている。

【００２６】上記のパッケージ２１を用いた半導体セン
サの製造方法について以下に説明する。図６は、上記の
パッケージ２１を用いた半導体センサ３０を示した断面
図である。図６においては、第１実施形態例と同じもの
については、図２と同じ符号を付している。まず、４つ
のリブ２３…上に、ダイボンド剤７を滴下する。図７
は、その様子を示したものである。この状態の主面２２
ａ上に、加速度センサチップ８を載置すると、ダイボン
ド剤７は、リブ２３…上から押し出され、リブ２３…の
両脇の凹部２７…において、前記チップ８と内面２２と
の間に溜まる。また、前述のように、主面２２ａ上に載
置された前記チップ８の下面８ａは、主面２２ａに対し
て平行な状態で支持されている。

【００２７】その後の工程は、第１実施形態例と同様に
行われ、加速度センサチップ８は、凹部２７…にあるダ
イボンド剤７によって、その下面８ａが主面２２ａに対
して平行な状態のまま、パッケージ２１底部の内面２２
上に固定される。次に、面２４上の金属配線２６…と、
チップ８の抵抗素子（図示せず）とを、ボンディングワ
イヤー９…（図６では２つのみ図示）を用いて電気的に
接続後、セラミック製の蓋２９を、エポキシ樹脂や低融
点ガラス等をシール剤３１として用いて、パッケージ２
１に被せて、加熱すると、図６に示す半導体センサ３０
がほぼ密閉された構造で製造される。

【００２８】以上の半導体センサ３０によれば、外面２
８と、外面２８に対し平行する主面２２ａを有する内面
２２とからなる底部を備える箱体であるパッケージ２１
の内面２２には、主面２２ａに対して窪んでいる凹部２
７…が形成されている。凹部２７に囲まれている、主面
２２ａの一部であるリブ２３は、主面２２ａと同一平面
に形成されている当接部となり、このリブ２３を含む主
面２２ａに、加速度センサチップ８を載置すれば、その
面は当然に主面２２ａに対し平行な状態で、支持される
ようになっている。したがって、上記のように、双方の
間をダイボンド剤７で接着すれば、パッケージ２１に対
して加速度センサチップ８を平行な状態で固定すること
ができる。すなわち、該チップ８をリブ２３…を含む主
面２２ａ上に載置するだけで、双方を平行な状態にする
ことができ、従来より簡単な作業でパッケージ２１に対
して加速度センサチップ８を平行な状態で固定すること
ができる。

【００２９】（第３実施形態例）図８は、本発明の第３
の実施形態例の半導体センサに用いられる加速度センサ
チップの下面を示す斜視図である。加速度センサチップ
４５は、シリコン基板から製造され、第１及び第２実施
形態例の前記チップ８同様、その内部に重錘部（図示せ
ず）が形成され、加速度が加えられるとその重錘部が変
位し、チップ４５上面に形成されている図示しない抵抗
素子の抵抗値が変化するものである。チップ４５は、上
下方向から見た形状は正方形状であり、全体として直方
体形状である。加速度センサチップ４５の下面４５ａの
４角近傍には、当接部である突部４６、４６…が４個形
成されている。この突部４６…は裁頭四角錐状で、全て
同じ高さを有し、それらの端面は一辺が０．２ｍｍ程度
の略正方形状であり、これら４つの面が同一平面になる
ように形成されている。突部４６…は、加速度センサチ
ップ４５の下部を形成するシリコン基板を異方性エッチ
ングすることにより形成される。

【００３０】また、ここで用いられるパッケージ４１を
図９に示す。パッケージ４１は、セラミック製で、第２
実施形態例のパッケージ２１とほぼ同様の形状であり、
セラミックシートからパッケージ２１と同様に製造され
る。図９において、４３は、金属配線である。その底部
の内面４２は、平坦であり、外面４７（図１０）に対し
て平行な主面のみからなる。前述の加速度センサチップ
４５を、突部４６…を脚部として、内面４２上に載置す
れば、突部４６によって、前記チップ４５の下面４５ａ
が内面４２に対して平行な状態で支持されるようになっ
ている。

【００３１】加速度センサチップ４５とパッケージ４１
を用いた半導体センサの製造方法について以下に説明す
る。図１０には、上記の加速度センサチップ４５を用い
た半導体センサ５０の断面図を示す。図１０において
は、第２実施形態例と同じものについては、図６と同じ
符号を付している。パッケージ４１の内面４２の４角近
傍であって突部４６…に対応する４ヶ所にダイボンド剤
７を滴下する。この上に、加速度センサチップ４５を、
突部４６…を脚部として、載置する。この場合、ダイボ
ンド剤７が滴下された箇所において突部４６の端面が内
面４２に面接触するようにセットする。このように載置
すれば、前述のように、突部４６…によって、前記チッ
プ４５の下面４５ａは内面４２（主面）に対して平行な
状態で支持されている。その後の工程は、第２実施形態
例と同様に行われ、加速度センサチップ４５は、ダイボ
ンド剤７によって、その下面４５ａが内面４２に対して
平行な状態のまま、パッケージ４１底部の内面４２上に
固定される。次に、金属配線４３と、チップ４５の抵抗
素子とを、ボンディングワイヤー９、９…（図１０では
２つのみ図示）を用いて電気的に接続後、セラミック製
の蓋４４を、シール剤３１を介してパッケージ４１に被
せて、加熱すると、図１０に示すように、半導体センサ
５０がほぼ密閉された構造で製造される。

【００３２】以上の半導体センサ５０によれば、加速度
センサチップ４５の下面４５ａには、突部４６…が形成
されていて、パッケージ４１は、外面４７と、外面４７
に対し平行する内面４２とからなる底部を備える箱体で
ある。そして、加速度センサチップ４５を、突部４６…
を脚部として、内面４２上に載置すれば、突部４６…に
よって、前記チップ４５の下面４５ａが内面４２（主
面）に対して平行な状態で支持されるようになってい
る。したがって、加速度センサチップ４５を内面４２上
に載置した状態で、双方の間をダイボンド剤７で接着す
れば、パッケージ４１に対して加速度センサチップ４５
を平行な状態で固定することができる。すなわち、チッ
プ４５を内面４２上に載置するだけで、双方を平行な状
態にすることができ、従来より簡単な作業でパッケージ
４１に対して加速度センサチップ４５を平行な状態で固
定することができる。

【００３３】なお、上記第３実施形態例において、加速
度センサチップ４５の下面４５ａに形成される突部は、
上記の例に限らず、狭い部分によってパッケージ底部の
内面と接触し、加速度センサチップ４５を支持できる形
状であればよく、例えば、図１１の（ａ）、（ｂ）及び
（ｃ）に示すような形状が挙げられる。図１１（ａ）で
は、下面４５ａの中央部に筒状であって裁頭円錐状の突
部４６ａが設けられ、同じく（ｂ）では下面４５ａの４
角近傍に、断面形状が下方に向かって細くなる台形であ
る、細長い突部４６ｂ…が設けられ、同じく（ｃ）では
裁頭四角錐状の突部４６ｃ…が下面４５ａの４角近傍そ
れぞれに３つずつ設けられている。また、突部４６…
は、加速度センサチップ４５の下部を形成するシリコン
基板を異方性エッチングすることにより形成されたが、
これに限られるものではなく、他の方法によって形成し
てもよい。例えば、加速度センサチップの下面に、ガラ
ス、金属等により別途形成してもよい。ガラスで形成す
る場合、ペースト状のガラスをスクリーン印刷により、
下面の４角近傍に所定の形状でガラス層を形成する。そ
れを焼成すると、一旦溶融してから丸くなり、球状の突
部が得られる。また、金属で突部を形成する場合は、マ
スク蒸着等により所定の形状の金属層を形成し、突部と
することができる。さらに、本実施形態例では、ダイボ
ンド剤７はパッケージ４１の内面４２上に滴下したが、
加速度センサチップ４５の突部４６…の下面に予め塗布
しておいてもよい。この場合、突部４６…に塗布されて
いるダイボンド剤７を押し出すようにして軽く該チップ
４５を押しながら内面４２に載置すればよい。

【００３４】また、第１〜第３実施形態例において、半
導体センサの各部の大きさ、形状等は適宜変更可能であ
り、具体的な細部構造等についても任意であることは勿
論である。

【００３５】

【発明の効果】請求項１に記載の半導体センサによれ
ば、加速度センサチップを、パッケージ底部の内面上に
載置すれば、加速度センサチップの下面がパッケージ底
部内面の主面に対して平行な状態になる。したがって、
従来より簡単な作業で、パッケージに対して加速度セン
サチップを平行な状態で固定することができる。

【００３６】請求項２に記載の半導体センサによれば、
加速度センサチップをパッケージ底部の内面に設けられ
ている当接部上に載置すれば、加速度センサチップの下
面がパッケージ底部の主面に対して平行な状態になる。
したがって、従来より簡単な作業で、パッケージに対し
て加速度センサチップを平行な状態で固定することがで
きる。

【００３７】請求項３に記載の半導体センサによれば、
加速度センサチップをパッケージ底部の内面から突出し
て形成されている当接部上に載置すれば、加速度センサ
チップの下面がパッケージ底部の主面に対して平行な状
態になる。したがって、従来より簡単な作業で、パッケ
ージに対して加速度センサチップを平行な状態で固定す
ることができる。

【００３８】請求項４に記載の半導体センサによれば、
加速度センサチップをパッケージ底部の内面の主面の一
部である当接部上に載置すれば、加速度センサチップの
下面がパッケージ底部の主面に対して平行な状態にな
る。したがって、従来より簡単な作業で、パッケージに
対して加速度センサチップを平行な状態で固定すること
ができる。

【００３９】請求項５に記載の半導体センサによれば、
加速度センサチップの下面に設けられている当接部を脚
部として、パッケージ底部の外面に平行する内面上に載
置すれば、加速度センサチップの下面がパッケージ底部
の内面に対して平行な状態になる。したがって、従来よ
り簡単な作業で、パッケージに対して加速度センサチッ
プを平行な状態で固定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例である半導体センサに用いられる
パッケージを示した斜視図である。

【図２】図１のパッケージを用いた半導体センサの断面
図である。

【図３】本発明の第２の例である半導体センサに用いら
れるパッケージを示した斜視図である。

【図４】図３のパッケージの製造に用いられるセラミッ
クシートの一部を示す斜視図である。

【図５】図３のパッケージの製造に用いられるセラミッ
クシートの一部を示す斜視図である。

【図６】図３のパッケージを用いた半導体センサを示し
た断面図である。

【図７】図３のパッケージ底部の内面にダイボンド剤を
滴下した状態を示す上面図である。

【図８】本発明の第３の例である半導体センサに用いら
れる加速度センサチップの一例を示した下面斜視図であ
る。

【図９】本発明の第３の例である半導体センサに用いら
れるパッケージを示した斜視図である。

【図１０】図８の加速度センサチップと図９のパッケー
ジを用いた半導体センサの断面図である。

【図１１】本発明の第３の例である半導体センサに用い
られる加速度センサチップの他の例を示した下面斜視図
である。

【図１２】従来の半導体センサの横断面図である。

【符号の説明】

１、２１、４１パッケージ２、２２、４２内面２ａ、２２ａ主面３膨出部（当接部）７ダイボンド剤８、４５加速度センサチップ８ａ、４５ａ下面１０、３０、５０半導体センサ１３、２８、４７外面２３リブ（当接部）２７凹部４６、４６ａ、４６ｂ、４６ｃ突部（当接部）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者吾妻晃広神奈川県秦野市曽屋1204番地日本インター株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外面と前記外面に対し平行する主面を有
する内面とからなる底部を備える箱体であるパッケージ
の前記内面上に、直方体形状の加速度センサチップが、
該加速度センサチップの下面が前記主面に対して平行に
なるように、固定されている半導体センサにおいて、前記パッケージの前記内面と前記加速度センサチップの
前記下面のいずれか一方には、他方に当接することがで
きる当接部が設けられ、前記当接部によって、前記加速度センサチップは、前記
下面が前記主面に対して平行な状態で、前記内面上に、
支持されるように構成されていることを特徴とする半導
体センサ。
【請求項２】前記当接部は、前記パッケージの前記内
面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
半導体センサ。
【請求項３】前記当接部は前記内面から突出して形成
されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体セ
ンサ。
【請求項４】前記パッケージの前記内面には前記主面
に対して窪んでいる凹部が形成されていて、前記当接部
は前記凹部に囲まれている前記主面の一部であることを
特徴とする請求項２に記載の半導体センサ。
【請求項５】前記内面は、前記主面のみからなり、前記当接部は、前記加速度センサチップの前記下面に設
けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
センサ。