JP2010177693A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010177693A5
JP2010177693A5 JP2010087338A JP2010087338A JP2010177693A5 JP 2010177693 A5 JP2010177693 A5 JP 2010177693A5 JP 2010087338 A JP2010087338 A JP 2010087338A JP 2010087338 A JP2010087338 A JP 2010087338A JP 2010177693 A5 JP2010177693 A5 JP 2010177693A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
substrate
immersion
moving
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010087338A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5408006B2 (ja
JP2010177693A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010087338A priority Critical patent/JP5408006B2/ja
Priority claimed from JP2010087338A external-priority patent/JP5408006B2/ja
Publication of JP2010177693A publication Critical patent/JP2010177693A/ja
Publication of JP2010177693A5 publication Critical patent/JP2010177693A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5408006B2 publication Critical patent/JP5408006B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2010087338A 2004-10-26 2010-04-05 洗浄方法、及び基板処理方法 Expired - Fee Related JP5408006B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010087338A JP5408006B2 (ja) 2004-10-26 2010-04-05 洗浄方法、及び基板処理方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004310993 2004-10-26
JP2004310993 2004-10-26
JP2010087338A JP5408006B2 (ja) 2004-10-26 2010-04-05 洗浄方法、及び基板処理方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005309546A Division JP4665712B2 (ja) 2004-10-26 2005-10-25 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010177693A JP2010177693A (ja) 2010-08-12
JP2010177693A5 true JP2010177693A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) 2011-08-18
JP5408006B2 JP5408006B2 (ja) 2014-02-05

Family

ID=36227803

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005309546A Expired - Fee Related JP4665712B2 (ja) 2004-10-26 2005-10-25 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法
JP2010087338A Expired - Fee Related JP5408006B2 (ja) 2004-10-26 2010-04-05 洗浄方法、及び基板処理方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005309546A Expired - Fee Related JP4665712B2 (ja) 2004-10-26 2005-10-25 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (3) US8040489B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
EP (1) EP1814144B1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (2) JP4665712B2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
KR (2) KR101285951B1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
CN (2) CN101866113B (cg-RX-API-DMAC7.html)
TW (1) TWI436403B (cg-RX-API-DMAC7.html)
WO (1) WO2006046562A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101528089B1 (ko) 2003-06-13 2015-06-11 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
TWI245163B (en) 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN102163004B (zh) 2003-12-03 2014-04-09 株式会社尼康 曝光装置、曝光方法和器件制造方法
JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
CN101866113B (zh) * 2004-10-26 2013-04-24 株式会社尼康 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法
WO2006062074A1 (ja) 2004-12-06 2006-06-15 Nikon Corporation 基板処理方法、露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
WO2006101120A1 (ja) * 2005-03-23 2006-09-28 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN100555568C (zh) 2005-04-28 2009-10-28 株式会社尼康 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法
JP4718893B2 (ja) * 2005-05-13 2011-07-06 株式会社東芝 パターン形成方法
JPWO2007000995A1 (ja) * 2005-06-28 2009-01-22 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
TW200805000A (en) * 2006-05-18 2008-01-16 Nikon Corp Exposure method and apparatus, maintenance method and device manufacturing method
EP2034514A4 (en) * 2006-05-22 2012-01-11 Nikon Corp EXPOSURE METHOD AND APPARATUS, MAINTENANCE METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE DEVICE THEREFOR
JP4994976B2 (ja) * 2006-07-18 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 高屈折率液体循環システム、パターン形成方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008042004A (ja) * 2006-08-08 2008-02-21 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US8570484B2 (en) 2006-08-30 2013-10-29 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus, device manufacturing method, cleaning method, and cleaning member to remove foreign substance using liquid
WO2008029884A1 (en) 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Cleaning member, cleaning method and device manufacturing method
JP4807749B2 (ja) * 2006-09-15 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 露光・現像処理方法
JP4926678B2 (ja) * 2006-12-04 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP2010519722A (ja) * 2007-02-23 2010-06-03 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、デバイス製造方法、及び液浸露光用基板
NL2004808A (en) 2009-06-30 2011-01-12 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5402664B2 (ja) * 2010-01-19 2014-01-29 株式会社ニコン 洗浄方法、露光装置、及びデバイスの製造方法
NL2008168A (en) * 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv Method of calculating model parameters of a substrate, a lithographic apparatus and an apparatus for controlling lithographic processing by a lithographic apparatus.
JP6099883B2 (ja) * 2011-05-24 2017-03-22 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置及び部品
KR102625921B1 (ko) * 2015-05-28 2024-01-16 가부시키가이샤 니콘 물체 유지 장치, 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법
US11014103B2 (en) * 2017-07-26 2021-05-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN107255907B (zh) * 2017-08-17 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种补偿装置、曝光装置及曝光补偿方法
CN107561747A (zh) * 2017-10-12 2018-01-09 惠科股份有限公司 一种显示基板的预烘烤装置及预烘烤系统
TWI673567B (zh) * 2018-02-13 2019-10-01 特銓股份有限公司 光罩靜電清潔設備以及光罩靜電清潔方法
CN110597021B (zh) * 2019-09-20 2021-04-23 上海华力微电子有限公司 浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPH0695511B2 (ja) * 1986-09-17 1994-11-24 大日本スクリ−ン製造株式会社 洗浄乾燥処理方法
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JP2830492B2 (ja) * 1991-03-06 1998-12-02 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるｌｓｉ製造縮小投影露光装置の光学系
JP3246615B2 (ja) 1992-07-27 2002-01-15 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、及び露光方法
JPH06188169A (ja) 1992-08-24 1994-07-08 Canon Inc 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
US5549663A (en) * 1994-03-09 1996-08-27 Cordis Corporation Endoprosthesis having graft member and exposed welded end junctions, method and procedure
US5874820A (en) 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69735016T2 (de) * 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
JP2000241990A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Nec Corp フォトレジストパターンの形成方法
US6737207B2 (en) * 2000-04-25 2004-05-18 Nikon Corporation Method for evaluating lithography system and method for adjusting substrate-processing apparatus
US6827814B2 (en) * 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JP2001345245A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法
JP2002148820A (ja) * 2000-11-15 2002-05-22 Clariant (Japan) Kk パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤
JP4015823B2 (ja) * 2001-05-14 2007-11-28 株式会社東芝 アルカリ現像液の製造方法，アルカリ現像液，パターン形成方法，レジスト膜の剥離方法，及び薬液塗布装置
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
CN101470360B (zh) * 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1420300B1 (en) * 2002-11-12 2015-07-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
KR101101737B1 (ko) * 2002-12-10 2012-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법
JP4232449B2 (ja) * 2002-12-10 2009-03-04 株式会社ニコン 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
KR20050085236A (ko) * 2002-12-10 2005-08-29 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4525062B2 (ja) 2002-12-10 2010-08-18 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム
US7358507B2 (en) 2002-12-13 2008-04-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer
WO2004057590A1 (en) 2002-12-19 2004-07-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
AU2003295177A1 (en) 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
JP4604452B2 (ja) * 2003-02-26 2011-01-05 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
EP2161621B1 (en) 2003-04-11 2018-10-24 Nikon Corporation Cleanup method for optics in an immersion lithography apparatus, and corresponding immersion lithography apparatus
TWI616932B (zh) 2003-05-23 2018-03-01 Nikon Corp Exposure device and component manufacturing method
DE10324477A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
WO2005029559A1 (ja) 2003-09-19 2005-03-31 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP3993549B2 (ja) * 2003-09-30 2007-10-17 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
WO2005036623A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
WO2005036621A1 (ja) 2003-10-08 2005-04-21 Zao Nikon Co., Ltd. 基板搬送装置及び基板搬送方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法
KR20190011830A (ko) * 2004-02-04 2019-02-07 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US20050205108A1 (en) * 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
JP4535489B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置
KR100557222B1 (ko) * 2004-04-28 2006-03-07 동부아남반도체 주식회사 이머전 리소그라피 공정의 액체 제거 장치 및 방법
JP4759311B2 (ja) * 2004-05-17 2011-08-31 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
ATE450813T1 (de) * 2004-05-17 2009-12-15 Fujifilm Corp Verfahren zur erzeugung eines musters
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005353763A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
KR101228244B1 (ko) 2004-06-21 2013-01-31 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 그 부재의 세정 방법, 노광 장치의메인터넌스 방법, 메인터넌스 기기, 그리고 디바이스 제조방법
US7224427B2 (en) * 2004-08-03 2007-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method
JP2006080143A (ja) * 2004-09-07 2006-03-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 露光装置及びパターン形成方法
CN101866113B (zh) 2004-10-26 2013-04-24 株式会社尼康 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法
US7732123B2 (en) * 2004-11-23 2010-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion photolithography with megasonic rinse
US7446850B2 (en) * 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) * 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060250588A1 (en) * 2005-05-03 2006-11-09 Stefan Brandl Immersion exposure tool cleaning system and method
US20070002296A1 (en) * 2005-06-30 2007-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography defect reduction
US8383322B2 (en) * 2005-08-05 2013-02-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography watermark reduction
US20070093067A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer edge cleaning process
US7986395B2 (en) * 2005-10-24 2011-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography apparatus and methods
US8125610B2 (en) * 2005-12-02 2012-02-28 ASML Metherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010177693A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2014207480A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2012044204A5 (ja) メンテナンス方法、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2012164992A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2017027088A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2016053721A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
US8901012B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
TWI603427B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2008277748A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2014107313A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2010093298A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
US10773425B2 (en) Imprint template manufacturing apparatus and imprint template manufacturing method
TW200951642A (en) Immersion lithographic apparatus, drying device, immersion metrology apparatus and device manufacturing method
JP2011009250A (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法及びインプリント装置
GB2438875A (en) Photo apparatus and method
TWI545621B (zh) 壓印方法、壓印設備及製造裝置之方法
TWI696826B (zh) 檢查裝置及基板處理裝置
JP2006270057A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP2020035935A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2016058663A (ja) 感光性組成物、インプリント方法および層間層
US20180117796A1 (en) Imprint template manufacturing apparatus and imprint template manufacturing method
JP2008098520A5 (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP5651573B2 (ja) テンプレート処理方法
JP2010155344A (ja) 認識マークを備えたメタルマスク及びその製造方法
JP2020107747A (ja) 基板処理装置および基板処理方法