JP2010153776A5 - 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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- 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元素含有層を形成する工程と、
大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する工程と、
を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする基板処理方法。 - 基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理容器内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記処理容器内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記処理容器内の圧力を調整する圧力調整部と、
基板を収容した前記処理容器内に前記原料ガスを供給することで、前記基板上に所定元
素含有層を形成する処理と、大気圧未満の圧力に設定した前記処理容器内に前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを供給することで、前記処理容器内において前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を生成し、この原子状酸素により前記所定元素含有層を酸化して酸化層に改質する処理と、を交互に繰り返すことで、前記基板上に所定膜厚の酸化膜を形成するように、前記原料ガス供給系、前記酸素含有ガス供給系、前記水素含有ガス供給系および前記圧力調整部を制御するコントローラと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
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