JP2009252774A - 半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体記憶装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009252774A JP2009252774A JP2008094920A JP2008094920A JP2009252774A JP 2009252774 A JP2009252774 A JP 2009252774A JP 2008094920 A JP2008094920 A JP 2008094920A JP 2008094920 A JP2008094920 A JP 2008094920A JP 2009252774 A JP2009252774 A JP 2009252774A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- element isolation
- nitride film
- barrier layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 64
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 50
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 222
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 101100535994 Caenorhabditis elegans tars-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000008570 general process Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】素子分離絶縁膜4の上部4a間のアクティブエリアSa上にはトンネル絶縁膜5、窒化膜(電荷蓄積層)6が積層されており、さらに、バリア層7およびブロック膜8が、素子分離絶縁膜4の上面上およびシリコン窒化膜6の上面上に渡って連続的に形成され、さらにブロック膜8の上面上に制御ゲート電極CGが形成されている。バリア層7が窒化膜を含んで素子分離絶縁膜4とブロック膜8との間に介在している。
【選択図】図3
Description
Jae Sung Sim 、外12名 、TANOS構造のNANDフラッシュメモリにおけるSAT−STI素子分離技術の信頼性について(Self Aligned Trap-Shallow Trench Isolation Scheme for the Reliability of TANOS(TaN/AlO/SiN/Oxide/Si) NAND Flash Memory)、Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop(USA) 、 2007 22nd IEEE 、 26-30 Aug. 2007 、 p.110-111
図1に示すように、NAND型のフラッシュメモリ装置1のメモリセルアレイAr内には、NANDセルユニットUCが行列状に形成されている。このNANDセルユニットUCは、2個の選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2と、当該2個の選択ゲートトランジスタTrs1、Trs2間に位置して隣接するもの同士でソース/ドレイン領域を共用して直列接続された複数個(例えば32個)のメモリセルトランジスタTrmとから構成されている。
図2に示すように、複数のNANDセルユニットUCは、Y方向に延びるSTI(Shallow Trench Isolation)構造の素子分離領域Sbにより互いに分断されたアクティブエリアSaに形成されている。
図3に示すように、p型のシリコン基板2の上部にはウェル(図示せず)が形成されており、当該ウェルには素子分離溝3が複数離間して形成されている。これら複数の素子分離溝3は、複数のアクティブエリアSaを図2のワード線方向に分離している。素子分離溝3内には素子分離領域Sbを構成する素子分離絶縁膜4が形成されている。この素子分離絶縁膜4は、素子分離溝3内に埋め込まれた下部と、シリコン基板2の表面から上方に突出した上部4aから構成されている。
以上の積層膜が用いられる。本実施形態においてブロック膜8は、例えば比誘電率が10程度のアルミニウム酸化物(Al2O3)膜を適用している。尚、その他のブロック膜8の材質としては、例えば比誘電率が10程度であるマグネシウム酸化物(MgO)膜、比誘電率が16程度であるイットリウム酸化物(Y2O3)膜、比誘電率が22程度であるハフニウム酸化物(HfO2)膜、ジルコニウム酸化物(ZrO2)膜、ランタン酸化物(La2O3)の何れか1つの単層膜を適用できる。また、ハフニウムシリケート(HfSiO)膜やハフニウム・アルミネート(HfAlO)膜のような三元系の化合物からなる絶縁膜を適用しても良い。シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、イットリウム(Y)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)のうちの少なくとも何れか1つ以上の元素を含む酸化物膜を適用できる。
バリア層7を構成する窒化膜がSi3N4によって構成されている場合には、電子がバリア層7を通じて隣り合うメモリセルのゲート電極MG間で流入/放出することを防ぐことができる。
図14は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、電荷蓄積層の上に直接酸化膜が形成されているところにある。前述実施形態と同一部分については同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明する。
本発明は、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、次のように変形または拡張できる。
NAND型のフラッシュメモリ装置1に適用したが、メモリセルトランジスタTrmがビット線方向およびワード線方向に多数並設されている構造を備えていれば、他の不揮発性半導体記憶装置に適用しても良い。
バリア層7としてシリコン窒化膜(Si3N4)を適用したが、他の組成比のシリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜(SiON)、窒化アルミニウム(AlN)などの単層膜、これらの積層膜、さらにシリコン酸化膜(SiO2)との積層膜など、種々の窒化膜を含む膜を適用できる。
Claims (5)
- 複数の溝が形成された半導体基板と、
前記半導体基板の複数の溝内にそれぞれ埋め込まれた複数の素子分離絶縁膜であって、それぞれ上部が前記半導体基板の上面から上方に突出し、酸化物を含有して構成された複数の素子分離絶縁膜と、
前記複数の素子分離絶縁膜間の半導体基板上に形成されたトンネル絶縁膜と、
前記複数の素子分離絶縁膜間の前記トンネル絶縁膜上に窒化膜により形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上および前記素子分離絶縁膜上に渡り前記電荷蓄積層に蓄積された電荷通過防止用のブロック膜と、
前記ブロック膜上に形成されたゲート電極と、
前記素子分離絶縁膜と前記ブロック膜との間に形成された窒化膜を含むバリア層とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記バリア層を構成する窒化膜は、前記電荷蓄積層上および複数の素子分離絶縁膜上を渡り連続的に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記電荷蓄積層の窒化膜および前記バリア層の窒化膜は共にシリコン窒化膜により形成され、前記電荷蓄積層の窒化膜は前記バリア層の窒化膜に比較してシリコンリッチに形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板上にトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記トンネル絶縁膜上に窒化膜により電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層、トンネル絶縁膜および前記半導体基板の上部に溝を形成する工程と、
前記溝内に素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記電荷蓄積層上および前記素子分離絶縁膜上を渡り窒化膜を含むバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に電荷蓄積層に蓄積された電荷の通過防止用のブロック膜を形成する工程と、
前記ブロック膜上にゲート電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。 - 前記バリア層を原子層成長法により形成することを特徴とする請求項4記載の半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094920A JP2009252774A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
US12/412,910 US8270216B2 (en) | 2008-04-01 | 2009-03-27 | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094920A JP2009252774A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009252774A true JP2009252774A (ja) | 2009-10-29 |
Family
ID=41115777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008094920A Pending JP2009252774A (ja) | 2008-04-01 | 2008-04-01 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8270216B2 (ja) |
JP (1) | JP2009252774A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013546206A (ja) * | 2010-12-20 | 2013-12-26 | スパンション エルエルシー | エッジに丸みを付けた電界効果トランジスタおよび製造方法 |
JP2015516678A (ja) * | 2012-03-31 | 2015-06-11 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | 多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8940645B2 (en) | 2007-05-25 | 2015-01-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device |
US8633537B2 (en) | 2007-05-25 | 2014-01-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode |
US9449831B2 (en) | 2007-05-25 | 2016-09-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride-oxide stack having multiple oxynitride layers |
US20090179253A1 (en) | 2007-05-25 | 2009-07-16 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride-oxide stack having multiple oxynitride layers |
JP5665289B2 (ja) | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
JP2011066038A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8199575B2 (en) * | 2010-01-08 | 2012-06-12 | Macronix International Co., Ltd. | Memory cell array of memory |
US10304749B2 (en) * | 2017-06-20 | 2019-05-28 | Intel Corporation | Method and apparatus for improved etch stop layer or hard mask layer of a memory device |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH039571A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびそれによって得られる半導体集積回路装置 |
JP2002203917A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-19 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2004356562A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006190990A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007123825A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007281481A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリを有する半導体素子及びその形成方法 |
JP2007305788A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007305966A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4928890B2 (ja) | 2005-10-14 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2008192708A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
-
2008
- 2008-04-01 JP JP2008094920A patent/JP2009252774A/ja active Pending
-
2009
- 2009-03-27 US US12/412,910 patent/US8270216B2/en active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH039571A (ja) * | 1989-06-07 | 1991-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびそれによって得られる半導体集積回路装置 |
JP2002203917A (ja) * | 2000-10-26 | 2002-07-19 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2004356562A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006190990A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-07-20 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2007123825A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007281481A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリを有する半導体素子及びその形成方法 |
JP2007305966A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007305788A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013546206A (ja) * | 2010-12-20 | 2013-12-26 | スパンション エルエルシー | エッジに丸みを付けた電界効果トランジスタおよび製造方法 |
JP2015516678A (ja) * | 2012-03-31 | 2015-06-11 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | 多層酸窒化物層を有する酸化物−窒化物−酸化物積層体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090242969A1 (en) | 2009-10-01 |
US8270216B2 (en) | 2012-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9450108B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell | |
JP5361328B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
US8270216B2 (en) | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same | |
JP5060110B2 (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置及びその製造方法 | |
JP5472894B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US7981786B2 (en) | Method of fabricating non-volatile memory device having charge trapping layer | |
US20100059808A1 (en) | Nonvolatile memories with charge trapping dielectric modified at the edges | |
KR101139556B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2008277530A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2009004639A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
JP5291984B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
US20090256192A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same | |
JP5132330B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2010027967A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2009147135A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2010045239A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2009283827A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2009076635A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20110133267A1 (en) | Method of fabricating semiconductor device and the semiconductor device | |
JP2010021186A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20090105837A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121030 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130321 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130423 |