JP2009147135A - 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009147135A JP2009147135A JP2007323317A JP2007323317A JP2009147135A JP 2009147135 A JP2009147135 A JP 2009147135A JP 2007323317 A JP2007323317 A JP 2007323317A JP 2007323317 A JP2007323317 A JP 2007323317A JP 2009147135 A JP2009147135 A JP 2009147135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- film
- layer
- silicon oxide
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにする。
【解決手段】ゲート間絶縁膜7が、下層絶縁膜7a/高誘電体絶縁膜7b/上層絶縁膜7cの積層構造によって構成されている。下層絶縁膜7aがシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7adの積層構造により構成されている。界面層7acが電荷トラップ層として設けられている。特に書込時のリーク電流を抑制でき、特性改善を図ることができる。
【選択図】図2B
【解決手段】ゲート間絶縁膜7が、下層絶縁膜7a/高誘電体絶縁膜7b/上層絶縁膜7cの積層構造によって構成されている。下層絶縁膜7aがシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7adの積層構造により構成されている。界面層7acが電荷トラップ層として設けられている。特に書込時のリーク電流を抑制でき、特性改善を図ることができる。
【選択図】図2B
Description
本発明は、電荷蓄積層および制御ゲート電極がゲート間絶縁膜を挟んで構成されたメモリセルを備えた不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法に関する。
不揮発性半導体記憶装置は、メモリセルがワード線方向およびビット線方向に多数配列されており、これにより高集積化が図られている。近年の高集積化の傾向に伴い、メモリセルの幅寸法や長さ寸法、隣接するメモリセル間の間隔が縮小化してきており隣接セル干渉が増大する。隣接セルの干渉が大きくなると、素子の誤動作、書込/消去動作スピードの低下などの問題を生じる。
隣接セルの干渉効果を低減するため、隣接セル間の寄生容量の低減、隣接セル間の対向面積を縮小化する必要があり、電荷蓄積層の高さを低くする必要がある。電荷蓄積層の高さを低くするとメモリセル特性の一指標であるカップリング比の値も低下してしまう。このため、電荷蓄積層を低く適度な高さに調整しながら電荷蓄積層の側壁部分にゲート間絶縁膜を介して制御ゲート電極層を対向させることでカップリング比の向上を図る必要がある(例えば、特許文献1参照)。また、ゲート間絶縁膜(第2のゲート絶縁膜に相当)の電気的膜厚を薄くすれば、電荷蓄積層および制御ゲート電極層間の容量値を増すことができ、カップリング比を所望の値に確保することができる。
しかしながら、ゲート間絶縁膜の薄膜化の傾向に伴い、ゲート間絶縁膜に印加される電界も増加するため、書込または/および消去時に高電界を印加するときにゲート間絶縁膜のリーク電流がトンネル絶縁膜(第1のゲート絶縁膜に相当)に流れる電流とほぼ同等まで増加してしまう。すると、電荷蓄積層における電子蓄積量が飽和するため、メモリセルトランジスタのしきい値が高しきい値領域で飽和してしまい、必要な高い所望のしきい値に調整できない虞がある。
特開2003−289114号公報
本発明は、電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できるようにした不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
本発明の一態様は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、前記第2のゲート絶縁膜は、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜と、この中間絶縁膜の上下の少なくとも何れか一方に形成されたシリコン酸化膜であって、膜中に電荷トラップ層が形成されたシリコン酸化膜とを備えている。
本発明の別の態様は、半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2のゲート絶縁膜上に制御ゲート電極を形成する工程とを備え、前記第2のゲート絶縁膜を形成する工程は、前記電荷蓄積層上にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜上に、電荷トラップ層を有するシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜を形成する工程と、前記中間絶縁膜上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に積層した二層構造により上層絶縁膜を形成する工程とを備えている。
本発明の別の態様は、半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、前記第2のゲート絶縁膜上に制御ゲート電極を形成する工程とを備え、前記第2のゲート絶縁膜を形成する工程は、前記電荷蓄積層上にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜を順に積層した膜構造を形成することで下層絶縁膜を形成する工程と、前記下層絶縁膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜を形成する工程と、前記中間絶縁膜上に、電荷トラップ層を有するシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程とを備えている。
本発明によれば、電荷蓄積層および制御ゲート電極層間に設けられる第2のゲート絶縁膜を通じて流れるリーク電流を抑制できる。
以下、本発明を不揮発性半導体記憶装置に適用した一実施形態について図面を参照しながら説明する。尚、以下に参照する図面内の記載において、同一または類似の部分には同一又は類似の符号を付して表している。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
図1は、不揮発性半導体記憶装置1のメモリセル領域における平面図を示している。
図1に示すように、メモリセル領域M内には、多数のメモリセルトランジスタTrmがワード線方向およびビット線方向にマトリクス状に配列されており、図示しない周辺回路がメモリセルトランジスタTrmに記憶保持されたデータを読取、書込、消去可能に構成されている。このようなメモリセル構造を有する不揮発性半導体記憶装置としては、2つの選択ゲートトランジスタ間に複数のメモリセルトランジスタを直列接続したセルユニット構造を備えたNAND型のフラッシュメモリ装置が挙げられる。
図1に示すように、メモリセル領域M内には、多数のメモリセルトランジスタTrmがワード線方向およびビット線方向にマトリクス状に配列されており、図示しない周辺回路がメモリセルトランジスタTrmに記憶保持されたデータを読取、書込、消去可能に構成されている。このようなメモリセル構造を有する不揮発性半導体記憶装置としては、2つの選択ゲートトランジスタ間に複数のメモリセルトランジスタを直列接続したセルユニット構造を備えたNAND型のフラッシュメモリ装置が挙げられる。
図2Aは、各メモリセルのワード線方向に沿う断面図(図1のA−A線に沿う断面図)を示しており、図2Bは、図2AのB部分の拡大断面図を示している。また、図2Cは、各メモリセルのビット線方向に沿う断面図(図1のC−C線に沿う断面図)を示している。図2Aに示すように、p型のシリコン基板2の表層にはNウェル2aが構成されており、当該Nウェル2aのさらに表層にはPウェル2bが構成されている。当該シリコン基板2のPウェル2bの表層には素子分離溝3が複数形成されている。この素子分離溝3は複数の活性領域Saを図2Aのワード線方向に分離する。
素子分離溝3内には素子分離絶縁膜4が形成されている。この素子分離絶縁膜4は、素子分離溝3内に埋め込まれた下部と、シリコン基板2の表面から上方に突出した上部から構成されている。この素子分離絶縁膜4は、その上端がシリコン基板2の表面付近(シリコン基板2の表面上方)に位置して形成されている。素子分離絶縁膜4は、その上端がシリコン基板2の表面下方に位置して構成されていても良い。
他方、素子分離領域Sbにより区画されたシリコン基板2の複数の活性領域Sa上のそれぞれにはゲート絶縁膜5(第1のゲート絶縁膜に相当)が形成されている。ゲート絶縁膜5は、シリコン酸化膜により形成されている。ゲート絶縁膜5は、その端部がそれぞれ素子分離絶縁膜4の上部側面の一部に接触して構成されている。これらのゲート絶縁膜5上には電荷蓄積層として浮遊ゲート電極FGが形成されている。
この浮遊ゲート電極FGは例えばリン等の不純物がドープされた多結晶シリコン層6(導電層、半導体層)により構成されている。多結晶シリコン層6は、素子分離絶縁膜4の上部側面に接触する接触面となる下部側面と、当該素子分離絶縁膜4の上面4aより上方に突出した上部側面とを有する。シリコン基板2の表面から上方に突出した素子分離絶縁膜4の上部側面は、ゲート絶縁膜5の側面および多結晶シリコン層6の側面下部と面一に形成されている。素子分離絶縁膜4は、例えばシリコン酸化膜により形成されている。
ゲート間絶縁膜7は、素子分離絶縁膜4の上面、浮遊ゲート電極膜FGの上部側面、および、浮遊ゲート電極膜FGの上面に沿って形成されており、インターポリ絶縁膜、導電層間絶縁膜として機能する。
図2Bに拡大図を示すように、このゲート間絶縁膜7は、下層側(素子分離絶縁膜4の上面側、浮遊ゲート電極膜FGの側面側および上面側)からその上層側にかけて、下層絶縁膜7a/高誘電率絶縁膜7b/上層絶縁膜7cの積層構造により構成されている。下層絶縁膜7aは、下層側から上層側にかけて、下層シリコン窒化膜7aa/下層シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/下層シリコン酸化膜7adの積層構造によって構成されている。この下層絶縁膜7a中の界面層7acは、シリコン酸化膜の形成を一旦中断して大気に暴露し、その後、シリコン酸化膜の形成を再開することによりできる不連続面であり、下層絶縁膜7aを構成する他の膜よりも薄く形成されている。この界面層7acはゲート間絶縁膜7の他の層に比べて炭素(C)を高濃度に含有しており、電荷トラップ層として機能する。
高誘電率絶縁膜7bは、アルミニウム酸化物(Al2O3)膜によって中間絶縁膜として構成されている。上層絶縁膜7cは、下層側から上層側にかけて、上層シリコン酸化膜7ca/上層シリコン窒化膜7cbの積層構造によって構成されている。下層シリコン窒化膜7aaが設けられているため、高誘電率絶縁膜7bに含まれる金属元素や上記シリコン酸化膜7ab、7ad、7caの成膜時の酸化剤などがゲート絶縁膜5や素子分離絶縁膜4に拡散することを効果的に防止できる。また、上層シリコン窒化膜7cbが設けられているため、高誘電率絶縁膜7bに含まれる金属元素などがその上方に拡散することを効果的に防止できる。
ゲート間絶縁膜7上にはワード線方向に沿って導電層8が形成されている。この導電層8は、個々のメモリセルトランジスタTrmの制御ゲート電極CGを連結するワード線WLとして機能する。導電層8は例えば多結晶シリコン層と当該多結晶シリコン層の直上に形成されたタングステンやコバルトなどの金属がシリサイド化された金属シリサイド層とからなっている。このようにして、メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGが、ゲート絶縁膜5上に浮遊ゲート電極FG、ゲート間絶縁膜7、制御ゲート電極CGの2層の積層ゲート構造によって構成されている。
図2Cに示すように、メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGは、ビット線方向に並設されており、各ゲート電極MGは分断領域GVにおいて電気的に分断されている。なお、図示しないが、分断領域GV内には層間絶縁膜などが成膜される。
メモリセルトランジスタTrmのゲート電極MGの両脇にはシリコン基板2の表層に位置して拡散層(ソース/ドレイン領域)2cが形成されている。メモリセルトランジスタTrmが、ゲート絶縁膜5およびゲート電極MG並びにソース/ドレイン領域2cを含んで構成されている。
不揮発性半導体記憶装置1は、図示しない周辺回路からワード線WLおよびPウェル2b間に高電界を印加することで消去/書込可能に構成されている。書込時には、周辺回路が書込選択のワード線WLに高電圧(例えば20V)を印加すると共にPウェル2bに低電圧(例えば0〜中間電圧10V)を印加する。すると、FNトンネル電流がゲート絶縁膜5を通じて流れるため電子が電荷蓄積層FGに注入される。すると、メモリセルトランジスタTrmのしきい値電圧が正方向にシフトする。また、消去時には、周辺回路が消去対象のワード線WLに低電圧(例えば0V〜2.5V)を印加すると共にPウェル2bに高電圧を印加する。すると、電子が電荷蓄積層FGからPウェル2bに抜けるため、メモリセルトランジスタTrmのしきい値電圧が負方向にシフトする。これによりデータを消去できる。
特に書込時にワード線WL−Pウェル2b間に正の高電界を印加すると浮遊ゲート電極FGからゲート間絶縁膜7を通じてワード線WL側に電子が抜けることに起因したリーク電流が生じる。すると浮遊ゲート電極FGの電子の蓄積量が飽和し、メモリセルトランジスタTrmのしきい値電圧が飽和する。そこで、本実施形態では、上記したゲート間絶縁膜7の構造を採用している。
図3は、上記したゲート間絶縁膜7の構造を採用したときのメモリセルトランジスタのしきい値電圧の書込時間依存性を概略的に表している。
図3に示すように、書込時間の上昇に応じて各メモリセルTrmのしきい値電圧が上昇する。発明者らは、界面層7acを設けることなくゲート間絶縁膜7の下層絶縁膜7aとしてシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/シリコン酸化膜7adの積層構造を採用した場合と、シリコン酸化膜7abおよび7ad間に界面層7acを設けた場合とを比較している。
図3に示すように、書込時間の上昇に応じて各メモリセルTrmのしきい値電圧が上昇する。発明者らは、界面層7acを設けることなくゲート間絶縁膜7の下層絶縁膜7aとしてシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/シリコン酸化膜7adの積層構造を採用した場合と、シリコン酸化膜7abおよび7ad間に界面層7acを設けた場合とを比較している。
図3に示すように、界面層7acを設けていない場合には、書込時間を長くしてもしきい値電圧が飽和するが、界面層7acをシリコン酸化膜7ab−シリコン酸化膜7ad間に介在して設けた場合には、書込時間を長くすると、しきい値電圧の飽和状態を抑制し飽和電圧を上昇させられることを見出している。
しきい値電圧が飽和する理由は、制御ゲート電極CGおよびシリコン基板2間に書込時の正バイアスが与えられたときに、電子がゲート絶縁膜5を通じて浮遊ゲート電極FGに注入されるものの、飽和状態に達すると、電子がゲート間絶縁膜7を通じて制御ゲート電極CG側に抜けてしまい、ゲート絶縁膜5を通じて流れるトンネル電流とゲート絶縁膜7を通じて流れるリーク電流とが釣り合うためであり、この場合、浮遊ゲート電極FGから制御ゲート電極CG側に抜ける電子のトンネル確率が減少し、しきい値電圧が飽和する。
界面層7acを設けると、書込時間を長くしても、しきい値電圧の飽和現象を確認することはできない。この理由は、電子が界面層7acにトラップされることで浮遊ゲート電極FGから制御ゲート電極CGに抜ける電子量を抑制でき、高電界を緩和できるためであると推定される。
図4は、発明者らがゲート間絶縁膜の積層構造内の炭素濃度を分析した結果を示している。この図4に示すように、界面層7ac付近の領域内では、炭素が1019[atoms/cm−3]を超える濃度で含有されており、当該領域内ではその周辺の膜(シリコン酸化膜7ab、シリコン酸化膜7ad)内の炭素濃度に比較して炭素濃度が高い膜として形成されている。しきい値電圧が飽和しない理由は、界面層7acが炭素をより多く含むことで炭素自身がトラップ準位を形成する、または、炭素が存在することでシリコンの未結合手(ダングリングボンド)が界面層7ac付近で増加することが要因であると推定される。
上記構成の製造方法について説明する。
図7に示すように、p型の単結晶のシリコン基板2の表層にNウェル2aおよびPウェル2bを順に形成し、シリコン基板2上にゲート絶縁膜5(絶縁膜)を形成する。
図7に示すように、p型の単結晶のシリコン基板2の表層にNウェル2aおよびPウェル2bを順に形成し、シリコン基板2上にゲート絶縁膜5(絶縁膜)を形成する。
次に、図8に示すように、ゲート絶縁膜5上に非晶質シリコンを化学気相成長法により堆積する。この非晶質シリコンは後の熱処理によって多結晶化することで多結晶シリコンに変成され導電層6(浮遊ゲート電極FG)として構成される。次に、図9に示すように、化学気相成長法によってシリコン窒化膜9を堆積し、次に、化学気相成長法によってシリコン酸化膜10をハードマスクとして堆積する。
次に、図10に示すように、フォトレジスト11を塗布した後、リソグラフィ技術によりパターンニングし、当該レジスト11をマスクとしてシリコン酸化膜10をRIE(Reactive Ion Etching)法により異方性エッチング処理する。次に、レジスト11をアッシングなどにより剥離する。次に、シリコン酸化膜10をマスクとしてシリコン窒化膜9をRIE法により異方性エッチングし、導電層6、ゲート絶縁膜5、およびシリコン基板2の上部をRIE法により異方性エッチング処理する。これにより、シリコン基板2の表層に素子分離溝3を形成する。
次に、図11に示すように、塗布技術やHDP−CVD(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition)法などの絶縁膜成膜技術を用いて素子分離溝3内に絶縁膜としてシリコン酸化膜4を埋込む。このとき塗布技術によりポリシラザン系溶剤を塗布して形成した場合には、当該ポリシラザン系溶剤を酸素雰囲気もしくは水蒸気雰囲気下で熱処理を行い高密度化することで塗布型絶縁膜に焼成することでシリコン酸化膜に変成し素子分離絶縁膜4として形成する。
次に、図12に示すように、化学的機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)法によりシリコン窒化膜9をストッパーとしてシリコン酸化膜4の上面を平坦化処理する。
次に、図13に示すように、シリコン窒化膜9との間で高選択性を有する条件において、水で希釈したフッ酸(HF)溶液によって処理することで、シリコン酸化膜4の上面をシリコン酸化膜2の上面より上方位置で且つ導電層6の上面より下方位置の所定の深さまでエッチバック処理して除去する。次に、図14に示すように、シリコン窒化膜9を化学薬液等によりエッチング除去して多結晶シリコン層6の上面を露出させる。
次に、図15に示すように、プラズマ窒化(ラジカル窒化)によりシリコン窒化膜7aaを成膜する。このシリコン窒化膜7aaは、シリコン酸化膜4の上面、多結晶シリコン層6の上部側面および上面に沿った領域に形成される。
次に、図16に示すように、ジクロロシランと亜酸化窒素(N2O)を例えば800℃程度の温度で反応させてシリコン窒化膜7aa上にシリコン酸化膜7abをCVD法により堆積する。
次に、シリコン酸化膜7abの形成処理を一旦中断し、シリコン基板2を常圧復帰して大気に暴露する。大気中に基板を暴露することで、大気中に存在するCO2や有機物中の炭素がシリコン酸化膜7abの表面に吸着し、図17に示すように、シリコン酸化膜7ab上に界面層7acが形成される。次に、シリコン酸化膜の形成処理を再開し、図18に示すように、ジクロロシランと亜酸化窒素(N2O)を例えば800℃程度の温度で反応させてCVD法により界面層7ac上にシリコン酸化膜7adを堆積する。以上のことから、界面層7acは、シリコン酸化膜7ab、7adを一体のものと見たときに、膜中に炭素濃度が他の部分より高い領域とも定義できる。
界面層7acは、多結晶シリコン層6に近すぎるとリーク電流抑制効果は低くなり、また遠すぎると小さくなるため、その最適位置は、膜種の積層構造、膜厚および素子動作時の電界に依存する。したがって、膜厚は適宜調整すると良い。
次に、図19に示すように、アルミニウム酸化物(Al2O3)膜7bをALD(Atomic Layer Deposition)法により形成する。なお、ALD法のほか、CVD法やスパッタリング法などの方法で形成しても良い。このアルミニウム酸化物膜7bは、シリコン窒化膜(Si3N4)の比誘電率である約7よりも高い比誘電率特性を有している。次に、図20に示すようにシリコン酸化膜7caをCVD法により堆積する。次に、図2Aおよび図2Bに示すように、プラズマ窒化(ラジカル窒化)によりシリコン窒化膜7cbを形成し、その上に導電層8を形成する。
次に、導電層8の上にマスクパターンを形成し、積層膜5〜8のうち導電層8、ゲート間絶縁膜7、多結晶シリコン層6をRIE法などの異方性エッチング技術を用いて図2Aの掲載面に平行な方向に沿ってエッチング処理し図2Aの掲載面に対し垂直な方向に分断する。すると、図2Cに示すように、分断領域GVがゲート電極MGを分断するように形成される。
次に、図2Cに示すように、分断領域GVを通じてシリコン基板2の表層にソース/ドレイン領域2aを形成するための不純物をイオン注入する。この後、分断領域GV内に層間絶縁膜(図示せず)を堆積し、層間絶縁膜内に各種配線用のコンタクトを形成し、上層配線の形成工程に移行するが、本実施形態の特徴には直接関係しないため、その詳細説明を省略する。なお、導電層8は、シリコン層とその上部に形成される金属のシリサイドによって構成されるが、分断領域GVの形成前にシリコン層を堆積するものの、金属による上部シリサイド化工程は、適用する金属材料等に応じて各ゲート電極MGを分断領域GVで分断する前または後の何れのタイミングで行っても良い。
本実施形態によれば、下層絶縁膜7aがシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7adの積層構造により構成されており、界面層7acがシリコン酸化膜7abおよび7ad間に電荷トラップ層として挟んで設けられているため、特に書込時のリーク電流を抑制できるようになり特性改善を図ることができる。下層絶縁膜7aが高誘電体絶縁膜7bよりも多結晶シリコン層6側に近い位置に形成されているため、書込時のしきい値電圧特性の改善を図ることができる。
特に界面層7acには、炭素がシリコン酸化膜7ab、7ad中の含有量に比較して高濃度に含有されているためリーク電流を抑制できる。特に、界面層7acには炭素が1019[atoms/cm−3]以上含有されているためリーク電流を抑制できる。
また、下層絶縁膜7aを形成するときには、シリコン酸化膜7abを一層形成した後、常圧で大気暴露することで界面層7acを形成しているため、複雑な工程を有することなく電荷トラップ層を容易に形成できる。
尚、上述ではジクロロシランと亜酸化窒素(N2O)を例えば800℃程度の温度で反応させることによってシリコン酸化膜7ab、7adを互いに同一のシリコン酸化膜種(反応ガス)によって形成しているが、これに代えて、ジクロロシランと亜酸化窒素(N2O)を反応させてCVD法によりシリコン酸化膜7abを成膜し、その後、トリジメチルアミノシランとオゾンとを反応させてCVD法によりシリコン酸化膜7adを形成するようにしても良い。すなわち、互いに異なる反応ガスを用いてシリコン酸化膜7ab、7adを形成しても良い。
図5は、発明者らが測定した塩素の有無に応じたシリコン酸化膜のリーク電流特性を示している。この図5においては、シリコン酸化膜が塩素濃度1019[atoms/cm−3]以上含んでいる場合と塩素を含んでいない場合との間のリーク電流特性を示している。図6は、発明者らが実験に用いたシリコン酸化膜中の塩素濃度を概略的に示している。
図5に示すように、シリコン酸化膜が塩素を含有している場合には、特に高電界印加時のリーク電流の増加を抑制できることを確認できる。これはシリコン酸化膜中に塩素が存在することで前述の炭素と同様の理由によりリーク電流を抑制できるためと推定されている。すなわち、ゲート間絶縁膜7を構成するシリコン酸化膜7ab、7ad、7caに塩素が含有されていると良い。特に塩素濃度1019〜1020[atoms/cm−3]の範囲で含んでいると良い。
本実施形態によれば、シリコン酸化膜7ab、7ad、7caには、塩素が1019[atoms/cm−3]以上含有されているため、リーク電流を抑制できる。なお、シリコン酸化膜7ab、7ad、7caの何れかに塩素が含有されていればリーク電流を抑制できる。
この場合、高誘電体絶縁膜7bと浮遊ゲート電極FGとの間に電子のトラップ量の多いシリコン酸化膜7ab、7adを形成することができ、特に書込時のトラップ効率をより高めることができる。これにより、電荷保持特性の劣化を最小限にしたまま書込しきい値特性の改善を図ることができる。
(第2の実施形態)
図20ないし図23は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、界面層7acに代えてシリコン窒化膜を設けたところにある。前述実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分についてのみ説明する。
図20ないし図23は、本発明の第2の実施形態を示すもので、前述実施形態と異なるところは、界面層7acに代えてシリコン窒化膜を設けたところにある。前述実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分についてのみ説明する。
図20は、図2Aに代わる断面図を示しており、図21は、図2Bに代わる断面拡大図を示している。本実施形態では、ゲート間絶縁膜7に代えてゲート間絶縁膜17が構成されている。図21に示すように、このゲート間絶縁膜17は、多結晶シリコン層6側(下層側)から導電層8側(上層側)にかけて、下層絶縁膜7aに代わる下層絶縁膜17a、中間絶縁膜としての高誘電体絶縁膜7b、上層絶縁膜7cに代わる上層絶縁膜17cの積層構造により構成されている。
下層絶縁膜17aは、下層シリコン窒化膜7aa/下層シリコン酸化膜7ab/シリコン窒化膜7ae/下層シリコン酸化膜7adの積層構造によって構成されている。上層絶縁膜17cは、上層シリコン酸化膜7ca/上層シリコン窒化膜7cbの積層構造によって構成されている。その他の構造は前述実施形態とほぼ同様であるため、その詳細説明を省略する。
上記構造の製造工程について説明する。前述実施形態と同様に、ゲート絶縁膜5上に多結晶シリコン層6、シリコン窒化膜7aaを順に形成した後、減圧化学気相成長法によりジクロロシランと亜酸化窒素による混合ガスを800℃程度の温度で反応させることにより、シリコン窒化膜7aa上にシリコン酸化膜7abを形成する。次に、ジクロロシランとアンモニアとによる混合ガスを用いてシリコン酸化膜7ab上にシリコン窒化膜7aeを形成する。シリコン窒化膜7aeは、原子層一層以上の膜厚により形成されている。その他の膜の製造方法は、前述実施形態と同一であるためその説明を省略する。シリコン窒化膜7aeの構成領域は、前述実施形態にて述べた構成と同様に、浮遊ゲート電極FGに近すぎるとその効果は小さく、遠すぎても小さくなるため、膜種の積層構造、膜厚および素子動作時の印加電界に依存し、適宜調整すると良い。
図22は、図3に対応して示すしきい値電圧の書込時間依存性を概略的に表している。この図22に示すように、シリコン窒化膜7aeがシリコン酸化膜7abおよびシリコン酸化膜7ad間に介在して構成されていると、しきい値電圧の飽和状態を抑制し飽和電圧を上昇させられることが確認されている。したがって、シリコン窒化膜7acがシリコン酸化膜7abおよび7ad間に形成されているため、書込時のしきい値電圧特性の改善を図ることができる。図23は、ゲート間絶縁膜17の下層絶縁膜17a中にシリコン窒化膜7acを一層のみ設けた場合の書込みしきい値の改善度を示している。この図23に示すように、シリコン窒化膜7acが厚ければ厚いほど書込しきい値の改善度は高くなることが確認できる。下層絶縁膜17a中の下層シリコン窒化膜7aeは、高誘電率絶縁膜7bに比較してバリアハイトが高いため、電界印加時のリーク電流を低減できると推定されている。
このような第2の実施形態によれば、下層絶縁膜7aがシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/シリコン窒化膜7ae/シリコン酸化膜7adの積層構造によって構成されているため、前述実施形態とほぼ同様の作用効果を奏する。
(第3の実施形態)
図24は、本発明の第3の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるところは、電荷トラップ層(界面層7ac)を中間絶縁膜(高誘電率絶縁膜7ab)よりも上層の絶縁膜中に設けたところにある。前述実施形態と同一部分(同一性質を有する膜構造)について同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明する。
図24は、本発明の第3の実施形態を示すもので、第1の実施形態と異なるところは、電荷トラップ層(界面層7ac)を中間絶縁膜(高誘電率絶縁膜7ab)よりも上層の絶縁膜中に設けたところにある。前述実施形態と同一部分(同一性質を有する膜構造)について同一符号を付して説明を省略し、以下、異なる部分について説明する。
前述実施形態で説明したように、各メモリセルの消去時には、周辺回路が消去対象のワード線WLに低電圧(例えば0V〜2.5V)を印加すると共にPウェル2bに高電圧を印加する。すると、電子が電荷蓄積層FGからPウェル2bに抜けることによってデータが消去される。この場合、導電層8から電荷蓄積層FGに電子が注入されることになるため、メモリセルトランジスタTrmの消去時のしきい値電圧が飽和する虞がある。
そこで本実施形態では、図24に示すゲート間絶縁膜27の層構造を採用している。このゲート間絶縁膜27は、下層絶縁膜27aと、中間絶縁膜としての高誘電体絶縁膜7bと、上層絶縁膜27cとの積層構造によって構成されている。下層絶縁膜27aは、下層シリコン窒化膜7aa/下層シリコン酸化膜7abの積層構造によって構成されている。上層絶縁膜27cは、上層シリコン酸化膜7ca/界面層7cc/上層シリコン酸化膜7cd/上層シリコン窒化膜7cbの積層構造により構成されている。
上層シリコン酸化膜7cdは、シリコン酸化膜7caと同一の原料ガスによって同一の製造方法により構成されている。界面層7ccは、前述実施形態にて説明した界面層7acと同一製造方法により構成されている。すなわち、上層絶縁膜27cを形成するときには、シリコン酸化膜7caを一層形成した後、常圧で大気暴露することで界面層7ccを形成している。これにより、複雑な工程を有することなく界面層7ccを電荷トラップ層として容易に形成できる。
本実施形態によれば、界面層7ccが高誘電体絶縁膜7bと制御ゲート電極CGとの間に形成されているため、特に消去時のトラップ効率をより高めることができる。これにより、電荷保持特性の劣化を最小限にしたままメモリセルトランジスタTrmのデータ消去時のしきい値電圧の特性の改善を図ることができる。
(他の実施形態)
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。
第1の実施形態では、下層絶縁膜7a中に界面層7acを設けた実施形態を示したが、下層絶縁膜7aのシリコン酸化膜7abおよび7ad間に他のシリコン酸化膜を挟んだ複数(例えば2層)の界面層7acを設けた積層構造を適用しても良い。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形または拡張が可能である。
第1の実施形態では、下層絶縁膜7a中に界面層7acを設けた実施形態を示したが、下層絶縁膜7aのシリコン酸化膜7abおよび7ad間に他のシリコン酸化膜を挟んだ複数(例えば2層)の界面層7acを設けた積層構造を適用しても良い。
第1の実施形態では、界面層7acの形成方法として、シリコン酸化膜7abの形成終了後、炉内で真空に保持して窒素パージを行い、シリコン酸化膜7adを形成するようにしても良い。このような製造方法でも炭素の含有量を多くして界面層7acを形成できる。すなわち、大気に暴露しなくても界面層7acを形成することができる。
第3の実施形態では、上層絶縁膜27c中に界面層7ccを設けた実施形態を示したが、上層絶縁膜27cのシリコン酸化膜7caおよび7cd間に他のシリコン酸化膜を挟んだ複数(例えば2層)の界面層7ccを設けた積層構造を適用しても良い。
第3の実施形態においては、界面層7ccの形成方法として、シリコン酸化膜7caの形成終了後、炉内で真空に保持して窒素パージを行い、シリコン酸化膜7cdを形成するようにしても良い。このような製造方法でも炭素の含有量を多くして界面層7ccを形成できる。すなわち、大気に暴露しなくても界面層7ccを形成することができる。
高誘電体絶縁膜7bとしてアルミニウム酸化物(Al2O3)膜の単層膜を適用した実施形態を示したが、これに代えて、比誘電率が10程度のマグネシウム酸化物(MgO)膜、比誘電率が16程度のイットリウム酸化物(Y2O3)膜、比誘電率が22程度のハフニウム酸化物(HfO2)膜、ジルコニウム酸化物(ZrO2)膜、およびランタン酸化物(La2O3)の何れか1つの単層膜を適用可能である。また、高誘電体絶縁膜7bとして、ハフニウムシリケート(HfSiO)膜やハフニウムアルミネート(HfAlO)膜のような三元系の化合物からなる膜を適用しても良い。高誘電体絶縁膜7bとして、シリコン(Si)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(Mg)、イットリウム(Y)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、ランタン(La)、ストロンチウム(Sr)、スカンジウム(Sc)、ガドリニウム(Gd)、サマリウム(Sm)、タンタル(Ta)、バリウム(Ba)、ビスマス(Bi)の何れか1種の元素を少なくとも含む酸化物もしくは窒化物の膜を適用しても良い。比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率である7よりも高い高誘電体絶縁膜であれば、何れの材料膜を適用しても良い。
前記実施形態では、下層絶縁膜7a中のみ、上層絶縁膜27c中のみに、それぞれ、界面層7ac、7ccを設けた実施形態を示したが、下層絶縁膜7a、上層絶縁膜27cの構造をそれぞれ高誘電体絶縁膜7bの下層、上層の構造として組み合わせて高誘電体絶縁膜7bの上層および下層の何れにも界面層7ac、7ccを設けて構成しても良い。すると、書込/消去特性の両特性を良化できる。
第1の実施形態では、下層絶縁膜7a(シリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7ad)/高誘電率絶縁膜7b/上層絶縁膜7c(シリコン酸化膜7ca/シリコン窒化膜7cb)の積層構造によって構成した実施形態を示したが、これに代えて、例えばシリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7ad/高誘電率絶縁膜7b/シリコン酸化膜7caによる積層構造に適用しても良い。すなわち、シリコン窒化膜7aa、7cbが形成されていない形態に適用しても良い。
第3の実施形態では、下層絶縁膜27a(シリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab)/高誘電率絶縁膜7b/上層絶縁膜27c(シリコン酸化膜7ca/界面層7cc/シリコン酸化膜7cd/シリコン窒化膜7cb)の積層構造によって構成した実施形態を示したが、これに代えて、例えばシリコン酸化膜7ab/高誘電率絶縁膜7b/シリコン酸化膜7ca/界面層7cc/シリコン酸化膜7cdによる積層構造に適用しても良い。すなわち、シリコン窒化膜7aa、7cbが形成されていない形態に適用しても良い。
第2の実施形態では、下層絶縁膜17a(シリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/シリコン窒化膜7ae/シリコン酸化膜7ad)/高誘電率絶縁膜7b/上層絶縁膜17c(シリコン酸化膜7ca/シリコン窒化膜7cb)の積層構造によって構成した実施形態を示したが、これに代えて、例えばシリコン酸化膜7ab/シリコン窒化膜7ae/高誘電率絶縁膜7b/シリコン酸化膜7adによる積層構造に適用しても良い。すなわち、シリコン窒化膜7aa、7cbが形成されていない形態に適用しても良い。
第2の実施形態では、シリコン窒化膜7aeをジクロロシランおよびアンモニアの混合ガスを用いてCVD法により形成したが、これに代えて、シリコンソースとして、モノシラン、トリクロロシラン、テトラクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、BTBAS(ビターシャリーブチルアミノシラン)などのシラン系のガスを用い、窒素のソースとしてラジカル窒素を用いて形成しても良い。また、シリコン窒化膜7aeを、原子層成長法(ALD法)によって形成しても良いし、シリコン窒化膜7aeに代えてシリコン酸化膜を熱窒化もしくはラジカル窒化することでシリコン酸窒化膜として形成しても良い。
浮遊ゲート電極FG、ゲート間絶縁膜7、制御ゲート電極CGの積層構造を備えた不揮発性半導体記憶装置1に適用したが、その他のNOR型の不揮発性半導体記憶装置などにも適用できる。
図面中、2はシリコン基板(半導体基板)、5はゲート絶縁膜、7はゲート間絶縁膜(第2のゲート絶縁膜)、7aaは下層シリコン窒化膜、7abは下層のシリコン酸化膜、7acは界面層(電荷トラップ層)、7adは下層のシリコン酸化膜、7bは高誘電体絶縁膜(中間絶縁膜)、7caは上層のシリコン酸化膜、7cbは上層のシリコン窒化膜、8は導電層(制御ゲート電極層)、FGは浮遊ゲート電極(電荷蓄積層)、CGは制御ゲート電極層を示す。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、
前記電荷蓄積層上に形成された第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲート電極層とを備え、
前記第2のゲート絶縁膜は、比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜と、この中間絶縁膜の上下の少なくとも何れか一方に形成されたシリコン酸化膜であって、膜中に電荷トラップ層が形成されたシリコン酸化膜とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記電荷トラップ層は、前記シリコン酸化膜に含まれる炭素の含有量に比較して炭素が多く含有されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記電荷トラップ層はシリコン窒化膜により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上に制御ゲート電極を形成する工程とを備え、
前記第2のゲート絶縁膜を形成する工程は、
前記電荷蓄積層上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上に、電荷トラップ層を有するシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜を形成する工程と、
前記中間絶縁膜上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜を順に積層した二層構造により上層絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 半導体基板上に第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に電荷蓄積層を形成する工程と、
前記電荷蓄積層上に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜上に制御ゲート電極を形成する工程とを備え、
前記第2のゲート絶縁膜を形成する工程は、
前記電荷蓄積層上にシリコン窒化膜、シリコン酸化膜を順に積層した膜構造を形成することで下層絶縁膜を形成する工程と、
前記下層絶縁膜上に比誘電率がシリコン窒化膜の比誘電率よりも高い特性を有する中間絶縁膜を形成する工程と、
前記中間絶縁膜上に、電荷トラップ層を有するシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007323317A JP2009147135A (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US12/333,983 US8008707B2 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell |
US13/207,149 US8742487B2 (en) | 2007-12-14 | 2011-08-10 | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell |
US14/273,162 US9142685B2 (en) | 2007-12-14 | 2014-05-08 | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell |
US14/697,121 US9450108B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-04-27 | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007323317A JP2009147135A (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009147135A true JP2009147135A (ja) | 2009-07-02 |
Family
ID=40917404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007323317A Pending JP2009147135A (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009147135A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8952445B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US9224874B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
CN109755253A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置 |
-
2007
- 2007-12-14 JP JP2007323317A patent/JP2009147135A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8952445B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-02-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
US9224874B2 (en) | 2014-01-10 | 2015-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device |
CN109755253A (zh) * | 2017-11-08 | 2019-05-14 | 东芝存储器株式会社 | 半导体装置 |
CN109755253B (zh) * | 2017-11-08 | 2023-01-31 | 铠侠股份有限公司 | 半导体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9450108B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell | |
US8198667B2 (en) | Semiconductor memory device and method for manufacturing same | |
JP5361328B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
US8211811B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US20100059808A1 (en) | Nonvolatile memories with charge trapping dielectric modified at the edges | |
US8270216B2 (en) | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same | |
US8592892B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same | |
JP2010080646A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR101139556B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US7692233B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
KR20110114970A (ko) | 플래시 메모리 소자의 제조 방법 | |
US7928496B2 (en) | Semiconductor memory device and manufacturing method thereof | |
JP2009170781A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP4907999B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100978968B1 (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 및 그 제조방법 | |
JP2009277858A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2009147135A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP5132330B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2010027967A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
JP5351274B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
KR100771553B1 (ko) | 전하트랩층을 갖는 매몰형 불휘발성 메모리소자 및 그제조방법 | |
JP2009283827A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2010123591A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 | |
JP2010021186A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR20090105837A (ko) | 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법 |