JP2009536591A - 厚さが変化するテンプレート - Google Patents

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Abstract

ナノインプリント・リソグラフィ・テンプレートは、とりわけ、第1及び第2の両側を有し、第1の面が第1の側上に配置され、第2の側がその中に配置されたくぼみを有する本体であって、第1及び第2の領域を有し、第2の領域が第1の領域及び第1の領域と重なるくぼみを囲み、第1の領域と重なる第1の面の部分が第2の側から第1の距離だけ間隔を置いて配置され、第2の領域と重なる第1の面の部分が第2の側から第2の距離だけ間隔を置いて配置され、第2の距離が第1の距離よりも大きい本体と、第1の領域の部分と重なる本体の第1の側上に配置されたモールドとを備える。

Description

ナノファブリケーションでは、例えば、およそナノメートル以下のフィーチャを有する非常に小さい構造体を製造することが必要である。ナノファブリケーションがかなり大きい影響を及ぼしてきた1つの領域は、集積回路の処理である。半導体処理産業では、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増加させて、生産歩留りをより大きくしようと努力を続けているので、ナノファブリケーションはますます重要になる。ナノファブリケーションは、形成される構造体の最小のフィーチャ寸法をさらに低減することを可能にしながら、より優れたプロセス制御を実現する。ナノファブリケーションが利用されてきた他の開発領域には、バイオテクノロジー、光技術、機械システムなどが含まれる。

例示的なナノファブリケーション技法は、普通インプリント・リソグラフィと呼ばれている。例示的なインプリント・リソグラフィ・プロセスは、「Method and a Mold to Arrange Features on a Substrate to Replicate Features having Minimal Dimensional Variability」と題する米国特許出願第10/264,960号として出願された米国特許出願公開第2004/0065976号、「Method of Forming a Layer on a Substrate to Facilitate Fabrication of Metrology Standards」と題する米国特許出願第10/264,926号として出願された米国特許出願公開第2004/0065252号、「Functional Patterning Material for Imprint Lithography Processes」と題する、米国特許第6,936,194号など、数多くの公報に詳細に記述されており、それらのすべては、本発明の譲受人に譲渡されている。

前述の米国特許出願公開及び米国特許のそれぞれにおいて開示されるインプリント・リソグラフィ技法には、重合可能な層でのレリーフ・パターンの形成、及びレリーフ・パターンに対応するパターンの下層基板への転写が含まれる。基板は、そのパターン形成をうまく進めるための所望の位置を得るために、ステージ上に配置されている。そのために、モールドと基板の間に存在する成形可能な液体とともに、基板から間隔を置いて配置されたモールドが使用される。液体は固化されて、液体と接触しているモールドの面の形状に一致しているパターンが記録されるパターン層を形成する。次いで、モールドは、パターン層から分離され、その結果モールドと基板が隔てられる。次いで、基板とパターン層は、パターン層内のパターンに対応するレリーフ・イメージを基板に転写するプロセスを経る。

次に、各図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

図1を参照すると、基板12にレリーフ・パターンを形成するためのシステム10を示してある。基板12は、基板チャック14に連結されている。基板12と基板チャック14は、ステージ16上で支持されている。さらに、ステージ16、基板12、基板チャック14は、ベース(図示せず)上に配置されている。ステージ16は、x軸とy軸に対して動くことができる。基板チャック14は、「High−Precision Orientation Alignment and Gap Control Stages for Imprint Lithography Processes」と題する米国特許第6,873,087号に記載されているように、真空式、ピンタイプ、溝タイプ、又は電磁式を含むが、ただしそれらだけに限定されないどんなチャックでもよい。この特許を、参考として本明細書に援用する。

図1〜3を参照すると、パターン形成装置18が、基板12から間隔を置いて配置されている。パターン形成装置18は、第1と第2の側22、24を有するテンプレート20を備える。第1の側は、その上に位置し、そこから基板12に向けて広がり、上にパターン形成面28を有する第1の面25を有している。テンプレート20の第1の側22は、実質上平面でもよい。テンプレート20の第2の側24は、第2の面30、及びその中に配置されたくぼみ32を有している。くぼみ32は、底面34と境界面36を含み、境界面36は、底面34と第2の面30の間に広がっている。くぼみ32は、それと関連した円形状であるが、それと関連したどのような幾何学的形状でもよい。より具体的には、くぼみ32は、図4に示すような正方形状、図5に示すような長方形状、又は図6に示すような楕円形状でもよい。

テンプレート20は、第1の領域38と第2の領域40をさらに含み、第2の領域40は第1の領域38を囲み、また第2の領域40は周辺部41を有する。第1の領域38は、くぼみ32と重なっている。そのために、テンプレート20は、第1の領域と第2の領域38、40とで厚さが変化している。より具体的には、第1の領域38と重なる第1の面25の部分は、第2の側24から、第1の厚さt1である第1の距離d1だけ離れており、第2の領域40と重なる第1の面25の部分は、第2の側24から、第2の厚さt2である第2の距離d2だけ離れている。距離d2は距離d1より長く、厚さt2は厚さt1より厚い。一例として、距離d2は、ほぼ0.25インチの長さで、距離d1は、ほぼ700ミクロンの長さである。さらなる例では、距離d1は、1ミクロンから0.25インチの範囲の長さでもよい。

メサ26はモールド26とも呼ばれる。メサ26はまた、ナノインプリント・モールド26とも呼ばれる。別の実施形態では、テンプレート20は、実質上モールド26がなくてもよい。テンプレート20及び/又はモールド26は、融解石英、水晶、シリコン、有機ポリマー、シロキサン・ポリマー、ホウケイ酸ガラス、フッ素樹脂、金属、及び超硬サファイアを含むが、ただしそれらだけに限定されないような材料で形成されてもよい。図に示すように、パターン形成面28は、複数の相隔たるくぼみ42及び突起44によって定義されるフィーチャを含む。しかし、別の実施形態では、パターン形成面28は、実質上滑らか及び/又は平面でもよい。パターン形成面28は、基板12上に形成すべきパターンの基礎を形成する元のパターンを備えている。さらに、モールド26は、第1の領域38の一部と重なっているが、別の実施形態では、モールド26は、第1の領域38の全体と重なってもよい。

図1、7、8を参照すると、「High−Precision Orientation Alignment and Gap Control Stages for Imprint Lithography Processes」と題する米国特許第6,873,087号に記載されているように、テンプレート20は、テンプレート・チャック46に連結されている。テンプレート・チャック46は、真空式、ピンタイプ、溝タイプ、又は電磁式を含み、ただしそれらだけに限定されないどんなチャックでもよい。テンプレート・チャック46は、第1の側11と第2の側13の両側を備える。側面又は端部15は、第1の側11と第2の側13との間に広がっている。第1の側11は、第1の分離支持領域21と第2の分離支持領域23とで区画された、第1のくぼみ17と第1のくぼみ17から離れた第2のくぼみ19を備えている。第1の分離支持領域21は、第2の分離支持領域23、第1のくぼみ17、第2のくぼみ19を囲む。第2の分離支持領域23は、第2のくぼみ19を囲む。別の実施形態では、第1と第2の分離支持領域21、23は、規格に準拠した材料から形成されている。第1の分離支持領域21は、正方形状を有し、第2の分離支持領域23は円形状を有しているが、別の実施形態では、第1と第2の分離支持領域21、23は、所望のどんな幾何学的形状でもよい。第2のくぼみ19と重なるテンプレート・チャック46の部分27は、所定の波長を有する放射に対して透過性を有している。そのために、部分27は、ガラスなどの透過性材料の薄層から作られている。しかし、部分27を作る材料は、放射の波長に依存し、さらに以下で説明される。部分27は、第2の側13の間で広がり、第2のくぼみ19に近接して終了し、モールド26がそれと重なるように、モールド26の区域と少なくとも同じ大きさの区域としなければならない。

テンプレート・チャック46内には、通路27、29が形成されているが、テンプレート・チャック46は、どんな数の通路を備えてもよい。通路27は、側面15と流体連通して第1のくぼみ17に配置されるが、別の実施形態では、通路27は、テンプレート・チャック46の任意の面と流体連通して第1のくぼみ17に配置されてもよいことを理解されたい。通路29は、第2の側13と流体連通して第2のくぼみ19に配置されるが、別の実施形態では、通路29は、テンプレート・チャック46の任意の面と流体連通して第2のくぼみ19に配置されてもよいことを理解されたい。さらに、望まれることは、通路27、29が、それぞれ第1と第2のくぼみ17、19を、ポンプ・システム31などの圧力制御システムとうまく流体連通するように配置されることである。

ポンプ・システム31には、第1、第2のくぼみ17、19の近くで圧力を制御するための1つ又は複数のポンプが含まれる。そのために、テンプレート20がテンプレート・チャック46に連結されるとき、テンプレート20は、第1の分離支持領域21と第2の分離支持領域23で支えられ、第1のくぼみ17と第2のくぼみ19を覆う。テンプレート20の第1の領域38は、第2のくぼみ19と重なって、第1の室33を形成し、テンプレート20の第2の領域40は、第1のくぼみ17と重なって、第2の室35を形成している。ポンプ・システム31は、第1と第2の室33、35内の圧力を制御するように作動する。さらに、テンプレート・チャック46は、パターン形成装置18の動きを容易にするために、インプリント・ヘッド48に連結されている。

図1と9を参照すると、システム10は、流体分配システム50をさらに備える。流体分配システム50は、高分子材料52を基板上に堆積させるために、基板12と流体連通させられる。システム10は、どんな数の流体ディスペンサを備えてもよく、流体分配システム50は、複数の分配ユニットをその中に備えてもよい。高分子材料52は、例えば、滴下分配、スピン・コーティング、ディップ・コーティング、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着など、知られているどんな技法を使用して基板12上に配置されてもよい。通常、モールド26と基板12の間で所望の容積が定まる前に、高分子材料52が基板12上に配置される。しかし、高分子材料52は、所望の容積が得られた後に、その容積を満たしてもよい。図9に示すように、高分子材料52は、マトリクス状の配列56とされた複数の離れた液滴54として基板12上に堆積される。一例として、液滴54の各液滴は、ほぼ1〜10ピコリットルの単位体積を有している。マトリクス状の配列56の液滴54は、c1〜c5の5列及びr1〜r5の5行で配置されているが、液滴54は、どんな2次元配列で基板12上に配置されてもよい。

図1、10を参照すると、システム10は、経路62に沿ってエネルギー60を送るように連結されたエネルギー60のソース58をさらに備える。インプリント・ヘッド48とステージ16は、モールド26と基板12を重ねて経路62内に配置するように構成される。インプリント・ヘッド48、ステージ16、又はそれらの両方は、モールド26と基板12の間の距離を変化させて、高分子材料52によって満たされるそれらの間の所望の容積を定める。所望の容積が高分子材料52で満たされた後に、ソース58は、エネルギー60例えば広帯域紫外線を発生し、この紫外線により高分子材料52が固化及び/又は架橋して、基板12上にパターン層66を形成するように、基板12の面64を、パターン形成面28の形状に一致させる。パターン層66は、残留層68と、突起70及びくぼみ72として示してある複数のフィーチャを含んでいる。システム10は、ステージ16、ポンプ・システム31、インプリント・ヘッド48、流体分配システム50、ソース58とデータ通信し、メモリ76に記憶されたコンピュータ読取り可能なプログラム上で動作するプロセッサ74によって制御される。別の実施形態では、パターン層66は、知られているどんな技法、例えば、フォトリソグラフィ(g線、i線、248nm、193nm、157nm、13.2〜13.4nmを含む様々な波長)、接触リソグラフィ、eビーム・リソグラフィ、X線リソグラフィ、イオンビーム・リソグラフィ、原子ビーム・リソグラフィを使用して形成されてもよい。

図2、11を参照すると、システム10は、パターン形成装置18を囲むアクチュエータ・システム78をさらに備える。アクチェーション・システム78は、パターン形成装置18に連結された複数のアクチュエータ80を備える。アクチュエータ80のそれぞれは、パターン形成装置18の第2の領域40上に力を発生させるように構成される。アクチュエータ80は、とりわけ、空気圧式、圧電式、磁歪式のアクチュエータ、ボイス・コイルを含め、当技術分野で知られているどんな加圧アクチュエータ(force actuator)又は変位アクチュエータ(displacement actuator)でもよい。

図に示すように、アクチェーション・システム78は、パターン形成装置18の周辺部41に連結された16個のアクチュエータ80を備え、パターン形成装置18の各側面は、それに連結された4個のアクチュエータ80を有する。しかし、パターン形成装置18は、それに連結されるどんな数のアクチュエータ80を有してもよく、パターン形成装置18の各側面に連結されるアクチュエータ80の数は異なってもよい。パターン形成装置18は、それに配置されるどんな構成及び数のアクチュエータ80を有してもよい。別の実施形態では、図12、13に示すように、アクチュエータ80は、くぼみ32の境界面36にも連結されてもよい。アクチェーション・システム78は、プロセッサ74とデータ通信し、メモリ76内に記憶されているコンピュータ読取り可能なプログラム上で動作して、その動作を制御し、より具体的には、アクチェーション・システム78のアクチュエータ80に伝達される制御信号を生成する。

図1、9、10を参照すると、前述の通り、モールド26と基板12の間の距離は、高分子材料52によって満たされる所望の容積がそれらの間で定められるように変化させられる。さらに、固化した後に、高分子材料52は、基板12の面64とパターン形成面28の形状に一致し、基板12上にパターン層66の形を定める。そのためには、マトリクス状の配列56の各液滴54間で定められる範囲82内にはガスが存在し、基板12とモールド26の間、及びパターン層66内のガスの閉込め及び/又はガス・ポケットを、防止しないまでも回避するように、マトリクス状の配列56内の液滴54が基板12一面に広げられる。ガス及び/又はガス・ポケットは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウムを含むが、ただしそれらだけに限定されないようなガスもある。基板12とモールド26の間、及びパターン層66内のガス及び/又はガス・ポケットにより、結果として、とりわけ、パターン層66内に形成されるフィーチャにパターンひずみを生じ、パターン層66内に形成されるフィーチャの忠実度が低くなり、パターン層68全体にわたる残留層48の厚さが均一でなくなり、これらのすべてが望ましくない。そのために、基板12とモールド26の間、及びパターン層66内のガスの閉込め及び/又はガス・ポケットを、防止しないまでも最小化する方法及びシステムを後述する。

図1、14を参照すると、第1の実施形態における、基板12とモールド26の間のガスを排出する方法が示してある。より具体的には、ステップ100において、前述の通り、高分子材料52は、滴下分配、スピン・コーティング、ディップ・コーティング、化学蒸着(CVD)、物理蒸着(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などにより、基板12に配置される。別の実施形態では、高分子材料52は、モールド26上に配置されてもよい。

図2、11、14、15を参照すると、ステップ102において、モールド26と基板12の間のモールド26の中心の副部分における距離h1がモールド26と基板12の間のモールド26の残存部分の距離よりも小さくなるように、パターン形成装置18の形状を変更させる。一例として、距離h1は、モールド26の縁部で決まる距離h2よりも小さい。別の実施形態では、距離h1は、モールド26の所望のどんな位置で決められてもよい。パターン形成装置18の形状は、アクチュエータ80による複数の力をパターン形成装置18に加えることによって変更される。より具体的には、アクチュエータ80による力が加わることで、テンプレート20の第1の領域38が第1の厚さt1になる結果として、テンプレート20の第1の領域38の形状は、テンプレート20の第1の領域38が、基板12に向かって湾曲し、テンプレート・チャック46から離れるように変更されてもよい。さらに、アクチュエータ80のそれぞれは、パターン形成装置18上に異なる力を加えてもよい。一例として、テンプレート20の第1の領域38の湾曲は、アクチュエータ80を使用して、41nmの直径にわたっておよそ0〜200nm程度である。

図2、7、8を参照すると、別の実施形態では、パターン形成装置18の形状は、第1及び第2の室33、35内の圧力を制御することによって変更されてもよい。より具体的には、前述の通り、ポンプ・システム31は、第1と第2の室33、5内の圧力を制御するように動作する。そのために、第1の例では、テンプレート20の第1の領域38が、テンプレート・チャック46から離れて基板12に向かって湾曲するように、ポンプ・システム31は、通路29を介して、第1の室33内で生成される圧力の大きさを増大させてもよい。第2の例では、テンプレート20の第2の領域40が、基板12から離れて湾曲し、テンプレート・チャック46に向かって湾曲するように、ポンプ・システム31は、通路27を介して、第2の室35内で真空を生成してもよい。「Method for Expelling Gas Positioned Between a Substrate and a Mold」と題する米国特許出願第11/565,393号に記載されているように、テンプレート20の第2の領域40を基板12から離れるようにたわませる結果として、テンプレート20の第1の領域38は、基板12に向かい、テンプレート・チャック36から離れるように湾曲する。この特許出願を、参考として本明細書に援用する。一例として、テンプレート20の第1の領域38の湾曲は、ポンプ・システム31を使用して、41nmの直径にわたっておよそ0〜35μm nm程度でもよい。さらなる実施形態では、パターン形成装置38の形状を変更するための、前述した方法のどんな組合せを使用してもよい。

図14、16、17を参照すると、ステップ104において、図1に関して前述した通り、図1に示すインプリント・ヘッド48、ステージ14、又はその両方は、モールド26の副部分が液滴54の副部分と接触するように、図15に示す距離h1を変更させる。図に示すように、モールド26の残存部分が液滴54のうちの残存する液滴と接触するのに先立って、モールド26の中心の副部分は、液滴54の副部分と接触する。しかし、別の実施形態では、モールド26のどの部分が、モールド26の残存部分に先立って、液滴54と接触してもよい。これにより液滴54が一面に広がり、高分子材料52の隣接した液体シート84を生成する。液体シート84の縁部86は、基板12の縁部90a、90b、90c、90dに向けて範囲82内のガスを押し出す役割を果たす液気界面88となる。列c1〜c5内の各液滴54の間の範囲82は、ガスがそれを介して縁部90a、90b、90c、90dに押し出されるガス流路を定める。その結果、液気界面88は、ガス流路と一緒に、液体シート84内のガス閉込めを、防止しないまでも低減させる。

図14、16を参照すると、ステップ106において、図1に関して前述した通り、モールド26と基板12の間で定められる所望の容積が高分子材料52によって満たされるように、パターン形成装置18の形状が変更されてもよい。より具体的には、図18に示す液滴54の後続の一部に連なる高分子材料52が広がって、隣接した流体シート84内に含まれるように、パターン形成装置18の形状が変更されてもよい。図19、20に示すように、続いて、モールド26が残存する液滴54と接触し、その結果それと連結する高分子材料52が広がって、隣接したシート84内に含まれるように、パターン形成装置18の形状が変更され続ける。見て分かるように、界面88は、縁部90a、90b、90c、90dに向かって移動し、その結果、図17に示す残存する範囲82内のガスがそこに進むまでの経路が妨げられない。これにより、図17に示す範囲82内のガスは、縁部90a、90b、90c、90dに対して、モールド26と基板12の間から排出される。このようにして、図10に示す、基板12とモールド26の間、及びパターン層68内のガスの閉込め及び/又はガス・ポケットは、防止されないまでも最小化される。別の実施形態では、図15に関して前述した通り、距離h1が低減されるのと同時に、パターン形成装置18の形状が変更されてもよい。さらに、モールド26と基板12の間で高分子材料52が所望の容積を満たす速度のバランスをとることが望まれる。より具体的には、界面88が縁部90a、90b、90c、90dに向かって伝搬する速度が速すぎる場合、モールド26と基板12の間にガスのポケットが生成されることがあり、それは望ましくない。そのために、一例として、高分子材料52が、モールド26と基板12の間を数秒間で800mm2 mmの速度で、所望の容積を満たすように、パターン形成装置18の形状が変更されてもよい。

図11、14を参照すると、ステップ108において、アクチェーション・システム78は、パターン形成装置18を選択的に変形させる。これにより、パターン形状の様々なパラメータ、すなわち倍率特性(magnification characteristics)、スキュー/直交性特性(skew/orthogonality characteristics)、及び台形特性(trapezoidal characteristics)の訂正がうまくいく。倍率特性は、全体のパターンが正方形状から長方形状に変化する場合など、倍率誤差(magnification error)でもある。スキュー/直交性特性は、隣接した縁部が直交角度の代わりに互いに対して斜角又は鈍角を形成する場合、スキュー/直交性誤り(skew/orthogonality error)である。台形特性は、正方形/長方形が不等辺四辺形の形状を仮定し、不等辺四辺形には台形が含まれる場合と同様、台形誤り(trapezoidal error)である。パターン形状を制御するために、パターン形成装置18は、アクチュエータ80により選択的に変形させられて、存在するひずみを相殺しないまでも最小限に抑え、それによりオーバーレイ誤り(overlay errors)を低減させることもできる。

図1、14を参照すると、ステップ110において、図1に関して前述した通り、次いで、高分子材料52は、固化及び/又は架橋され、図10に示すパターン層68を形成する。続いて、ステップ112において、モールド26は、図10に示すパターン層68から分離される。分離し易くするために、図15とステップ102に関して前述した形状に類似するよう、パターン形成装置18の形状を変更してもよい。

図21、22を参照すると、一例として、第1の本体96と第2の本体98a、98bとを連結することにより、パターン形成装置18が形成されてもよい。より具体的には、第2の本体98a、98bが図2に示すテンプレート20の第2の領域40となるように、第2の本体98a、98bは、第1の本体96の周辺部に連結される。第2の本体98a、98bは、接着剤99を使用して第1の本体96に連結されてもよく、接着剤99は、当技術分野で普通に使用されるどんな連結組成でもよく、接着剤99は、第1の本体96と第2の本体98a、98bとの間に薄い充填剤を流し込むのに十分な粘りがある。

図1、23、24を参照すると、パターン形成装置18のさらなる実施形態が、それぞれパターン形成装置118、218として示してある。パターン形成装置118、120は、図2に示すテンプレート20の第2の領域40内に配置された部分94a、94b、94c、94dをさらに備え、部分94a、94b、94c、94dは、図2に示す第1の領域38の厚さt1と実質上厚さが同じである。パターン形成装置の形状が、アクチュエータ80により複数の力を加えることによって変化させられる場合には、パターン形成装置118を使用してもよい。パターン形成装置の形状が、アクチュエータ80により複数の力を加えることと、図8に示す第1の室33内に圧力を生成することの組合せによって変化させられる場合には、パターン形成装置218を使用してもよい。さらに、パターン形成装置118又は120のいずれかが前述のプロセスで使用される場合、テンプレート・チャック46とパターン形成装置118又は120との間の真空は、パターン形成装置118又は120の形状をうまく変化させるために初めは部分真空でもよく、パターン形成装置118又は120の形状の変化が完了すると、テンプレート・チャック46との間では完全真空を使用してもよい。

前述の本発明の実施形態は例示的なものである。本発明の範囲内にとどまりながら、前述の開示に対して多くの変更及び修正を加えてもよい。したがって、本発明の範囲は、前述の説明によって限定されるべきではなく、代わりに添付の特許請求の範囲に加えてそれらの均等物の全範囲を参照して決定すべきである。

基板から間隔を置いて配置されたパターン形成装置を有するリソグラフィ・システムの横断面図である。 図1に示すパターン形成装置の横断面図である。 図2に示すパターン形成装置の平面図である。 第2の実施形態における、図2に示すパターン形成装置の平面図である。 第3の実施形態における、図2に示すパターン形成装置の平面図である。 第4の実施形態における、図2に示すパターン形成装置の平面図である。 両方とも図1に示す、パターン形成装置及びテンプレート・チャックの横断面図である。 図7に示すテンプレート・チャックの下面図である。 図1に示す基板の領域上に配置されるインプリント材料の液滴のアレイを示す平面図である。 上部にパターン層がある、図1に示す基板の横断面図である。 第1の実施形態における、アクチェーション・システムがそれに連結している、図1に示すパターン形成装置の平面図である。 第2の実施形態における、アクチェーション・システムがそれに連結している、図1に示すパターン形成装置の平面図である。 両方とも図12に示す、パターン形成装置及びアクチェーション・システムの横断面図である。 第1の実施形態における、図1に示す基板の領域をパターン形成する方法を示す流れ図である。 図1に示すパターン形成装置であって、その形状が変更されたパターン形成装置の横断面図である。 図9に示すインプリント材料の液滴の部分と接触している、図15に示すパターン形成装置の横断面図である。 図16に示すパターン形成装置の変更された形状を使用して、図9に示す液滴が圧縮される様子を示す平面図である。 図16に示すパターン形成装置の変更された形状を使用して、図9に示す液滴が圧縮される様子を示す平面図である。 図16に示すパターン形成装置の変更された形状を使用して、図9に示す液滴が圧縮される様子を示す平面図である。 図16に示すパターン形成装置の変更された形状を使用して、図9に示す液滴が圧縮される様子を示す平面図である。 相隔たる第1及び第2の本体であって、第1の本体が接着剤組成をその上に有する本体の側図である。 互いに連結されて図2に示すパターン形成装置を形成する、図21に示す第1及び第2の本体の側図である。 第5の実施形態における、図2に示すパターン形成装置の平面図である。 第6の実施形態における、図2に示すパターン形成装置の平面図である。

Claims (20)

  1. 第1と第2の両側を有する本体であって、第1の面は前記第1の側に配置され、前記第2の側はその中に配置されたくぼみを有し、前記本体は第1と第2の領域を有し、前記第2の領域は前記第1の領域及び前記第1の領域に重なる前記くぼみを囲み、前記第1の領域と重なる前記第1の面の部分は前記第2の側から第1の距離だけ離れており、前記第2の領域と重なる前記第1の面の部分は前記第2の側から第2の距離だけ離れており、前記第2の距離は前記第1の距離よりも長い本体と、
    前記第1の領域の部分と重なって、前記本体の前記第1の側上に配置されたモールドとを備える、ナノインプリント・リソグラフィ・テンプレート。
  2. 前記くぼみは、正方形、長方形、円形、楕円から成る一群の幾何学形状から選択される幾何学形状を有する請求項1に記載のテンプレート。
  3. 前記くぼみは、底面を備え、前記第1の領域と重なる前記第1の面の前記部分は、前記底面から第1の距離だけ離れている請求項1に記載のテンプレート。
  4. 前記第2の距離は、0.25インチ(0.635cm)の長さである請求項1に記載のテンプレート。
  5. 前記第1の距離は、700ミクロンの長さである請求項1に記載のテンプレート。
  6. 前記第1の距離は、1ミクロンから0.25インチ(0.635cm)の範囲の長さである請求項1に記載のテンプレート。
  7. 前記モールドは、複数の突起とくぼみを備える請求項1に記載のテンプレート。
  8. 第1と第2の両側を有する本体であって、前記第1の側に配置された第1の面は実質上平面であり、前記本体は第1と第2の領域を有し、前記第2の領域は前記第1の領域を囲み、前記第1の領域と重なる前記本体の部分は第1の厚さを有し、前記第2の領域と重なる前記本体の部分は第2の厚さを有し、前記第2の厚さは前記第1の厚さよりも厚い本体と、
    前記第1の領域の部分と重なる前記第1の側上に配置されたモールドとを備える、ナノインプリント・リソグラフィ・テンプレート。
  9. 前記本体の前記第2の側は、その中に配置されたくぼみを有し、前記くぼみは前記本体の前記第1の領域と重なる請求項8に記載のテンプレート。
  10. 前記くぼみは、正方形、長方形、円形、楕円から成る一群の幾何学形状から選択される幾何学形状を有する請求項9に記載のテンプレート。
  11. 前記第2の厚さは、ほぼ0.25インチ(0.635cm)の厚さである請求項8に記載のテンプレート。
  12. 前記第1の距離は、ほぼ700ミクロンの長さである請求項8に記載のテンプレート。
  13. 前記第1の距離は、1ミクロンから0.25インチの範囲の長さを有する請求項8に記載のテンプレート。
  14. 前記モールドは、複数の突起とくぼみを備える請求項8に記載のテンプレート。
  15. 第1と第2の両側を有する本体であって、第1の面は前記第1の側に配置され、前記第2の側はその中に配置されたくぼみを有し、前記本体は第1と第2の領域を有し、前記第2の領域は前記第1の領域及び前記第1の領域と重なる前記くぼみを囲み、前記第1の領域と重なる前記第1の面の部分は前記第2の側から第1の距離だけ離れており、前記第2の領域と重なる前記第1の面の部分は前記第2の側から第2の距離だけ離れており、前記第2の距離は前記第1の距離よりも長く、前記本体は前記第1の領域の部分と重なる前記第1の側上に配置されたモールドをさらに有する本体と、
    前記本体に連結されて、前記本体の前記第2の側から離れるように前記本体の前記第1の領域を湾曲させるために前記本体に力を加えるアクチュエータとを備える、ナノインプリント・リソグラフィ・システム。
  16. 複数のアクチュエータをさらに備える請求項15に記載のシステム。
  17. 前記アクチュエータの前記力は、前記本体の寸法を変化させてもよい請求項15に記載のシステム。
  18. 前記くぼみは、正方形、長方形、円形、楕円から成る一群の幾何学形状から選択される幾何学形状を有する請求項15に記載のシステム。
  19. 前記アクチュエータは、前記本体の周辺部に連結される請求項15に記載のシステム。
  20. 前記くぼみは、前記第1の側から離れている底面を備え、前記本体は、前記底面と前記第2の側との間に形成される境界面を備え、前記アクチュエータは、前記境界面に連結される請求項15に記載のシステム。
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