JP2015037087A - マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 - Google Patents
マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015037087A JP2015037087A JP2013167401A JP2013167401A JP2015037087A JP 2015037087 A JP2015037087 A JP 2015037087A JP 2013167401 A JP2013167401 A JP 2013167401A JP 2013167401 A JP2013167401 A JP 2013167401A JP 2015037087 A JP2015037087 A JP 2015037087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- mask blank
- mold
- substrate
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 289
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 143
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 78
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 89
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 43
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 12
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical group C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Cr nitride Chemical class 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004162 TaHf Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
インプリントモールドを製造するために用いられるマスクブランク用基板であって、第1の基材と第2の基材とを含む構成からなり、前記第1の基材は、対向する2つの主表面と外周端面とを備え、前記2つの主表面の間を貫通する所定形状の孔を有し、前記第2の基材は、対向する2つの主表面と外周端面とを備え、前記第1の基材における一方の主表面と前記第2の基材における一方の主表面とが接合されており、前記第2の基材の接合面となる側の主表面と前記第1の基材の前記孔とによって凹部が構成され、前記第1の基材と前記第2の基材のうちのいずれか一方の外周端面は、他方の外周端面よりも全周にわたって突出していることを特徴とするマスクブランク用基板である。
前記第1の基材の外周端面は、前記第2の基材の外周端面よりも全周にわたって突出していることを特徴とする構成1に記載のマスクブランク用基板である。
前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方は、ガラスからなることを特徴とする構成1または2に記載のマスクブランク用基板である。
前記凹部は、前記第2の基材における他方の主表面に設定されるモールドパターン形成領域よりも大きな領域に形成されている構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板である。
前記凹部の底面の表面粗さは、算術平均粗さRaで0.3nm以下であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク用基板である。
インプリントモールドを製造するために用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、対向する2つの主表面と外周端面とを備える第1の基材に、前記2つの主表面の間を貫通する所定形状の孔を形成する貫通孔形成工程と、対向する2つの主表面と外周端面とを備える第2の基材を準備する工程と、前記孔が形成された前記第1の基材における一方の主表面と前記第2の基材における一方の主表面とを接合する接合工程とを有し、前記接合工程では、前記第2の基材の接合面となる側の主表面と前記第1の基材の前記孔とによって凹部を構成すると共に、前記第1の基材と前記第2の基材のうちのいずれか一方の基材の外周端面を、他方の外周端面よりも全周にわたって突出させることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法である。
前記接合工程では、前記第1の基材の外周端面を、前記第2の基材の外周端面よりも全周にわたって突出させることを特徴とする構成6に記載のマスクブランク用基板の製造方法である。
前記第1の基材と前記第2の基材がいずれもガラスからなることを特徴とする構成6または7に記載のマスクブランク用基板の製造方法である。
構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の前記第2の基材における他方の主表面にパターン形成用の薄膜を備えたことを特徴とするマスクブランクである。
構成6から8のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法を含み、当該マスクブランク用基板の製造方法における接合工程の前または後に、前記第2の基材の他方の主表面にパターン形成用の薄膜を設ける薄膜形成工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
構成1〜5のいずれかに記載のマスクブランク用基板における前記第2の基材の他方の主表面にモールドパターンが形成されたことを特徴とするインプリントモールドである。
構成10に記載のマスクブランクの製造方法を含み、当該マスクブランクの製造方法における薄膜形成工程の後に、前記薄膜及び前記第2の基材の他方の主表面をエッチング加工する工程を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法である。
図1は、本発明のマスクブランク用基板の構成を説明するための図であり、図1Aは断面図であり、図1Bは分解斜視図である。これらの図に示すマスクブランク用基板1は、凹凸のモールドパターンを有するインプリントモールドとして加工されるものであり、モールドパターンが形成される前のものである。なお、以下の説明においてインプリントモールドとは、マスクブランク用基板1から作製されるインプリントモールドであることとする。
次に、図1を用いて説明したマスクブランク用基板1の製造方法を説明する。
図2は、本発明のマスクブランクの構成を説明するための断面図である。この図に示すマスクブランク2は、インプリントモールド用のマスクブランクであり、先に説明した本発明のマスクブランク用基板1におけるモールド基板20のパターン形成面22上に、パターン形成用の薄膜30が設けられた構成である。
図2を用いて説明したマスクブランク2の製造は、先に説明したマスクブランク用基板1におけるパターン形成面22に、パターン形成用の薄膜30を形成することによって行なわれる。この場合、マスクブランク用基板1の製造方法において説明したと同様にして支持基板10とモールド基板20との接合工程を行った後に、モールド基板20のパターン形成面22上に薄膜30を形成する工程を行えばよい。
以上説明した構成のマスクブランクの製造方法は、本発明のマスクブランク用基板の製造方法を含んでいる。このため、先のマスクブランク用基板の作製方法の効果と同様に、工程数を増やすことなく、かつ研磨砥粒等を凹部1aに付着させることもなく、段差のない外周端面を有するマスクブランク2を作製することが可能になる。
図3は、本発明のインプリントモールドの構成を説明するための断面図である。この図に示すインプリントモールド3は、先に説明した本発明のマスクブランク用基板1におけるパターン形成面22にモールドパターンPが設けられた構成である。
次に、以上説明したマスクブランクを用いた本発明のインプリントモールドの作製方法を説明する。図4は、本発明のインプリントモールドの製造方法を説明するための断面工程図であり、以下図4に基づいてインプリントモールドの作製方法を説明する。
以上説明した構成のインプリントモールドの製造方法は、本発明のマスクブランク用基板の製造方法を含んでいる。このため、先のマスクブランク用基板の製造方法の効果と同様に、工程数を増やすことなく、かつ研磨砥粒等を凹部1aに付着させることもなく、突出している側の基材の外周端面を有するインプリントモールド3を作製することが可能になる。
図5は、本発明のインプリントモールドを用いたインプリント法を説明する断面工程図である。以下、この図に基づいてインプリント法によるパターン形成を説明する。
1a…凹部
2…マスクブランク
3…インプリントモールド
10…支持基板(第1の基材)
10a…孔
20…モールド基板(第2の基材)
20a…凹部の底面
30…薄膜
a…モールドパターン形成領域
P…モールドパターン
Claims (12)
- インプリントモールドを製造するために用いられるマスクブランク用基板であって、
第1の基材と第2の基材とを含む構成からなり、
前記第1の基材は、対向する2つの主表面と外周端面とを備え、前記2つの主表面の間を貫通する所定形状の孔を有し、
前記第2の基材は、対向する2つの主表面と外周端面とを備え、
前記第1の基材における一方の主表面と前記第2の基材における一方の主表面とが接合されており、前記第2の基材の接合面となる側の主表面と前記第1の基材の前記孔とによって凹部が構成され、
前記第1の基材と前記第2の基材のうちのいずれか一方の外周端面は、他方の外周端面よりも全周にわたって突出していることを特徴とするマスクブランク用基板。 - 前記第1の基材の外周端面は、前記第2の基材の外周端面よりも全周にわたって突出していることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク用基板。
- 前記第1の基材および前記第2の基材の少なくとも一方は、ガラスからなることを特徴とする請求項1または2に記載のマスクブランク用基板。
- 前記凹部は、前記第2の基材における他方の主表面に設定されるモールドパターン形成領域よりも大きな領域に形成されている請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
- 前記凹部の底面の表面粗さは、算術平均粗さRaで0.3nm以下であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
- インプリントモールドを製造するために用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
対向する2つの主表面と外周端面とを備える第1の基材に、前記2つの主表面の間を貫通する所定形状の孔を形成する貫通孔形成工程と、
対向する2つの主表面と外周端面とを備える第2の基材を準備する工程と、
前記孔が形成された前記第1の基材における一方の主表面と前記第2の基材における一方の主表面とを接合する接合工程とを有し、
前記接合工程では、前記第2の基材の接合面となる側の主表面と前記第1の基材の前記孔とによって凹部を構成すると共に、前記第1の基材と前記第2の基材のうちのいずれか一方の基材の外周端面を、他方の外周端面よりも全周にわたって突出させることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記接合工程では、前記第1の基材の外周端面を、前記第2の基材の外周端面よりも全周にわたって突出させることを特徴とする請求項6に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記第1の基材と前記第2の基材がいずれもガラスからなることを特徴とする請求項6または7に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の前記第2の基材における他方の主表面にパターン形成用の薄膜を備えたことを特徴とするマスクブランク。
- 請求項6から8のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法を含み、当該マスクブランク用基板の製造方法における接合工程の前または後に、前記第2の基材の他方の主表面にパターン形成用の薄膜を設ける薄膜形成工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項1〜5のいずれかに記載のマスクブランク用基板における前記第2の基材の他方の主表面にモールドパターンが形成されたことを特徴とするインプリントモールド。
- 請求項10に記載のマスクブランクの製造方法を含み、当該マスクブランクの製造方法における薄膜形成工程の後に、前記薄膜及び前記第2の基材の他方の主表面をエッチング加工する工程を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013167401A JP6300466B2 (ja) | 2013-08-12 | 2013-08-12 | マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013167401A JP6300466B2 (ja) | 2013-08-12 | 2013-08-12 | マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015037087A true JP2015037087A (ja) | 2015-02-23 |
JP6300466B2 JP6300466B2 (ja) | 2018-03-28 |
Family
ID=52687467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013167401A Active JP6300466B2 (ja) | 2013-08-12 | 2013-08-12 | マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6300466B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015108002A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 旭硝子株式会社 | インプリント用テンプレート及び転写パターンを形成しうるテンプレート、並びにそれらの製造方法 |
JP2018198278A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | キヤノン株式会社 | 型、インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP2019197765A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法 |
JP2021015912A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | キヤノン株式会社 | 膜形成装置および物品製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288845A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
JP2009119695A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | ナノプリント用樹脂スタンパ |
JP2009536591A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 厚さが変化するテンプレート |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2012032785A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP2013073999A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用のモールドおよびその製造方法 |
-
2013
- 2013-08-12 JP JP2013167401A patent/JP6300466B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004288845A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
JP2009536591A (ja) * | 2006-05-11 | 2009-10-15 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 厚さが変化するテンプレート |
JP2009119695A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Hitachi High-Technologies Corp | ナノプリント用樹脂スタンパ |
JP2011148227A (ja) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Hoya Corp | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2012032785A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体用合成石英ガラス基板の製造方法 |
JP2013073999A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Fujifilm Corp | ナノインプリント用のモールドおよびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015108002A1 (ja) * | 2014-01-15 | 2015-07-23 | 旭硝子株式会社 | インプリント用テンプレート及び転写パターンを形成しうるテンプレート、並びにそれらの製造方法 |
JP2018198278A (ja) * | 2017-05-24 | 2018-12-13 | キヤノン株式会社 | 型、インプリント装置、および物品の製造方法 |
JP2019197765A (ja) * | 2018-05-08 | 2019-11-14 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法 |
JP7077754B2 (ja) | 2018-05-08 | 2022-05-31 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法 |
JP2021015912A (ja) * | 2019-07-12 | 2021-02-12 | キヤノン株式会社 | 膜形成装置および物品製造方法 |
JP7280768B2 (ja) | 2019-07-12 | 2023-05-24 | キヤノン株式会社 | 膜形成装置および物品製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6300466B2 (ja) | 2018-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5534311B2 (ja) | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランクとその製造方法、及びインプリントモールドとその製造方法 | |
JP5117318B2 (ja) | ナノインプリント用スタンパ及び該スタンパを使用する微細構造転写装置 | |
JP4210257B2 (ja) | 回折レンズアレイモールドの製造方法 | |
WO2015108002A1 (ja) | インプリント用テンプレート及び転写パターンを形成しうるテンプレート、並びにそれらの製造方法 | |
US8245754B2 (en) | Peeling apparatus, peeling method, and method of manufacturing information recording medium | |
WO2014148118A1 (ja) | 曲面回折格子及びその製造方法、並びに光学装置 | |
JP6300466B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、インプリントモールド、およびそれらの製造方法 | |
JP2011245816A (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、インプリントモールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
KR20180018890A (ko) | 임프린트 마스터 템플릿 및 이의 제조 방법 | |
JP5195074B2 (ja) | 成形型 | |
JP2013073999A (ja) | ナノインプリント用のモールドおよびその製造方法 | |
JP5694889B2 (ja) | ナノインプリント方法およびそれに用いられるナノインプリント装置並びにパターン化基板の製造方法 | |
JP5383110B2 (ja) | インプリント装置 | |
JP5416420B2 (ja) | 微細構造転写装置 | |
JP4420746B2 (ja) | 形状転写用金型、及びその製造方法、並びにそれを用いた製品の製造方法 | |
JP2005339669A (ja) | インプリント方法、情報記録媒体製造方法およびインプリント装置 | |
JP6420137B2 (ja) | 基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP5200726B2 (ja) | インプリント方法、プレインプリントモールド、プレインプリントモールド製造方法、インプリント装置 | |
US20210318473A1 (en) | Method and Device for Manufacturing Concave Diffraction Grating, and Concave Diffraction Grating | |
JP6974964B2 (ja) | 貼り合わせ基板、製造方法 | |
JP2015063065A (ja) | インプリントモールド用基板、インプリントモールド及びそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの再生方法 | |
TWI768116B (zh) | 電鑄用母版及使用該電鑄用母版的電鑄模具的製造方法 | |
JP6055732B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、およびそれらの製造方法、並びにインプリントモールドの製造方法 | |
JP2015195278A (ja) | インプリントレプリカモールド及びインプリントレプリカモールドの製造方法 | |
JP7070106B2 (ja) | インプリント用テンプレート、その製造方法、およびインプリント方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170919 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171013 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180227 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6300466 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |