JP5195074B2

JP5195074B2 - 成形型

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Publication number: JP5195074B2
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Inventors: 浩藤田; 祐樹有塚; 尚武佐野
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Priority date: 2008-06-26
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Publication date: 2013-05-08
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Also published as: JP2010005899A

Description

本発明は、凹凸パターンを被加工物に転写して加工を行なうための成形型に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンスパネル等の大面積フレキシブルパネルでの素子パターンの作製において、マイクロコンタクトプリント法が注目されている。マイクロコンタクトプリント法は、微細な凹凸パターンの凸部の上にインクを載せて被加工物にインクを転写するもので、被加工物がフィルム状で柔軟性を有する材料であることから、この方法で用いられる型はＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）等の樹脂を硬化して作製されることが多い。この型は、以下に述べるように別の成形型からパターン転写により作製される成形品である。成形品の作製には、例えば注型インプリント法（キャスティング法）が採用される（特許文献１参照）。注型インプリント法では、液状の樹脂を離型処理された成形型の凹凸パターンを覆うように室温で広げて転写層を形成した後、基材を載せ、昇温し、一定温度で一定時間保持することにより樹脂を硬化させた後、室温まで降温してから、基材と一体となった転写層と、成形型とを剥がす工程（離型工程）を経る。通常、転写層と成形型は強く密着しており、特に両者が大面積の場合には両者を引き剥がすために垂直方向に加えるべき力は非常に大きいものとなる。そこで、成形型と転写層の間に先尖物（ナイフのように先端が尖った物）を差込み、両者を抉じ開けるようにして剥がすこと（以下、抉じ開け作業と呼称する。）なども行われている。ここで、成形型の材料としては、基板の平坦性が高く、微細凹凸パターンをリソグラフィ（ドライエッチングを含む）で作製加工であることが必要であるから、単結晶シリコンや石英ガラスが候補となる。

しかし、単結晶シリコン基板からなる成形型はそれ自体薄く、又単結晶故に結晶方位に沿って破断が生じやすい性質を有する。そのため前述の成形型に対して垂直方向への引き剥がし、あるいは抉じ開け作業の際に成形型に破損が生じるといった問題があった。そこで、本発明者らは単結晶シリコン基板から成る成形型のパターン形成面の反対側に結晶方位の無い無機材料から成る補強板を接合して構成された型を得て、抉じ開け作業時の成形型の破損を防ぐことを試みた。補強板の材料として、石英ガラス、珪酸系ガラス（ホウ珪酸ガラスとアルミノ珪酸ガラスを含む）及びセラミックスを選んだ場合には、成形型に破損が生じることなく、抉じ開け作業を行なえることを見出した。しかし、このようにして得られた成形型を用いて、注型インプリント法で成形品を作製したところ、得られた成形品はそのパターン面側に大きな反りを持ち、成形品としての機能を満たすことができなかった。この原因は、成形型と補強板が異なる材料を接合あるいは接着して構成されているため、両者の接合時の温度と樹脂の硬化温度が異なると、両者の熱膨張係数の差に起因して接合時には平坦度が高かった成形型に、成形時反りが生じているためであることが分った。

そこで温度による成形型の反りを防ぐ方法として特許文献２及び特許文献３に挙げられるものがある。特許文献２では微細な構造が形成された薄片型（例えば、シリコンあるいは石英ガラス）と、この薄片型の材料と熱膨張係数が同一又は略同等の材料からなり、薄片型よりも厚みの大きな台座とが、接合された微細加工用型が開示されている。しかし、薄片型と台座とを異なる材料で構成しようとすると、上述したように台座に薄片型の材料と熱膨張係数が略同等の材料を選んだ場合でも、台座の厚みが薄片型と同程度や小さい場合や、薄片型と台座が直径１００ｍｍ以上のウエハ形状のように大面積である場合には、接合温度と成形時の温度の違いによる、熱膨張係数差に応じた反りが成形型に生じ、その大きさは成形品の機能を損なう程度となりうる。

又、特許文献３ではパターン部と型本体部と、パターン部と同一材料によって形成された反り防止膜から成る型が開示されている。実施例では、単結晶シリコンから成る型本体の両面に成膜されたＮｉ−Ｃｒ合金から成るパターン用膜及び反り防止膜が形成された構造が開示されている。しかし、パターン部の材料が本体部の材料よりも耐久性の高い材料であることが要請されており、そのため、加工性に優れたシリコン、ガラスはパターン材料から排除され、本体部の材料の候補となっている。又、パターン部が型本体部からは自立して形成され得ず、そのため、反り防止層も自立して形成されないものであるため、成形型自体の物理強度に欠けるといった問題がある。
特開２００６−２３７３１２号公報特開２００６−２８９６８４号公報特開２００６−３２７００７号公報

本発明は上記に鑑み、成形型と転写層の剥離工程における成形型の破損を抑制し、かつ成形時における反りが小さい成形型を提供することを目的とする。

本発明に係る成形型は、一方の主面側に凹凸パターンを有する第１の基板と、前記第１の基板の前記凹凸パターンの形成面の反対側に接合された第２の基板と、前記第２の基板を前記第１の基板とで挟持して配置され、前記第２の基板と接合された第３の基板と、を具備し、前記第１の基板と前記第３の基板は熱膨張係数が同一あるいは略同一の材料であって、かつ、同じ材料からなり、前記第１の基板の厚みと前記第３の基板の厚みは同一あるいは略同一であり、少なくとも１つの側面を表す輪郭線が、前記第１の基板と前記第２の基板の境界である第１の境界部と、前記第２の基板と第３の基板の境界である第２の境界部とを含む範囲において連続かつ一定符号の値である、又は零である曲率を有し、前記第１の基板がシリコン、前記第２の基板がガラス又はセラミックス、前記第３の基板がシリコンでそれぞれ構成されていることを特徴とする。上記の３層積層した構成とすることにより、成形型の強度が向上する。又、第２の基板を熱膨張係数が同一あるいは略等しい材料からなる第１、第３の基板で挟持して構成することで成形時の成形型の反りを防止することができる。

本発明よれば、成形型と転写層の剥離工程における成形型の破損を抑制し、かつ成形時における反りが小さい成形型を提供することができる。

以下、図面を参照して本発明に係る成形型に関して説明する。図１は本発明に係る成形型の断面図である。
§１．成形型の構成
図１に示すように成形型１は、第１の基板１１、第２の基板１２、第３の基板１３が順に積層して構成されている。成形型１は例えば、マイクロコンタクト法に用いる成形品を作製するための成形型である。熱インプリント法に用いる成形型として用いることもできる。第１の基板１１は凹凸パターンを形成するための基板であり、ドライエッチング加工可能な材料からなる。例えばシリコンやガラスからなり、厚みは３００μｍ〜８００μｍである。外形は例えばウエハ形状であり、その直径が１００ｍｍ〜２００ｍｍ程度である。多角形状のチップであってもよい。第１の基板１１は表面に凹凸パターン１０を有している。凹凸パターン１０はμｍ〜ｎｍオーダーのマイクロ／ナノ構造体である。

第２の基板１２は、薄板である第１の基板１１を補強する補強板としての機能を有する基板であり、第１の基板１１の凹凸パターン１０が形成された面の反対側に接合されている。第２の基板１２は、シリコン、ガラス、セラミックスなどから選択される。第１の基板１１がシリコンからなる場合には、第２の基板１２として等方性材料であるガラス（例えば珪酸系ガラス、石英）やセラミックスなどを用いることができる。特に、珪酸系ガラスのうちで、可動Ｎａイオンを含む特殊なガラスを用いることで第１の基板１１と第２の基板１２とを陽極接合により接合することができる。陽極接合では基板同士をアライメントした状態で固定し、接合できるため基板間での位置合わせ精度を向上させることができる。第１の基板１１がガラスからなる場合には、第２の基板として例えばシリコンを用いることができる。第２の基板１２は第１の基板１１と略同一の形状を有しており、厚みは３００μｍ〜８００μｍである。

第３の基板１３は、第２の基板１２を第１の基板１１とで挟持するように配置されている。第３の基板１３は第１の基板１１を構成する材料と熱膨張係数が同一あるいは略同一である材料からなり、好ましくは第１の基板１１と同じ材料で構成されている。第３の基板１３は第１の基板１１と略同一の形状であり、厚みは３００μｍ〜８００μｍである。第１の基板１１がシリコンの場合には、第３の基板１３はシリコンを用いることが好ましく、又第１の基板１１がガラスの場合には、第３の基板１３はガラスを用いることが好ましい。

第１の基板１１と第３の基板１３の熱膨張係数が略同一とは、樹脂の硬化温度（５０℃〜２００℃）における両者の熱膨張係数差が±１．０×１０^-6／Ｋ以内であることを指すものとする。上記温度における成形型１の平坦性を確保する点で、熱膨張係数が略同一であることが好ましい。より好ましくは第１の基板１１と第３の基板１３とを同じ材料により構成する。基板の熱膨張係数は、例えば計測対象物を加熱しつつ熱膨張による変位をレーザー変位計により計測するレーザー干渉式熱膨張率計測法で求めることできる。
又、第１の基板１１と第３の基板１３との厚みを略同一とすると、成形型１を厚み方向に見たとき対称な構造を有している。これにより成形型１はその厚み方向で略同一な膨張又は収縮が発生するため、成形型の反りを生じさせる応力は緩和される。したがって室温及び／又は樹脂の硬化温度において成形型１の反りを少ないものとすることができる。なお、第１の基板１１と第３の基板１３との厚みが略同一とは両者の厚みの差が５０μｍ以内であることを指すものとする。

成形型１を３層構造とすることにより、物理強度が向上するとともに転写層から剥離する際に発生する応力に耐えうるに十分な強度を得ることができる。特に、第１の基板として異方性材料を用いた場合に、第２の基板として等方性材料を用いることにより、転写層を剥離する工程での抉じ開け作業に耐えることが可能な強度を得ることができる。成形型１の大面積化に従い、転写層から剥離する際には成形型へ加わる応力はより大きいものとなるが、上記の構成とすることにより成形型の破損を抑制することができる。特に、大口径基板（直径１００ｍｍ以上）を用いた大面積の成形型において本構成は好適である。

図２を参照して成形型１の側面について説明する。図２は本発明に係る成形型１の側面を説明するための図面である。図２Ａは成形型１の側面の輪郭線が直線により構成された態様、図２Ｂは成形型１の側面の輪郭線が曲線により構成された態様、そして図２Ｃは成形型１の端部１５を面取り（円弧状に加工）した態様をそれぞれ示している。成形型１の少なくとも１つの側面１４を表す輪郭線は、第１の基板１１と第２の基板１２の境界である第１の境界部１４ａと、第２の基板１２と第３の基板１３の境界である第２の境界部１４ｂとを含む範囲において連続かつ一定符号の値である、又は零である曲率を有している。ここで、境界部とは基板外周部における基板同士の接合境界部分を指している。曲率が零である場合には側面１４の輪郭線は直線で構成され、連続かつ一定符号の値である場合には曲線で構成される。側面１４の輪郭線の曲率が一定符号であればよいので、曲率中心を成形型１の内側に規定した場合に側面が成形型１の外側に凸である状態（曲率の符号が正）あるいは凹である状態（曲率の符号が負）であってもよい。
第１、第２、第３の基板は接合したままの状態では、各基板の外周部分の接合強度は基板中央に比べて弱く、パターン転写を繰返し行なうことで接合した基板同士が剥がれてしまうことがある。接合界面を発端として破損や剥がれが起こることがある。基板の破損や剥がれを防止するために、成形型の側面を内側に１ｍｍ以上研磨して接合強度の弱い部分を除くことが好ましい。又、第１、第２、第３の基板は接合したままの状態では、第１、第２の境界部は窪みを有しているので、その部分に異物が入ると除去しにくく、成形型の汚れを引き起こすことがある。従って、本発明のように窪みの部分を除去することが好ましい。

次に図３を参照して、実施形態に係る成形型の製造方法について述べる。図３は本発明に係る実施形態の製造方法を示す図面である。
§２．成形型の製造方法
（１）エッチング用マスクの形成（図３Ａ参照）
第１の基板１１上にエッチング用のマスク１６を形成する。マスク１６はレジスト、金属、ＳｉＯ₂、ＳｉＮなどの材料を用いることができる。第１の基板１１がシリコンの場合には表面を熱酸化してＳｉＯ₂を形成し、パターニングすることで開口を有するマスク１６を得る。第１の基板１１がガラスからなる場合にはレジスト、金属などを適宜マスク材として用いることができる。

（２）凹部の形成（図３Ｂ参照）
マスク１６の開口部を通して第１の基板１１をエッチングし、凹部１０ａを形成する。エッチング方法はドライエッチング、ウェットエッチングを挙げることができるが、微細加工を高精度に行なえる点でドライエッチングを用いることが好ましい。第１の基板１１がシリコン又は石英の場合にはＣＦ₄（あるいはＣＦ₄とＯ₂の混合ガス）をエッチングガスとして用いる。

（３）エッチング用マスクの除去（図３Ｃ参照）
凹部１０ａを形成した後、マスク１６を除去する。これにより凹凸パターン１０が形成された第１の基板１１が準備される。凹凸パターン１０は被加工物に凹凸を転写するためのパターンである。

（４）接合（図３Ｄ参照）
次に第１の基板１１に対して第２の基板１２、第３の基板１３を順に接合していく。接合方法としては陽極接合、直接接合、接着剤を介した接合などの方法を基板の材料に応じて適宜選択できる。例えば、第１、第２、第３の基板がそれぞれシリコン、珪酸系ガラス、シリコンである場合には陽極接合を用いることができ、３００℃〜５００℃の温度下で３００Ｖ〜５００Ｖの電圧を印加して接合する。又第２、第３の基板を予め接合しておき、それを第１の基板に接合してもよい。
第１の基板がシリコン、石英からなる薄板の場合、脆性を有している。例えば、シリコンは基板に外力が加わった場合＜１１０＞方位へ割れやすいという特徴があり、転写層を成形型から剥離する際の破損の要因となる。本願では第２、第３の基板を備えることで転写層剥離時の応力に耐えうるよう第１の基板を補強することができる。

本発明の構成によれば、第２の基板の材料の選択肢を広げることができる。例えば、セラミックスは耐熱性に優れ、剛性が高く、かつ平坦な基板が市場で入手可能であり、第１、第３の基板と適切な接着方法があればセラミックスを選択することができる。
第１、第３の基板がシリコンである場合、第２の基板の材料には例えば炭化珪素を用いることができる。炭化珪素は、金属合金の接着層を介してシリコンとの接合が可能である。金属合金はＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉ合金のような活性な金属を含むろう材が挙げられる。このように接着層を用いる際、第１の基板と第３の基板の両方に対して、同じ材料で同じ厚み、同じ接合条件で形成した接着層を用いることが必要である。

第１、第２、第３の基板が接合された成形型１を製造する際、接合を実施するのは凹凸パターン１０形成の前後は問わない。しかし、凹凸パターン１０の形成に市販の半導体デバイス製造装置又はフォトマスク製造装置を用いる場合には、基板の材料は一般的に流通している外形形状規格（この規格にはＳＥＭＩ規格やＪＥＩＴＡ規格などがある）を満たしたシリコンウエハ又はガラスウエハを採用することが好ましく、凹凸パターン１０形成後に接合を行うのが良い。接合した基板に凹凸パターン１０を形成する場合には、この基板が外形形状規格から外れることがあるため、半導体デバイス製造装置又はフォトマスク製造装置の利用に際し搬送時又はプロセス時に制約を受ける可能性がある。

（５）側面の研磨（図３Ｅ参照）
第１、第２、第３の基板をそれぞれ接合した後、成形型１の側面１４を研磨し、成形型１の外周から１ｍｍ以上切除する。端部の欠片に起因する異物発生を抑制するために、端部を面取りしておくことが好ましい。面取りは、側面の輪郭線が直線よりも曲線となる方がより好ましい。側面の研磨と面取りはべべリング加工により同時に行うことができる。べべリング加工以外には、グラインダを用いて側面１４を研磨してもよい。以上の工程により、成形型１が作製される。

次に図４を参照して、実施形態に係る成形型を用いたインプリント方法について述べる。図４は本発明に係る成形型を用いたインプリント方法を示す図面である。
§３．成形型を用いたインプリント方法
（１）転写層の形成（図４Ａ参照）
予めシランカップリング剤などを含む離型剤で表面修飾した成形型１上に転写層１００を形成する。転写層１００の材料は、被加工物の主材料からなり、その例としては硬化型樹脂を、具体的にはＰＤＭＳ（ポリジメチルシロキサン）を挙げることができる。ＰＤＭＳはシリコーンゴム主剤に硬化剤を所定の割合で混合した後、塗布可能な状態とする。転写層１００のはキャスティング法などにより、凹凸パターン１０を被覆し、数μｍ〜数ｍｍ程度の厚みとなるように室温で形成する。

（２）転写層の成形（図４Ｂ参照）
転写層１００上に主に補強材としての機能を有する基材１１０を当接させ、加熱する。転写層１００を構成する樹脂を所定温度で所定時間保持し、転写層１００を硬化処理して転写層１００を成形する。このときの処理温度を、以下、硬化温度と呼称する。その後、室温へと降温させる。

（３）転写層の剥離（図４Ｃ参照）
室温へ降温した後、転写層１００を成形型１から剥離し、成形品１２０を得る。転写層１００と成形型１を垂直方向に力を加えて引き剥がしても良いし、抉じ開け作業で引き剥がしても良い。
本願発明に係る成形型は、第１、第２、第３の基板が接合されているため、転写層１００を成形型１から剥離する際に加わる応力によって第１の基板が破損しにくい。又、成形型１の側面を研磨処理することで、接合面での強度が高いものとなっている。

ここで図５及び図６を参照して従来の成形型（従来例１及び従来例２）によりパターン転写される転写層の状態について詳細に説明する。図５は、従来の成形型（従来例１）による転写工程を表す図面である。凹凸パターン２０が形成された第１の基板２１からなる成形型２を準備する（図５Ａ）。凹凸パターン２０上に転写層１００を形成し、転写層１００上に基材１１０を配置した状態で、硬化温度で加熱する（図５Ｂ）。転写層１００の硬化次第、成形型２を転写層１００から剥離し、成形品１２０を得る（図５Ｃ）。第１の基板２１は薄板であり、例えばシリコンである場合には特定の結晶方向に対して脆弱である。そのため、転写層１００から成形型２を剥離する際に成形型２に破断が起こり、破断部２３が生じる。

図６を参照して別の例について詳細に説明する。図６は、従来の成形型（従来例２）による転写工程を表す図面である。凹凸パターン３０が形成された第１の基板３１と、第１の基板３１に接合された第２の基板３２からなる成形型３を準備する（図６Ａ）。凹凸パターン３０上に転写層１００を形成し、転写層１００上に基材１１０を配置した状態で、硬化温度で加熱する（図６Ｂ）。このとき、従来の成形型３は硬化温度帯において第１の基板３１と第２基板３２との熱膨張係数差によって反りが生じている。その後、転写層１００の硬化が終了次第、成形型３を転写層１００から剥離し、成形品１２０を得る（図６Ｃ）。前述の転写層の硬化時において成形型３の反りが転写層１００へ転写されてしまい、成形品１２０の精度は劣ったものとなることが分かる。
つまり成形品の精度は、硬化温度帯における成形型の平坦度の影響を顕著に受ける。本願発明に係る成形型は、硬化温度帯においても平坦度が維持されているため、高精度の成形品を作製することが可能である。

成形品１２０はマイクロコンタクトプリントに用いるスタンパとして用いることができる。成形品１２０は上記に限定されず、例えば光学部材、マイクロチップなどを含むものである。

（実施例）
厚み７２５μｍのシリコン単結晶基板（第１の基板）、厚み６００μｍのショット社製ホウ珪酸ガラスであるテンパックス（登録商標）基板（第２の基板）、厚み７２５μｍのシリコン単結晶基板（第３の基板）をそれぞれ準備した。シリコン単結晶基板の反りはいずれも１０μｍ程度であった。なお、各基板は直径２００ｍｍのウエハであった。図３に示す手順に従って、第１の基板に凹凸パターンを形成した後、第２、第３の基板と陽極接合により接合して成形型を得た。接合後、成形型の外周部を切削加工した後、側面をべべリング加工することで、直径１５０ｍｍの側面研磨された成形型を作製した。

得られた成形型の反り（ＳＯＲＩ）を光干渉式平坦度計測器（ニデック社製ＦＴ−９００）により室温と硬化温度でそれぞれ計測した。室温において成形型１の反りは１０．８μｍであり、反りは接合前の単結晶シリコン基板の反りと同程度であり、実用上許される。又、ＰＤＭＳの硬化温度帯である８０℃および１５０℃において、成形型の反りはそれぞれ１１．５μｍ、１１．０μｍであり、硬化温度帯においても室温での反りとほとんど変わらないことが確認された。
ホウ珪酸ガラスの熱膨張係数は２０℃〜３００℃において３．２×１０^-6／Ｋであり、シリコン（２．６×１０^-6／Ｋ〜３．３×１０^-6／Ｋ）と異なる。熱履歴として陽極接合時の温度（３００℃〜５００℃）を経ている。又硬化温度は８０〜１５０℃程度であるが、実施例は反りがほとんど変わらなかった。

室温においてシリコーンゴム主剤（信越化学工業株式会社製ＫＥ−１０６、ポッティング用二液加熱タイプ）１００重量部に硬化剤（信越化学工業社製ＣＡＴ−ＲＧ）１０重量部を混合した液を用意し、成形型表面にキャスティング法により塗布して、転写層を形成した後、転写層上に基材を配置した状態で１５０℃で３０分間加熱して転写層を硬化させた。その後、成形型から剥離した。この工程で得られた成形品（ＰＤＭＳスタンパ）は、平坦性の高い、高精度なものであった。

（比較例１）
厚み７２５μｍのシリコン単結晶基板を準備し、実施例と略同様の条件で凹凸パターンを有する１層の成形型を得た（従来例１）。

上記成形型を用いて、実施例と略同様にしてＰＤＭＳスタンパを作製した。しかし、転写層を剥離する際に加わる応力に耐えられず、成形型が破損した。例えば、抉じ開け作業においても成形型が破損した。

（比較例２）
厚み７２５μｍのシリコン単結晶基板（第１の基板）、厚み６００μｍのショット社製ホウ珪酸ガラスであるテンパックス（登録商標）基板（第２の基板）をそれぞれ準備した。シリコン単結晶基板の反りは１０μｍ程度であった。実施例と略同様の条件で外周部分を研磨加工した２層の成形型を得た（従来例２）。

得られた成形型の反り（ＳＯＲＩ）を光干渉式平坦度計測器（ニデック社製ＦＴ−９００）により室温と硬化温度でそれぞれ計測した。室温において成形型の反りは３５．９μｍであった。又、ＰＤＭＳの硬化温度帯である８０℃および１５０℃において、成形型の反りはそれぞれ３２．４μｍ、３０．５μｍであり、硬化温度帯においては、反りが実用上許されない程度に大きいものであった。この原因は、第１の基板と第２の基板が陽極接合温度においては反りの小さい状態で接合されたのであるが、硬化温度においては両温度の差による熱膨張の影響が現れたものであると推測できる。

上記の成形型を用いて、実施例と略同様にしてＰＤＭＳスタンパを作製した。実施例に比べて平坦性が悪く、作製したＰＤＭＳスタンパでマイクロコンタクトプリンティングを行なったところ、均一なパターン転写ができなかった。
（比較例３）

比較例２と同様の構成で、外周側面の研磨を実施しなかった成形型を得た。このとき第１の基板は厚み７２５μｍのシリコン単結晶基板であり、第２の基板は厚み６００μｍのコーニング社製ホウ珪酸ガラスであるパイレックス（登録商標）基板である。外周研磨加工を実施しなかった点を除き、比較例２と略同様の条件で成形型を得た。

比較例２と比較例３の成形型について、転写層剥離時に生じる力に対する耐久性を測定した。測定方法は、成形型両面の外周より３．０ｍｍ内に、接触面が３５ｍｍ角である平板治具を接着し、平板治具を介して接合面に対し垂直な引張り力を加え、評価用サンプルにおいて接合の境界部で剥がれが生じた時の引張り力の大きさ（以下、接合強度と呼称する。）を評価した。
外周研磨を実施した成形型（比較例２）は、接合強度が１０．３ＭＰａであった。これに対し外周研磨を実施しなかった成形型（比較例３）は、接合強度が２．３ＭＰａであった。この違いは、外周を研磨するにより接合強度の小さな部分を除去できたためである。

以上、本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明に係る成形型の断面図である。本発明に係る成形型の側面を説明する図面である。本発明に係る成形型の側面を説明する図面である。本発明に係る成形型の側面を説明する図面である。本発明に係る成形型の製造方法を表す図面である。本発明に係る成形型の製造方法を表す図面である。本発明に係る成形型の製造方法を表す図面である。本発明に係る成形型の製造方法を表す図面である。本発明に係る成形型の製造方法を表す図面である。本発明に係る成形型を用いたインプリント方法を表す図面である。本発明に係る成形型を用いたインプリント方法を表す図面である。本発明に係る成形型を用いたインプリント方法を表す図面である。従来の成形型（従来例１）による転写工程を表す図面である。従来の成形型（従来例１）による転写工程を表す図面である。従来の成形型（従来例１）による転写工程を表す図面である。従来の成形型（従来例２）による転写工程を表す図面である。従来の成形型（従来例２）による転写工程を表す図面である。従来の成形型（従来例２）による転写工程を表す図面である。

符号の説明

１：成形型
２：（従来の）成形型
３：（従来の）成形型
１０：凹凸パターン
１０ａ：凹部
１１：第１の基板
１２：第２の基板
１３：第３の基板
１４：側面
１４ａ：第１の境界部
１４ｂ：第２の境界部
１５：端部
１６：マスク

２０：凹凸パターン
２１：第１の基板
２３：破断部

３０：凹凸パターン
３１：第１の基板
３２：第２の基板

１００：転写層
１１０：基材
１２０：成形品

Claims

一方の主面側に凹凸パターンを有する第１の基板と、
前記第１の基板の前記凹凸パターンの形成面の反対側に接合された第２の基板と、
前記第２の基板を前記第１の基板とで挟持して配置され、前記第２の基板と接合された第３の基板と、を具備し、
前記第１の基板と前記第３の基板は熱膨張係数が同一あるいは略同一の材料であって、かつ、同じ材料からなり、
前記第１の基板の厚みと前記第３の基板の厚みは同一あるいは略同一であり、
少なくとも１つの側面を表す輪郭線が、前記第１の基板と前記第２の基板の境界である第１の境界部と、前記第２の基板と第３の基板の境界である第２の境界部とを含む範囲において連続かつ一定符号の値である、又は零である曲率を有し、
前記第１の基板がシリコン、前記第２の基板がガラス又はセラミックス、前記第３の基板がシリコンでそれぞれ構成されていることを特徴とする成形型。