JP2007300098A5 - - Google Patents
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- 基板と、
該基板における複数の拡散部と、
該拡散部の間に対として形成されたメモリセルと、
を具備し、
前記メモリセルの対の各々が、前記拡散部に隣接した第1の導体及び第2の導体と、該第1の導体及び該第2の導体の側に配置され該第1の導体及び該第2の導体よりも高い位置にまで延びる浮遊ゲートと、該浮遊ゲートの間における消去ゲートと、該消去ゲートの下にある前記基板における付加的な拡散部と、を含むようになっており、
さらに、
前記浮遊ゲートに容量結合した少なくとも1つの付加的な導体と、
を具備する、ことを特徴とするメモリセルアレイ。 - 前記基板における前記拡散部がビット線拡散部であり、
該ビット線拡散部に隣接した導体がワード線拡散部であり、
前記消去ゲートの下にある前記拡散部がソース線拡散部であり、
前記浮遊ゲートの各々に結合した前記付加的な導体が結合ゲートである、請求項1に記載のメモリセルアレイ。 - 別々の結合ゲートが前記浮遊ゲートの各々に結合され、
前記結合ゲートは前記浮遊ゲートよりも幅が広く、
該結合ゲートの下方部分は、前記浮遊ゲートの上方部分に重なり該上方部分を囲むことによって、前記結合ゲートと前記浮遊ゲートの上面との間における容量結合だけでなく、前記結合ゲートと前記浮遊ゲートの前記上方部分との間における容量結合をももたらす、請求項2に記載のメモリセルアレイ。 - 相対的に正の電圧が前記消去ゲートに印加され、
相対的に負の電圧が、選択されたセルの前記結合ゲート又は前記浮遊ゲートのうちの1つの浮遊ゲートに結合した導体に印加されて、前記浮遊ゲートから前記消去ゲートへの電子トンネリングを発生させる、請求項1から請求項3のいずれかに記載のメモリセルアレイ。 - 前記基板における前記拡散部がビット線拡散部であり、
該ビット線拡散部に隣接した前記導体がプログラムゲートであり、
前記消去ゲートの下にある前記基板における前記付加的な拡散部がソース線拡散部であり、
前記浮遊ゲートに結合した前記付加的な導体がワード線である、請求項1に記載のメモリセルアレイ。 - メモリセルアレイを製造する方法であって、
消去ゲートがソース線拡散部の上に重なるように該ソース線拡散部及び該消去ゲートを形成する段階と、
前記消去ゲートの両側にワード線を形成する段階と、
前記ワード線と前記消去ゲートとの間に浮遊ゲートを形成する段階であって、該浮遊ゲートが前記ワード線及び前記消去ゲートよりも高い位置にまで延びるように該浮遊ゲートを形成する段階と、
前記浮遊ゲートに容量結合した少なくとも1つの結合ゲートを形成する段階と、
前記ワード線に隣接したビット線拡散部を形成する段階と、
前記ワード線に垂直な方向に延びるビット線を形成する段階と、
前記ビット線拡散部と前記ビット線とをビット線接点を用いて相互接続する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - メモリセルアレイを製造する方法であって、
消去ゲートがソース線拡散部の上に重なるように該ソース線拡散部及び該消去ゲートを形成する段階と、
前記消去ゲートの両側にプログラムゲートを形成する段階と、
前記プログラムゲートと前記消去ゲートとの間に浮遊ゲートを形成する段階であって、該浮遊ゲートが前記消去ゲート及び前記プログラムゲートよりも高い位置にまで延びるように該浮遊ゲートを形成する段階と、
前記浮遊ゲートに容量結合したワード線を形成する段階と、
前記プログラムゲートに隣接したビット線拡散部を形成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - メモリセルアレイを製造する方法であって、
基板上に酸化物の第1の層を、該酸化物の中央部分を該中央部分のいずれの側の部分よりも厚くして形成する段階と、
前記第1の酸化物層の上に第1の導電層を堆積させる段階と、
前記第1の導電層の一部分を除去して、前記酸化物の前記厚い部分上に消去ゲート、及び該厚い部分の両側の該酸化物の薄い部分上にワード線を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間の前記基板から前記酸化物を除去する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の上に酸化物又は窒化物の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間の基板上、及び該消去ゲート及び該ワード線の側壁上に酸化物の第2の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間に第2の導電層からの浮遊ゲートを、該浮遊ゲートの一部分を該消去ゲート及び該ワード線の上方の前記酸化物又は窒化物の上方に延ばして形成する段階と、
前記消去ゲートの下の前記基板内にソース線拡散部を形成する段階と、
前記酸化物又は窒化物の層上、及び該酸化物又は窒化物層の上方に延びる前記浮遊ゲートの部分上に誘電体層を形成する段階と、
前記誘電体層上に第3の導電層を形成する段階と、
前記第3の導電層の一部分を除去して、前記浮遊ゲートの上方に中心がある結合ゲートを形成し、該結合ゲートの下側部分が、該浮遊ゲートの上側部分に重なってそれを取り囲み、該結合ゲートと該浮遊ゲートの間の広がった容量結合をもたらす段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - メモリセルアレイを製造する方法であって、
基板上に酸化物の第1の層を、該酸化物の中央部分を該中央部分のいずれの側の部分よりも厚くして形成する段階と、
前記第1の酸化物層の上に第1の導電層を堆積させる段階と、
前記第1の導電層の一部分を除去して、前記酸化物の前記厚い部分上に消去ゲート、及び該厚い部分の両側の該酸化物の薄い部分上にワード線を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間の前記基板から前記酸化物を除去する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の上に酸化物又は窒化物の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間の基板上、及び該消去ゲート及び該ワード線の側壁上に酸化物の第2の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記ワード線の間に第2の導電層からの浮遊ゲートを、該浮遊ゲートの一部分を該消去ゲート及び該ワード線の上方の前記酸化物又は窒化物の上方に延ばして形成する段階と、
前記消去ゲートの下の前記基板内にソース線拡散部を形成する段階と、
前記酸化物又は窒化物の層上、及び該酸化物又は窒化物層の上方に延びる前記浮遊ゲートの部分上に誘電体層を形成する段階と、
前記誘電体層上に第3の導電層を形成する段階と、
前記第3の導電層の一部分を除去して、前記浮遊ゲートの上に重なるフィンガ部を有する結合ゲートを形成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - メモリセルアレイを製造する方法であって、
基板上に酸化物の第1の層を、該酸化物の中央部分を該中央部分のいずれの側の部分よりも厚くして形成する段階と、
前記第1の酸化物層の上に第1の導電層を堆積させる段階と、
前記第1の導電層の一部分を除去して、前記酸化物の前記厚い部分上に消去ゲート、及び該厚い部分の両側の該酸化物の薄い部分上にプログラムゲートを形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記プログラムゲートの間の前記基板から前記酸化物を除去する段階と、
前記消去ゲート及び前記プログラムゲートの上に酸化物又は窒化物の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記プログラムゲートの間の基板上、及び該消去ゲート及び該プログラムゲートの側壁上に酸化物の第2の層を形成する段階と、
前記消去ゲート及び前記プログラムゲートの間に第2の導電層からの浮遊ゲートを、該浮遊ゲートの一部分を該消去ゲート及び該プログラムゲートの上方の前記酸化物又は窒化物の上方に延ばして形成する段階と、
前記消去ゲートの下の前記基板内にソース線拡散部を形成する段階と、
前記酸化物又は窒化物の層上、及び該酸化物又は窒化物層の上方に延びる前記浮遊ゲートの部分上に誘電体層を形成する段階と、
前記誘電体層上に第3の導電層を形成する段階と、
前記第3の導電層の一部分を除去して、前記浮遊ゲートの上側部分の上に重なってそれに結合したワード線を形成し、該ワード線の下側部分が、該浮遊ゲートの上側部分に重なってそれを取り囲み、該ワード線と該浮遊ゲートの間の広がった容量結合をもたらす段階と、
を含むことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/381,948 | 2006-05-05 | ||
US11/381,948 US7598561B2 (en) | 2006-05-05 | 2006-05-05 | NOR flash memory |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007300098A JP2007300098A (ja) | 2007-11-15 |
JP2007300098A5 true JP2007300098A5 (ja) | 2010-05-27 |
JP5401016B2 JP5401016B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=38660423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007111429A Active JP5401016B2 (ja) | 2006-05-05 | 2007-04-20 | Norフラッシュメモリ及び製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7598561B2 (ja) |
JP (1) | JP5401016B2 (ja) |
KR (1) | KR101484638B1 (ja) |
CN (1) | CN101068020B (ja) |
TW (1) | TWI415226B (ja) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7910976B2 (en) * | 2007-06-28 | 2011-03-22 | Richard Fastow | High density NOR flash array architecture |
US8320191B2 (en) | 2007-08-30 | 2012-11-27 | Infineon Technologies Ag | Memory cell arrangement, method for controlling a memory cell, memory array and electronic device |
US7800159B2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-09-21 | Silicon Storage Technology, Inc. | Array of contactless non-volatile memory cells |
US8008702B2 (en) | 2008-02-20 | 2011-08-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-transistor non-volatile memory element |
WO2009107241A1 (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | 株式会社 東芝 | マルチドットフラッシュメモリ |
US7893519B2 (en) * | 2008-05-28 | 2011-02-22 | Qimonda Ag | Integrated circuit with conductive structures |
JP2010050208A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US8461640B2 (en) * | 2009-09-08 | 2013-06-11 | Silicon Storage Technology, Inc. | FIN-FET non-volatile memory cell, and an array and method of manufacturing |
US8384147B2 (en) * | 2011-04-29 | 2013-02-26 | Silicon Storage Technology, Inc. | High endurance non-volatile memory cell and array |
US8711636B2 (en) | 2011-05-13 | 2014-04-29 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of operating a split gate flash memory cell with coupling gate |
US8488388B2 (en) * | 2011-11-01 | 2013-07-16 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of programming a split gate non-volatile floating gate memory cell having a separate erase gate |
US9048137B2 (en) * | 2012-02-17 | 2015-06-02 | Flashsilicon Incorporation | Scalable gate logic non-volatile memory cells and arrays |
US8811093B2 (en) * | 2012-03-13 | 2014-08-19 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile memory device and a method of operating same |
US9293204B2 (en) * | 2013-04-16 | 2016-03-22 | Silicon Storage Technology, Inc. | Non-volatile memory cell with self aligned floating and erase gates, and method of making same |
US9184252B2 (en) * | 2013-11-15 | 2015-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Flash memory embedded with HKMG technology |
US20150179749A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Silicon Storage Technology, Inc | Non-volatile Memory Cell With Self Aligned Floating And Erase Gates, And Method Of Making Same |
US20150263012A1 (en) * | 2014-03-11 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof |
US9159842B1 (en) * | 2014-03-28 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Embedded nonvolatile memory |
JP6286292B2 (ja) * | 2014-06-20 | 2018-02-28 | 株式会社フローディア | 不揮発性半導体記憶装置 |
CN105609131A (zh) * | 2014-07-22 | 2016-05-25 | 硅存储技术公司 | 抑制擦除分裂栅闪存存储器单元扇区的部分的系统和方法 |
US9252150B1 (en) | 2014-07-29 | 2016-02-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High endurance non-volatile memory cell |
JP6367044B2 (ja) * | 2014-08-13 | 2018-08-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI606583B (zh) * | 2015-01-13 | 2017-11-21 | Xinnova Tech Ltd | Non-volatile memory device method |
TWI606551B (zh) * | 2015-02-16 | 2017-11-21 | Xinnova Tech Ltd | Non-volatile memory device method |
US10134475B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-11-20 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method and apparatus for inhibiting the programming of unselected bitlines in a flash memory system |
JP6560087B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2019-08-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CN107305892B (zh) | 2016-04-20 | 2020-10-02 | 硅存储技术公司 | 使用两个多晶硅沉积步骤来形成三栅极非易失性闪存单元对的方法 |
CN107425003B (zh) * | 2016-05-18 | 2020-07-14 | 硅存储技术公司 | 制造分裂栅非易失性闪存单元的方法 |
US9899395B1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN107799146B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 存储器阵列及其读、编程、擦除操作方法 |
US10535574B2 (en) * | 2017-09-20 | 2020-01-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Cell-like floating-gate test structure |
CN110021602B (zh) * | 2018-01-05 | 2023-04-07 | 硅存储技术公司 | 在专用沟槽中具有浮栅的非易失性存储器单元 |
EP3853895B1 (en) * | 2019-01-30 | 2023-11-22 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Capacitor structure having vertical diffusion plates |
US11239245B2 (en) | 2019-08-30 | 2022-02-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Etch method for opening a source line in flash memory |
TWI740560B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-09-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 積體電路、記憶體元件及其形成方法 |
US11422968B2 (en) * | 2020-03-09 | 2022-08-23 | Infineon Technologies LLC | Methods, devices and systems for high speed serial bus transactions |
US11309324B2 (en) * | 2020-07-28 | 2022-04-19 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Compact memory cell with a shared conductive word line and methods of making such a memory cell |
CN114335186A (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-12 | 硅存储技术股份有限公司 | 具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法 |
CN114023755A (zh) * | 2020-10-15 | 2022-02-08 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体器件结构及其制备方法 |
US20230065897A1 (en) * | 2021-08-31 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Transistor and method for manufacturing the same |
KR102396632B1 (ko) | 2021-12-17 | 2022-05-12 | 성화전자 (주) | 연료전지차량용 미반응수소가스의 가스농도 측정장치 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5095344A (en) | 1988-06-08 | 1992-03-10 | Eliyahou Harari | Highly compact eprom and flash eeprom devices |
JP2597719B2 (ja) * | 1989-07-31 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置およびその動作方法 |
US5331188A (en) * | 1992-02-25 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Non-volatile DRAM cell |
DE69832019T2 (de) | 1997-09-09 | 2006-07-20 | Interuniversitair Micro-Electronica Centrum Vzw | Verfahren zur Löschung und Programmierung eines Speichers in Kleinspannungs-Anwendungen und Anwendungen mit geringer Leistung |
JP4245223B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2009-03-25 | 三洋電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP4012341B2 (ja) * | 1999-07-14 | 2007-11-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置 |
JP2002368144A (ja) | 2001-06-13 | 2002-12-20 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2004031448A (ja) | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6747310B2 (en) * | 2002-10-07 | 2004-06-08 | Actrans System Inc. | Flash memory cells with separated self-aligned select and erase gates, and process of fabrication |
JP2004152977A (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2004152924A (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶素子および半導体装置 |
JP2004179387A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2005223234A (ja) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP4927321B2 (ja) | 2004-06-22 | 2012-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2006019570A (ja) | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2006093707A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-05-05 US US11/381,948 patent/US7598561B2/en active Active
-
2007
- 2007-03-06 TW TW096107663A patent/TWI415226B/zh active
- 2007-04-10 CN CN2007100960241A patent/CN101068020B/zh active Active
- 2007-04-20 JP JP2007111429A patent/JP5401016B2/ja active Active
- 2007-05-04 KR KR20070043457A patent/KR101484638B1/ko active IP Right Grant
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