JP4245223B2 - 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体記憶装置とその製造方法に関し、更に言えば、スプリットゲート型のフラッシュメモリのデバイス特性の向上並びに微細化を可能にする不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供するものである。
【0002】
【従来の技術】
メモリセルが単一のトランジスタからなる電気的に消去可能な不揮発性半導体記憶装置、特にプログラマブルROM(EEPROM:Electrically Erasable and Programmable ROM)においては、フローティングゲートとコントロールゲートとを有する2重ゲート構造のトランジスタによって各メモリセルが形成される。このような2重ゲート構造のメモリセルトランジスタの場合、フローティングゲートのドレイン領域側で発生したホットエレクトロンを加速してフローティングゲートに注入することでデータの書き込みが行われる。そして、F−N伝導(Fowler-Nordheim tunnelling)によってフローティングゲートからコントロールゲートへ電荷を引き抜くことでデータの消去が行われる。
【0003】
図6及び図7はフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置のメモリセル部分を示す平面図及び断面図である。この図においては、コントロールゲートがフローティングゲートと並んで配置されるスプリットゲート構造を示している。
【0004】
P型のシリコン基板1の表面領域に、LOCOS(Local Oxidation Of Silicon)法により選択的に厚く形成されるLOCOS酸化膜よりなる複数の素子分離膜2(図6参照)が短冊状に形成され、素子領域が区画される。シリコン基板1上に、酸化膜3Aを介し、隣り合う素子分離膜2の間に跨るようにしてフローティングゲート4が配置される。このフローティングゲート4は、1つのメモリセル毎に独立して配置される。また、フローティングゲート4上の選択酸化膜5は、選択酸化法によりフローティングゲート4の中央部で厚く形成され、フローティングゲート4の端部を鋭角にしている。これにより、データの消去動作時にフローティングゲート4の端部で電界集中が生じ易いようにしている。
【0005】
複数のフローティングゲート4が配置されたシリコン基板1上に、フローティングゲート4の各列毎に対応して前記酸化膜3Aと一体化されたトンネル酸化膜3を介してコントロールゲート6が配置される。このコントロールゲート6は、一部がフローティングゲート4上に重なり、残りの部分が酸化膜3Aを介してシリコン基板1に接するように配置される。また、これらのフローティングゲート4及びコントロールゲート6は、それぞれ隣り合う列が互いに面対称となるように配置される。
【0006】
隣り合うコントロールゲート6間の基板領域及び隣り合うフローティングゲート4間の基板領域には、N型のドレイン領域7及びソース領域8が形成される。ドレイン領域7は、コントロールゲート6の間で素子分離膜2に囲まれてそれぞれが独立し、ソース領域8は、コントロールゲート6の延在する方向に連続する。これらのフローティングゲート4、コントロールゲート6、ドレイン領域7及びソース領域8によりメモリセルトランジスタが構成される。
【0007】
そして、前記コントロールゲート6上に、酸化膜9を介して、金属配線10がコントロールゲート6と交差する方向に配置される。この金属配線10は、コンタクトホール11を通して、ドレイン領域7に接続される。そして、各コントロールゲート6は、ワード線となり、コントロールゲート6と平行に延在するソース領域8は、ソース線となる。また、ドレイン領域7に接続される金属配線10は、ビット線となる。
【0008】
このような2重ゲート構造のメモリセルトランジスタの場合、フローティングゲート4に注入される電荷の量によってソース、ドレイン間のオン抵抗値が変動する。そこで、フローティングゲート4に選択的に電荷を注入することにより、特定のメモリセルトランジスタのオン抵抗値を変動させ、これによって生じる各メモリセルトランジスタの動作特性の差を記憶するデータに対応づけるようにしている。
【0009】
以上の不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書き込み、消去及び読み出しの各動作は、例えば、以下のようにして行われる。書き込み動作においては、コントロールゲート6の電位を2V、ドレイン領域7の電位を0.5V、ソース領域8の高電位を12Vとする。これにより、ソース領域8に高電位を印加することで、コントロールゲート6及びフローティングゲート4間とフローティングゲート4及びソース領域8間とのカップリング比(コントロールゲート6及びフローティングゲート4間の容量<フローティングゲート4及びソース領域8間の容量)によりフローティングゲート4の電位が9V程度に持ち上げられ、ドレイン領域7付近で発生するホットエレクトロンがフローティングゲート4側へ加速され、酸化膜3Aを通してフローティングゲート4に注入されてデータの書き込みが行われる。
【0010】
一方、消去動作においては、ドレイン領域7及びソース領域8の電位を0Vとし、コントロールゲート6を14Vとする。これにより、フローティングゲート4内に蓄積されている電荷(電子)が、フローティングゲート4の角部の鋭角部分からF−N(Fowler-Nordheim tunnelling)伝導によって前記トンネル酸化膜3を突き抜けてコントロールゲート6に放出されてデータが消去される。
【0011】
そして、読み出し動作においては、コントロールゲート6の電位を4Vとし、ドレイン領域7を2V、ソース領域8を0Vとする。このとき、フローティングゲート4に電荷(電子)が注入されていると、フローティングゲート4の電位が低くなるため、フローティングゲート4の下にはチャネルが形成されずドレイン電流(セル電流もしくは読み出しセル電流とも言う)は流れない。逆に、フローティングゲート4に電荷(電子)が注入されていなければ、フローティングゲート4の電位が高くなるため、フローティングゲート4の下にチャネルが形成されてドレイン電流が流れる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
このような不揮発性半導体記憶装置では、フローティングゲート4に蓄積された電荷(電子)をコントロールゲート6に引き抜くことで、データ消去を行っている。即ち、コントロールゲート6は上記読み出し動作時の読み出し電流発生用と消去ゲートとしての役割が持っていた。
【0013】
そのため、上述したように消去動作時に高電圧が印加されるコントロールゲート6下のゲート酸化膜厚は、信頼性確保のために薄くできなかった。従って、読み出し電流が低く、特に低電圧での電流が低いと共に、パンチスルーを抑えるため基板濃度を高くしたとき、しきい値電圧が比較的高くならざるを得ず、このため、書き込み効率を上げられないといった構造上の問題があった。
【0014】
更には、図8に示すように読み出し動作時には、選択されたメモリセルと同一のワード線(WL1)に接続されている非選択のメモリセルのデータが消去されてしまうという、いわゆるリードディスターブ不良が発生する危険性もあった。
【0015】
また、フローティングゲート4とコントロールゲート6との間で、それぞれ高いマスク合せ精度が要求されるといった課題があり、更なる微細化を図ろうとした場合に支障があった。
【0016】
従って、本発明はデバイス特性に優れ、フローティングゲートやコントロールゲートをセルフアラインで形成する不発性半導体記憶装置とその製造方法を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、一導電型の半導体基板上に第1の酸化膜,ポリシリコン膜,第2の酸化膜及びシリコン窒化膜を形成した後にレジスト膜をマスクにエッチングして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜の一部にまで達する凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後に前記凹部内を第3の酸化膜で埋設する工程と、第1の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、前記レジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記ポリシリコン膜に隣接するように基板表層に第1の逆導電型拡散領域を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後に全面をウエット処理して前記ポリシリコン膜上の第3の酸化膜を後退させる工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を介して前記ポリシリコン膜及び第3の酸化膜に隣接するように消去ゲートを形成する工程と、第2の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜をパターニングして第3の酸化膜が積層されたフローティングゲートを形成する工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして第4の酸化膜を形成した後に基板表層を熱酸化して第5の酸化膜を形成する工程と、全面に導電化されたポリシリコン膜を形成した後にこのポリシリコン膜を異方性エッチングして前記フローティングゲートの側壁部に前記第4の酸化膜を介してコントロールゲートを形成する工程と、全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記コントロールゲートに隣接するように基板表層に低濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして側壁絶縁膜を形成した後に全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記側壁絶縁膜に隣接するように基板表層に高濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【0018】
また、本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、一導電型の半導体基板上に第1の酸化膜,ポリシリコン膜,第2の酸化膜及びシリコン窒化膜を形成した後にレジスト膜をマスクにエッチングして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜の一部にまで達する凹部を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後に前記凹部内を第3の酸化膜で埋設する工程と、第1の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、前記レジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記ポリシリコン膜に隣接するように基板表層に第1の逆導電型拡散領域を形成する工程と、前記レジスト膜を除去した後に全面をウエット処理して前記ポリシリコン膜上の第3の酸化膜を後退させる工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を介して前記ポリシリコン膜及び第3の酸化膜に隣接するように消去ゲートを形成する工程と、第2の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜をパターニングして第3の酸化膜が積層されたフローティングゲートを形成する工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして第4の酸化膜を形成した後に基板表層を熱酸化して第5の酸化膜を形成する工程と、全面に導電化されたポリシリコン膜を形成した後にこのポリシリコン膜を異方性エッチングして前記フローティングゲートの側壁部に前記第4の酸化膜を介してコントロールゲートを形成する工程と、全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記コントロールゲートに隣接するように基板表層に低濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして側壁絶縁膜を形成した後に全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記側壁絶縁膜に隣接するように基板表層に高濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、全面に被シリサイド化膜を形成した後に熱酸化して前記高濃度の第2の逆導電型拡散領域,前記コントロールゲート及び前記消去ゲート上にシリサイド化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の不揮発性半導体記憶装置とその製造方法に係る一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【0020】
先ず、図1(a)に示すように、半導体シリコン基板51には素子分離膜52が形成されている。尚、素子分離膜52はLOCOS法によるものであっても良いが、本実施形態ではトレンチ法を用いた素子分離膜52を形成している。このトレンチ素子分離膜は、周知な工程により形成されているもので、例えば、前記基板51上を熱(ゲート)酸化しておよそ80Å〜150Åの膜厚の第1のゲート酸化膜53を形成し、その上におよそ1500Åの膜厚のポリシリコン膜54を形成した後に、このポリシリコン膜54にPOCl3を熱拡散源としてリンドープを施して導電化を図る。尚、リンイオンやヒ素イオン等のN型不純物をイオン注入する導電化方法でも良い。次に、このポリシリコン膜54上におよそ200Åの膜厚のシリコン酸化膜を形成し、その上におよそ500Åの膜厚のシリコン窒化膜を形成し、レジスト膜をマスクにして前記シリコン窒化膜,シリコン酸化膜,ポリシリコン膜54,シリコン酸化膜53、そして基板51の一部をエッチング除去して基板51の一部にまで到達する凹部を形成した後に、この凹部を完全に埋設するだけのシリコン酸化膜(素子分離膜52を構成する)を全面に形成する。そして、CMP(化学的機械研磨)法を用いて、ポリシリコン膜54上面が露出するまで研磨してなるものである。
【0021】
以下の説明に用いる図1(b)〜図5(b)までは、特にメモリセル部の形成工程を説明するために用いたメモリセル部の形成領域を示す断面図であり、図1(a)の紙面に対して垂直方向から観たものである。
【0022】
次に、図1(b)に示すように全面におよそ200Åの膜厚のシリコン酸化膜55を形成し、その上におよそ4000Åの膜厚のシリコン窒化膜56を形成し、レジスト膜57をマスクにして前記シリコン窒化膜56,シリコン酸化膜55,ポリシリコン膜54の一部をエッチング除去してポリシリコン膜54の一部にまで到達する凹部58を形成する。そして、レジスト膜57を除去した後に、この凹部58を完全に埋設するだけのシリコン酸化膜を全面に形成し、CMP法を用いて全面を研磨することで、凹部58内をシリコン酸化膜59で埋設する(図1(c)参照)。
【0023】
続いて、図2(a)に示すようにレジスト膜60を形成し、このレジスト膜60をマスクにして前記シリコン窒化膜56を等方性エッチングした後に,シリコン酸化膜55,ポリシリコン膜54を異方性エッチングする。本工程により後述する隣り合うメモリセルを構成するフローティングゲート形成用のポリシリコン膜54同士が分離される。続けて、リンイオンやヒ素イオン等のN型不純物をイオン注入することで、この隣り合うフローティングゲート67間の基板表層にソース領域61を形成する。尚、ソース領域61は、後述するドレイン領域と共に後工程のアニール工程によりイオンが拡散されることで、ソース・ドレイン領域となるが、ここでは便宜的に説明している。
【0024】
更に、図2(b)に示すように全面をフッ酸処理して前記ポリシリコン膜54上のシリコン酸化膜59を後退させて(シリコン酸化膜59A参照)、ポリシリコン膜54の尖鋭部54Aを露出させた後に、全面にLPCVD法によりおよそ250Åの膜厚のCVDシリコン酸化膜(例えば、HTO(High Temperature Oxide)膜やTEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)膜等)62を形成している。尚、このシリコン酸化膜62が後述するトンネル酸化膜62Bとなる。また、トンネル酸化膜62Bは、前記CVDシリコン酸化膜を形成した後に、熱酸化を行うようにしてCVDシリコン酸化膜と熱酸化膜から構成しても良い。更に、前記尖鋭部54Aの存在により、後述するフローティングゲート67に蓄積されている電荷(電子)を消去ゲート64に引き抜く際(データの消去動作時)に、この尖鋭部54Aで電界集中が生じ易くなり、消去効率が向上する。
【0025】
続いて、図2(c)に示すように前述した隣り合うフローティングゲート67間の凹部63が完全に埋設するだけの導電化されたポリシリコン膜を形成した後に、CMP法により全面を研磨することで、凹部63内がポリシリコン膜から成る消去ゲート64により埋設される。そして、少なくとも前記消去ゲート64を完全に被覆するようにレジスト膜65を形成した後に(図3(a)参照)、このレジスト膜65をマスクにして前記シリコン酸化膜59の側部に形成されたシリコン窒化膜56を等方性エッチングする。
【0026】
次に、図3(b)に示すように全面をフッ酸処理してポリシリコン膜54上のシリコン酸化膜55を除去すると共に、シリコン酸化膜59A,62を後退させてシリコン酸化膜59B,62Aを形成した後に、更にレジスト膜65をマスクにしてポリシリコン膜54を異方性エッチングすることでフローティングゲート67を形成する。このエッチング工程により、シリコン酸化膜53の一部も削られる(シリコン酸化膜53A参照)。尚、完全にエッチング除去されても構わない。
【0027】
続いて、図3(c)に示すように全面にCVD法によりおよそ400Åの膜厚のシリコン酸化膜を形成した後に、このシリコン酸化膜をエッチバックして前記フローティングゲート67とシリコン酸化膜59Bの積層部の側壁部にのみ残膜させて、シリコン酸化膜68を形成する。このエッチバック工程により、シリコン酸化膜53Aが完全に削られる。
【0028】
更に、図4(a)に示すように全面を熱(ゲート)酸化しておよそ50Åの膜厚の第2のゲート酸化膜69を形成し、その上におよそ4000Åの膜厚の導電化されたポリシリコン膜を形成した後に、このポリシリコン膜を異方性エッチングすることでシリコン酸化膜68の側壁部にコントロールゲート70を形成する。尚、その後に、消去ゲート64を完全に被覆するように不図示のレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクにして前記コントロールゲート形成用のポリシリコン膜をエッチング除去することで隣り合うメモリセル用のコントロールゲート70が完全に分離される。
【0029】
続けて、全面にリンイオンあるいはヒ素イオン等のN型不純物をイオン注入することで、前記コントロールゲート70に隣接するように基板表層に低濃度のドレイン領域71を形成する。更に、図4(b)に示すように全面にCVD法によりおよそ1500Åの膜厚のシリコン酸化膜を形成した後に、このシリコン酸化膜をエッチバックして前記コントロールゲート70の側壁部にのみ残膜させて、側壁絶縁膜73を形成する。このとき、シリコン酸化膜の膜厚あるいはエッチバック量を調整することで、コントロールゲート70上部が露出するように設定しておくことで、後述する高濃度のドレイン領域74の形成位置上のゲート酸化膜69を除去すると共に、ゲート酸化時に消去ゲート64上に形成されたシリコン酸化膜も除去される。
【0030】
そして、全面にリンイオン及びヒ素イオン等のN型不純物をイオン注入することで、前記側壁絶縁膜73に隣接するように基板表層に高濃度のドレイン領域74を形成して、DDD構造のドレイン領域となる。
【0031】
次に、図4(c)に示すように全面に被シリサイド化膜としての金属膜、例えばチタン(Ti)膜をスパッタ形成した後に、このチタン膜を蒸着し熱処理(ラピット・サーマル・アニール、以下RTAと称す。)を加えることでシリサイド化を図り、側壁絶縁膜73,シリコン酸化膜59B上の未反応のチタン膜を除去することで、前記ドレイン領域74,コントロールゲート70,消去ゲート64の表層にそれぞれ選択的、自己整合的にチタンシリサイド(TiSi2)膜75,76,77を形成する。尚、RTA処理は、過剰なシリサイド化が進まないように2ステップで行っている。即ち、第1回目のRTA処理をおよそ650℃〜700℃で、10〜45秒ほど行い、続いて第2回目のRTA処理をおよそ750℃〜850℃で、10〜45秒ほど行っている。このドレイン領域74,コントロールゲート70,消去ゲート64上に形成されたチタンシリサイド(TiSi2)膜75,76,77により低抵抗化が図られている。
【0032】
そして、図5(a)に示すように、全面にBPSG膜から成る層間絶縁膜78を形成した後に、前記ドレイン領域74上にコンタクトするコンタクトホール79を形成し、このドレイン領域74上に不図示のバリアメタル膜(例えば、チタン膜及びチタンナイトライド(TiN)膜との積層膜)を介してコンタクトプラグ(例えば、タングステン膜から成る)80を形成し、このコンタクトプラグ80上に金属膜81(例えば、Al,Al−Si,Al−Cu,Al−Si−Cu等)を形成し、金属配線を形成している。尚、バリアメタル膜を介して直接、例えば、Al,Al−Si,Al−Cu,Al−Si−Cu等から成る金属配線を形成するものであっても良い。
【0033】
以上の工程を経て、不揮発性半導体記憶装置が形成される。図5(b)は、図5(a)のメモリセルの各構成要素を示すためにその一部を便宜的に図示した平面図である。
【0034】
以上の不揮発性半導体記憶装置におけるデータの書き込み、消去及び読み出しの各動作は、例えば、以下のようにして行われる。書き込み動作においては、例えば、コントロールゲート70の電位を1V、ドレイン領域74の電位を0.5V、ソース領域61の電位を10Vとする。これにより、ソース領域61に高電位を印加することで、コントロールゲート70及びフローティングゲート67間とフローティングゲート67及び基板(ソース領域61)間とのカップリング比(コントロールゲート70及びフローティングゲート67間の容量<フローティングゲート67及びソース領域61間の容量)によりフローティングゲート67の電位が9V程度に持ち上げられ、ドレイン領域74付近で発生するホットエレクトロンがフローティングゲート67側へ加速され、ゲート酸化膜53を通してフローティングゲート67に注入されてデータの書き込みが行われる。
【0035】
一方、消去動作においては、例えば、ドレイン領域74,ソース領域61,コントロールゲート70及び基板の電位を0Vとし、消去ゲート64の電位を14Vとする。尚、このときのフローティングゲート67の電位は、フローティングゲート67と基板及びソース領域61との間の容量が大きいため、0Vに近い電位に引き付けられている。これにより、フローティングゲート67内に蓄積されている電荷(電子)が、フローティングゲート67の尖鋭部54AからF−N(Fowler-Nordheim tunnelling)伝導によって前記トンネル酸化膜62Bを突き抜けてコントロールゲート70に放出されてデータが消去される。
【0036】
そして、読み出し動作においては、例えば、コントロールゲート70の電位を1.5Vとし、ドレイン領域74を1V、ソース領域61及び消去ゲート64の電位を0Vとする。尚、このときにフローティングゲート67に電荷(電子)が注入されていると、フローティングゲート67の電位が低くなるため、フローティングゲート67の下にはチャネルが形成されずドレイン電流(セル電流もしくは読み出しセル電流とも言う)は流れない。逆に、フローティングゲート67に電荷(電子)が注入されていなければ、フローティングゲート67の電位が高くなるため、フローティングゲート67の下にチャネルが形成されてドレイン電流が流れる。
【0037】
ここで、本発明の特徴を整理すると、従来構造で消去ゲートの役目も兼ねていたセル(読み出し)電流のコントロールゲート6に代えて、消去専用の消去ゲート64を形成したことで、消去動作時にコントロールゲートに高電圧が印加されることがなくなり、その下のゲート酸化膜69の膜厚(ゲート酸化膜69<フローティングゲート67下のゲート酸化膜53<消去ゲート64下のゲート酸化膜53+トンネル酸化膜62B)は適正な膜厚に設定でき、従来構成に比して読み出し電流の発生効率を向上させることができる。そのため、例えば、多値化を図る場合等にも有効である。更に、しきい値電圧が比較的低くなり、書き込み動作時のコントロールゲート70−フローティングゲート67間の電界を上げられるので、書き込み効率が高く、低電圧動作に有利な構造である。
【0038】
更には、コントロールゲート70と消去ゲート64とを別々に構成したために、従来の読み出し動作時に発生していた、選択されたメモリセルと同一のワード線(WL1)に接続されている非選択のメモリセルのデータが消去されてしまうという、いわゆるリードディスターブ不良の危険性を回避できる。従って、トンネル酸化膜62Bの膜厚の低減が図れ、消去動作時にこのトンネル酸化膜62Bにトラップされる電荷(電子)の割合も膜厚に比例して減ることになり、データの書き換え回数を増大させることができる。
【0039】
また、消去ゲート64とフローティングゲート67とコントロールゲート70とをセルフアラインで形成できるために、微細化に有利な構成である。
【0040】
また、前記素子分離膜52が基板51の一部を削って形成した凹部内にCVD法によるシリコン酸化膜を埋め込み形成しているため、従来のLOCOS法による素子分離膜に比して、より短い素子分離領域内に厚い素子分離膜を形成できるため、素子分離能力が向上する。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、消去専用ゲートを形成したことで、消去動作時にコントロールゲートに高電圧が印加されることがなくなり、その下のゲート酸化膜厚は適正な膜厚に設定でき、読み出し電流を増大させることができる。
【0042】
また、しきい値電圧が比較的低くなるので、書き込み効率が高く、低電圧動作に有利な構造である。
【0043】
更には、従来構成における読み出し動作時に発生していたリードディスターブ不良の発生を抑止できる。
【0044】
また、消去ゲートとフローティングゲートとコントロールゲートとをセルフアラインで形成できるために、微細化に有利な構成である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の不発性半導体記憶装置の製造方法を示す図である。
【図2】本発明の一実施形態の不発性半導体記憶装置の製造方法を示す図である。
【図3】本発明の一実施形態の不発性半導体記憶装置の製造方法を示す図である。
【図4】本発明の一実施形態の不発性半導体記憶装置の製造方法を示す図である。
【図5】本発明の一実施形態の不発性半導体記憶装置の製造方法を示す図である。
【図6】従来の不発性半導体記憶装置を示す平面図である。
【図7】従来の不発性半導体記憶装置を示す断面図である。
【図8】従来の不発性半導体記憶装置の課題を説明するための図である。
Claims (2)
- 一導電型の半導体基板上に第1の酸化膜,ポリシリコン膜,第2の酸化膜及びシリコン窒化膜を形成した後にレジスト膜をマスクにエッチングして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜の一部にまで達する凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後に前記凹部内を第3の酸化膜で埋設する工程と、
第1の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、
前記レジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記ポリシリコン膜に隣接するように基板表層に第1の逆導電型拡散領域を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後に全面をウエット処理して前記ポリシリコン膜上の第3の酸化膜を後退させる工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を介して前記ポリシリコン膜及び第3の酸化膜に隣接するように消去ゲートを形成する工程と、
第2の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜をパターニングして第3の酸化膜が積層されたフローティングゲートを形成する工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして第4の酸化膜を形成した後に基板表層を熱酸化して第5の酸化膜を形成する工程と、
全面に導電化されたポリシリコン膜を形成した後にこのポリシリコン膜を異方性エッチングして前記フローティングゲートの側壁部に前記第4の酸化膜を介してコントロールゲートを形成する工程と、
全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記コントロールゲートに隣接するように基板表層に低濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして側壁絶縁膜を形成した後に全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記側壁絶縁膜に隣接するように基板表層に高濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 一導電型の半導体基板上に第1の酸化膜,ポリシリコン膜,第2の酸化膜及びシリコン窒化膜を形成した後にレジスト膜をマスクにエッチングして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜の一部にまで達する凹部を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後に前記凹部内を第3の酸化膜で埋設する工程と、
第1の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をパターニングする工程と、
前記レジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記ポリシリコン膜に隣接するように基板表層に第1の逆導電型拡散領域を形成する工程と、
前記レジスト膜を除去した後に全面をウエット処理して前記ポリシリコン膜上の第3の酸化膜を後退させる工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を介して前記ポリシリコン膜及び第3の酸化膜に隣接するように消去ゲートを形成する工程と、
第2の拡散領域形成領域上に開口を有するレジスト膜を形成した後にこのレジスト膜及び前記第3の酸化膜をマスクにして前記シリコン窒化膜,第2の酸化膜及びポリシリコン膜をパターニングして第3の酸化膜が積層されたフローティングゲートを形成する工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして第4の酸化膜を形成した後に基板表層を熱酸化して第5の酸化膜を形成する工程と、
全面に導電化されたポリシリコン膜を形成した後にこのポリシリコン膜を異方性エッチングして前記フローティングゲートの側壁部に前記第4の酸化膜を介してコントロールゲ ートを形成する工程と、
全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記コントロールゲートに隣接するように基板表層に低濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、
全面にCVD酸化膜を形成した後にこのCVD酸化膜を異方性エッチングして側壁絶縁膜を形成した後に全面に逆導電型の不純物をイオン注入して前記側壁絶縁膜に隣接するように基板表層に高濃度の第2の逆導電型拡散領域を形成する工程と、
全面に被シリサイド化膜を形成した後に熱酸化して前記高濃度の第2の逆導電型拡散領域,前記コントロールゲート及び前記消去ゲート上にシリサイド化膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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