JP2006511948A - メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法 - Google Patents

メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006511948A
JP2006511948A JP2004563850A JP2004563850A JP2006511948A JP 2006511948 A JP2006511948 A JP 2006511948A JP 2004563850 A JP2004563850 A JP 2004563850A JP 2004563850 A JP2004563850 A JP 2004563850A JP 2006511948 A JP2006511948 A JP 2006511948A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
passivation layer
mesa
passivation
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004563850A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5183012B2 (ja
Inventor
ダブリュ．ハーベラーン ケビン
ロサド レイモンド
ジェイ．バーグマン マイケル
ティー．エマーソン デイビッド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2006511948A publication Critical patent/JP2006511948A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5183012B2 publication Critical patent/JP5183012B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
    • H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
    • H01S5/32341—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm blue laser based on GaN or GaP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • H01S5/021—Silicon based substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
    • H01S5/04254—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2206—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on III-V materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
    • H01S5/2214—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers based on oxides or nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

半導体デバイスの形成方法は基板上に半導体構造を形成するステップを含むことができ、該半導体構造は該基板に対向するメサ表面および該メサ表面と該基板の間のメサ側壁を有するメサを画定する。第１パッシベーション層を該メサ側壁上の少なくとも一部分および該メサ側壁に隣接する該基板上に形成することができ、該メサ表面の少なくとも一部分には該第１パッシベーション層がなく、該第１パッシベーション層が第１材料を含む。第２パッシベーション層を該第１パッシベーション層上に形成することができ、該メサ表面の少なくとも一部分には該第２パッシベーション層がなく、該第２パッシベーション層が第１材料と異なる第２材料を含む。関連するデバイスも論じる。

Description

本発明はエレクトロニクス分野、より具体的には、半導体デバイスおよび関連する構造の形成方法に関する。
本明細書は、「自己整合インデックスガイドおよびビアを有するレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｗｉｔｈ Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｉｎｄｅｘ Ｇｕｉｄｅ Ａｎｄ Ｖｉａ）」という名称の２００２年１２月２０日に出願した米国仮出願第６０／４３５，２１３号、「表面低下したリッジウエーブガイドを有するレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｗｉｔｈ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｄｅｐｒｅｓｓｅｄ Ｒｉｄｇｅ Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）」という名称の２００２年１２月２０日に出願した米国仮出願第６０／４３５，９１４号、２００２年１２月２０日に出願し米国仮出願第６０／４３５，９１９号、および「金属電流広がり層を有するレーザダイオード（Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ Ｗｉｔｈ Ｍｅｔａｌ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｓｐｒｅａｄｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）」という名称の２００２年１２月２０日に出願した米国仮出願第６０／４３５，２１１号の特典を主張する。これらの仮出願のそれぞれの開示はその全体が参照により本明細書に組み込まれている。
また、本発明は、「自己整合半導体メサおよびコンタクト層を有する半導体デバイスの形成方法および関連するデバイス（Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｅｌｆ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｓａｓ ａｎｄ Ｃｏｎｔａｃｔ Ｌａｙｅｒｓ Ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）」という名称の本出願と同時出願の米国出願（整理番号５３０８−２８１）、「自己整合コンタクト層および関連するデバイスを備える半導体半導体メサ構造の形成方法（Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｓａ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ Ｓｅｌｆ−Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｎｔａｃｔ Ｌａｙｅｒｓ Ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）」という名称の本出願と同時出願の米国出願（整理番号５３０８−２８０）、および「半導体メサお構造および導電性ジャンクションを備える電子デバイスの形成方法および関連するデバイス（Ｍｅｔｈｏｄｓ Ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓ Ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｓａ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ Ａｎｄ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ Ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ Ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）」という名称の本出願と同時出願の米国出願（整理番号５３０８−２８３）にも関する。これらの米国出願それぞれの開示はその全体が参照により本明細書に組み込まれている。
レーザは光子の誘導放出の結果としてコヒーレントな単色光のビームを発生するデバイスである。光子の誘導放出は光ゲインも発生することができ、これによりレーザによって発生されたビームに高い光エネルギーを持たせることができる。いくつかの材料はレーザ発振効果を生じることができ、ある高純度の結晶（ルビーが一般的な例）と、半導体と、あるタイプのガラスと、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴンおよびネオンを含むある気体と、あるプラズマとを含む。
最近になって、レーザは半導体材料における前進があり、これによって一般的に半導体デバイスに関して小型化、低コスト化、および他の関連する利点が活用されてきた。半導体技術において、光子が主な働きを担うデバイスを「フォトニック」または「オプトエレクトロニック」デバイスと称する。言い換えると、フォトニックデバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）、光検出器、光起電デバイス、および半導体レーザを含む。
半導体レーザは、放出放射波が空間干渉性および時間干渉性を有する点で他のレーザに類似している。上記で指摘したように、レーザ放射波は高度に単色（すなわち、狭いバンド幅）であり、高度な指向性の光ビームを発生する。しかし、半導体レーザは、いくつかの点で他のレーザと異なることがある。たとえば、半導体レーザでは、量子遷移が材料のバンド特性に関係し、半導体レーザが非常に小さい寸法になることができ、非常に狭い活性領域およびレーザビームのより大きい発散を有することができ、半導体レーザの特性が接合媒質の特性によって強く影響されることができ、ＰＮ接合レーザの場合、ダイオード自体に前方電流を通過させることでレーザ発振作用を生じることができる。概して、半導体レーザはデバイスを横切る方向に向く電流を調節することによって制御することができる極めて効率的なシステムを実現することができる。さらに、半導体レーザの光子の寿命を極めて短くすることができるので、それらを用いて高周波変調を発生することができる。言い換えれば、小型でこのような高周波変調が可能なので半導体レーザは光ファイバ通信用の重要な光源となることができる。
おおまかにいうと、半導体レーザの構造は、光増幅が発生する共振空洞を作るための光閉じ込め、および誘導放出を生じるような高電流密度を発生するための電気閉じ込めを実現するはずである。さらに、レーザ効果（放射波の誘導放出）を発生させるように、半導体が間接バンドギャップ材料ではなく、直接バンドギャップ材料になることができる。半導体特性を熟知している技術者なら周知のように、直接バンドギャップ材料は、価電子帯から伝導帯への電子の遷移に電子の結晶運動量の変化を必要としない材料である。ガリウムヒ素および窒化ガリウムが直接バンドギャップ材料の例である。間接バンドギャップ材料では、別の状況が存在する。すなわち、価電子帯と伝導帯の間の電子の遷移に結晶運動量の変化が必要になる。シリコンおよび炭化ケイ素がこのような間接バンドギャップ材料の例である。
光閉じ込めおよび電子閉じ込めならびにミラーリングを含む半導体材料の理論、構造、および動作の有益な説明は、非特許文献１になされており、これらのページはその全体が参照により本明細書に組み込まれている。
ＬＥＤやレーザなどのフォトニックデバイスを熟知している技術者なら周知のように、所与の半導体材料によって発生することができる電磁放射波（すなわち、光子）の周波数は、バンドギャップの関数となることがある。バンドギャップが小さいほど、低エネルギー、長波長の光子を発生し、他方、バンドギャップが広い材料ほど、高エネルギー、短波長の光子を発生する。たとえば、通常レーザに使用される半導体材料の１つはアルミニウムインジウムガリウムリン（ＡｌＩｎＧａＰ）である。ＡｌＩｎＧａＰが発生できる光は、この材料のバンドギャップ（実際は、存在するそれぞれの元素のモルまたは原子比に応じて変わるバンドギャップ範囲）の故に、可視光スペクトルの赤色部分すなわち６００から７００ナノメートル（ｎｍ）に限られる。スペクトルの青色または紫外部分に波長を有する光子を発生させるために、比較的大きなバンドギャップの半導体材料を使用することができる。窒化ガリウム（ＧａＮ）などのＩＩＩ族窒化物材料、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、および窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）などの三元合金、ならびに、窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌＧａＩｎＮ）などの四元合金が青色およびＵＶレーザ用材料の有望な候補である。というのは、それらのバンドギャップが比較的高いからである（ＧａＮの場合、室温で３．３６ｅＶ）。その結果、ＩＩＩ族ベースのレーザダイオードが３７０〜４２０ｎｍ領域で発光することが実証された。
いくつかの、同一譲受人に譲渡された特許および同時継続の特許出願においては、オプトエレクトロニクスデバイスの設計および製造方法が同様に論じられている。たとえば、窒化ガリウムベースのオプトエレクトロニクスデバイス用の様々な方法および構造が記載されている（特許文献１〜６参照）。たとえば、低歪み窒化物レーザダイオード構造が記載されている（特許文献７参照）。たとえば、窒化物ベースのオプトエレクトロニクスデバイス用のエピタキシャル構造が記載されている（特許文献８、９参照）。たとえば、様々な金属コンタクト構造およびフリップチップボンディング法を含むボンディング法が記載されている（特許文献１０〜１３参照）。たとえば、乾式エッチングの方法が記載されている（特許文献１４参照）。たとえば、窒化物オプトエレクトロニクスデバイス用のパッシベーション方法が記載されている（特許文献１５、１６参照）。たとえば、窒化物レーザダイオード用に適する活性層構造が記載されている（特許文献１７、１８参照）。前述したすべての特許、特許出願、特許公開出願の内容は、あたかも本明細書に完全に説明されているかのようにその全体が参照により本明細書に組み込まれている。
米国特許第６，４５９，１００号明細書 米国特許第６，３７３，０７７号明細書 米国特許第６，２０１，２６２号明細書 米国特許第６，１８７，６０６号明細書 米国特許第５，９１２，４７７号明細書 米国特許第５，４１６，３４２号明細書 米国特許第５，８３８，７０６号明細書 米国特許出願第２００２００９３０２０号明細書 米国特許出願第２００２００２２２９０号明細書 米国特許出願第２００２０１２３１６４号明細書 米国特許出願第２００３００４５０１５号明細書 米国特許出願第２００３００４２５０７号明細書 米国特許出願第２００３００１５７２１号明細書 米国特許第６，４７５，８８９号明細書 米国出願番号第０８／９２０，４０９号明細書 米国特許出願第２００３００２５１２１号明細書 米国特許出願第２００３０００６４１８号明細書 米国特許出願第２００３００２００６１号明細書 セー（Ｓｚｅ）著、「半導体材料の物理（Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｓｅｓ）」、第２版（１９８１年）、７０４〜７４２ページ
半導体レーザを含む電子デバイスの表面に加えられる応力および／または圧力は、レーザおよび／またはそれとの電気結合をもたらす半導体構造を損傷させる恐れがある。
本発明の諸実施形態によれば、半導体デバイスの形成方法は、基板上に半導体構造を形成するステップを含むことができ、この基板において、半導体構造が、基板に対向する（すなわち、基板から離れた）メサ表面およびメサ表面と基板の間のメサ側壁を有するメサを画定する。このメサ側壁上の少なくとも一部分とメサ側壁に隣接する基板上とに第１パッシベーション層を形成することができ、メサ表面の少なくとも一部分には第１パッシベーション層がなく、第１パッシベーション層は第１材料を含む。さらに、第２パッシベーション層を第１パッシベーション層上に形成することができ、メサ表面の少なくとも一部分には第２パッシベーション層がなく、第１パッシベーション層は第１材料と異なる第２材料を含む。
さらに、少なくとも第１パッシベーション層のメサ表面に隣接する部分には、第２パッシベーション層がなく、第１パッシベーション層と第２パッシベーション層を合わせた厚さはメサの厚さより大きくなることできる。より具体的には、第１パッシベーション層の厚さはメサの厚さより大きくなることできる。さらに、メサ表面上の第１パッシベーション層および第２パッシベーション層がない部分にコンタクト層を形成することができ、金属層をこのコンタクト層上に形成することができ、この金属層は少なくとも第２パッシベーション層上の基板に対向する部分に延びている。さらに、これらの金属層およびコンタクト層は相異なる材料を含むことができる。
第１パッシベーション層の一部分は、コンタクト層の表面上の基板に対向する部分に延びることができ、このコンタクト層の一部分は、少なくとも第１および／または第２のパッシベーション層の一層上の基板に対向する部分に延びることができる。第１材料はアルミニウム酸化膜を含むことができ、第２材料はシリコン窒化膜を含むことができる。さらに、半導体構造はＰ型層およびＮ型層を含むことができ、Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分がメサに含まれる。
メサ表面の少なくとも一部分は、第２パッシベーション層の形成前に第１パッシベーション層がないことがある。より具体的には、第１パッシベーション層上および少なくともメサ表面上の第１パッシベーション層のない部分に、第２パッシベーション層を形成することができる。さらに、第２パッシベーション層の、少なくともメサ表面の第１パッシベーション層のない部分を露出させ、第１パッシベーション層のメサ表面に隣接する部分を露出させる部分にホールを形成することもできる。
さらに、第１パッシベーション層をメサ表面を横切って形成し、第２パッシベーション層をメサ表面を横切って形成して、第１および第２のパッシベーション層の両方がメサ表面を横切ってスタックされるようにすることもできる。次いで、第１パッシベーション層のメサ表面に対向する部分を露出させる第２パッシベーション層にホールを形成することができ、このホールの第２パッシベーション層への形成後、メサ表面の少なくとも一部分を露出させる第１パッシベーション層に別のホールを形成することもできる。第１パッシベーション層の形成前に、メサ表面上にコンタクト層を形成することができる。代替形態では、第２パッシベーション層の形成後、メサ表面上の少なくとも第１および第２のパッシベーション層のない部分にコンタクト層を形成することもできる。
本発明の追加の実施形態によれば、半導体デバイスの形成方法は、半導体光構造がメサ表面およびメサ表面と基板の間のメサ側壁を有するメサを画定する基板上に半導体構造を形成するステップを含むこともできる。メサ側壁上およびメサ側壁に隣接する基板上にパッシベーション層を形成することができ、このパッシベーション層はその内部にビアホールを有しメサ表面の少なくとも一部分にはこのパッシベーション層がないようにすることができる。より具体的には、ビアホールが、ビアホールの第１の部分が第１の幅を有しビアホールの第２の部分が第１の幅と異なる第２の幅を有するように、階段状プロファイルを画定することができる。
この階段状プロファイルは、第１の幅および第２の幅を有するビアホールの第１の部分および第２の部分の間にプラトー領域を含むことができ、このプラトー部分は基板にほぼ平行になることができる。第１の幅を有するビアホールの第１の部分は、第２の幅を有するビアホールの第２の部分とメサ表面の間にあることができ、第２の幅は第１の幅より大きくなることができる。パッシベーション層は、第１材料の第１の層と第１材料と異なる第２材料の第２の層を含むことができ、ビアホールの第１の部分は第１の層の少なくとも一部分を貫通することができ、ビアホールの第２の部分は第２の層の少なくとも一部分を貫通することができる。より具体的には、第１パッシベーション層の厚さはメサの厚さより大きくなることができる。さらに、第１材料はアルミニウム酸化膜を含むことができ、第２材料はシリコン窒化膜を含むことができる。
メサ表面上の少なくともパッシベーション層のない部分にコンタクト層を形成することもでき、コンタクト層上およびパッシベーション層上の少なくとも一部分に金属層を形成することができる。これらのコンタクト層と金属層は相異なる材料を含むことができ、パッシベーション層の一部分はコンタクト層上のメサ表面に対向する部分に延びることができる。代替形態では、コンタクト層は少なくともパッシベーション層上の基板に対向する部分に延びることもできる。さらに、半導体構造はＰ型層およびＮ型層を含むことができ、Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分がメサに含まれる。
本発明の他の追加の実施形態によれば、基板上に半導体構造を含むことができ、そこで半導体構造が半導体デバイスはメサ表面およびメサ表面と基板の間の側壁を有するメサを画定する。第１パッシベーション層は、少なくともメサ側壁上の一部分および基板上のメサ側壁に隣接する部分に存在することができ、メサ表面の少なくとも一部分には第１パッシベーション層がなく、第１パッシベーション層は第１材料を含む。第２パッシベーション層は、第１パッシベーション層上に存在することができ、メサ表面の少なくとも一部分には第２パッシベーション層がなく、第２パッシベーション層は第１材料と異なる第２材料を含む。
第１パッシベーション層の少なくともメサ表面に隣接する部分には第２パッシベーション層がなくてよく、第１と第２のパッシベーション層を合わせた厚さはメサの厚さより大きくなることができる。さらに、第１パッシベーション層の厚さはメサの厚さより大きくなることができる。
この半導体デバイスは、メサ表面上の第１および第２のパッシベーション層のない部分にコンタクト層を、このコンタクト層上に金属層を含むこともでき、この金属層は少なくとも第２パッシベーション層上の基板に対向する部分に延びる。さらに、これらの金属層およびコンタクト層は相異なる材料を含むことができる。第１パッシベーション層の一部分はコンタクト層の表面上の基板に対向する部分に延びることができ、あるいは、代替形態では、コンタクト層の一部分が第１および／または第２のパッシベーション層の少なくとも１層上の基板に対向する部分に延びることもできる。
第１パッシベーション層の第１材料はアルミニウム酸化膜を含み、第２パッシベーション層の第２材料はシリコン窒化膜を含むことができる。さらに、半導体構造はＰ型層およびＮ型層を含むことができ、Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分はメサに含まれる。さらに、第１および第２のパッシベーション層は、メサ表面の少なくとも第１および第２のパッシベーション層のない部分に隣接する階段状プロファイルを画定することもできる。
本発明の他の追加の実施形態によれば、半導体デバイスは、基板上に半導体構造を備えることができ、この半導体構造はメサ表面およびメサ表面と基板の間のメサ側壁を有するメサを画定する。この半導体デバイスはメサ側壁上、およびメサ側壁に隣接する基板上にパッシベーション層を含むこともできる。より具体的には、このパッシベーション層はその中にビアホールを有しメサ表面の少なくとも一部分にはこのパッシベーション層がないようにすることができ、このビアホールは階段状プロファイルを画定して、ビアホールの第１の部分が第１の幅を有しビアホールの第２の部分が第１の幅と異なる第２の幅を有するようにする。
この階段状プロファイルは、第１および第２の幅を有するビアホールの第１の部分と第２の部分の間にプラトー領域を備えることができ、このプラトー部分は基板にほぼ平行になることができる。さらに、第１の幅を有するビアホールの第１の部分は、第２の幅を有するビアホールの第２の部分とメサ表面の間にあることができ、第２の幅は第１の幅より大きくなることができる。
このパッシベーション層は第１材料の第１の層、および第１材料と異なる第２材料の第２の層を含み、ビアホールの第１の部分が第１の層の少なくとも一部分を貫通し、ビアホールの第２の部分が第２の層の少なくとも一部分を貫通する。第１パッシベーション層の厚さはメサの厚さより大きくなることができ、第１パッシベーション層の第１材料はアルミニウム酸化膜を含み、第２パッシベーション層の第２材料はシリコン窒化膜を含むことができる。
この半導体デバイスは、メサ表面上のパッシベーション層のない部分にコンタクト層を、このコンタクト層上およびパッシベーション層上の少なくとも一部分に金属層を含むこともでき、これらの金属層およびコンタクト層は相異なる材料を含むことができる。パッシベーション層の一部分はコンタクト層上のメサ表面に対向する部分に延びることができ、あるいは、代替形態では、このコンタクト層がパッシベーション層上の少なくとも基板に対向する部分に延びることもできる。さらに、半導体構造はＰ型層およびＮ型層を含むことができ、Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分がメサに含まれる。
以後、本発明を、本発明の好ましい実施形態が示された添付の図面を参照してより完全に説明する。本発明を相異なる形態で具体的に示すことができるが、本発明を本明細書で説明された諸実施形態に限定されるものと解釈すべきではない。そうではなくて、これらの実施形態は、この開示が網羅的かつ完全になり、当業者に本発明の範疇を十分に伝えるように提供した。図面中、層および領域の厚さは判り易くするために誇張してある。また、層が他の層または基板「上」にあるというとき、この層は他の層または基板の直接上にあることができ、あるいは介在層が存在することもできることも理解されたい。要素が別の要素と「結合された」または「接続された」というとき、この要素は他の要素と直接結合され、または接続されることができ、あるいは介在要素が存在することもできる。明細書全体を通じて同一の番号で同一の要素を指す。さらに、「垂直」および「水平」などの相対的な用語を、本明細書では図に示すような基板またはベース層に対する関係を説明するために使用することができる。これらの用語は諸図に示した向きに加えてデバイスの異なる向きも包含することが意図されていることは理解されよう。
ＩＩＩ族窒化物材料などのＩＩＩ−Ｖ族材料は、それらにマグネシウムなどのＰ型不純物をドープすることによってＰ型にすることができる。しかし、Ｐ型窒化物半導体は比較的低いキャリア活性化速度および比較的低いキャリア移動度を有することができる。したがって、Ｐ型窒化物半導体は比較的高い抵抗率を有することができる。レーザダイオードはレーザ発振するための条件を実現するのに比較的高い電流レベルを必要とすることがあるので、Ｐ型窒化物材料へのオーミックコンタクトの場合できるだけ多くの表面積を覆うことが有利になることがある。
レーザダイオードの形成ステップは、半導体材料のエピタキシャル層内にメサストライプをエッチングするステップを含むことができる。このメサストライプは、比較的狭くなることがあるので（幅約２ミクロン程度）、高度な機械的安定性をもつことができず、バーコーティング、ダイ取り付け、ウェハボンディングなどのその後の製造ステップの際、比較的容易に損傷されることがある。メサストライプは、機械的安定性および／または保護をもたらすようにメサの高さ以上の深さのトレンチを有する半導体材料および／または基板のトレンチ内に形成することができる。
図１に示すように、本発明の諸実施形態による構造は、半導体メサストライプ用の機械的な保護を実現することができる。さらに、比較的再現性よく、かつ精度よくできる諸ステップを用いて、図１の構造を製造することができる。本発明の諸実施形態によれば、半導体デバイスは、基板１２と、メサ２０、第１パッシベーション層３０、第２パッシベーション層４０、ならびにオーミックコンタクト層２６および２７を備えるエピタキシャル半導体構造１４と、金属オーバ層５０とを備えることができる。さらに、このエピタキシャル半導体構造１４は、ＩＩＩ族化合物半導体材料などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含むことができる。これらのオーミックコンタクト層２６および２７は、ニッケル、チタン、白金、および／またはパラジウムなどの金属の層を含むことができる。この金属オーバ層５０は、ニッケル、金、白金、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、および／またはパラジウムなどの金属の層を含むことができる。
ある実施形態では、この基板１２は、２Ｈ、４Ｈ、６Ｈ、８Ｈ、１５Ｒ、および／または３ＣなどのポリタイプのＮ型炭化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、ならびに／あるいは窒化アルミなどの基板材料を含むことができる。さらに、基板１２は、エピタキシャル半導体構造１４および基板１２を通過する「垂直な」電流の流れを有する「垂直」デバイスを設けるように導電性になることができる。代替形態では、基板１２は絶縁性または半絶縁性でもよく、そこでは「水平」デバイスを設けるように基板の同じ側に両方のオーミックコンタクトが設けられる。導電性基板を「水平」デバイスに使用することもできるはずである。さらに、基板という用語は、半導体構造１４を作製する半導体材料のパターン形成されていない部分を含むように規定することができる。そして／または基板１２と半導体構造１４の間で材料の遷移がないこともある。
エピタキシャル半導体構造１４の一部分は、たとえば、光閉じ込めおよび／または電流閉じ込めを実現するためにメサストライプ中にパターン形成することができる。図示するように、エピタキシャル半導体構造１４の一部分のみがメサ２０に含まれる。たとえば、エピタキシャル半導体構造１４は、Ｎ型およびＰ型の層、ならびにＮ型およびＰ型層のうちの１方または両方の一部分をメサに含むことができる。具体的な実施形態によれば、このエピタキシャル半導体構造１４は、基板１２に隣接したＮ型層と基板１２に対向するＮ型層上のＰ型層とを備えることができる。このメサは（メサ２０の側壁が基板１２に延びるように）、Ｎ型層無しでＰ型層の一部分、Ｐ型層の全ておよびＮ型層の一部分（全てではない）、またはＰ型層およびＮ型層の全てを含むことができる。
本明細書と同時に出願された米国特許出願（整理番号５３０８−２８１）においてより詳細に記載されているように、エピタキシャル半導体材料の均一に厚い層を形成することができ、このエピタキシャル半導体材料を選択的にエッチングすることによってメサ２０を形成することができる。さらに、このメサ２０の厚さをメサ形成に使用するエッチング深さによって決定することができる。本発明の諸実施形態によれば、このメサエッチング深さ（得られるメサ厚）を、約０．１から５ミクロンの範囲にすることができ、追加の実施形態によれば、約２．５ミクロンを超えないようにすることができる。さらに、メサ側壁間のメサ表面２０Ａの幅を約１から３ミクロンの範囲にすることができる。図１に示すように、オーミックコンタクト層２６をこのメサ表面２０Ａ上の一部分に形成することができる。さらに、メサの表面部分をＰ型半導体材料にすることもできる。
第１パッシベーション層３０は、メサ２０を備えるエピタキシャル半導体構造１４を保護し絶縁することができる。この第１パッシベーション層３０は、たとえば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム酸化膜、および／またはそれらの組合せなどの絶縁材料を含むことができ、かつ、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、および／または電子ビーム蒸着などの堆積技法を用いて形成することができる。さらに、この第１パッシベーション層は、たとえば、本明細書と同時に出願された米国特許出願（整理番号５３０８−２８０）および／または本明細書と同時に出願された米国特許出願（代理人整理番号５３０８−２８１）において論じられているように製作することができる。これらの出願のどちらもその開示内容全体が本明細書に参照により組み込まれている。
第２パッシベーション層４０は、たとえば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アルミニウム酸化膜、および／またはそれらの組合せなどの絶縁材料を含むことができ、かつ、プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、スパッタリング、および／または電子ビーム蒸着などの堆積技法を用いて形成することができる。本発明の具体的な実施形態によれば、第１パッシベーション層を第１材料で形成し、第２パッシベーション層を第１材料と異なる第２材料で形成することができる。したがって、第１パッシベーション層は、１種または複数種のエッチング用化学物質の場合について、第２パッシベーション層に対するエッチング選択性を実現することができる。言い換えると、第２パッシベーション層４０をあるエッチング用化学物質に対して第１パッシベーション層より抵抗力をなくして、第１パッシベーション層をそれほどエッチングしないで第２パッシベーション層にビアホール４２を形成可能にすることができる。具体的な実施形態によれば、第２パッシベーション層４０がシリコン窒化膜の層を含み、第１パッシベーション層３０がアルミニウム酸化膜の層を含むことができる。
ある実施形態では、第２パッシベーション層４０を十分厚くでき、その結果、基板に対向する第２パッシベーション層の表面がメサ２０の上表面２０Ｂより基板１２に対して実質的に高くなる。代替形態では、第１パッシベーション層３０と第２パッシベーション層４０の厚さを合わせた厚さを、メサ２０の厚さより機械的な安定性およびメサ２０に対する保護を実現するのに十分な程度に大きくすることもできる。具体的な実施形態によれば、第１パッシベーション層の厚さを約０．１から２ミクロンの範囲にすることができ、第２パッシベーション層４０の厚さを約０．１から５ミクロンの範囲にすることができる。
第１パッシベーション層３０および第２パッシベーション層４０の両方またはどちらかの形成前、あるいは形成後に、オーミックコンタクト２６をメサ表面２０Ｂ上に形成することができる。このオーミックコンタクト層２６は、メサ側壁２０Ａ間のメサ表面２０Ｂの幅のほぼ全体にわたって延びることができ、かつ／あるいは、第１パッシベーション層３０の一部分が基板に対向してオーミックコンタクト層２６上の一部分に延びることもできる。代替形態では、第１パッシベーション層３０の一部分がメサ表面上に直接延びることもでき、かつ／あるいは、オーミックコンタクト層がメサ表面２０Ｂに対向して第１パッシベーション層３０上の一部分に延びることもできる。
第２パッシベーション層４０を貫通するビア４２がオーミックコンタクト層２６の一部分およびオーミックコンタクト層２６に隣接する第１パッシベーション層３０の一部分を露出させることができる。金属オーバ層５０が第２パッシベーション層４０、第１パッシベーション層３０の露出部分、および／またはオーミックコンタクト層２６の露出部分全体にわたって延びることができる。したがって、この金属オーバ層５０は、ビア４２を介してオーミックコンタクト層２６と接触することができる。この金属オーバ層５０は、ニッケル、金、白金、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、パラジウム、および／またはそれらの組合せなどの金属の層を含むことができる。
さらに、このビア４２の幅をメサ表面２０Ｂの幅より大きくすることができ、このため、ビア４２の側壁がメサ側壁２０Ａから離れる。具体的な実施形態によれば、このビア４２の幅を約５から１５ミクロンの範囲にすることができる。したがって、パッシベーション層４０の表面に加えられる応力および／または圧力をメサ２０から離れた方向に向けることができる。さらに、周囲の第２パッシベーション層４０により、第１パッシベーション層３０のビア４２によって露出された部分およびメサ２０を外部応力から遮蔽することができる。
本発明の具体的な実施形態によれば、半導体デバイスは、基板１２に対向するメサ表面２０Ｂおよびメサ表面２０Ｂと基板１２の間の側壁２０Ａを有するメサ２０を画定するエピタキシャル半導体構造１４などの半導体構造を備えることができる。メサ側壁２０Ａ上の少なくとも一部分上およびメサ側壁２０Ａに隣接する基板１２上に、第１パッシベーション層３０を設けることができ、メサ表面２０Ｂの少なくとも一部分には第１パッシベーション層３０がない。第２パッシベーション層４０を第１パッシベーション層３０上に設けることができ、メサ表面２０Ｂの少なくとも一部分には第２パッシベーション層４０がない。さらに、これらの第１および第２のパッシベーション層は相異なる材料を含むことができる。さらに、第２パッシベーション層４０上、第２パッシベーション層４０がない第１パッシベーション層３０上の一部分、および第１および第２のパッシベーション層がないメサ表面２０Ｂ上の一部分に、金属オーバ層を設けることができる。金属オーバ層５０とメサ表面２０Ｂの間にオーミックコンタクト層２６を設けることができ、これらのオーミックコンタクト層２６と金属オーバ層５０は相異なる材料を含むことができる。
本発明の追加の実施形態によれば、半導体デバイスは、基板１２上に半導体構造１４を備え、この半導体構造１４はメサ表面２０Ｂおよびメサ表面２０Ｂと基板１２の間の側壁２０Ａを画定する。このメサ側壁２０Ａ上およびメサ側壁に隣接する基板１２上にパッシベーション層を設けることができ、このパッシベーション層はその内部にビアを有し、それによってメサ表面の少なくとも一部分にパッシベーション層がないようにする。より具体的には、パッシベーション層中のビアは、ビアホールの第１の部分Ｖ１が第１の幅Ｗ１を有し、ビアホールの第２の部分Ｖ２が第１の幅Ｗ１と異なる第２の幅Ｗ２を有するように階段状プロファイルを画定することができる。さらに、このビアホールは、その第１の部分と第２の部分の間にプラトー領域Ｐを備えることもでき、このプラトー領域Ｐは基板１２とほぼ平行になることができる。より具体的には、第２の幅Ｗ２を第１の幅Ｗ１より大きくすることができる。さらに、この第２の幅Ｗ２をメサ表面２０Ｂの幅より大きくし、第１の幅Ｗ１をメサ表面２０Ｂの幅より小さくすることもできる。いくつかの実施形態によれば、パッシベーション層は、階段状プロファイルをもたらすようにパターン形成された単一材料の層を含むことができる。代替形態では、パッシベーション層は、第２パッシベーション層４０を第１パッシベーション層３０に比べて選択的にエッチングできるように相異なる材料の第１パッシベーション層３０および第２パッシベーション層４０を含むこともできる。
本発明の諸実施形態による半導体デバイスの製作方法を図２Ａないし２Ｄに示す。具体的には、エピタキシャル半導体構造１４を基板１２上に形成することができ、このエピタキシャル半導体構造１４はメサ側壁２０Ａおよびメサ表面２０Ｂを有するメサ２０を備える。このエピタキシャル半導体構造１４は、均一に厚いエピタキシャル半導体層を形成し、次いで、このエピタキシャル半導体層の一部分を選択的に除去してメサ２０を形成することによって形成することができる。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、電子サイクトトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマエッチング、および／または誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチングなどの湿式または乾式エッチングを用いて、エピタキシャル半導体層の一部分を選択的に除去することができる。たとえば、塩素（Ｃｌ２）エッチャントを用いるアルゴン（Ａｒ）雰囲気中での乾式エッチングを用いて、メサ２０をパターン形成することができる。より具体的には、この乾式エッチングは、約２から４０ｓｃｃｍの範囲のアルゴン（Ａｒ）を流し、約５から５０ｍトルの範囲の圧力および約２００から１０００Ｗの範囲のＲＦパワーのＲＩＥ反応炉中に約５から５０ｓｃｃｍの範囲の塩素（Ｃｌ２）を流すステップを含むことができる。具体的なエッチング条件を例として提供したが、他のエッチング条件を使用することもできる。
図示するように、エピタキシャル半導体構造１４の一部分のみをメサに含むことができる。代替形態では、メサ側壁２０Ａが基板１２に対して延びるようにメサ２０にエピタキシャル半導体構造１４を含むこともできる。このエピタキシャル半導体構造１４は、基板上のＮ型層、および基板に対向するＮ型層上のＰ型層を含むことができる。このメサ２０は（メサ２０の側壁が基板１２に対して延びるように）、Ｐ型層無しでＮ型層の一部分、Ｎ型層の全ておよびＰ型層の一部分（全てではない）、またはＰ型層およびＮ型層の全てを含むことができる。
このエピタキシャル半導体構造１４は、Ｎ型層とＰ型層の間に活性層を含むこともできる。活性層は、いくつかの相異なる構造および／または層、ならびに／あるいはそれらの組合せを含むことができる。この活性層は、たとえば、単一または複数の量子井戸、二重ヘテロ構造、および／または超格子を備えることができる。活性層は、デバイスにおけるレーザ発振活動を促進させ得る光閉じ込め層および／または電流閉じ込め層を含むこともできる。
メサ２０の側壁２０Ａ上およびメサ側壁２０Ａに隣接する基板１２上の一部分に、第１パッシベーション層３０を形成することができる。図示するように、メサ側壁２０Ａが基板１２まで延びない場合、半導体構造１４の一部分は第１パッシベーション層３０とメサ側壁２０Ａに隣接する基板の間に残ることができる。この第１パッシベーション層３０は、たとえば、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、アルミニウム酸化膜、および／またはそれらの組合せなどの絶縁材料の層あるいは複数のサブ層でよい。さらに、この第１パッシベーション層３０は、プラズマ化学気相成長、減圧化学気相成長、化学気相成長、スパッタリング、電子ビーム蒸着、および／またはそれらの組合せなどの堆積技法を用いて形成することができる。具体的な実施形態によれば、第１パッシベーション層３０がアルミニウム酸化膜であり、第１パッシベーション層３０の厚さが約０．１から２ミクロンの範囲にある。
この第１パッシベーション層３０は、メサ表面２０Ｂに電気的なコンタクトをもたらすようにその内部にビア３２を含むことができる。このビア３２は、たとえば、本明細書と同時に出願された米国特許出願（整理番号５３０８−２８０）および本明細書と同時に出願された米国特許出願（整理番号５３０８−２８１）で論じられているステップに従って形成することができる。たとえば、この第１パッシベーション層３０をメサ表面２０Ｂ上に形成し、次いでメサ表面の一部分を露出させるビア３２を形成するようにフォトリソグラフィを用いてパターン形成し、このビア３２の形成後、（第２パッシベーション層の形成前または形成後のどちらかに）メサ表面上の露出部分にオーミックコンタクト層を形成することができる。代替形態では、パッシベーション層の形成前に、メサ表面上にオーミックコンタクト層を形成することができ、このパッシベーション層はオーミックコンタクト層の上に形成することもでき、このパッシベーション層のオーミックコンタクト層上の部分は除去することができる。別の代替形態では、メサ表面上にオーミックコンタクト層を形成することもでき、このオーミックコンタクト層をパターン形成するために使用されるマスクを第１パッシベーション層を形成しながら保持することができる。マスク、およびパッシベーション層のマスク上の部分を除去することができ、それによって、分離マスクを必要とせずにオーミックコンタクト層の一部分が露出する。
図２Ｂに示すように、第２パッシベーション層４０を第１パッシベーション層３０上に形成することができる。この第２パッシベーション層４０は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、および／またはアルミニウム酸化膜などの絶縁材料の層、あるいは複数のサブ層を含むことができ、かつ、プラズマ化学気相成長、減圧化学気相成長、化学気相成長、スパッタリング、電子ビーム蒸着、および／またはそれらの組合せなどの堆積技法を用いて形成することができる。
第１パッシベーション層３０は第１材料を含み、第２パッシベーション層４０は第１材料と異なる第２材料を含む。したがって、エッチャントを選択して、第２パッシベーション層４０を貫通してビアを形成するとき第１パッシベーション層３０をそれほどエッチングすることなく第２パッシベーション層４０をエッチングできるようにすることができる。具体的な実施形態によれば、第１パッシベーション層３０はアルミニウム酸化膜の層を含み、第２パッシベーション層４０はシリコン窒化膜の層を含むことができる。したがって、第２パッシベーション層４０を貫通してビアホールをエッチングして第２パッシベーション層をそれほどエッチングすることなく第１パッシベーション層の一部分を露出させることができる。
図２Ｃに示すように、第２パッシベーション層の保持する部分を（フォトリソグラフィなどの手段で）マスキングし、第２パッシベーション層の露出部分をエッチングすることによって、ビア４２を開口させることができる。第１パッシベーション層２０を貫通するビアが予め形成されている場合、このビア４２はさらなる処理無しでメサ表面２０Ｂの一部分を露出させることができる。代替形態では、第２パッシベーション層４０を貫通するビア４２を形成した後で、第１パッシベーション層３０を貫通するビアを形成することもできる。
具体的な実施形態によれば、第２パッシベーション層の一部分をマスキングし、第２パッシベーション層の露出部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてエッチングすることによってビア４２を形成することができる。より具体的には、アルミニウム酸化膜に比べてシリコン窒化膜を選択的にエッチングするために使用することができるＮＦ２および／またはＣＨＦ３などのフッ素系エッチング用化学物質を用いてＲＩＥエッチングを実施することができる。第１パッシベーション層の材料に比べて第２パッシベーション層の材料のエッチングに選択性を発揮するという条件で他のエッチング用化学物質を使用することもできる。ＮＦ２および／またはＣＨＦ３系のエッチング用化学物質は、たとえば、アルミニウム酸化膜のそれよりもずっと速い速度でシリコン窒化膜を選択的にエッチングすることができる。したがって、アルミニウム酸化膜の第１パッシベーション層３０は、シリコン窒化膜の第２パッシベーション層４０を貫通するビア４２をエッチングするとき、エッチストップとして有効に働くことができる。
メサ表面２０Ｂおよび第１パッシベーション層３０の一部分がビア４２によって露出されると、図２Ｄに示すようにメサ表面２０Ｂ上の露出部分にオーミックコンタクト２６を形成することができる。代替形態では、このオーミックコンタクト層を第１パッシベーション層２０Ｂの形成前に形成することもでき、あるいは第１パッシベーション層３０の形成と第２パッシベーション層４０の形成の間に形成することもできる。次いで、金属オーバ層５０を第２パッシベーション層４０上、第１パッシベーション層３０上の露出部分、およびビア中のオーミックコンタクト層２６上に形成することができる。いくつかの実施形態によれば、これらのオーミックコンタクト層および金属オーバ層はそれぞれ同じ金属の層または異なる金属の層を含むことができる。代替形態では、メサ表面２０Ｂ上の露出部分に金属オーバ層が直接形成されるように離れたオーミックコンタクト層を必要としないこともある。
半導体構造１４に対向して基板１２上に第２オーミックコンタクト層２７を形成してオーミックコンタクト層２６と２７の間に「垂直な」電流経路を設けることもできる。このオーミックコンタクト層２７は第１パッシベーション層３０および第２パッシベーション層４０のパターン形成後に形成されるように図示されているが、このオーミックコンタクト層２７の製造におけるより前の段階で形成することもできる。さらに、その代わりに、基板１２の第１オーミックコンタクト層２６と同じ側に第２オーミックコンタクト層を形成し、それによって「水平な」電流の流れを実現することもできる。
本発明の諸実施形態によれば、第１のパッシベーション層３０が、半導体メサ２０の側壁２０Ａ用の保護および／または絶縁をもたらすことができ、この半導体メサの表面２０Ｂを第１パッシベーション層３０を貫通して露出させて比較的精度のよいパターンを設けることができる。別の言い方をすれば、メサ表面２０Ｂの幅より小さい幅のパターンを第１パッシベーション層３０に形成してメサ表面２０Ｂおよび／またはその上のオーミックコンタクト層２６の一部分を露出させることができる。第２パッシベーション層４０を第１のパッシベーション層３０上に形成することができ、この第２パッシベーション層４０を比較的精度のないパターンでパターン形成してメサ表面２０Ｂおよび／またはその上のオーミックコンタクト層２６を露出させ、第１パッシベーション層３０のこのメサ表面２０Ｂに隣接する部分を露出させる。別の言い方をすれば、第２パッシベーション層４０のパターンがメサ表面２０Ｂの幅より大幅に大きい幅を有することができる。したがって、第２パッシベーション層４０は、第２パッシベーション層４０用のパターン形成の正確な位置合わせを必要としないでメサ２０用の保護を実現することができる。
図３は、本発明の諸実施形態による構造の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。より具体的には、図３は、炭化シリコン基板１１２とＩＩＩ族窒化物化合物半導体材料を含むエピタキシャル半導体構造１１４とを備える、本発明の諸実施形態によるレーザダイオード構造の写真である。半導体構造１１４の一部分がメサ１２０内にパターン形成され、光閉じ込めおよび／または電流閉じ込めを実現することができる。メサ１２０の基板１１２に対向する表面上にオーミックコンタクト層１２６を設ける。アルミニウム酸化膜の第１パッシベーション層１３０はエピタキシャル半導体構造１１４の表面を保護および／または絶縁することができ、シリコン窒化膜の第２パッシベーション層１４０を第１パッシベーション層１３０上に設けることができる。第２パッシベーション層１４０を貫通するビア１４２はオーミックコンタクト１２６の一部分を露出させ、金属オーバ層１５０はビア１４２を貫通してオーミックコンタクト層１２６との電気コンタクトを実現する。
図４は、本発明の追加の実施形態による構造を示す断面図である。図示するように、この構造は、基板２１２と、半導体構造２１４と、オーミックコンタクト層２２６と、半導体構造上およびオーミックコンタクト層２２６の一部分上の第１パッシベーション層２３０とを備えることができる。より具体的には、この半導体構造２１４はメサ側壁２２０Ａとメサ表面２２０Ｂを有するメサ２２０を備えることができ、このオーミックコンタクト層２２６は側壁２２６Ａとコンタクト表面２２６Ｂを備えることができる。図４に示す諸実施形態では、パッシベーション層２３０の形成前にオーミックコンタクト層２２６を形成し、それによって第１パッシベーション層２３０の一部分がオーミックコンタクト層２２６上の一部分に延びるようにすることができる。
第２パッシベーション層２４０を第１パッシベーション層上に設け、この第２パッシベーション層２４０のビア２４２はオーミックコンタクト層２２６のコンタクト表面と第１パッシベーション層２３０のオーミックコンタクト層２２６に隣接する部分とを露出させることができる。第２パッシベーション層２４０のビア２４２の幅をメサ表面２２０Ｂの幅より大幅に大きくすることができる。さらに、金属オーバ層２５０を、第２パッシベーション層２４０上、第１パッシベーション層２３０上の露出部分、およびオーミックコンタクト層２２６のコンタクト表面２２６Ｂ上に設けることができる。さらに、オーミックコンタクト層２２７をメサ２２０に対向する基板２１２上に設けることもできる。
この半導体構造２１４は、ＩＩＩ族窒化物半導体材料などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料を含むことができる。さらに、この半導体構造２１４は、基板上のＮ型層およびＮ型層の基板２１２に対向する層上にＰ型層を含むことができる。さらに、メサ２２０は（側壁２２０Ａが基板２１２に延びるように）Ｎ型層を含まずにＰ型層の一部分、Ｐ型層の全ておよびＮ型層の一部分（全てではない）、またはＰ型層およびＮ型層の全てを含むことができる。
いくつかの実施形態では、この基板２１２は、２Ｈ、４Ｈ、６Ｈ、８Ｈ、１５Ｒ、および／または３ＣなどのポリタイプのＮ型炭化ケイ素、サファイア、窒化ガリウム、ならびに／あるいは窒化アルミなどの基板材料を含むことができる。さらに、基板２１２は、エピタキシャル半導体構造２１４および基板２１２を通過する「垂直な」電流の流れを有する「垂直」デバイスを実現するように導電性にすることができる。代替形態では、基板１２は絶縁性または半絶縁性でもよく、そこでは「水平」デバイスを実現するように基板の同じ側に両方のオーミックコンタクトが設けられる。導電性基板を「水平」デバイスに使用することもできるはずである。さらに、基板という用語は、半導体構造２１４を作製する半導体材料のパターン形成されていない部分を含むように規定することができる。そして／または基板２１２と半導体構造２１４の間で材料の遷移がないこともある。
図５Ａないし５Ｄは、図４に示す構造を形成するステップを示す断面図である。図５Ａに示すように、メサ２２０を備える半導体構造２１４を基板２１２上に形成することができ、オーミックコンタクト層２２６をメサの表面２２０Ｂ上に形成することができる。次いで、パッシベーション層２３０を、メサ２２０の側壁２２０Ａ上、基板上のメサ側壁２２０Ａに隣接する部分、およびオーミックコンタクト層２２６上の一部分に形成することができる。図５Ａに示すように、このパッシベーション層２３０は、コンタクト表面２２６Ｂおよび傾斜付側壁２２６Ａのコンタクト表面２２６Ｂに隣接する部分をこのパッシベーション層２３０なしに保持しながら、傾斜付側壁２２６Ａ上のメサ側壁２２０Ａに隣接する部分に延びることができる。代替形態では、このパッシベーション層２３０の一部分がオーミックコンタクト層上の基板に平行な表面部分に延びることもできる。
たとえば、メサ２２０およびオーミックコンタクト層２２６を、たとえば米国特許出願（整理番号５３０８−２８１）で論じられているような単一のパターン形成ステップを用いて形成することができる。より具体的には、均一な厚さの半導体層を形成することができ、コンタクト金属層を均一厚のこの半導体層上に形成することができ、マスクをこのコンタクト金属層上に形成することができる。次いで、単一のマスクを用いてこれらのコンタクト金属層および半導体層をエッチングしてオーミックコンタクト層２２６およびメサ２２０を形成することができる。さらに、第１パッシベーション層２３０を形成しつつマスクを保持することができ、マスクおよび第１パッシベーション層のマスク上の部分を除去してオーミックコンタクト層のコンタクト表面２２６Ｂを露出させることができる。したがって、単一のマスクでオーミックコンタクト層のメサ表面との位置合わせを実現することができ、パッシベーション層を貫通して「ビア」の位置合わせを実現し、それによって、オーミックコンタクト層２２６のコンタクト表面２２６Ａを露出させることができる。
代替形態では、これらのオーミックコンタクト層２２６および／またはパッシベーション層２３０を別個のマスキング操作を用いてパターン形成することもできる。たとえば、第１マスクを用いてこれらのメサ２２０およびオーミックコンタクト層２２６をパターン形成し、第２マスクを用いてビアをパッシベーション層２３０にパターン形成することができる。別の代替形態では、第１マスクを用いてメサ２２０をパターン形成し、第２マスクを用いてオーミックコンタクト層２２６をパターン形成し、第３マスクを用いてビアをパッシベーション層２３０にパターン形成することもできる。
図５Ｂに示すように、第２パッシベーション層２４０を第１パッシベーション層２３０上およびオーミックコンタクト層２２６上の露出部分に形成することができる。これらの第１パッシベーション層２３０および第２パッシベーション層２４０それぞれは、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜、および／またはアルミニウム酸化膜などの絶縁材料の層を含むことができる。さらに、これらの第１パッシベーション層２３０および第２パッシベーション層２４０それぞれは、第１パッシベーション層２４０に対する選択性のあるエッチング用化学物質を用いて第２パッシベーション層２３０をエッチングできるように相異なる材料を含むことができる。たとえば、第１パッシベーション層２３０がアルミニウム酸化膜の層を含み、第２パッシベーション層２４０がシリコン窒化膜の層を含み、フッ素系のエッチング用化学物質を用いて第１パッシベーション層２３０をエッチングせずに第２パッシベーション層２４０をエッチングすることができる。
図５Ｃに示すように、第２パッシベーション層２４０をパターン形成してオーミックコンタクト層２２６のコンタクト表面２２６Ｂを露出させ、第１パッシベーション層２３０のオーミックコンタクト層２２６に隣接する部分を露出させることができる。パッシベーション層２４０中のビア２４２の幅をメサ表面２２０Ｂの幅より大幅に大きくすることができる。より具体的には、メサ表面２２０Ａの幅は約１から３ミクロンの範囲、パッシベーション層２４０を貫通するビア２４２の幅は約５から１５ミクロンの範囲になることができる。したがって、パッシベーション層２４０にビア２４２をパターン形成するとき高精度を必要としなくてもよい。図５Ｄに示すように、金属オーバ層２５０をパッシベーション層２４０上、第１パッシベーション層２３０上の露出部分、およびオーミックコンタクト層２２６上の露出部分に形成することができる。
本発明の諸実施形態によれば、第１パッシベーション層が半導体メサ上の比較的精度のよいオーミックコンタクト層の露出（または半導体メサ表面の露出）およびメサの側壁の保護を実現することができる。異なる材料の第２パッシベーション層は、そのパターン形成において高精度を必要とせずにメサの構造的な保護を実現することができる。
上記で論じた半導体デバイスは、端面発光半導体レーザを提供することができ、光が基板に平行に半導体メサストライプの長さ方向に沿って放出される。別の言い方をすれば、上記で論じた諸図の断面に垂直な方向に沿って光を放出することができる。レーザダイオードなどの発光デバイスの形成方法に関する方法およびデバイスを論じてきたが、本発明による方法を使用して、従来のダイオード、従来の発光ダイオード、または半導体メサを含む他の任意の半導体などの他の半導体デバイスを形成することができる。
本発明をその好ましい実施形態に関連して具体的に示し説明してきたが、当業者なら、添付の特許請求の範囲およびそれらの均等物によって規定される本発明の精神および範疇から逸脱することなく形式および細部において様々な変更を加え得ることは理解できよう。
本発明の諸実施形態による半導体デバイスを示す断面図である。 本発明の諸実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の諸実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の諸実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の諸実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の諸実施形態による半導体デバイスの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示す断面図である。 本発明の追加の実施形態による半導体デバイスを示す断面図である。 本発明の追加の実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の追加の実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の追加の実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。 本発明の追加の実施形態による半導体デバイスの形成の一ステップを示す断面図である。

Claims (65)

  1. 半導体デバイスの形成方法であって、
    半導体構造を基板上に形成するステップであって、前記半導体構造が前記基板に対向するメサ表面および前記メサ表面と前記基板の間のメサ側壁を有するメサを画定するステップと、
    前記メサ側壁上の少なくとも一部分、および前記メサ側壁に隣接する前記基板上に第１パッシベーション層を形成するステップであって、前記メサ表面の少なくとも一部分には前記第１パッシベーション層がなく、前記第１パッシベーション層は第１材料を含むステップと、
    前記第１パッシベーション層上に第２パッシベーション層を形成するステップであって、前記メサ表面の少なくとも一部分には前記第２パッシベーション層がなく、前記第２パッシベーション層は第１材料と異なる第２材料を含むステップとを含むことを特徴とする方法。
  2. 前記第１パッシベーション層の少なくとも前記メサ表面に隣接する部分には、前記第２パッシベーション層がないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１と前記第２のパッシベーション層を合わせた厚さが前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１パッシベーション層の厚さが前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項３に記載の方法。
  5. 前記メサ表面上の前記第１および第２のパッシベーション層のない部分にコンタクト層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 前記コンタクト層上に金属層を形成するステップであって、前記金属層が少なくとも前記第２パッシベーション層上の前記基板に対向する部分に延びることができるステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 前記金属層および前記コンタクト層が相異なる材料を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
  8. 前記第１パッシベーション層の一部分が前記コンタクト層の表面上の前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  9. 前記コンタクト層の一部分が、前記第１および／または第２のパッシベーション層の少なくとも一層上の前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  10. 前記第１の材料がアルミニウム酸化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. 前記第２の材料がシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  12. 前記半導体構造がＰ型層およびＮ型層を含み、前記Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分が前記メサに含まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  13. 前記第２パッシベーション層の形成前に、前記メサの少なくとも一部分には前記第１パッシベーション層がないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  14. 前記第２パッシベーション層の形成ステップが、前記第１パッシベーション層上および前記メサ表面上の前記第１パッシベーション層のない部分に前記第２パッシベーション層を形成するステップと、前記第２パッシベーション層内の一部分にホールを形成して前記メサ表面の少なくとも前記第１パッシベーション層のない部分を露出させ前記第１パッシベーション層の前記メサ表面に隣接する部分を露出させるステップとを含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
  15. 前記第２パッシベーション層中の一部分への前記ホールの形成ステップが、前記第１パッシベーション層の前記第１材料に対して優先的に前記第２パッシベーション層の前記第２材料をエッチングするエッチング用化学物質を用いて前記第２パッシベーション層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
  16. 前記第１パッシベーション層の形成ステップが前記メサ表面を横切って前記第１パッシベーション層を形成するステップを含み、前記第２パッシベーション層の形成ステップが前記第１および第２のパッシベーション層の両方がメサ表面を横切ってスタックされるように前記メサ表面を横切って前記第２パッシベーション層を形成するステップを含み、前記第２パッシベーション層の形成ステップが前記第１パッシベーション層の前記メサ表面に対向する部分を露出させる前記第２パッシベーション層にホールを形成するステップを含み、前記第１パッシベーション層の形成ステップが前記第２パッシベーション層にホールを形成後、前記メサ表面の少なくとも一部分を露出させる前記第１パッシベーション層にホールを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  17. 前記第２パッシベーション層中の一部分への前記ホールの形成ステップが、前記第１パッシベーション層の前記第１材料に対して優先的に前記第２パッシベーション層の前記第２材料をエッチングするエッチング用化学物質を用いて前記第２パッシベーション層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
  18. 前記第１パッシベーション層の形成ステップの前に、前記メサ表面上にコンタクト層を形成するステップが先行することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  19. 前記第２パッシベーション層の形成ステップの後に、前記メサ表面上の少なくとも前記第１および第２のパッシベーション層のない部分にコンタクト層を形成するステップが続くことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  20. 半導体デバイスの形成方法であって、
    基板上に半導体構造を形成するステップであって、前記半導体構造がメサ表面および前記メサ表面と前記基板の間の側壁を有するメサを画定するステップと、
    前記メサ側壁上および前記メサ側壁に隣接する前記基板上にパッシベーション層を形成するステップであって、前記パッシベーション層がその中にビアホールを有し前記メサ表面の少なくとも一部分には前記パッシベーション層がないようにし、前記ビアホールの第１の部分が第１の幅を有し前記ビアホールの第２の部分が第１の幅と異なる第２の幅を有するように前記ビアホールが階段状プロファイルを画定するステップとを含むことを特徴とする方法。
  21. 前記階段状プロファイルが、前記ビアホールの前記第１および第２の幅を有する前記第１の部分と前記第２の部分の間にプラトー領域を備えることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  22. 前記プラトー部分がほぼ前記基板に平行なことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
  23. 前記ビアホールの前記第１の幅の前記第１の部分が前記ビアホールの前記第２の幅の前記第２の部分と前記メサ表面の間にあり、前記第２の幅が前記第１の幅より大きいことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  24. 前記パッシベーション層が第１材料の第１の層と前記第１材料と異なる第２材料の第２の層を含み、前記ビアホールの前記第１の部分が前記第１の層の少なくとも一部分を貫通し、前記ビアホールの前記第２の部分が前記第２の層の少なくとも一部分を貫通することを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  25. 前記パッシベーション層の形成ステップが、前記第１の層の前記第１材料に対して優先的に前記第２の層の前記第２材料をエッチングするエッチング用化学物質を用いて前記第２材料の前記第２の層をエッチングするステップを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  26. 前記ビアホールの前記第１の部分が、前記第２材料の前記第２の層の形成前に前記第１の層の少なくとも前記一部分を貫通して形成されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
  27. 前記ビアホールの前記第１の部分が、前記第２材料の前記第２の層の形成後に前記第１の層の少なくとも前記一部分を貫通して形成されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
  28. 前記第１パッシベーション層の厚さが前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  29. 前記第１材料がアルミニウム酸化膜を含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  30. 前記第２材料がシリコン窒化物を含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
  31. 前記メサ表面上の少なくとも前記パッシベーション層のない部分にコンタクト層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  32. 前記コンタクト層上および前記パッシベーション層上の少なくとも一部分に金属層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
  33. 前記コンタクト層および前記金属層が相異なる材料を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
  34. 前記パッシベーション層の一部分が前記コンタクト層上の前記メサ表面に対向する部分に延びることを特徴とする請求項３１に記載の方法。
  35. 前記コンタクト層が前記パッシベーション層上の少なくとも前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項３１に記載の方法。
  36. 前記半導体構造がＰ型層およびＮ型層を含み、前記Ｐ型層および／または前記Ｎ型層が前記メサ中に含まれることを特徴とする請求項２０に記載の方法。
  37. 半導体デバイスであって、
    基板と、
    メサ表面および前記メサ表面と前記基板の間にメサ側壁を有するメサを画定する、前記基板上の半導体構造と、
    前記メサ側壁の少なくとも一部分上および前記メサ側壁に隣接する前記基板上の第１パッシベーション層であって、前記メサ表面の少なくとも一部分には前記第１パッシベーション層がなく前記第１パッシベーション層が第１材料を含む第１パッシベーション層と、
    前記第１パッシベーション層上の第２パッシベーション層であって、前記メサ表面の少なくとも一部分には前記第２パッシベーション層がなく前記第２パッシベーション層が第１材料と異なる第２材料を含む第２パッシベーション層とを含むことを特徴とするデバイス。
  38. 前記第１パッシベーション層の少なくともメサ表面に隣接する部分には前記第２パッシベーション層がないことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  39. 前記第１と第２のパッシベーション層を合わせた厚さが前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  40. 前記第１パッシベーション層の厚さが前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項３９に記載の半導体デバイス。
  41. 前記メサ表面上の前記第１および第２のパッシベーション層のない部分にコンタクト層をさらに含むことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  42. 前記コンタクト層上に金属層をさらに含み、前記金属層が前記第２パッシベーション層上の少なくとも前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項４１に記載の半導体デバイス。
  43. 前記コンタクト層および前記金属層が相異なる材料を含むことを特徴とする請求項４２に記載の半導体デバイス。
  44. 前記第１パッシベーション層の一部分が、前記コンタクト層の表面上の前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項４１に記載の半導体デバイス。
  45. 前記コンタクト層の一部分が、前記第１および／または第２のパッシベーション層の少なくとも一層上の前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項４１に記載の半導体デバイス。
  46. 前記第１材料がアルミニウム酸化膜を含むことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  47. 前記第２材料がシリコン窒化物を含むことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  48. 前記半導体構造がＰ型層およびＮ型層を含み、前記Ｐ型層および／またはＮ型層の少なくとも一部分が前記メサに含まれることを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  49. 前記第１および第２のパッシベーション層が、前記メサ表面の少なくとも前記第１および第２のパッシベーション層のない部分に隣接する階段状プロファイルを画定することを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  50. 前記第２材料が、所定のエッチング用化学物質を用いて前記第１材料に対して優先的にエッチングされることができる材料を含むことを特徴とする請求項３７に記載の半導体デバイス。
  51. 半導体デバイスであって、
    基板と、
    メサ表面および前記メサ表面と前記基板の間にメサ側壁を有するメサを画定する、前記基板上の半導体構造と、
    前記メサ側壁上および前記メサ側壁に隣接する前記基板上のパッシベーション層とを含み、前記パッシベーション層はその中にビアホールを有し前記メサ表面の少なくとも一部分には前記パッシベーション層がないようにし、前記ビアホールは前記ビアホールの第１の部分が第１の幅を有し前記ビアホールの第１の部分が第１の幅と異なる第２の幅を有するように階段状プロファイルを画定することを特徴とするデバイス。
  52. 前記階段状プロファイルが、前記ビアホールにおける第１の幅の第１の部分と第２の幅の第２の部分の間にプラトー領域を含むことを特徴とする請求項５１に記載の半導体デバイス。
  53. 前記プラトー部分が前記基板にほぼ平行なことを特徴とする請求項５２に記載の半導体デバイス。
  54. 前記ビアホールの前記第１の幅の前記第１の部分が前記ビアホールの前記第２の幅の前記第２の部分と前記メサ表面の間にあり、前記第２の幅が前記第１の幅より大きいことを特徴とする請求項５１に記載の半導体デバイス。
  55. 前記パッシベーション層が第１材料の第１の層と前記第１材料と異なる第２材料の第２の層を含み、前記ビアホールの前記第１の部分が前記第１の層の少なくとも一部分を貫通し、前記ビアホールの前記第２の部分が前記第２の層の少なくとも一部分を貫通することを特徴とする請求項５１に記載の半導体デバイス。
  56. 前記第１パッシベーション層が前記メサの厚さより大きいことを特徴とする請求項５５に記載の半導体デバイス。
  57. 前記第１材料がアルミニウム酸化膜を含むことを特徴とする請求項５５に記載の半導体デバイス。
  58. 前記第２材料がシリコン窒化膜を含むことを特徴とする請求項５５に記載の半導体デバイス。
  59. 前記第２材料が所定のエッチング用化学物質を用いて前記第１材料に対して優先的にエッチングされることができる材料を含むことを特徴とする請求項５５に記載の半導体デバイス。
  60. 前記メサ表面上の少なくとも前記パッシベーション層のない部分にさらにコンタクト層を含むことを特徴とする請求項５１に記載の半導体デバイス。
  61. 前記コンタクト層上および前記パッシベーション層上の少なくとも一部分に金属層をさらに含むことを特徴とする請求項６０に記載の半導体デバイス。
  62. 前記コンタクト層および前記金属層が相異なる材料を含むことを特徴とする請求項６１に記載の半導体デバイス。
  63. 前記パッシベーション層の一部分が前記コンタクト層上の前記メサ表面に対向する部分に延びることを特徴とする請求項６０に記載の半導体デバイス。
  64. 前記コンタクト層が前記パッシベーション層の少なくとも前記基板に対向する部分に延びることを特徴とする請求項６０に記載の半導体デバイス。
  65. 前記半導体構造がＰ型層およびＮ型層を含み、前記Ｐ型層および／または前記Ｎ型層の少なくとも一部分が前記メサに含まれることを特徴とする請求項５１に記載の半導体デバイス。
JP2004563850A 2002-12-20 2003-12-18 メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法 Expired - Lifetime JP5183012B2 (ja)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US43491402P 2002-12-20 2002-12-20
US43499902P 2002-12-20 2002-12-20
US43521102P 2002-12-20 2002-12-20
US43521302P 2002-12-20 2002-12-20
US60/435,213 2002-12-20
US60/434,914 2002-12-20
US60/435,211 2002-12-20
US60/434,999 2002-12-20
PCT/US2003/040682 WO2004059808A2 (en) 2002-12-20 2003-12-18 Methods of forming semiconductor devices including mesa structures and multiple passivation layers and related devices

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006511948A true JP2006511948A (ja) 2006-04-06
JP5183012B2 JP5183012B2 (ja) 2013-04-17

Family

ID=32686283

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004563850A Expired - Lifetime JP5183012B2 (ja) 2002-12-20 2003-12-18 メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法
JP2004563769A Pending JP2006511943A (ja) 2002-12-20 2003-12-18 半導体デバイスの作製方法及び半導体デバイス
JP2004563789A Pending JP2006511944A (ja) 2002-12-20 2003-12-18 半導体メサ構造および導電性接合部を含む電子素子ならびに関連素子を形成する方法
JP2004563767A Expired - Lifetime JP4866550B2 (ja) 2002-12-20 2003-12-18 自己整合型の半導体メサおよびコンタクト層を有する半導体デバイス、および、該デバイスに関連する構造の形成方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004563769A Pending JP2006511943A (ja) 2002-12-20 2003-12-18 半導体デバイスの作製方法及び半導体デバイス
JP2004563789A Pending JP2006511944A (ja) 2002-12-20 2003-12-18 半導体メサ構造および導電性接合部を含む電子素子ならびに関連素子を形成する方法
JP2004563767A Expired - Lifetime JP4866550B2 (ja) 2002-12-20 2003-12-18 自己整合型の半導体メサおよびコンタクト層を有する半導体デバイス、および、該デバイスに関連する構造の形成方法

Country Status (12)

Country Link
US (6) US20040152224A1 (ja)
EP (5) EP1576674A2 (ja)
JP (4) JP5183012B2 (ja)
KR (4) KR20050085756A (ja)
CN (4) CN1726624B (ja)
AT (2) ATE512490T1 (ja)
AU (4) AU2003301089A1 (ja)
CA (4) CA2500647A1 (ja)
DE (1) DE60311678T2 (ja)
HK (1) HK1076330A1 (ja)
TW (4) TWI337373B (ja)
WO (4) WO2004059809A2 (ja)

Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
EP1540746B1 (en) 2002-08-30 2009-11-11 Lumination LLC Coated led with improved efficiency
WO2004059809A2 (en) * 2002-12-20 2004-07-15 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices
GB0302580D0 (en) * 2003-02-05 2003-03-12 Univ Strathclyde MICRO LEDs
US7345309B2 (en) * 2004-08-31 2008-03-18 Lockheed Martin Corporation SiC metal semiconductor field-effect transistor
KR100818522B1 (ko) * 2004-08-31 2008-03-31 삼성전기주식회사 레이저 다이오드의 제조방법
US20060262243A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Lester Steven D Display system and method using a solid state laser
JP2007027164A (ja) * 2005-07-12 2007-02-01 Rohm Co Ltd 半導体発光装置の製造方法及び半導体発光装置
JP2007184426A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US8193591B2 (en) 2006-04-13 2012-06-05 Freescale Semiconductor, Inc. Transistor and method with dual layer passivation
KR100794380B1 (ko) * 2006-05-08 2008-01-15 한국광기술원 메사 측면 활성층이 보호처리된 매몰이종접합구조형 레이저다이오드의 제조방법
US7842960B2 (en) 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US7598104B2 (en) 2006-11-24 2009-10-06 Agency For Science, Technology And Research Method of forming a metal contact and passivation of a semiconductor feature
US7707455B2 (en) * 2007-03-14 2010-04-27 Microsoft Corporation Self-service recovery of application data
US7833695B2 (en) * 2007-05-31 2010-11-16 Corning Incorporated Methods of fabricating metal contact structures for laser diodes using backside UV exposure
US8237183B2 (en) * 2007-08-16 2012-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
KR100892983B1 (ko) * 2007-09-05 2009-04-10 한국광기술원 매립형 레이저 다이오드 형성 방법
JP2009129943A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Mitsubishi Electric Corp 窒化物半導体装置とその製造方法
US7935620B2 (en) 2007-12-05 2011-05-03 Freescale Semiconductor, Inc. Method for forming semiconductor devices with low leakage Schottky contacts
JP2009158745A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US9318874B2 (en) * 2009-06-03 2016-04-19 Nichia Corporation Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
JP5742325B2 (ja) * 2010-03-25 2015-07-01 日亜化学工業株式会社 半導体レーザ素子及びその製造方法
KR101731056B1 (ko) * 2010-08-13 2017-04-27 서울바이오시스 주식회사 오믹 전극 구조체를 갖는 반도체 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
US20120149176A1 (en) * 2010-12-10 2012-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for forming a iii-v family layer
US20130009045A1 (en) * 2011-07-07 2013-01-10 Raytheon Company Self-Aligned Contacts for Photosensitive Detection Devices
US10115764B2 (en) 2011-08-15 2018-10-30 Raytheon Company Multi-band position sensitive imaging arrays
GB2494008A (en) * 2011-08-23 2013-02-27 Oclaro Technology Ltd semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device
CN103021840B (zh) * 2011-09-23 2015-11-04 中国科学院微电子研究所 防止钝化层过刻蚀的方法
US8710859B2 (en) * 2011-09-23 2014-04-29 Powertech Technology Inc. Method for testing multi-chip stacked packages
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
JP6220864B2 (ja) * 2012-05-08 2017-10-25 メイコム テクノロジー ソリューションズ ホールディングス インコーポレイテッド ビーム形状の改良を伴うレーザ
JP6205826B2 (ja) * 2013-05-01 2017-10-04 住友電気工業株式会社 半導体光素子の製造方法
RU2617179C2 (ru) * 2014-11-14 2017-04-21 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН) Способ усиления мощности радиочастотно-модулированного терагерцового излучения 30-периодной слабосвязанной полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs
CN109154697B (zh) * 2016-05-20 2020-11-10 镁可微波技术有限公司 半导体激光器和用于使半导体激光器平坦化的方法
KR102505559B1 (ko) * 2016-10-06 2023-03-06 스테판 위드함 먼지 결합 장치 및 방법
WO2018204402A1 (en) * 2017-05-01 2018-11-08 Ohio State Innovation Foundation Tunnel junction ultraviolet light emitting diodes with enhanced light extraction efficiency
CN108666216B (zh) * 2018-05-15 2021-05-07 西安电子科技大学 基于叠层钝化结构的hemt器件及其制备方法
KR102544296B1 (ko) * 2018-09-13 2023-06-16 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 표면발광레이저 소자 및 이를 구비한 표면발광레이저 장치
CN109659810B (zh) * 2018-12-24 2021-10-08 香港中文大学（深圳） 一种降低微腔半导体激光器阈值的方法
WO2020136012A1 (en) 2018-12-26 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing an aperture device
WO2020258282A1 (en) * 2019-06-28 2020-12-30 Boe Technology Group Co., Ltd. Radiation detection and method of fabricating radiation detector
EP4052284A4 (en) * 2019-10-30 2022-12-28 The Regents of the University of California METHOD OF IMPROVING THE PERFORMANCE OF GALLIUM-CONTAINING LIGHT EMITTING DEVICES
US11626532B2 (en) 2021-01-06 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming light emitting diodes

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0396289A (ja) * 1989-09-08 1991-04-22 Nec Corp 半導体レーザ
JPH04276682A (ja) * 1990-12-20 1992-10-01 American Teleph & Telegr Co <Att> 半導体レーザとそれを有する装置とその製造方法
JPH0936484A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH09283845A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JPH10290025A (ja) * 1997-04-15 1998-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレイ
JPH11150334A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Sony Corp 半導体発光素子
JP2000004063A (ja) * 1998-02-17 2000-01-07 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその電極形成方法
JP2001094197A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Nec Corp 自励発振型半導体レーザ
JP2001185817A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体および半導体素子
JP2002222859A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子のコンタクト電極形成方法
JP2002335048A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Sony Corp 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2002359436A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザダイオード、並びにその製造方法

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US592053A (en) * 1897-10-19 Antifriction-bearing
US45015A (en) * 1864-11-15 Improvement in flaring metal hoops
US15721A (en) * 1856-09-09 Improvement in harvesters
US542995A (en) * 1895-07-23 Mechanism for giving reciprocating motion to canvas
US93020A (en) * 1869-07-27 Improvement in eye-xlasses
US123164A (en) * 1872-01-30 Improvement in fishing-apparatus
US6418A (en) * 1849-05-01 Improvement in the preparation of flour for bread-making
US22290A (en) * 1858-12-14 Harness-snap
US25121A (en) * 1859-08-16 Improvement in mole-plows
US920409A (en) * 1908-11-21 1909-05-04 Rudolf Wild Manicure implement.
GB406665A (en) * 1932-08-30 1934-02-28 Roger Harry Cubitt Improvements relating to the manufacture of photo-electric cells
US3495140A (en) * 1967-10-12 1970-02-10 Rca Corp Light-emitting diodes and method of making same
US4142160A (en) * 1972-03-13 1979-02-27 Hitachi, Ltd. Hetero-structure injection laser
US3865646A (en) * 1972-09-25 1975-02-11 Bell Telephone Labor Inc Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same
US3833435A (en) * 1972-09-25 1974-09-03 Bell Telephone Labor Inc Dielectric optical waveguides and technique for fabricating same
GB1432697A (en) * 1973-05-04 1976-04-22 Standard Telephones Cables Ltd Optically coupled semiconductive switching devices
US4084130A (en) * 1974-01-18 1978-04-11 Texas Instruments Incorporated Laser for integrated optical circuits
GB1478152A (en) * 1974-10-03 1977-06-29 Standard Telephones Cables Ltd Light emissive diode
NL176323C (nl) * 1975-03-11 1985-03-18 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van incoherente straling.
US4099305A (en) * 1977-03-14 1978-07-11 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Fabrication of mesa devices by MBE growth over channeled substrates
US4236122A (en) * 1978-04-26 1980-11-25 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Mesa devices fabricated on channeled substrates
US4276098A (en) * 1980-03-31 1981-06-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Batch processing of semiconductor devices
DE3208638A1 (de) * 1982-03-10 1983-09-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzdiode aus siliziumkarbid
JPS61236189A (ja) * 1985-04-11 1986-10-21 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
FR2613547B1 (fr) * 1987-04-01 1989-06-23 Cit Alcatel Laser semiconducteur a heterostructure enterree
US5003548A (en) * 1988-09-21 1991-03-26 Cornell Research Foundation, Inc. High power (1,4 W)AlGaInP graded-index separate confinement heterostructure visible (λ-658 nm) laser
JP2650744B2 (ja) 1988-12-28 1997-09-03 シャープ株式会社 発光ダイオード
JPH02188983A (ja) * 1989-01-17 1990-07-25 Nec Corp 埋め込み構造半導体レーザ装置
KR900013612A (ko) * 1989-02-17 1990-09-05 프레데릭 얀 스미트 두 물체의 연결 방법 및 장치
US4966862A (en) 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
JP3011729B2 (ja) * 1990-01-16 2000-02-21 沖電気工業株式会社 バイポーラ型半導体集積回路装置の製造方法
DE69010485T2 (de) * 1990-04-06 1995-01-26 Ibm Verfahren zur Erzeugung der Stegstruktur eines selbstausrichtenden Halbleiterlasers.
US5243204A (en) * 1990-05-18 1993-09-07 Sharp Kabushiki Kaisha Silicon carbide light emitting diode and a method for the same
US5208183A (en) * 1990-12-20 1993-05-04 At&T Bell Laboratories Method of making a semiconductor laser
US5260230A (en) * 1991-07-12 1993-11-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing buried heterostructure semiconductor laser
JPH05235481A (ja) * 1992-02-21 1993-09-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体発光装置およびその製造方法
EP0589727B1 (en) * 1992-09-25 1997-03-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device
US5276699A (en) * 1992-11-05 1994-01-04 Eastman Kodak Company Depressed-index ridge waveguide laser diode containing a stabilizing region
DE4305296C3 (de) 1993-02-20 1999-07-15 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
JP3312146B2 (ja) * 1993-06-25 2002-08-05 株式会社日立製作所 磁気ヘッドおよびその製造方法
JPH0750448A (ja) * 1993-08-04 1995-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
US5422901A (en) * 1993-11-15 1995-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor device with high heat conductivity
JP2822868B2 (ja) * 1993-12-10 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体レーザの製造方法
US5418190A (en) 1993-12-30 1995-05-23 At&T Corp. Method of fabrication for electro-optical devices
DE69517614T2 (de) * 1994-03-22 2001-02-15 Uniphase Opto Holdings Inc Halbleiterdiodenlaser und dessen Herstellungsverfahren
US5559053A (en) * 1994-04-14 1996-09-24 Lucent Technologies Inc. Vertical cavity semiconductor laser
US5838029A (en) 1994-08-22 1998-11-17 Rohm Co., Ltd. GaN-type light emitting device formed on a silicon substrate
US5592501A (en) * 1994-09-20 1997-01-07 Cree Research, Inc. Low-strain laser structures with group III nitride active layers
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JP3497627B2 (ja) * 1994-12-08 2004-02-16 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US5787104A (en) * 1995-01-19 1998-07-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same
US5661074A (en) * 1995-02-03 1997-08-26 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
US5739554A (en) 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
KR970008386A (ko) * 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
DE19536438A1 (de) 1995-09-29 1997-04-03 Siemens Ag Halbleiterbauelement und Herstellverfahren
KR0172797B1 (ko) * 1995-10-16 1999-03-30 김주용 레이저 다이오드 및 그 제조방법
JPH11501166A (ja) * 1995-12-21 1999-01-26 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ エピタキシャルｐｎ接合を備えた半導体装置の製造方法
KR970054992A (ko) * 1995-12-29 1997-07-31 김주용 레이저 다이오드 제조방법
KR970054972A (ko) * 1995-12-29 1997-07-31 김주용 레이저 다이오드 제조방법
US5923690A (en) * 1996-01-25 1999-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser device
JPH09270569A (ja) * 1996-01-25 1997-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置
US5874747A (en) * 1996-02-05 1999-02-23 Advanced Technology Materials, Inc. High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same
JPH09270528A (ja) 1996-03-29 1997-10-14 Sanyo Electric Co Ltd 発光ダイオード素子及びその製造方法
JPH1027940A (ja) * 1996-07-12 1998-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザー装置
US5668049A (en) * 1996-07-31 1997-09-16 Lucent Technologies Inc. Method of making a GaAs-based laser comprising a facet coating with gas phase sulphur
JPH1075011A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Sony Corp 半導体レーザ
JPH1075009A (ja) * 1996-08-30 1998-03-17 Nec Corp 光半導体装置とその製造方法
KR100251348B1 (ko) * 1996-12-30 2000-05-01 김영환 Rwg 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
JP3954686B2 (ja) 1997-03-24 2007-08-08 平田機工株式会社 基板の搬送装置及び基板の搬送方法
JP3897186B2 (ja) * 1997-03-27 2007-03-22 シャープ株式会社 化合物半導体レーザ
WO1998047170A1 (en) * 1997-04-11 1998-10-22 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device
US5923946A (en) * 1997-04-17 1999-07-13 Cree Research, Inc. Recovery of surface-ready silicon carbide substrates
JP3339369B2 (ja) 1997-05-30 2002-10-28 株式会社デンソー レーザダイオード
US6825501B2 (en) * 1997-08-29 2004-11-30 Cree, Inc. Robust Group III light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
EP1018169B1 (en) 1997-08-29 2004-10-13 Cree, Inc. Robust group iii nitride light emitting diode for high reliability in standard packaging applications
US5972781A (en) 1997-09-30 1999-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing semiconductor chips
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
JP3270374B2 (ja) * 1997-11-07 2002-04-02 日本電気株式会社 半導体レーザの製造方法
JP3653169B2 (ja) * 1998-01-26 2005-05-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
JP4166885B2 (ja) * 1998-05-18 2008-10-15 富士通株式会社 光半導体装置およびその製造方法
JP4352473B2 (ja) * 1998-06-26 2009-10-28 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4245691B2 (ja) * 1998-08-04 2009-03-25 シャープ株式会社 窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び光ピックアップ装置
US6365968B1 (en) * 1998-08-07 2002-04-02 Corning Lasertron, Inc. Polyimide/silicon oxide bi-layer for bond pad parasitic capacitance control in semiconductor electro-optical device
JP3348024B2 (ja) * 1998-08-17 2002-11-20 松下電器産業株式会社 半導体レーザ装置
US6459100B1 (en) * 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
KR100281692B1 (ko) * 1998-10-17 2001-03-02 윤종용 반도체 장치의 자기정렬 콘택 패드 및 그 형성 방법
US6413839B1 (en) * 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
US6255198B1 (en) 1998-11-24 2001-07-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
JP3907854B2 (ja) * 1998-12-07 2007-04-18 富士通株式会社 半導体レーザ及びその製造方法
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6201264B1 (en) 1999-01-14 2001-03-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Advanced semiconductor devices fabricated with passivated high aluminum content III-V materials
JP2000223742A (ja) 1999-01-29 2000-08-11 Toshiba Corp 窒素化合物半導体素子
EP1168539B1 (en) * 1999-03-04 2009-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
JP3459607B2 (ja) * 1999-03-24 2003-10-20 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2000299528A (ja) * 1999-04-12 2000-10-24 Nec Corp 半導体レーザおよびその製造方法
JP3735638B2 (ja) * 1999-04-23 2006-01-18 ソニー株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JP2001156398A (ja) * 1999-05-19 2001-06-08 Canon Inc 半導体素子の製造方法、半導体素子、及びジャイロ
US6432788B1 (en) * 1999-07-22 2002-08-13 Implant Sciences Corporation Method for fabricating an emitter-base junction for a gallium nitride bipolar transistor
US6812053B1 (en) * 1999-10-14 2004-11-02 Cree, Inc. Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures
JP2001148532A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
US6835963B2 (en) * 1999-12-22 2004-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting element and method of fabrication thereof
US6699775B2 (en) * 2000-02-22 2004-03-02 International Rectifier Corporation Manufacturing process for fast recovery diode
JP3636976B2 (ja) * 2000-03-17 2005-04-06 日本電気株式会社 窒化物半導体素子およびその製造方法
JP4060511B2 (ja) 2000-03-28 2008-03-12 パイオニア株式会社 窒化物半導体素子の分離方法
US6475889B1 (en) 2000-04-11 2002-11-05 Cree, Inc. Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits
JP3484394B2 (ja) * 2000-04-12 2004-01-06 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 光半導体装置およびその製造方法
US7266515B2 (en) * 2000-04-20 2007-09-04 General Electric Company Method and system for graphically identifying replacement parts for generally complex equipment
US6420252B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-16 Emcore Corporation Methods of forming robust metal contacts on compound semiconductors
US6642270B2 (en) * 2000-05-15 2003-11-04 Paratek Pharmaceuticals, Inc. 7-substituted fused ring tetracycline compounds
CN1251372C (zh) * 2000-06-08 2006-04-12 日亚化学工业株式会社 半导体激光元件及其制造方法
US6432735B1 (en) * 2000-06-23 2002-08-13 Agere Systems Guardian Corp. High power single mode laser and method of fabrication
KR100338803B1 (ko) * 2000-08-12 2002-05-31 이형도 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
JP2002094181A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Sony Corp 半導体レーザ素子及びその作製方法
JP2002094189A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Sharp Corp 窒化物半導体レーザ素子およびそれを用いた光学装置
US6387804B1 (en) 2000-09-19 2002-05-14 Advanced Micro Devices, Inc. Passivation of sidewall spacers using ozonated water
US6475100B1 (en) * 2000-10-11 2002-11-05 Callaway Golf Company Golf club head with adjustable face angle
US7053413B2 (en) * 2000-10-23 2006-05-30 General Electric Company Homoepitaxial gallium-nitride-based light emitting device and method for producing
DE10054966A1 (de) 2000-11-06 2002-05-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement für die Optoelektronik
KR100346843B1 (ko) * 2000-12-07 2002-08-03 삼성전자 주식회사 층간절연막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US6800876B2 (en) * 2001-01-16 2004-10-05 Cree, Inc. Group III nitride LED with undoped cladding layer (5000.137)
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP3849758B2 (ja) * 2001-04-12 2006-11-22 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
WO2002101894A1 (fr) * 2001-05-31 2002-12-19 Nichia Corporation Element laser a semi-conducteurs
JP3876649B2 (ja) * 2001-06-05 2007-02-07 ソニー株式会社 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
CN1505843B (zh) * 2001-06-15 2010-05-05 克里公司 在SiC衬底上形成的GaN基LED
US6740906B2 (en) 2001-07-23 2004-05-25 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for submount bonding
US6747298B2 (en) * 2001-07-23 2004-06-08 Cree, Inc. Collets for bonding of light emitting diodes having shaped substrates
US6888167B2 (en) * 2001-07-23 2005-05-03 Cree, Inc. Flip-chip bonding of light emitting devices and light emitting devices suitable for flip-chip bonding
US6977953B2 (en) * 2001-07-27 2005-12-20 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor light-emitting device and method of fabricating the same
US6746948B2 (en) * 2001-09-17 2004-06-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor light-emitting device
DE10148227B4 (de) 2001-09-28 2015-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zu dessen Herstellung und strahlungsemittierendes Bauelement
US6580054B1 (en) * 2002-06-10 2003-06-17 New Wave Research Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser
US6995032B2 (en) * 2002-07-19 2006-02-07 Cree, Inc. Trench cut light emitting diodes and methods of fabricating same
US20040075160A1 (en) * 2002-10-18 2004-04-22 Jack Eng Transient voltage suppressor having an epitaxial layer for higher avalanche voltage operation
DE10254190B4 (de) * 2002-11-20 2005-12-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Infrarothalbleiterlaser
WO2004059809A2 (en) * 2002-12-20 2004-07-15 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0396289A (ja) * 1989-09-08 1991-04-22 Nec Corp 半導体レーザ
JPH04276682A (ja) * 1990-12-20 1992-10-01 American Teleph & Telegr Co <Att> 半導体レーザとそれを有する装置とその製造方法
JPH0936484A (ja) * 1995-07-14 1997-02-07 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ及びその製造方法
JPH09283845A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JPH10290025A (ja) * 1997-04-15 1998-10-27 Oki Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄアレイ
JPH11150334A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Sony Corp 半導体発光素子
JP2000004063A (ja) * 1998-02-17 2000-01-07 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその電極形成方法
JP2001094197A (ja) * 1999-09-21 2001-04-06 Nec Corp 自励発振型半導体レーザ
JP2001185817A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体および半導体素子
JP2002222859A (ja) * 2001-01-26 2002-08-09 Sanken Electric Co Ltd 半導体素子のコンタクト電極形成方法
JP2002335048A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Sony Corp 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2002359436A (ja) * 2001-05-30 2002-12-13 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザダイオード、並びにその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI337373B (en) 2011-02-11
JP4866550B2 (ja) 2012-02-01
EP1573870A2 (en) 2005-09-14
TW200418085A (en) 2004-09-16
US20040147094A1 (en) 2004-07-29
EP1830416B1 (en) 2011-06-08
WO2004059809A3 (en) 2005-04-07
CN1729600B (zh) 2010-05-26
CA2504099A1 (en) 2004-07-15
EP1830416A3 (en) 2007-10-24
KR20050085756A (ko) 2005-08-29
KR20050085290A (ko) 2005-08-29
US7329569B2 (en) 2008-02-12
US20080135982A1 (en) 2008-06-12
ATE512490T1 (de) 2011-06-15
AU2003299748A1 (en) 2004-07-22
KR101020387B1 (ko) 2011-03-08
CA2504098A1 (en) 2004-07-15
HK1076330A1 (en) 2006-01-13
TWI338320B (en) 2011-03-01
TWI334620B (en) 2010-12-11
ATE353484T1 (de) 2007-02-15
CN1729581A (zh) 2006-02-01
US7160747B2 (en) 2007-01-09
JP2006511944A (ja) 2006-04-06
TW200423218A (en) 2004-11-01
JP2006511942A (ja) 2006-04-06
TW200416812A (en) 2004-09-01
WO2004059751A2 (en) 2004-07-15
CN1729582A (zh) 2006-02-01
JP5183012B2 (ja) 2013-04-17
CN1729600A (zh) 2006-02-01
CN1726624A (zh) 2006-01-25
EP1830416A2 (en) 2007-09-05
DE60311678D1 (de) 2007-03-22
EP1573827A2 (en) 2005-09-14
US20040147054A1 (en) 2004-07-29
CA2503854A1 (en) 2004-07-15
WO2004059706A2 (en) 2004-07-15
US7642626B2 (en) 2010-01-05
AU2003301057A1 (en) 2004-07-22
KR101045160B1 (ko) 2011-06-30
EP1573870B1 (en) 2007-02-07
WO2004059809A2 (en) 2004-07-15
US20040152224A1 (en) 2004-08-05
EP1573871B1 (en) 2018-03-07
KR20050084406A (ko) 2005-08-26
US20070007544A1 (en) 2007-01-11
WO2004059751A3 (en) 2004-09-30
AU2003301055A1 (en) 2004-07-22
AU2003301055A8 (en) 2004-07-22
US20040149997A1 (en) 2004-08-05
KR20050085757A (ko) 2005-08-29
DE60311678T2 (de) 2007-11-22
WO2004059808A2 (en) 2004-07-15
CN1726624B (zh) 2010-05-26
AU2003301089A1 (en) 2004-07-22
AU2003301057A8 (en) 2004-07-22
TW200501199A (en) 2005-01-01
AU2003301089A8 (en) 2004-07-22
US7613219B2 (en) 2009-11-03
CA2500647A1 (en) 2004-07-15
WO2004059706A3 (en) 2005-01-06
WO2004059808A3 (en) 2004-12-09
EP1573871A2 (en) 2005-09-14
EP1576674A2 (en) 2005-09-21
JP2006511943A (ja) 2006-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5183012B2 (ja) メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法
CN113410759A (zh) 一种半导体激光器集成芯片及其制备方法
JP2008204973A (ja) 窒化物半導体デバイス
KR100991784B1 (ko) 질화물 반도체 레이저 다이오드의 웨이퍼 벤딩 줄이는 방법
KR20210130939A (ko) 레이저 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100818

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20101207

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20110301

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110315

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120622

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120921

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121214

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130115

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5183012

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term