KR100818522B1 - 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판 상에 적어도 하부 클래드층, 공진층, 상부 클래드층, 상부 콘택트층, 상부 전극층 및 희생층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 희생층에서부터 상부 클래드층의 소정깊이까지 에칭하여 리지부를 형성하는 단계;상기 리지부의 측면으로 노출된 상부 전극층을 소정깊이로 에칭하여 상부 콘택트층의 양측 상면과 이에 대응하는 상기 희생층의 양측 저면을 노출시키는 단계;상기 리지부의 표면 및 리지부로부터 연장되는 상부 클래층의 상면에 형성되는 것으로, 상기 희생층의 적어도 일측 저면이 노출되도록 개구부를 갖는 소정두께의 매립층을 형성하는 단계; 및상기 개구부를 통해 에천트를 공급하여 상기 희생층 및 그 위의 매립층 부분을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 노출된 상부 전극층의 에칭은 H2SO4 와 H2O2의 혼합액을 이용하는 습식에칭 공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 희생층과 그 위의 매립층 부분은 리프트오프법에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 희생층의 제거는 습식에칭 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 희생층은 상기 노출된 희생층의 적어도 일측 저면을 통하여 유입되는 에천트에 의해 선택적으로 에칭되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 에천트는 BOE 용액 또는 HF 용액인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 개구부는 상기 희생층의 저면 및 상기 상부 전극층의 측면에 대응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 희생층은 실리콘 산화물로 형성되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 실리콘 산화물은 SiO2이며, 그 두께는 100Å 내지 10000Å인 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 매립층은 TiO2로 형성되며, 그 두께는 100Å 내지 10000Å인 것을 특징 으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040069149A KR100818522B1 (ko) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
CNB2005100702039A CN100446362C (zh) | 2004-08-31 | 2005-05-10 | 激光二极管的制造方法 |
US11/152,255 US7344904B2 (en) | 2004-08-31 | 2005-06-15 | Method of fabricating laser diode |
JP2005248345A JP4938267B2 (ja) | 2004-08-31 | 2005-08-29 | レーザダイオードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040069149A KR100818522B1 (ko) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060020329A KR20060020329A (ko) | 2006-03-06 |
KR100818522B1 true KR100818522B1 (ko) | 2008-03-31 |
Family
ID=36139660
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040069149A KR100818522B1 (ko) | 2004-08-31 | 2004-08-31 | 레이저 다이오드의 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7344904B2 (ko) |
JP (1) | JP4938267B2 (ko) |
KR (1) | KR100818522B1 (ko) |
CN (1) | CN100446362C (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY128323A (en) | 1996-09-30 | 2007-01-31 | Otsuka Pharma Co Ltd | Thiazole derivatives for inhibition of cytokine production and of cell adhesion |
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2004
- 2004-08-31 KR KR1020040069149A patent/KR100818522B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-05-10 CN CNB2005100702039A patent/CN100446362C/zh active Active
- 2005-06-15 US US11/152,255 patent/US7344904B2/en active Active
- 2005-08-29 JP JP2005248345A patent/JP4938267B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7344904B2 (en) | 2008-03-18 |
JP2006074043A (ja) | 2006-03-16 |
CN1744396A (zh) | 2006-03-08 |
JP4938267B2 (ja) | 2012-05-23 |
CN100446362C (zh) | 2008-12-24 |
KR20060020329A (ko) | 2006-03-06 |
US20060045155A1 (en) | 2006-03-02 |
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A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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