KR900013612A - 두 물체의 연결 방법 및 장치 - Google Patents

두 물체의 연결 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR900013612A
KR900013612A KR1019900001888A KR900001888A KR900013612A KR 900013612 A KR900013612 A KR 900013612A KR 1019900001888 A KR1019900001888 A KR 1019900001888A KR 900001888 A KR900001888 A KR 900001888A KR 900013612 A KR900013612 A KR 900013612A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
objects
support member
optically smooth
contact
gas
Prior art date
Application number
KR1019900001888A
Other languages
English (en)
Inventor
게라르두스 보오버 아드리아누스
루도비쿠스 마리아 하겐 요한네스
하이스마 얀
마르티누스 발라벤 벨헬무스
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔.브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 엔.브이. 필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR900013612A publication Critical patent/KR900013612A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76Making of isolation regions between components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • H01L21/30612Etching of AIIIBV compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005Processes
    • H01L33/0062Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227Buried mesa structure ; Striped active layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/227Buried mesa structure ; Striped active layer
    • H01S5/2275Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

두 물체의 연결 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 서로 연결된 두 물체의 투시도,
제 2도는 서로 연결된 후의 두 물체를 도시한 도면,
제 3내지 5도는 본 발명에 따른 제 1방법의 3단계를 도시한 도면,
제 6내지 8도는 제 2방법을 설명하는 도면,
제 9 및 10도는 제 3방법을 설명하는 도면.

Claims (10)

  1. 반도체 기술에 사용된 것과 같이, 예컨대 절연 물질의 한 슬라이스 및 단결정 반도체 물질의 한 슬라이스와 같은 물체의 연결 방법으로서, 상기 두 물체는 광학적으로 매끄러운 상보 표면으로 제공되어, 이 표면과 함께 서로 접촉되며, 결국 두 물체의 원자 사이에서 원자 결합되도록 구성되는 두 물체의 연결방법에 있어서, 상기 두 물체가 광학적 매끄러운 표면으로 제공된 후, 상기 물체는 이 광학 표면이 서로에 대해 비평행 위치를 갖는위치내에서 서로 국부적으로 접촉되고, 그런 다음, 상기 물체는 광학적으로 매끄러운 표면이 최종 평행한 위치로 서로 접촉될때까지 서로에 대해 움직여지는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법.
  2. 제 1항의 방법에 있어서, 적어도 하나의 물체는 상기 물체의 광학적으로 매끄러운 표면이 다소 변형되는 힘을 받기 쉬우며, 그런 다음 두 물체는 서로 국부적으로 접촉되어, 결국 변형이 소멸되는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법.
  3. 광학적으로 매끄러운 직선 표면을 가지는 두 물체를 연결하는 제 2항의 방법에 있어서, 상기 광학 표면이 원통형 표면에 따라 구부러지는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법.
  4. 광학적으로 매끄러운 직선 표면을 가진 두 물체를 연결하는 제 2항의 방법에 있어서, 상기 광학적으로 매끄러운 표면은 구면의 한호를 따라 블록 굴곡형으로 되는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법.
  5. 제 2,3 또는 4항의 방법에 있어서, 두 물체 중 적어도 하나는 가스 도관을 구비한 지지부재 상에 설치되며, 상기 물체는 상기 고관내의 부분 진공 발생에 의해 힘을 받기 쉬운 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결방법.
  6. 제 5항의 방법에 있어서, 상기 가스가 수소인 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법.
  7. 선행 청구항의 어느 항에 청구된 바와 같은 방법을 실행하기 위한 장치에 있어서, 상기 장치는 각 물체에 대한 지지부재를 포함하고, 이 지지부재중 적어도 하나는 다른 하나에 대해 유동적이며, 이 지지부재는 물체에 대한 위치 설정 소자로 제공되는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결방법.
  8. 제 7항에 장치에 있어서, 각 지지부재는 물체에 대한 지지표면을 구비하며, 상기 가스 도관은 지지표면에서 종결하여, 이 지지표면과 물체 사이에서 발생하는 가스압에 영향을 미치는 가스-배수 장치에 연결되는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법을 실행하기 위한 장치.
  9. 제 7또는 8항의 장치에 있어서, 한 지지부재가 물체에 대한 조립 위치 및 작동 위치를 가지며, 두 위치사이에서 움직이는 회전 및 이동 기계 장치를 갖추고 있으며, 상기 작동 위치가 위치 설정 소자에 의해 한정되는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법을 실행하기 위한 장치.
  10. 제 8항의 장치에 있어서, 상기 지지부재가 물체에 대한 블록형의 지지표면을 갖는 것을 특징으로 하는 두 물체의 연결 방법을 실행하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900001888A 1989-02-17 1990-02-16 두 물체의 연결 방법 및 장치 KR900013612A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLB900388 1989-02-17
NL9000388A NL9000388A (nl) 1990-02-19 1990-02-19 Werkwijze voor het vervaardigen van een een mesa bevattende halfgeleiderinrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900013612A true KR900013612A (ko) 1990-09-05

Family

ID=19856621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900001888A KR900013612A (ko) 1989-02-17 1990-02-16 두 물체의 연결 방법 및 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5128276A (ko)
EP (1) EP0443671B1 (ko)
JP (1) JPH04214683A (ko)
KR (1) KR900013612A (ko)
DE (1) DE69109345T2 (ko)
NL (1) NL9000388A (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2672740B1 (fr) * 1991-02-08 1995-03-31 Alcatel Nv Procede de realisation d'un laser semiconducteur planaire a ruban enterre.
FR2674684A1 (fr) * 1991-03-28 1992-10-02 Alcatel Nv Procede de realisation d'un composant semiconducteur tel qu'un laser a ruban enterre.
JP3257034B2 (ja) * 1992-06-03 2002-02-18 ソニー株式会社 化合物半導体装置とその製造方法
US5360763A (en) * 1992-09-07 1994-11-01 Nec Corporation Method for fabricating an optical semiconductor device
US5639674A (en) * 1994-03-14 1997-06-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light-emitting element and method for manufacturing therefor
US5608234A (en) * 1994-11-14 1997-03-04 The Whitaker Corporation Semi-insulating edge emitting light emitting diode
US5629232A (en) * 1994-11-14 1997-05-13 The Whitaker Corporation Method of fabricating semiconductor light emitting devices
JP2002008980A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Sony Corp 半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法
JP3610951B2 (ja) * 2002-01-16 2005-01-19 ソニー株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
DE60311678T2 (de) * 2002-12-20 2007-11-22 Cree, Inc. Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen mit mesastrukturen und vielfachen passivierungsschichten und verwandte vorrichtungen
GB2586861B (en) * 2019-09-06 2022-01-19 Plessey Semiconductors Ltd Light Emitting Diode and method of forming a Light Emitting Diode
GB2586862B (en) * 2019-09-06 2021-12-15 Plessey Semiconductors Ltd LED precursor incorporating strain relaxing structure

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL190774A (ko) * 1971-06-18
JPS56157082A (en) * 1980-05-09 1981-12-04 Hitachi Ltd Semiconductor laser device and manufacture
JPS57139982A (en) * 1981-02-24 1982-08-30 Nec Corp Semiconductor laser element
EP0157555B1 (en) * 1984-03-27 1990-10-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. A semiconductor laser and a method of producing the same
JPS6167285A (ja) * 1984-09-10 1986-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レ−ザ装置
JPS61154091A (ja) * 1984-12-26 1986-07-12 Fujitsu Ltd 半導体発光素子の製造方法
JPS63284878A (ja) * 1987-04-30 1988-11-22 シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト 埋込み活性層をもつレーザダイオードの製造方法
US4779282A (en) * 1987-10-05 1988-10-18 Hughes Aircraft Company Low leakage current GaInAsP/InP buried heterostructure laser and method of fabrication
US4943540A (en) * 1988-12-28 1990-07-24 At&T Bell Laboratories Method for selectively wet etching aluminum gallium arsenide

Also Published As

Publication number Publication date
NL9000388A (nl) 1991-09-16
EP0443671B1 (en) 1995-05-03
US5128276A (en) 1992-07-07
EP0443671A1 (en) 1991-08-28
DE69109345T2 (de) 1996-01-04
DE69109345D1 (de) 1995-06-08
JPH04214683A (ja) 1992-08-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900013612A (ko) 두 물체의 연결 방법 및 장치
KR910005382A (ko) 반도체기판의 접착방법 및 접착장치
DE3776085D1 (de) Testtraeger zur analytischen bestimmung eines bestandteils einer koerperfluessigkeit.
KR960043348A (ko) 납작 케이블용 무삽입력 전기 커넥터
GB2354198A (en) Soft squeeze clamp and expansion device
DE69200553T2 (de) Beweglicher Objekttisch.
JPS56163854A (en) Clamping jig device
AU2003250356A1 (en) Flexible graphite sealing joint with metal jacket for high temperature
SE8206581L (sv) Metprob
EP0377169A3 (de) Schaltgerät
SE8901734D0 (sv) Kran
SE8401974D0 (sv) Elektromekanisk stavformad givare for omvandling av metverden
WO2001006543A3 (en) Microelectromechanical device with moving element
CA2002094A1 (en) Mechanical pressure switch
NZ334574A (en) Device for measuring the surface pressure of a film formed at the interface between a liquid and gaseous phase
SE8002771L (sv) Anordning for paleggning av en kraft, som skall metas, pa en bojstav
KR950012504A (ko) 기구부품 및 그 제조방법
JPS63238416A (ja) 2次元インチワ−ムとその原点位置合わせ装置
ATE70250T1 (de) Justierbare fuehrung fuer bewegte bahnen oder stoffbahnen.
KR900000250A (ko) 부우스터 장착 시스템
KR950000514A (ko) 밀착판형 추진장치
SE9000307D0 (sv) Taetningsanordning vid kaernreaktor
KR970017921A (ko) 진공 트위저를 사용하는 반도체 제조장치
ATE189850T1 (de) Elektrisches gerät mit auf einen kontaktträger montierten beweglichen kontakten
KR970067999A (ko) 존데를 도파관에 결합시키기 위한 장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid