JP2001094197A - 自励発振型半導体レーザ - Google Patents
自励発振型半導体レーザInfo
- Publication number
- JP2001094197A JP2001094197A JP26733799A JP26733799A JP2001094197A JP 2001094197 A JP2001094197 A JP 2001094197A JP 26733799 A JP26733799 A JP 26733799A JP 26733799 A JP26733799 A JP 26733799A JP 2001094197 A JP2001094197 A JP 2001094197A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- layer
- self
- cladding layer
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高温まで自励発振動作を維持できる自励発振型
半導体レーザを提供する。 【解決手段】メサストライプを有する自励発振型半導体
レーザにおいて、メサストライプ下の活性層に隣接した
第１のｐ型クラッド層のキャリア濃度を１〜４．５×１
０17ｃｍ-3、第１のｐ型クラッド層上方に設けたメサス
トライプ状の第２のｐ型クラッド層のキャリア濃度を５
×１０17ｃｍ-3以上にすることにより、自励発振動作温
度範囲を拡大する。
半導体レーザを提供する。 【解決手段】メサストライプを有する自励発振型半導体
レーザにおいて、メサストライプ下の活性層に隣接した
第１のｐ型クラッド層のキャリア濃度を１〜４．５×１
０17ｃｍ-3、第１のｐ型クラッド層上方に設けたメサス
トライプ状の第２のｐ型クラッド層のキャリア濃度を５
×１０17ｃｍ-3以上にすることにより、自励発振動作温
度範囲を拡大する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルバーサタ
イルディスク（ＤＶＤ）、光磁気（ＭＯ）ディスク等の
光ディスク用光源等として用いられるＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ、特に光ディスクからの戻り光に強
い自励発振型の半導体レーザに関する。
イルディスク（ＤＶＤ）、光磁気（ＭＯ）ディスク等の
光ディスク用光源等として用いられるＡｌＧａＩｎＰ系
可視光半導体レーザ、特に光ディスクからの戻り光に強
い自励発振型の半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを光ディスク装置などの光
源として用いる上で、戻り光雑音を抑制することが重要
である。この戻り光雑音を抑制するための対策の１つ
に、足立等が、インジウム・リン関連材料の国際会議
（Ｐｒｏｃ．Ｏｎ Ｃｏｎｆ．Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓ
ｐｈｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ，Ｓａｐｐｏｒｏ，Ｊａｐａｎ，１９９５，ｐｐ．
４６８−４７１）で報告した自励発振型の半導体レーザ
がある。この自励発振型の半導体レーザを図４に示す。
源として用いる上で、戻り光雑音を抑制することが重要
である。この戻り光雑音を抑制するための対策の１つ
に、足立等が、インジウム・リン関連材料の国際会議
（Ｐｒｏｃ．Ｏｎ Ｃｏｎｆ．Ｉｎｄｉｕｍ Ｐｈｏｓ
ｐｈｉｄｅ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａ
ｌｓ，Ｓａｐｐｏｒｏ，Ｊａｐａｎ，１９９５，ｐｐ．
４６８−４７１）で報告した自励発振型の半導体レーザ
がある。この自励発振型の半導体レーザを図４に示す。
【０００３】図４の半導体レーザは、ｎ型ＧａＡｓ基板
１０の上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１２、ＭＱＷ活性層１３、第１のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐエッチングストッパ層１５、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層
１７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８が順次積層されてい
る。第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ、ｐ型
ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１７、ｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１８は一方向に延びるメサストライプ形状に加工さ
れ、リッジ導波路を構成している。このストライプ状リ
ッジ導波路の両側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９が
形成され、電流狹窄構造を形成している。ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１８及びｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９の
上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０が形成され、さ
らに、この上に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで成るｐ側電極２１
が、また、ｎ型ＧａＡｓ基板裏面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕで成るｎ側電極２２が設けられている。
１０の上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１２、ＭＱＷ活性層１３、第１のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａ、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐエッチングストッパ層１５、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６ｂ、ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層
１７、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８が順次積層されてい
る。第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ、ｐ型
ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１７、ｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層１８は一方向に延びるメサストライプ形状に加工さ
れ、リッジ導波路を構成している。このストライプ状リ
ッジ導波路の両側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９が
形成され、電流狹窄構造を形成している。ｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１８及びｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９の
上には、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２０が形成され、さ
らに、この上に、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕで成るｐ側電極２１
が、また、ｎ型ＧａＡｓ基板裏面には、ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕで成るｎ側電極２２が設けられている。
【０００４】この半導体レーザは、第１のｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１６ａを厚くして横モード制御を弱め
て、水平方向の光分布２５を電流注入幅より拡げ、メサ
ストライプ両脇の電流が注入されない活性層で且つ光が
分布している領域が可飽和吸収領域１３ｂとして働き、
メサストライプ直下の電流が注入される活性層が利得領
域１３ａとして働き、室温近傍で自励発振する。
ＩｎＰクラッド層１６ａを厚くして横モード制御を弱め
て、水平方向の光分布２５を電流注入幅より拡げ、メサ
ストライプ両脇の電流が注入されない活性層で且つ光が
分布している領域が可飽和吸収領域１３ｂとして働き、
メサストライプ直下の電流が注入される活性層が利得領
域１３ａとして働き、室温近傍で自励発振する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４の
従来の自励発振型半導体レーザでは、以下に示す理由に
より、高温まで自励発振を維持するのが難しい。即ち、
従来の自励発振型レーザでは第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１６ａのキャリア濃度とメサストライプ状に
加工された第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ
のキャリア濃度が同じであり、５×１０17ｃｍ-3程度で
ある。このように、第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１６ａと第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ
のキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3或いは５×１０17ｃ
ｍ-3以上とした場合、高温ではｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６ａ、１６ｂの電気抵抗が低下し、第１のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａでの電流横広がりが多
くなり、電流注入幅が広く可飽和吸収領域１３ｂが狭く
なる。従って、高温動作時の電流注入幅拡大により可飽
和吸収領域１３ｂが消失し、高温自励発振が困難であっ
た。このような不都合を避けるために、第１のｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６ａと第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６ｂのキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3
以下、具体的には１〜４．５×１０17ｃｍ-3とした場合
は、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂおよび
第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａの電気抵抗
の増加により、動作雰囲気温度に対し自己発熱による温
度上昇の寄与が多くなるため、キャリア濃度が５×１０
17ｃｍ-3以上と高い場合と同様、高温自励発振が困難で
あった。
従来の自励発振型半導体レーザでは、以下に示す理由に
より、高温まで自励発振を維持するのが難しい。即ち、
従来の自励発振型レーザでは第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１６ａのキャリア濃度とメサストライプ状に
加工された第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ
のキャリア濃度が同じであり、５×１０17ｃｍ-3程度で
ある。このように、第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１６ａと第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂ
のキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3或いは５×１０17ｃ
ｍ-3以上とした場合、高温ではｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６ａ、１６ｂの電気抵抗が低下し、第１のｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａでの電流横広がりが多
くなり、電流注入幅が広く可飽和吸収領域１３ｂが狭く
なる。従って、高温動作時の電流注入幅拡大により可飽
和吸収領域１３ｂが消失し、高温自励発振が困難であっ
た。このような不都合を避けるために、第１のｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６ａと第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６ｂのキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3
以下、具体的には１〜４．５×１０17ｃｍ-3とした場合
は、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ｂおよび
第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６ａの電気抵抗
の増加により、動作雰囲気温度に対し自己発熱による温
度上昇の寄与が多くなるため、キャリア濃度が５×１０
17ｃｍ-3以上と高い場合と同様、高温自励発振が困難で
あった。
【０００６】本発明の目的は、上記の問題点を解決し
て、高温まで自励発振動作が得られる半導体レーザ構造
を提供することにある。
て、高温まで自励発振動作が得られる半導体レーザ構造
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、半導体
基板上に、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型クラッド層
よりもバンドギャップエネルギーが小さい活性層、活性
層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型クラッ
ド層を含むダブルヘテロ構造を有し、活性層に対し基板
と反対側のｐ型クラッド層がメサストライプ状の凸形状
を有する半導体レーザにおいて、前記メサストライプ状
の凸形状を有するｐ型クラッド層のうちのメサストライ
プ状凸部を除いた部分のｐ型クラッド層（以後、第１の
ｐ型クラッド層と記す）のキャリア濃度を前記ｐ型クラ
ッド層のメサストライプ状凸部（以後、第２のｐ型クラ
ッド層と記す）のキャリア濃度よりも低くしたことを特
徴としている。ここで、第１のｐ型クラッド層（メサス
トライプ状凸部以外のｐ型クラッド層）のキャリア濃度
を低くしすぎると発熱及び閾値の上昇を招き望ましくな
いので、１×１０17ｃｍ-3〜４．５×１０17ｃｍ-3程度
にするのが望ましい。メサストライプ状凸部を構成する
第２のｐ型クラッド層のキャリア濃度は従来通り５×１
０17ｃｍ-3以上にするのが望ましい。また、電気抵抗に
よる自己発熱を極力抑える上で、キャリア濃度が高く電
気抵抗の低い第２のｐ型クラッド層の層厚をキャリア濃
度が低く電気抵抗の高い第１のｐ型クラッド層の層厚よ
りも厚くするのが望ましい。さらに、メサストライプの
両脇を電流ブロック層で被覆し、メサストライプ上及び
電流ブロック層上の全面をコンタクト層或いは金属電極
で被覆した電流狹窄構造、又は、メサストライプの両側
面およびメサストライプ外を誘電体膜で被覆し、その上
に電極を設けた電流狹窄構造とするのが望ましい。
基板上に、少なくともｎ型クラッド層、ｎ型クラッド層
よりもバンドギャップエネルギーが小さい活性層、活性
層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型クラッ
ド層を含むダブルヘテロ構造を有し、活性層に対し基板
と反対側のｐ型クラッド層がメサストライプ状の凸形状
を有する半導体レーザにおいて、前記メサストライプ状
の凸形状を有するｐ型クラッド層のうちのメサストライ
プ状凸部を除いた部分のｐ型クラッド層（以後、第１の
ｐ型クラッド層と記す）のキャリア濃度を前記ｐ型クラ
ッド層のメサストライプ状凸部（以後、第２のｐ型クラ
ッド層と記す）のキャリア濃度よりも低くしたことを特
徴としている。ここで、第１のｐ型クラッド層（メサス
トライプ状凸部以外のｐ型クラッド層）のキャリア濃度
を低くしすぎると発熱及び閾値の上昇を招き望ましくな
いので、１×１０17ｃｍ-3〜４．５×１０17ｃｍ-3程度
にするのが望ましい。メサストライプ状凸部を構成する
第２のｐ型クラッド層のキャリア濃度は従来通り５×１
０17ｃｍ-3以上にするのが望ましい。また、電気抵抗に
よる自己発熱を極力抑える上で、キャリア濃度が高く電
気抵抗の低い第２のｐ型クラッド層の層厚をキャリア濃
度が低く電気抵抗の高い第１のｐ型クラッド層の層厚よ
りも厚くするのが望ましい。さらに、メサストライプの
両脇を電流ブロック層で被覆し、メサストライプ上及び
電流ブロック層上の全面をコンタクト層或いは金属電極
で被覆した電流狹窄構造、又は、メサストライプの両側
面およびメサストライプ外を誘電体膜で被覆し、その上
に電極を設けた電流狹窄構造とするのが望ましい。
【０００８】半導体レーザを構成するダブルヘテロ構造
は、クラッド層がＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰを含
む半導体で形成され、活性層がＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰを含む半導体で形成されることを特徴としてい
る。一例として、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、多重量子井戸の活性層、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ
層、ｐ型ＧａＡｓキャップ層をこの順に含むダブルヘテ
ロ構造を有することを特徴とする。電流ブロック層は、
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＡｓを含む構造を有
する。
は、クラッド層がＡｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰを含
む半導体で形成され、活性層がＧａＩｎＰまたはＡｌＧ
ａＩｎＰを含む半導体で形成されることを特徴としてい
る。一例として、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、多重量子井戸の活性層、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層、ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ
層、ｐ型ＧａＡｓキャップ層をこの順に含むダブルヘテ
ロ構造を有することを特徴とする。電流ブロック層は、
ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓまたはＡｌＡｓを含む構造を有
する。
【０００９】（作用）上述したように、本発明の自励発
振型半導体レーザは、第１のｐ型クラッド層のキャリア
濃度をメサストライプ状の第２のｐ型クラッド層のキャ
リア濃度よりも低くした構造である。具体的には、第２
のｐ型クラッド層のキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3以
上にし、第１のｐ型クラッド層キャリア濃度を１〜４．
５×１０17ｃｍ-3にしている。このように、第１のｐ型
クラッド層の電気抵抗がメサストライプ状凸部を構成す
る第２のｐ型クラッド層の電気抵抗よりも高いので、高
温動作時の電気抵抗低下による第１のｐ型クラッド層で
の電流横広がりを抑制し、光分布より狭い電流注入が行
える。このため、可飽和吸収領域として働く、活性層の
電流が注入されない領域を拡大することができ、従来の
自励発振型レーザよりも広い可飽和吸収領域（図１の１
３ｂで示す領域）が得られる。さらに、第２のｐ型クラ
ッド層厚が第１のｐ型クラッド層厚よりも厚いことによ
り、電気抵抗による自己発熱はメサストライプ状凸部の
第２のｐ型クラッド層が支配的になり、メサストライプ
状凸部の第２のｐ型クラッド層キャリア濃度を５×１０
17ｃｍ-3以上にすることで動作雰囲気温度に対する自己
発熱の寄与を小さくしている。以上のことより、図４の
従来の自励発振型レーザに比べ、自励発振の動作可能な
温度範囲を大幅に拡大することができ、高温まで自励発
振動作を維持することが可能となる。
振型半導体レーザは、第１のｐ型クラッド層のキャリア
濃度をメサストライプ状の第２のｐ型クラッド層のキャ
リア濃度よりも低くした構造である。具体的には、第２
のｐ型クラッド層のキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3以
上にし、第１のｐ型クラッド層キャリア濃度を１〜４．
５×１０17ｃｍ-3にしている。このように、第１のｐ型
クラッド層の電気抵抗がメサストライプ状凸部を構成す
る第２のｐ型クラッド層の電気抵抗よりも高いので、高
温動作時の電気抵抗低下による第１のｐ型クラッド層で
の電流横広がりを抑制し、光分布より狭い電流注入が行
える。このため、可飽和吸収領域として働く、活性層の
電流が注入されない領域を拡大することができ、従来の
自励発振型レーザよりも広い可飽和吸収領域（図１の１
３ｂで示す領域）が得られる。さらに、第２のｐ型クラ
ッド層厚が第１のｐ型クラッド層厚よりも厚いことによ
り、電気抵抗による自己発熱はメサストライプ状凸部の
第２のｐ型クラッド層が支配的になり、メサストライプ
状凸部の第２のｐ型クラッド層キャリア濃度を５×１０
17ｃｍ-3以上にすることで動作雰囲気温度に対する自己
発熱の寄与を小さくしている。以上のことより、図４の
従来の自励発振型レーザに比べ、自励発振の動作可能な
温度範囲を大幅に拡大することができ、高温まで自励発
振動作を維持することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）本発明のＡｌＧ
ａＩｎＰ自励発振型半導体レーザの斜視図を図１に、製
造工程の各工程における正面図を図２（ａ）〜（ｄ）に
示す。以下、図１および図２を用いて本発明の自励発振
型半導体レーザを説明する。
ａＩｎＰ自励発振型半導体レーザの斜視図を図１に、製
造工程の各工程における正面図を図２（ａ）〜（ｄ）に
示す。以下、図１および図２を用いて本発明の自励発振
型半導体レーザを説明する。
【００１１】図１の半導体レーザは３回のＭＯＶＰＥ法
による結晶成長で作製される。先ず、１回目のＭＯＶＰ
Ｅ法による結晶成長工程で、（１１５）Ａ方位（（００
１）から［１１０］方向へ１５．８度オフ）のｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０上に、０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層１１、１．２μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１２、ＭＱＷ活性層１３（例えば、５ｎｍ厚、＋０．
５％圧縮歪みのＧａＩｎＰウェルと４ｎｍ厚のＡｌＧａ
ＩｎＰバリアを交互に積層してウェルを４層含んだ構成
とした）、０．２５μｍ厚でキャリア濃度が１〜４．５
×１０17ｃｍ-3の第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
（メサストライプ状凸部以外のｐ型クラッド層）１４、
５ｎｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１
５、０．９５μｍ厚でキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3
以上の第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（メサスト
ライプ状凸部のｐ型クラッド層）１６、１０ｎｍ厚のｐ
型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１７、０．３μｍ厚のｐ
型ＧａＡｓキャップ層１８を順次積層する（図２
（ａ））。結晶成長は減圧ＭＯＶＰＥ法を用いた。成長
条件は、成長温度６６０℃、圧力７０Ｔｏｒｒ、５族原
料供給量／３族原料供給量比（５／３比）を１５０と
し、原料は、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、
ｎ型ドーパントにジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ｐ型ドーパン
トにジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いた。また、第１の
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４と第２のｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６は同じ組成とした。
による結晶成長で作製される。先ず、１回目のＭＯＶＰ
Ｅ法による結晶成長工程で、（１１５）Ａ方位（（００
１）から［１１０］方向へ１５．８度オフ）のｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１０上に、０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッフ
ァ層１１、１．２μｍ厚のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層１２、ＭＱＷ活性層１３（例えば、５ｎｍ厚、＋０．
５％圧縮歪みのＧａＩｎＰウェルと４ｎｍ厚のＡｌＧａ
ＩｎＰバリアを交互に積層してウェルを４層含んだ構成
とした）、０．２５μｍ厚でキャリア濃度が１〜４．５
×１０17ｃｍ-3の第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
（メサストライプ状凸部以外のｐ型クラッド層）１４、
５ｎｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１
５、０．９５μｍ厚でキャリア濃度が５×１０17ｃｍ-3
以上の第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層（メサスト
ライプ状凸部のｐ型クラッド層）１６、１０ｎｍ厚のｐ
型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１７、０．３μｍ厚のｐ
型ＧａＡｓキャップ層１８を順次積層する（図２
（ａ））。結晶成長は減圧ＭＯＶＰＥ法を用いた。成長
条件は、成長温度６６０℃、圧力７０Ｔｏｒｒ、５族原
料供給量／３族原料供給量比（５／３比）を１５０と
し、原料は、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリ
エチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（Ｔ
ＭＩ）、ホスフィン（ＰＨ3）、アルシン（ＡｓＨ3）、
ｎ型ドーパントにジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ｐ型ドーパン
トにジメチルジンク（ＤＭＺ）を用いた。また、第１の
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４と第２のｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６は同じ組成とした。
【００１２】次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８の上面
全体にＳｉＯ2膜１で成る誘電体マスクを、さらに、Ｓ
ｉＯ2膜１上にストライプ状にフォトレジス２を形成
し、フォトレジスト２をエッチングマスクにしてＳｉＯ
2膜１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ
ヘテロバッファ層１７、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６をエッチングし、メサストライプ状の凸形状
（以下、メサストライプと記す）、所謂、リッジ構造を
形成する（図２（ｂ））。エッチング深さはｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰエッチングストッパ層１５に達する深さとし
た。その後、フォトレジスト２を除去し、ストライプ状
に加工されたＳｉＯ2膜１を選択成長マスクマスクにし
て選択成長法（２回目の結晶成長工程）によりメサスト
ライプの両側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９を形成
し、電流狹窄構造を形成する（図２（ｃ））。
全体にＳｉＯ2膜１で成る誘電体マスクを、さらに、Ｓ
ｉＯ2膜１上にストライプ状にフォトレジス２を形成
し、フォトレジスト２をエッチングマスクにしてＳｉＯ
2膜１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ
ヘテロバッファ層１７、第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６をエッチングし、メサストライプ状の凸形状
（以下、メサストライプと記す）、所謂、リッジ構造を
形成する（図２（ｂ））。エッチング深さはｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰエッチングストッパ層１５に達する深さとし
た。その後、フォトレジスト２を除去し、ストライプ状
に加工されたＳｉＯ2膜１を選択成長マスクマスクにし
て選択成長法（２回目の結晶成長工程）によりメサスト
ライプの両側にｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１９を形成
し、電流狹窄構造を形成する（図２（ｃ））。
【００１３】最後に、ＳｉＯ2膜１を除去し、３回目の
結晶成長工程でメサストライプ上面及びｎ型ＧａＡｓブ
ロック層１９の上に３．０μｍ厚のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層２０を形成し半導体層の成長を終える（図２
（ｄ））。その後、基板裏面を研磨した後、基板裏面に
Ｃｒ／Ａｕ又はＴｉＰｔ／Ａｕから成るｎ側電極２２を
形成し、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層の上にＣｒ／Ａｕ又
はＴｉＰｔ／Ａｕから成るｐ側電極２１を形成した後、
劈開、端面保護膜形成の各工程を経て半導体レーザが完
成する（図１）。
結晶成長工程でメサストライプ上面及びｎ型ＧａＡｓブ
ロック層１９の上に３．０μｍ厚のｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層２０を形成し半導体層の成長を終える（図２
（ｄ））。その後、基板裏面を研磨した後、基板裏面に
Ｃｒ／Ａｕ又はＴｉＰｔ／Ａｕから成るｎ側電極２２を
形成し、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層の上にＣｒ／Ａｕ又
はＴｉＰｔ／Ａｕから成るｐ側電極２１を形成した後、
劈開、端面保護膜形成の各工程を経て半導体レーザが完
成する（図１）。
【００１４】（実施の形態２）本実施の形態は２回成長
型の半導体レーザである。その正面図を図３（ａ）に示
す。先ず、実施の形態１と同様にして、図２（ｃ）の構
造を形成する。次いで、ＳｉＯ2膜１を除去し、基板裏
面を研磨した後、基板裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉから成るｎ
側電極２２を形成し、メサストライプ上面及びｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層１９の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成るｐ
側電極２１を形成する。この後、劈開、端面保護膜形成
の各工程を経て半導体レーザが完成する（図３
（ａ））。
型の半導体レーザである。その正面図を図３（ａ）に示
す。先ず、実施の形態１と同様にして、図２（ｃ）の構
造を形成する。次いで、ＳｉＯ2膜１を除去し、基板裏
面を研磨した後、基板裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉから成るｎ
側電極２２を形成し、メサストライプ上面及びｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層１９の上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成るｐ
側電極２１を形成する。この後、劈開、端面保護膜形成
の各工程を経て半導体レーザが完成する（図３
（ａ））。
【００１５】（実施の形態３）図３（ｂ）に本実施の形
態の半導体レーザの正面図を示す。この実施の形態は、
活性層３３はＭＱＷ構造ではなく、バルクのＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層で構成し、ｎ型クラッド層３２、第１のｐ型
クラッド層３４、第２のｐ型クラッド層３６にＡｌ0.5
Ｉｎ0.5Ｐを用いた例である。
態の半導体レーザの正面図を示す。この実施の形態は、
活性層３３はＭＱＷ構造ではなく、バルクのＧａ0.5Ｉ
ｎ0.5Ｐ層で構成し、ｎ型クラッド層３２、第１のｐ型
クラッド層３４、第２のｐ型クラッド層３６にＡｌ0.5
Ｉｎ0.5Ｐを用いた例である。
【００１６】先ず、実施の形態１と同様にして、ＭＯＣ
ＶＤにより、（１１５）Ａ方位（（００１）から［１１
０］方向へ１５．８度オフ）のｎ型ＧａＡｓ基板１０上
に、０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、１．
２μｍ厚のｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層３２、５０ｎｍ厚
のアンドープＧａＩｎＰ活性層３３、０．２５μｍ厚で
キャリア濃度が４×１０17ｃｍ-3の第１のｐ型ＡｌＩｎ
Ｐクラッド層３４、５ｎｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッ
チングストッパ層１５、０．９５μｍ厚でキャリア濃度
が１×１０18ｃｍ-3の第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層
３６、１０ｎｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１
７、０．３μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層１８を順次
積層し、図２（ａ）と同様の積層構造を形成する。
ＶＤにより、（１１５）Ａ方位（（００１）から［１１
０］方向へ１５．８度オフ）のｎ型ＧａＡｓ基板１０上
に、０．３μｍ厚のｎ型ＧａＡｓバッファ層１１、１．
２μｍ厚のｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層３２、５０ｎｍ厚
のアンドープＧａＩｎＰ活性層３３、０．２５μｍ厚で
キャリア濃度が４×１０17ｃｍ-3の第１のｐ型ＡｌＩｎ
Ｐクラッド層３４、５ｎｍ厚のｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッ
チングストッパ層１５、０．９５μｍ厚でキャリア濃度
が１×１０18ｃｍ-3の第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層
３６、１０ｎｍ厚のｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層１
７、０．３μｍ厚のｐ型ＧａＡｓキャップ層１８を順次
積層し、図２（ａ）と同様の積層構造を形成する。
【００１７】次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８の上面
全体にＳｉＯ2膜１で成る誘電体マスクを、さらに、Ｓ
ｉＯ2膜１上にストライプ状にフォトレジス２を形成
し、フォトレジスト２をエッチングマスクにしてＳｉＯ
2膜１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ
ヘテロバッファ層１７、第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド
層３６をｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５
に達する深さまでエッチングしてメサストライプを形成
し、図２（ｂ）と同様のリッジ構造を形成する。
全体にＳｉＯ2膜１で成る誘電体マスクを、さらに、Ｓ
ｉＯ2膜１上にストライプ状にフォトレジス２を形成
し、フォトレジスト２をエッチングマスクにしてＳｉＯ
2膜１、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１８、ｐ型ＧａＩｎＰ
ヘテロバッファ層１７、第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド
層３６をｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５
に達する深さまでエッチングしてメサストライプを形成
し、図２（ｂ）と同様のリッジ構造を形成する。
【００１８】次いで、フォトレジスト２、及び、ストラ
イプ状に加工されたＳｉＯ2膜１を除去し、再度ＣＶＤ
により、メサストライプ及びエッチングで露出したｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５を覆うＳｉＯ
2膜２３を成膜した後、フォトリソグラフィによりメサ
ストライプ頂部のＳｉＯ2膜を除去し、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１８表面を露出する。この後、基板裏面を研磨
した後、基板裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉから成るｎ側電極２
２を形成し、ＳｉＯ2膜２３及び露出したｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１８上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成るｐ側電極
２１を形成し、劈開、端面保護膜形成の各工程を経て半
導体レーザが完成する（図３（ｂ））。
イプ状に加工されたＳｉＯ2膜１を除去し、再度ＣＶＤ
により、メサストライプ及びエッチングで露出したｐ型
ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５を覆うＳｉＯ
2膜２３を成膜した後、フォトリソグラフィによりメサ
ストライプ頂部のＳｉＯ2膜を除去し、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層１８表面を露出する。この後、基板裏面を研磨
した後、基板裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉから成るｎ側電極２
２を形成し、ＳｉＯ2膜２３及び露出したｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１８上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕから成るｐ側電極
２１を形成し、劈開、端面保護膜形成の各工程を経て半
導体レーザが完成する（図３（ｂ））。
【００１９】上記実施の形態１〜３のＡｌＧａＩｎＰ系
自励発振型半導体レーザは、第１のｐ型クラッド層（メ
サストライプ部以外のｐ型クラッド層）１４、３４での
電流横広がりが抑制され、光分布よりも狹い電流注入が
行えるため、活性層１３、３３における過飽和吸収領域
１３ｂを拡大することができる。さらに、自己発熱の主
要因であるメサストライプ部の第２のｐ型クラッド層１
６、３６の電気抵抗が低いため、動作雰囲気温度に対す
る自己発熱の寄与を小さくしている。このため、従来の
自励発振型レーザよりも高温まで自励発振動作を維持す
ることが可能である。
自励発振型半導体レーザは、第１のｐ型クラッド層（メ
サストライプ部以外のｐ型クラッド層）１４、３４での
電流横広がりが抑制され、光分布よりも狹い電流注入が
行えるため、活性層１３、３３における過飽和吸収領域
１３ｂを拡大することができる。さらに、自己発熱の主
要因であるメサストライプ部の第２のｐ型クラッド層１
６、３６の電気抵抗が低いため、動作雰囲気温度に対す
る自己発熱の寄与を小さくしている。このため、従来の
自励発振型レーザよりも高温まで自励発振動作を維持す
ることが可能である。
【００２０】上記の実施の形態１〜３はＡｌＧａＩｎＰ
系について説明したが、他の化合物半導体材料、例え
ば、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＮ系等でも同様な効
果が得られる。また、活性層はＭＱＷ構造のように、エ
ネルギー的に変調を受けている構造のものでも、バルク
のように一定組成のもの、さらには、一定組成でもＩｎ
とＧａの周期的な組成揺らぎのある、所謂、自然超格子
でもよい。さらに、ＭＱＷ構造は歪のあるものでも歪の
ないものでもどちらの構造でもよい。電流狹窄構造を形
成する電流ブロック層はＧａＡｓを用いたが、ＡｌＧａ
Ａｓ層、ＡｌＡｓ層を用いてもよい。また、クラッド層
にＡｌＩｎＰ層を用いてもよい。
系について説明したが、他の化合物半導体材料、例え
ば、ＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＮ系等でも同様な効
果が得られる。また、活性層はＭＱＷ構造のように、エ
ネルギー的に変調を受けている構造のものでも、バルク
のように一定組成のもの、さらには、一定組成でもＩｎ
とＧａの周期的な組成揺らぎのある、所謂、自然超格子
でもよい。さらに、ＭＱＷ構造は歪のあるものでも歪の
ないものでもどちらの構造でもよい。電流狹窄構造を形
成する電流ブロック層はＧａＡｓを用いたが、ＡｌＧａ
Ａｓ層、ＡｌＡｓ層を用いてもよい。また、クラッド層
にＡｌＩｎＰ層を用いてもよい。
【００２１】実施の形態１〜３においては、各半導体層
の組成を明記しなかったが、各半導体層の組成は、Ｇａ
Ａｓ基板に格子整合するように選べばよい。従って、例
えば、ＡｌＧａＩｎＰは（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
となり、Ａｌの組成ｘは、０≦ｘ≦０．７（０．７＜ｘ
は間接遷移となるため望ましくない）となる。また、Ｇ
ａＩｎＰはＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐとなる。実施の形態では一
例としてクラッド層は（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
を、エッチングストッパ層１５は（Ａｌ0.1Ｇａ0.9）
0.5Ｉｎ0.5Ｐを用いた。ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＮ
等他の材料も同様にして組成を選択すればよい。
の組成を明記しなかったが、各半導体層の組成は、Ｇａ
Ａｓ基板に格子整合するように選べばよい。従って、例
えば、ＡｌＧａＩｎＰは（ＡｌxＧａ1-x）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
となり、Ａｌの組成ｘは、０≦ｘ≦０．７（０．７＜ｘ
は間接遷移となるため望ましくない）となる。また、Ｇ
ａＩｎＰはＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐとなる。実施の形態では一
例としてクラッド層は（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ
を、エッチングストッパ層１５は（Ａｌ0.1Ｇａ0.9）
0.5Ｉｎ0.5Ｐを用いた。ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＮ
等他の材料も同様にして組成を選択すればよい。
【００２２】上記実施の形態では第１のｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４（又は、第１のｐ型ＡｌＩｎＰクラ
ッド層３４）と第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
６（又は、第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層３６）の間
にｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５を設け
たが、エッチングが制御よく行えるならばエッチングス
トッパ層１５は無くてもよい。この場合、第１のｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１４と第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６のＡｌ組成を変えて、第２のｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６のエッチング速度を第１のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４のエッチング速度より
も大きくすると、エッチングの制御が容易になる。
ｎＰクラッド層１４（又は、第１のｐ型ＡｌＩｎＰクラ
ッド層３４）と第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
６（又は、第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層３６）の間
にｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層１５を設け
たが、エッチングが制御よく行えるならばエッチングス
トッパ層１５は無くてもよい。この場合、第１のｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１４と第２のｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１６のＡｌ組成を変えて、第２のｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６のエッチング速度を第１のｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４のエッチング速度より
も大きくすると、エッチングの制御が容易になる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、従来の自
励発振型半導体レーザよりも広い可飽和吸収領域を形成
すると共に、メサストライプ部の低抵抗化により自己発
熱を小さくしたことより、高温まで自励発振を維持でき
る自励発振型半導体レーザを実現することができる。
励発振型半導体レーザよりも広い可飽和吸収領域を形成
すると共に、メサストライプ部の低抵抗化により自己発
熱を小さくしたことより、高温まで自励発振を維持でき
る自励発振型半導体レーザを実現することができる。
【図１】 本発明の自励発振型半導体レーザの斜視図
【図２】 本発明の自励発振型半導体レーザの製造工
程を示す図
程を示す図
【図３】 本発明の自励発振型半導体レーザの正面図
【図４】 従来の自励発振型半導体レーザの構造図
１ ＳｉＯ2膜 ２ フォトレジスト １０ ｎ型ＧａＡｓ基板 １１ ｎ型ＧａＡｓバッファ層 １２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １３ ＭＱＷ活性層 １３ａ 利得領域 １３ｂ 可飽和吸収領域 １４ 第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １５ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰエッチングストッパ層 １６ 第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １６ａ 第１のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １６ｂ 第２のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層 １７ ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層 １８ ｐ型ＧａＡｓキャップ層 １９ ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層 ２０ ｐ型ＧａＡｓコンタクト層 ２１ ｐ側電極 ２２ ｎ側電極 ２３ ＳｉＯ2膜 ２５ 光分布 ３２ ｎ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ３３ ＧａＩｎＰ活性層 ３４ 第１のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層 ３６ 第２のｐ型ＡｌＩｎＰクラッド層
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上に、少なくともｎ型クラッ
ド層、前記ｎ型クラッド層よりもバンドギャップエネル
ギーが小さい活性層、前記活性層よりもバンドギャップ
エネルギーが大きいｐ型クラッド層を含むダブルヘテロ
構造を有し、前記活性層に対し基板と反対側の前記ｐ型
クラッド層がメサストライプ状の凸形状を有する半導体
レーザにおいて、前記ｐ型クラッド層のキャリア濃度を
前記ｐ型クラッド層のメサストライプ状凸部のキャリア
濃度よりも低くしたことを特徴とする自励発振型半導体
レーザ。 - 【請求項２】 ｐ型クラッド層のキャリア濃度を１〜
４．５×１０17ｃｍ-3とし、前記ｐ型クラッド層のメサ
ストライプ状凸部のキャリア濃度を５×１０17ｃｍ-3以
上としたことを特徴とする請求項１記載の自励発振型半
導体レーザ。 - 【請求項３】 ｐ型クラッド層のメサストライプ状凸部
の両脇に電流ブロック層を設けたことを特徴とする請求
項１又は２記載の自励発振型半導体レーザ。 - 【請求項４】 ｐ型クラッド層のメサストライプ状凸部
の両脇に電流ブロック層を設け、前記メサストライプ状
凸部上及び前記電流ブロック層上の全面をコンタクト層
で被覆したことを特徴とする請求項１又は２記載の自励
発振型半導体レーザ。 - 【請求項５】 メサストライプ状凸部を有するｐ型クラ
ッド層を誘電体膜で被覆したことを特徴とする請求項１
又は２記載の自励発振型半導体レーザ。 - 【請求項６】 ｎ型クラッド層及びｐ型クラッド層がＡ
ｌＧａＩｎＰまたはＡｌＩｎＰを含む半導体で形成さ
れ、活性層がＧａＩｎＰまたはＡｌＧａＩｎＰを含む半
導体で形成されたことを特徴とする請求項１〜５記載の
自励発振型半導体レーザ。 - 【請求項７】 ｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層、多重量子井戸の活性層、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層、ｐ型ＧａＩｎＰヘテロバッファ層、
ｐ型ＧａＡｓキャップ層をこの順に含むダブルヘテロ構
造を有することを特徴とする請求項１〜６記載の自励発
振型半導体レーザ。 - 【請求項８】 電流ブロック層が、ＧａＡｓ、或いは、
ＡｌＧａＡｓ、または、ＡｌＡｓを含むことを特徴とす
る請求項１〜４及び請求項６〜７記載の自励発振型半導
体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26733799A JP2001094197A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 自励発振型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26733799A JP2001094197A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 自励発振型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094197A true JP2001094197A (ja) | 2001-04-06 |
Family
ID=17443429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26733799A Pending JP2001094197A (ja) | 1999-09-21 | 1999-09-21 | 自励発振型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001094197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511948A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | クリー インコーポレイテッド | メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法 |
| JP2007067122A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1999
- 1999-09-21 JP JP26733799A patent/JP2001094197A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006511948A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | クリー インコーポレイテッド | メサ構造および多重パッシベーション層を備える半導体デバイスならびに関連するデバイスの形成方法 |
| JP2007067122A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4961197A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2831667B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0856045A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP4028158B2 (ja) | 半導体光デバイス装置 | |
| JPH0815228B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JP3889896B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2001077465A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH10256647A (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JP2001135895A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0697592A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2982685B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2001094197A (ja) | 自励発振型半導体レーザ | |
| JP2000277856A (ja) | 自励発振型半導体レーザ装置 | |
| JP3071021B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH1098234A (ja) | 半導体レーザ，及びその製造方法 | |
| JP2924435B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JP3258990B2 (ja) | 半導体レーザ装置及び結晶成長方法 | |
| JP2699662B2 (ja) | 半導体レーザとその製造方法 | |
| JP2973215B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000269607A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2519879B2 (ja) | 半導体レ―ザ装置及びその製造方法 | |
| JPH11284276A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP2001358408A (ja) | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 | |
| JP3206589B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2001345515A (ja) | 半導体光デバイス装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030617 |