JP2006344956A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 第１の不純物を含む半導体基板と、
   前記半導体基板上に形成された第１の導電膜パターンと、
   前記第１の導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜と、
   前記層間絶縁膜上に形成された第２の導電膜パターンと、
   前記第２の導電膜パターン及び前記層間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第１の紫外線遮断膜と、
   を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
2. 前記第１の紫外線遮断膜下部に形成された第１の酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
3. 前記第１の紫外線遮断膜は、シリコン酸化物よりバンドギャップが小さい物質から構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体集積回路装置。
4. 前記第１の紫外線遮断膜は、窒化膜を含むことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
5. 前記第１の紫外線遮断膜は、ＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
6. 前記第１の導電膜パターンは、高電圧駆動トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
7. 前記高電圧駆動トランジスタは、第２の不純物を含む低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とを含むことソース／ドレーン領域を含み、前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極に整列されて前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有し、前記高濃度不純物領域は、前記ゲート電極から所定距離離隔され、前記低濃度不純物領域の深さより低い深さに形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路装置。
8. 前記第１の不純物の不純物濃度は、１×１０^１５〜１×１０^１７原子／ｃｍ^３であることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
9. 前記第２の不純物の不純物濃度は、１×１０^１４〜１×１０^１６原子／ｃｍ^３であることを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置。
10. 前記第１の紫外線遮断膜上にプラズマ蒸着工程によって形成された金属間絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
11. 前記金属間絶縁膜は、順次に形成された第１及び第２の絶縁膜を含み、前記第１の絶縁膜は前記第２の絶縁膜よりギャップフィル特性に優れたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体集積回路装置。
12. 前記金属間絶縁膜上に形成された第３の導電膜パターンと、前記第３の導電膜パターン及び前記金属間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第２の紫外線遮断膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の半導体集積回路装置。
13. 前記第２の紫外線遮断膜下部に形成された第２の酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
14. 前記第２の紫外線遮断膜は、シリコン酸化物よりバンドギャップが小さい物質から構成されることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の半導体集積回路装置。