JP2006196465A - イオン注入イオン源、システム、および方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。
【選択図】図3
Description
本発明は、新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボラン(B10H14)、ならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成するものである。本発明により、特に、相補的金属酸化物半導体(CMOS)製造において、製造される半導体デバイスをより浅く、より小さく、より高密度にすることができる。半導体デバイスの製造における新規な注入機器の動作を非常に向上させることができることに加えて、本発明により、この新規なイオンソースは、大きな資本コストを節約してイオン注入器の既存のフリートにレトロフィットすることが可能となる。本発明の実施形態は、独自にデカボランおよび他のドーパント材料(特にピュアイオンビーム)を注入し、これにより、製造設備の広範囲の必要性が満たされることが可能となる。新規な技術のコスト効率の高さに寄与する種々の新規の構造的、操作的およびプロセスの特徴は、産業の先行技術にさらに適用可能である。
周知のように、イオン注入は、集積回路(IC)の製造において重要な技術である。論理およびメモリICの製造において、イオンがシリコンまたはGaAsウェハに注入されて、トランジスタ接合を形成し、p−n接合のウェル領域をドープする。イオンのエネルギーを選択的に制御することにより、ターゲットウェハへのそれらの注入深さを選択的に制御することができ、これにより、イオン注入により導入されたドーパント濃度の3次元的な制御が可能となる。ドーパント濃度はトランジスタの電気的特性(ゆえに、ICの性能)を制御する。As、Ar、B、Be、C、Ga、Ge、In、N、P、SbおよびSiを含む多くのドーパント導入材料が使用されてきた。固体の元素の形態からなるこれらの種について、多くがガス状の分子形態(例えば、非常に高温で大量にイオン化可能なフッ化化合物)で得ることができる。イオン注入器は、ドーパント含有導入材料をイオン化し、目的のドーパントイオンを抽出し、ドーパントイオンを所望のエネルギーにまで加速し、所望でないイオン性種をフィルタ除去し、次いで、ウェハ上に衝突させるに適切なエネルギーで、目的のドーパントイオンをウェハに移送する製造ツールである。特定の元素の注入器中の存在(例えば、分離された元素であるフッ素)は、注入されたウェハに悪影響を与えるが、このような欠点にもかかわらず、微量のこのような混入物は多くの状況において、製造に値するスループット封入物を達成する目的で許容されてきた。現在得られるものより混入物のレベルを低くすることが望ましい。
・ドーパントイオン種(例えば、B+)
・イオンエネルギー(例えば、5keV)
・イオンビームの化学的純度(例えば、<0.01%のエネルギー性混入物)
・イオンビームの等方性純度(例えば、113Inと115Inとの識別能力)
・イオンビームのエネルギー純度(例えば、<2%の半値における全幅:すなわち、FWHM)
・ウェハ上のビームの角度の広がりおよび空間度
・ウェハ上に注入されたすべての量(例えば、1015原子/cm2)
・量の均一性(例えば、全ウェハ表面積にわたる注入密度における±1%の変動)
これらの変数は、イオン注入によって製造されたトランジスタおよび他のデバイスの電気的性能、最小製造可能サイズ、および最大製造可能密度に影響を与える。
Bernas)」アーク放電イオン源の「標準的な」技術を図的に示す。このタイプの源は、一般的に、さまざまなイオン注入器の設計の基となっており、高電流、高エネルギー、中間の電流イオン注入器を含む。イオン源aは、取り付けフランジbを介してイオン注入器の真空システムに取り付けられる。イオン源aは、水を冷却するための真空フィードスルーと、熱電対と、ドーパントガス供給と、N2冷却ガスと、電源とを含む。ドーパントガス供給cは、ガス(例えば、多くの所望なドーパント化学種のフッ化物)を、ガスがイオン化されるアークチャンバdに供給する。また、取り付けフランジの内部にデュアル蒸発器オーブンe、fが設けられ、そこで固体供給材料(例えば、As、Sb2O3およびP)が気化され得る。オーブン、ガス供給および冷却ラインは、水冷却加工アルミニウムブロックg内に含まれる。水を冷却することにより、アルミニウムブロックgの温度暴走が制限され、その間、100℃から800℃で動作する蒸発器は活性であり、さらにイオン源が活性である場合にアークチャンバdによる放射加熱を相殺する。アークチャンバdはアルミニウムブロックgに取り付けられるが、アルミニウムブロックgと熱接触が乏しいように設計されている。イオン源aはアーク放電プラズマを使用し、これは、アークチャンバd内にとどまるホットフィラメントカソードhとアークチャンバdの内壁との間で一般的に狭く連続的な電気アーク放電を、規定されたチャンバ体積内で保持することによって作動することを意味する。そのアークは、存在するガスのイオンとともに散在された一次電子および二次電子の集合を含む狭いホットプラズマを生成する。このアークは一般的には300Wのエネルギーを越えて散逸され、アークチャンバdで放射によってのみ冷却されるので、そのようなベルナスイオン源におけるアークチャンバは作動の間800℃の温度に達し得る。
本発明の種々の局面が、以下を効率的に行うように改良されたアプローチおよび方法を提供する。
・新規な蒸発器および蒸気送達システムを介したデカボランおよび他の感熱性材料を蒸発する
・蒸気の制御された低圧液滴フロー(例えば、デカボラン)をイオン源に送達する
・デカボランをB10HX +の大きなフラグメントにイオン化する
・デカボランの熱散逸を防ぐ
・電荷交換およびB10HX +の低エネルギー電子誘導性フラグメンテーションを制限する
・アークプラズマを使用することなくイオン源を動作させ、放射特性およびビーム純度を向上させ得る
・強印加磁場を使用することなくイオン源を動作させ、ビームの放射特性を向上させ得る
・アーク放電を使用することなく、イオン化チャンバを通って熱孤立ビームダンプへと直線をなす、外部で生成された広い指向性の電子ビームを取り入れることによって、電子衝撃イオン化を生成する新規なアプローチを使用する
・ウェハにボロンドーパントの生産に値するドーズ量を提供する
・他のドーパント、特に、新規な水素化物二量体含有熱感応性材料、および、インジウムまたはアンチモン含有熱感応性材料を用いた場合もまた使用することが可能なハードウェア設計を提供し、新規なソース設計の使用の経済効果および製品価値をさらに高め、多くの場合には、不純物の存在を低減する
・フィールドにおけるイオン注入器の設置基材のイオン光学系の要件を満たす
・外部の好適な距離にあるカソードを用い、イオン化チャンバおよび不純物を含まない材料から製造される引き出しアパーチャを提供することによって、遷移金属不純物のソースとしてのイオン源をなくす
・新たなイオン源を既存のBernasソースに基づくイオン注入器等のイオン源設計空間に組み込み得るか、そうでない場合には、他のイオン源設計を用いることができる
・オペレータにすでに馴染みのある、設置されたオペレータインターフェースおよび制御法の保持を可能にする改良設備に制御システムを用いる
・実質的に注入器が停止することなく、蒸発器内の固体の簡便な処理および補充を可能にする
・1つの設計を用いて、イオン化が生じる領域の寸法および強度を、常に注入器のビーム線およびプロセス要件に整合することを可能にする内部調整および制御技術を提供する
・新規なアプローチを提供し、半導体デバイス、特に、CMOSソース/ドレインおよび拡張物の将来的な製造を可能にする材料および動作条件を開始し、シリコンゲートにドーピングする
・概して、デカボランおよび他の多くのドーパント供給材料(このうち多くはイオン注入には新規な材料である)の生産に値するイオン化を達成する機能、関係および方法を提供し、製造能力の実質的な要件を満たす。
磁気コイルが、イオン化チャンバーの外側に配置されており、電子銃がコイルと同心状に取り付けられている。これにより、電子銃の出射軸は、電子をイオン化チャンバーおよびコイルに放射するように調節される。コイルはエネルギーが付与されると、磁場を与えて、電子ビームの電荷が拡張する空間を制限し、電子ビームは、イオン化チャンバーを通過する。
本発明の各種の局面を組み込んだイオンソースの実施形態は、i)蒸発器、ii)蒸発器バルブ、iii)ガス供給装置、iv)イオン化チャンバ、v)電子銃、vi)冷却される取り付けフレーム、およびvii)イオン引き出し口を含む。ガス状の供給物質を、イオン化チャンバに導入する手段と、固体の供給物質を蒸発させ、その蒸気をイオン化チャンバ内に導入する手段と、導入されたガス状の供給物質をイオン化チャンバ内でイオン化する手段と、イオンを抽出して、イオン化領域に隣接するイオン出口から生成する手段とが含まれる。さらに、出ていくイオンを加速し、集める手段が設けられる。新規なイオンソースの好適な実施形態において、蒸発器、蒸発器バルブ、ガス供給装置、イオン化チャンバ、電子銃、冷却される取り付けフレーム、およびイオン出口は、全て1つのアセンブリに集積される。これらの特徴について以下で説明する。
るつぼ内の蒸発したガスの比較的低い圧力のみを用いることを可能にするさらなる利点は、所望のガスの質量の流れを確立するために、従来の設計と比較して、より少ない材料しか必要とされないことである。
図3は、イオン源1の実施形態を略図で示す。蒸発器2は、環状の熱伝導性ガスケット4によって、蒸発器バルブ3に取り付けられる。蒸発器バルブ3は、同様に、取り付けフランジ7に取付けられる。この取り付けフランジ7は、さらなる環状の熱伝導性ガスケット6および6Aによって、イオン化チャンバ本体5に取り付けられる。これにより、熱伝導性エレメントを介する密接な関係によって、蒸発器、蒸発器バルブ、およびイオン化チャンバ本体5の間の有効な熱伝導が保証される。イオン化チャンバ5に取り付けられる取り付けフランジ7は、例えば、イオン源1をイオン注入器の真空ハウジング(図8を参照)に取り付けることを可能にし、イオン源に動力を供給するための電気的フィードスルー(図示せず)と、冷却のための水冷フィードスルー8および9とを含む。好適な実施形態において、水フィードスルー8および9は、冷却された取り付けフレーム10の中に水を循環させて、取り付けフレーム10を冷却させ、これにより、取り付け構成要素、電子ビームダンプ11、および電子銃12が冷却される。出口アパーチャプレート13は、金属ねじ(図示せず)によってイオン化チャンバ本体5の表面に取り付けられる。イオンの出口アパーチャプレート13のイオン化チャンバ本体5への熱伝導は、金属の伝導性環状シール14または熱伝導性ポリマーによって支援される。
図4Aは、イオン化チャンバ本体5のオープン封入物16内の電子出口ポート36と、その近傍にあるアパーチャプレート13内のイオン出口アパーチャ37との平面図を示す。イオン出口アパーチャ37を通って、イオン源1の外側にある静電抽出フィールド(extraction field)を貫通させることによって、イオンがイオン化チャンバから取り除かれることを可能にするため、電子ビーム32および電子出口ポート36は、出口アパーチャプレート13およびそのアパーチャ37に近接して配置される。例えば、イオン化領域の端部とイオン化抽出アパーチャとの間の6mmから9mmの分離は、効率よくイオンを抽出し得、この効率は、抽出アパーチャの幅が大きいほど向上する。選択される特定のパラメータによって、広範な平行電子ビーム32は、分散のため、および、電子ビーム32内の空間電荷の力(space charge force)のために、その矩形の外形を完全に保持し得ない。このようなデザインの選択によって、電子出口ポート26の大きさを適切に調整して、イオン化チャンバ本体5の壁全体によって大幅に妨害されることなく、電子ビームを通過させることを可能にする。従って、特定の有利な場合において、ポート36はポート35より大きく、その結果、少なくとも残りの電子ビームのほとんどを受け取りかつ通過させるように配列される。
図9を参照して、拡張されたEビーム銃は、イオン化チャンバと独自な関わりを持つ。銃はズーム光学素子を有し、以下のコンポーネントを含む。すなわち、拡張ハウジング79、貫通接続80、取付けフランジ81および81’、カソード82、抽出ステージ83、視準レンズ84、ズームレンズ85、および90度の鏡を含む旋回ステージ87を含む。
図9B(図3Eも参照)の実施形態において、イオン化ボリューム16’は取り外し可能な末端モジュール5bによって規定される。このモジュールには、固体取付けブロック5aの端部における導電性熱接触が熱伝導シール6’’を介して取付けられる。
長いEビームの特に好適な実施形態の特徴は図10において示され、抽出ステージ83は図11において極めて詳細に示される。抽出ステージ83は、円筒形の構成であり、カソード82、フィールド形成格子電極100、ウェーネル電極101、シリンダレンズ102および陽極103を含む。カソード電位Vcに関連して、格子電位Vgは例えば、−2V<Vg<+4Vに保たれ、および陽極電位V1は約200〜1000ボルトで陽極に保たれ、抽出ステージの出口における所望の電子エネルギーに依存する。ウェーネルおよびシリンダ電位VwおよびVsは各々調整され、そのレンズの充填(filling of lenses)を制限する抽出ステージによって電子の軌道を生成し、抽出ステージの出力における電子の軌道のビーム角を制限する。基本的に、抽出ステージの目的は、直接的に加熱されたカソードまたは間接的に加熱されたカソードのエミッタ表面から熱電子学的に放出された電子を収集すること、著しく活性化された電子のビームを所望の通常のプロファイル、図10において示された下流に配置された望遠レンズシステムのための良質のオブジェクトを提供する電子の分布および視準の均一度を有するビームに提供することである。このような調整は、本来、低エネルギー陽電子のために開発された抽出ステージに関する図12において示される(I.J.Rosenberg,A.H.WeissおよびK.F.Canterらの「Physical Review Letters44」1980年1139ページを参照)。これは本発明の部分として幅広い電子ビームを形成するために改変および使用される。Rosenbergらによって記載される本来の抽出ステージは、基本的に、100%の陽電子伝送ステージであり、拡張された直径10mmの陽電子エミッタのために設計された。本Eビーム銃において、抽出ステージは、例えば0.5の係数分小さくされ、格子電極100のアパーチャの直径5mmを有する直径5mmのカソード電子エミッタに対応し、電極電位の符号は反転され、電子の抽出にとって適切な構造を作る。この目盛係数を用いて、電子抽出ステージは約27mmの長さであり、シリンダレンズの直径は17.5mmである。
d1=9.5mm 12=2.3mm
d2=17.5mm 13=4.8mm
d3=9.5mm 14=18mm
ここで、Vc=−20〜300または−500Vの任意の範囲でありイオン化チャンバの電位Vchに比例する。Vcに比例して、その後、他の電圧値は、例えば、
−2V<Vg<4V
0V<Vw<500V
50V<Vs<500V
200V<V1<1000V
の範囲であり得る。
いくつかのイオンインプラント応用においては、技術的に可能な最大イオン流に近づくイオン流を得ることが望まれる。これは、イオン化チャンバを横切る電子ビーム流の値に大きく依存する。なぜなら、生成されるイオン流は、この電子流の値にほぼ比例するからである。イオン化チャンバに注入される電子流は、電子銃光学部品およびイオン化チャンバ内の電子の軌道に作用する空間電荷力の影響によって制限される。空間電荷の制限内では、これらの力は、レンズによって生成される精密に焦点を合わされたビームのくびれの幅を増加させ得、さらに、くびれから下流に広がる際に、増加した角度の広がりをビームに導入し得る。
(1)Imax=0.0385V3/2α2
によって与えられる。
上記式において、Dは電子束によって遮られた直径であり、Lはイオン化チャンバの長さ(約7.6cm)である。Imax=20mAおよびV=100Vを代入するとD=5.5cmとなる。Imax=40mAおよびV=168Vを代入しても同じ結果となる。実際上は、イオン化チャンバ内の空間電荷の広がりは、イオン化封入物内に大量に存在する正に荷電されたイオンによって提供される空間電荷補償のために、式(2)による概算よりも小さい。図18および図18Aは、ビーム内の電子の大半を遮る拡大された電子流出口兼ビームダンプ36を採用している。ビームダンプ11とイオン化チャンバとの間の距離を小さく維持することにより、イオン化封入物から流出口36を介する気体の流出が少なくなり得る。
図18Bは、図18および図18Aの実施形態を、レトロフィットされたインプランタのイオン源ハウジングに導入した場合を示す。好適には、電子銃が図示するように上部に取り付けられている。このジオメトリーを既存のインプランタに設置するために、新しいイオン源ハウジングが提供され、典型的なベルナスイオン源に関する考慮事項にしたがって構築され(所望であればベルナスイオン源を受け取ることができる)る。ただし、ハウジングは電子銃を受け取るように、上部が修正される。別の場合では、既存のイオン源ハウジングが、たとえば磁気コイル54を除去しハウジングの上部に真空口を挿入して、フランジが取り付けられた垂直電子銃アセンブリを受け取るように修正される。
本発明のイオン源用の汎用コントローラは、ユニークにも、ベルナスおよびフリーマンタイプなどのアーク放電イオン源と共に用いられるユーザインターフェースを採用する。図15は、ベルナスタイプのイオン源を動作させる典型的な制御システム200を示す。このような既存のマシンのオペレータは、オペレータインターフェース202(OI)を介してインプランタをプログラムする。オペレータインターフェース202(OI)は、選択的にコンピュータスクリーン上で見られる選択可能なグラフィカルユーザインターフェース(GUI)の1セットである。インプランタの、いくつかのパラメータは、データを手動で入力するか、または特定のインプラントレシピを動作させる所望のパラメータを含む予め決められたインプラントレシピファイルをロードすることにより、OIから直接制御される。入手可能なGUIのセットは、真空システム、ウエハ処理、インプラントレシピの生成およびローディング、およびイオンビーム制御のための、コントロールおよび監視スクリーンを含む。
この新たなイオンソース技術で達成され得るイオン電流生成のレベルは、非常に興味深い。イオンソースは、イオン化チャンバを通過する幅が広い電子ビームにより占められる封入物により規定される、明確な相当な大きさのイオン化領域内の活性がある一次電子による電子衝突イオン化を用いるため、そのイオン生成効率は、原子物理学の形式内で計算され得る。
ここで、I0は衝突電子電流であり、Iは断面sを有する反応により影響される電子電流であり、nはイオン化封入物内の中性ガス分子の数密度であり、lは経路長である。この式は以下のように表わされる。
ここで、fはガスのイオン化をもたらす電子ビームの断片であり、Lは0C(=3.538×1016Torr−1cm−3)でのガス分子の1Torr当たりの密度数であり、sは1cm2内の特定のガス種のイオン化断面であり、plは1Torr−cmにおける圧力−経路長プロダクトである。
(5) Iion=fIel
と計算され得る。ここで、Iionはイオン電流であり、Ielはイオン化封入物を通過する電子電流である。イオンソースから抽出されたイオン電流の断片を最大化することによりイオンビームを形成するためには、電子ビームのプロファイルがイオン抽出アパーチャのプロファイルとほぼ幅が一致すること、およびイオンがアパーチャに近接する領域で生成されることが重要である。さらに、電子ビーム内の電子電流密度は、式(3)および(4)が考慮しない、多様なイオン化の可能性が大きくない程度に十分低く保たれるべきである。
(6) Iel=Iion/f
と計算され得る。
(7) ne=Je/ene
で求められる。ここで、eは電荷(=1.6×10−19C)であり、neは一次電子速度である。よって、図4Fに示すような比較的に広いイオン抽出アパーチャに対応する1cm2の断面積の100eV、20mAの電子ビームに関して、式(7)はne≫2×1010cm−3を算出する。図5に示すような狭い抽出アパーチャに対して、0.4cm2の断面積の100eV、20mAは、電子密度ne≫5×1010cm−3を提供する。イオン化封入物内のイオン密度niはneと同じオーダーであり得るため、ni<1011cm−3を予想することは妥当である。neおよびniが同様の大きさであると予想されるため、ある程度の電荷の中立性がイオン化電子ビームおよび反対電荷であるイオンにより、イオン化封入物内で達成されることは言及するに値する。この電荷の中立性の測定は、イオン化封入物内のクーロン力の補償に役立ち、より高い値のneおよびniを可能にし、かつイオン間の電荷交換相互作用を低減する。
ここで、JmaxはmA/cm2で表わされ、Qはイオン電荷状態であり、Aは電子質量単位(amu)のイオン質量であり、UはkVで表わされる抽出電圧であり、dはcmで表わされるギャップ幅である。6mmの抽出ギャップから5kVで抽出された117amuでのB10Hx +に関して、式(6)はJmax=5mA/cm2を算出する。イオン抽出アパーチャの面積が1cm2であることをさらに仮定すると、上記の議論で詳述した抽出要件を優に越える、5keVでの5mAのB10Hx +のチャイルド−ラングミュア制限が推測される。
(幅が広いアライメントされたビーム電子ガンイオンソースに関するイオン抽出アパーチャの考慮点)
本発明の幅が広い電子ビームイオンソースに関して、通常、高電流Bernasアーク放電源とともに用いられるものよりも幅が広いイオン抽出アパーチャを用いることが可能であることが理解される。イオン注入器ビームラインは、質量分解アパーチャの下流で良好な透過効率を達成し、かつ特定された質量分解能R(≡M/ΔM、上記の議論を参照)を維持することの両方に対して適切なサイズの質量分解アパーチャ上に、抽出アパーチャを投影するように設計される。多くの高電流ビームラインの光学は単一の倍率を用いるため、収差がない場合、分解アパーチャ上に投影されるようなイオン抽出アパーチャの範囲は、概ね1対1である。すなわち、イオン抽出アパーチャと同じ幅の質量分解アパーチャが、そこに輸送される所与の質量対電荷比のイオンのほぼ全てのビーム電流を通過させる。低エネルギーでは、しかしながら、Bernasイオンソースの空間電荷力および漂遊電磁界は、アナライザマグネットにより分散された異なる質量対電荷比のイオンの隣接するビームの著しいオーバーラップを生じることにより、質量分解アパーチャに投影されるようなビームの拡大、および得られた質量分解能の劣化の両方を引き起こす。
広い電子ビームのイオンソースが得られ得るビームの電流を、大きなイオン化断面を有する供給ガス種を用いることによって最大化し得ることが認識されている。デカボランは、多くの他の水素化物ガスと同様、このカテゴリーに入る。アークプラズマベースのイオンソース(例えば、向上したBernasソース)がBF3などのしっかりと結合された分子種を効率的に分離するが、アークプラズマベースのイオンソースは、例えば、デカボラン、ジボラン、ゲルマン、シランおよびトリメチルインジウムなどの水素化物を分解する傾向にあり、そして通常、これらの物質に対する生産価値はない。しかし、本発明により、これらの物質および他の水素化物(例えば、リンおよびアルシン)が本明細書において記載するイオンソースによく適した物質であり、(そして従来のフッ化物において直面したフッ素汚染の問題を提示しない)ことが認識される。したがって、説明したイオンソースの原理により、これらの物質を用いて以下に説明するCMOS用途でイオンビームを生成することは、本発明の別の重要な局面である。
低エネルギーホウ素:気化されたデカボラン(B10H14)
中間エネルギーホウ素:ガスジボラン(B2H6)
ヒ素:ガスアルシン(AsH3)
リン:ガスリン(PH3)
インジウム:気化されたトリメチルインジウムIn(CH3)3
ゲルマニウム:ガスゲルマニウム(GeH4)
シリコン:ガスシラン(SiH4)
Inの以下のさらなる固体の結晶形態(これらのほとんどはイオン注入の際に通常使用されるような従来のイオンソースの気化器内で一定かつ信頼性高く生成され得る温度より低い気化器の温度を必要とする)は、本発明の気化器内でも用いられ得て、インジウムを帯びた蒸気:インジウムフッ化物(InF3)、インジウムブロミド(InBr)、インジウムクロリド(InClおよびInCl3)およびインジウム水酸化物{(In(OH)3)}を生成し得る。さらに、アンチモンビームは、本発明の気化器内に温度感受性の固体Sb2O5、SbBr3およびSbCl3を用いて生成され得る。
本発明の低温度の気化器は、すでに上述した物質に加え、低い融点が原因で、したがって200Cより低い温度での高い蒸気圧に起因して、現在利用可能な商用イオンソースにおいて信頼性をもって用いられ得ない他の温度感受性の固体ソースの物質を有利に用い得る。ドーパント要素(As、In、PおよびSb)のダイマーを含む固体が本明細書において提示されたイオンソースおよび方法において有用であることを認識した。いくつかの場合において、温度感受性のダイマーを含むコンポーネントの蒸気をイオン化チャンバ内で用いてモノマーイオンを生成する。他の場合、分解パターンにより、ダイマーイオンの生成が可能になる。ダイマーを含む酸化物の場合であっても、特定の場合には、酸素が排除しながら、ダイマー構造を保持することに成功し得る。これらの物質からダイマー注入器を用いると、ターゲット基板内に注入されたドーパントの線量率への目覚ましい改良を得ることが可能である。
(9)Δ=n(V1/V2)3/2(m1/m2)−1/2
Δは質量m1の分子コンポーネントを注入し、そして加速電位V2における質量m2の原子の単原子の注入に対して、加速電位V1において対象のドーパントのnの原子を含ませることによって達成される線量率の相対的な改良である。単原子の注入として基板内の同じ注入深度を与えるようにV1が調整された場合、式(9)はΔ=n2まで減少する。ダイマーの注入(例えば、As2対As)の場合、Δ=4である。したがって、線量率が四倍にまで増加することが、ダイマー注入を介して達成され得る。以下の表Iaは本発明に適用されるようなダイマー注入に適切な物質をリストする。
この実施において、イオン注入を多くの処理工程において用いてCMOSデバイス(最前線および従来両方のCMOSデバイスアーキテクチャでのCMOSデバイス)を製造する。図17は、総称的なCMOSアーキテクチャを示し、トランジスタ構造の機能(R.SimontonおよびF.SinclairのApplications in CMOS Process Technology(Handbook of Ion Implantation Technology、J.F.Ziegler、Editor、North−Holland、ニューヨーク、1992年)からの機能)を製造する際に用いられる従来の注入用途を表示する。これらの表示された構造に対応する注入を以下の表Iにリストし、通常のドーパント種、イオンエネルギー、当該産業が2001年の生産に期待する線量の要件を示す。
Claims (21)
- 所定のイオンビーム生成能力を提供する既存のイオン源と磁場源と質量分解アパーチャとを有するイオン注入器をアップグレードする方法であって、
該方法は、
(a)該既存のイオン源を除去するステップと、
(b)該既存のイオン源とは異なるイオンビーム生成能力を提供する別のイオン源に該既存のイオン源を置き換えるステップと
を包含する、方法。 - ステップ(a)は、
(a)クラスターイオンを生成しない既存のイオン源を除去すること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - ステップ(a)は、
(a)既存のベルナス型のイオン源を除去すること
を包含する、請求項2に記載の方法。 - ステップ(a)は、
(a)既存のフリーマン型のイオン源を除去すること
を包含する、請求項2に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源をクラスター生成イオン源に置き換えること
を包含する、請求項2に記載の方法。 - ステップ(a)は、
(a)アーク放電型である前記既存のイオン源を除去すること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源を電子衝突イオン源に置き換えること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源をクラスターイオンを注入する電子衝突イオン源に置き換えること
を包含する、請求項7に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源をデカボランクラスターイオンを注入するイオン源に置き換えること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - 既存のシングルモードのイオン源と磁場源と質量分解アパーチャとを有するイオン注入器をアップグレードする方法であって、
該方法は、
(a)該既存のシングルモードのイオン源を除去するステップと、
(b)該既存のシングルモードのイオン源を新たなデュアルモードのイオン源に置き換えるステップと
を包含する、方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のシングルモードのイオン源をノーマルモードと反射モードとを有するデュアルモードのイオン源に置き換えること
を包含する、請求項10に記載の方法。 - イオン注入装置のためのイオン源であって、
該イオン源は、
イオン化されるべきガスを提供する蒸発器であって、該イオン源に取り外し可能に取り付けられている蒸発器と、
該蒸発器とイオン化チャンバとの間に流体伝達を提供するコンジットと、
該コンジットから該蒸発器をアイソレートする1つ以上のバルブと、
該蒸発器と流体伝達するイオン化チャンバと、
該蒸発器からの該ガスをイオン化するエネルギー源と
を備えている、イオン源。 - 前記イオン化チャンバは、前記イオン源に取り外し可能に取り付けられている、請求項12に記載のイオン源。
- イオン注入装置と共に用いるためのイオン源であって、
該イオン源は、
複数の側壁を定義するイオン化チャンバであって、該複数の側壁のうちの1つの少なくとも一部は、アパーチャプレートを定義し、かつ、イオンビームが該イオン化チャンバから抽出されることを可能にするイオン抽出アパーチャを含み、該アパーチャプレートは、少なくとも1つの導電面を含む、イオン化チャンバと、
その中にあるガスをイオン化する該イオン化チャンバの内部と流体伝達する電子源と、
該イオン化チャンバの該内部と流体伝達する供給ガス源と、
該少なくとも1つの導電面に電気的に結合されたバイアス電圧源と
を備えている、イオン源。 - 前記アパーチャプレートは、電気的絶縁材料から形成されており、少なくとも1つの電気的導電面を定義するために電気的導電膜によって部分的に被覆されている、請求項14に記載のイオン源。
- 前記複数の側壁のうちの1つを形成する電気的絶縁フレームをさらに備え、該フレームは、前記アパーチャプレートを支持するように構成されている、請求項14に記載のイオン源。
- 前記電気的絶縁材料は、窒化ホウ素である、請求項15に記載のイオン源。
- 前記電気的導電膜は、グラファイトである、請求項15に記載のイオン源。
- ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源をアーク放電プラズマタイプのイオン源に置き換えること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源をアーク放電以外のプラズマイオン源に置き換えること
を包含する、請求項1に記載の方法。 - ステップ(b)は、
(b)前記既存のイオン源を電子衝突モードまたはアーク放電モードにおいて選択的に動作するイオン源に置き換えること
を包含する、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17047399P | 1999-12-13 | 1999-12-13 | |
US25008000P | 2000-11-30 | 2000-11-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001543753A Division JP4820038B2 (ja) | 1999-12-13 | 2000-12-13 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011001555A Division JP2011066022A (ja) | 1999-12-13 | 2011-01-06 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2013016451A Division JP2013127976A (ja) | 1999-12-13 | 2013-01-31 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006196465A true JP2006196465A (ja) | 2006-07-27 |
JP2006196465A5 JP2006196465A5 (ja) | 2008-01-31 |
Family
ID=26866118
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001543753A Expired - Fee Related JP4820038B2 (ja) | 1999-12-13 | 2000-12-13 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2006055554A Pending JP2006196465A (ja) | 1999-12-13 | 2006-03-01 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2006327583A Expired - Fee Related JP5107567B2 (ja) | 1999-12-13 | 2006-12-04 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2010018646A Withdrawn JP2010140908A (ja) | 1999-12-13 | 2010-01-29 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2011001555A Withdrawn JP2011066022A (ja) | 1999-12-13 | 2011-01-06 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2013016451A Withdrawn JP2013127976A (ja) | 1999-12-13 | 2013-01-31 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001543753A Expired - Fee Related JP4820038B2 (ja) | 1999-12-13 | 2000-12-13 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006327583A Expired - Fee Related JP5107567B2 (ja) | 1999-12-13 | 2006-12-04 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2010018646A Withdrawn JP2010140908A (ja) | 1999-12-13 | 2010-01-29 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2011001555A Withdrawn JP2011066022A (ja) | 1999-12-13 | 2011-01-06 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2013016451A Withdrawn JP2013127976A (ja) | 1999-12-13 | 2013-01-31 | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US7107929B2 (ja) |
EP (2) | EP2426693A3 (ja) |
JP (6) | JP4820038B2 (ja) |
AU (1) | AU2430601A (ja) |
TW (1) | TW521295B (ja) |
WO (1) | WO2001043157A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013509004A (ja) * | 2009-10-27 | 2013-03-07 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | イオン注入システムおよび方法 |
KR101380149B1 (ko) | 2006-12-08 | 2014-04-01 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입기를 위한 패러데이 컵의 자기적 모니터링 |
US9142387B2 (en) | 2009-10-27 | 2015-09-22 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
KR20180111950A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-10-11 | 가부시키가이샤 사무코 | 클러스터 이온 빔 생성 방법 및 그것을 이용한 클러스터 이온 빔 조사 방법 |
Families Citing this family (394)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7838850B2 (en) | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
US7838842B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
EP2426693A3 (en) * | 1999-12-13 | 2013-01-16 | Semequip, Inc. | Ion source |
US20070107841A1 (en) * | 2000-12-13 | 2007-05-17 | Semequip, Inc. | Ion implantation ion source, system and method |
US7247863B2 (en) * | 2000-10-20 | 2007-07-24 | Axcellis Technologies, Inc. | System and method for rapidly controlling the output of an ion source for ion implantation |
US7064491B2 (en) | 2000-11-30 | 2006-06-20 | Semequip, Inc. | Ion implantation system and control method |
GB2387022B (en) * | 2002-03-28 | 2005-12-21 | Applied Materials Inc | Monatomic boron ion source and method |
JP4134312B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2008-08-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 分子ビーム装置 |
JP4048837B2 (ja) | 2002-05-24 | 2008-02-20 | 日新イオン機器株式会社 | イオン源の運転方法およびイオン源装置 |
KR100797138B1 (ko) * | 2002-06-26 | 2008-01-22 | 세미이큅, 인코포레이티드 | 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스, 및 금속 산화막 반도체 디바이스와 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스를 형성하는 방법 |
CN101908473B (zh) * | 2002-06-26 | 2013-03-13 | 山米奎普公司 | 通过植入n-及p-型簇离子及负离子制造cmos器件的方法 |
US6686595B2 (en) * | 2002-06-26 | 2004-02-03 | Semequip Inc. | Electron impact ion source |
US6797337B2 (en) * | 2002-08-19 | 2004-09-28 | Micron Technology, Inc. | Method for delivering precursors |
US7410890B2 (en) * | 2002-12-12 | 2008-08-12 | Tel Epion Inc. | Formation of doped regions and/or ultra-shallow junctions in semiconductor materials by gas-cluster ion irradiation |
US6997403B2 (en) * | 2003-01-13 | 2006-02-14 | Micron Technology, Inc. | Liquid vaporizer with positive liquid shut-off |
JP5107500B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2012-12-26 | 公益財団法人国際科学振興財団 | 蒸着装置 |
KR101076516B1 (ko) * | 2003-09-08 | 2011-10-24 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 처리방법 및 장치 |
US7145157B2 (en) | 2003-09-11 | 2006-12-05 | Applied Materials, Inc. | Kinematic ion implanter electrode mounting |
JP4442171B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
US7087913B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Ion implanter electrodes |
US7009193B2 (en) * | 2003-10-31 | 2006-03-07 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Utilization of an ion gauge in the process chamber of a semiconductor ion implanter |
US7791047B2 (en) * | 2003-12-12 | 2010-09-07 | Semequip, Inc. | Method and apparatus for extracting ions from an ion source for use in ion implantation |
US20080223409A1 (en) * | 2003-12-12 | 2008-09-18 | Horsky Thomas N | Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation |
CN1894763B (zh) * | 2003-12-12 | 2010-12-08 | 山米奎普公司 | 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置 |
US7462820B2 (en) * | 2004-03-10 | 2008-12-09 | Schubert Peter J | Isotope separation process and apparatus therefor |
US7023003B2 (en) * | 2004-03-18 | 2006-04-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Ion implanter and method of preventing undesirable ions from implanting a target wafer |
GB2412488B (en) | 2004-03-26 | 2007-03-28 | Applied Materials Inc | Ion sources |
CA2567839C (en) | 2004-05-24 | 2011-06-28 | Isis Pharmaceuticals, Inc. | Mass spectrometry with selective ion filtration by digital thresholding |
US7307375B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-12-11 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
US7948185B2 (en) * | 2004-07-09 | 2011-05-24 | Energetiq Technology Inc. | Inductively-driven plasma light source |
US7741621B2 (en) * | 2004-07-14 | 2010-06-22 | City University Of Hong Kong | Apparatus and method for focused electric field enhanced plasma-based ion implantation |
US7402816B2 (en) * | 2004-11-19 | 2008-07-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Electron injection in ion implanter magnets |
EP1787321A4 (en) | 2004-12-03 | 2008-12-03 | Tel Epion Inc | TRAINING OF ULTRASONIC TRANSITIONS THROUGH GASCLUSTER ION RADIATION |
WO2006066111A2 (en) * | 2004-12-16 | 2006-06-22 | Telegen Corporation | Light emitting device and associates methods of manufacture |
US7105840B2 (en) * | 2005-02-03 | 2006-09-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source for use in an ion implanter |
US7488958B2 (en) | 2005-03-08 | 2009-02-10 | Axcelis Technologies, Inc. | High conductance ion source |
GB0505856D0 (en) * | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Applied Materials Inc | Cathode and counter-cathode arrangement in an ion source |
KR101177867B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2012-08-28 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 도핑 방법 및 플라즈마 도핑 장치 |
JP5420239B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2014-02-19 | パーサー、ケネス、エイチ. | 原子及び分子の低不純物強イオンビームの製造用共鳴方法 |
US7365340B2 (en) * | 2005-07-20 | 2008-04-29 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Resonance method for production of intense low-impurity ion beams of atoms and molecules |
US20070278417A1 (en) * | 2005-07-01 | 2007-12-06 | Horsky Thomas N | Ion implantation ion source, system and method |
JP5591470B2 (ja) | 2005-08-30 | 2014-09-17 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 代替フッ化ホウ素前駆体を使用するホウ素イオン注入および注入のための大きな水素化ホウ素の形成 |
KR100645689B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 선형 증착원 |
KR100711885B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 |
KR100711886B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 |
US7511287B2 (en) * | 2005-09-21 | 2009-03-31 | Axcelis Technologies, Inc. | Systems and methods that mitigate contamination and modify surface characteristics during ion implantation processes through the introduction of gases |
CN101313395B (zh) * | 2005-12-09 | 2013-03-27 | 山米奎普公司 | 通过植入碳团簇制造半导体装置的系统和方法 |
WO2007085008A2 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for use of indium chloride to deliver indium vapor to ion source |
US7435971B2 (en) * | 2006-05-19 | 2008-10-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source |
JP2009540533A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | セムイクウィップ・インコーポレーテッド | 蒸発装置 |
TWI416573B (zh) * | 2006-06-13 | 2013-11-21 | Semequip Inc | 多用途離子佈植器束流線組態、離子佈植器束流線、提供一用於一離子佈植器束流線之可調整質量選擇孔隙之設備及用於一離子佈植器束流線之分析器磁體 |
KR101350759B1 (ko) | 2006-06-30 | 2014-01-13 | 노르디코 테크니컬 서비시즈 리미티드 | 이온빔 가속 장치 |
US8261690B2 (en) * | 2006-07-14 | 2012-09-11 | Georgia Tech Research Corporation | In-situ flux measurement devices, methods, and systems |
US7589333B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-09-15 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for rapidly switching off an ion beam |
US8803110B2 (en) * | 2006-09-29 | 2014-08-12 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for beam current modulation by ion source parameter modulation |
US7622722B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion implantation device with a dual pumping mode and method thereof |
WO2008070453A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-06-12 | Semequip, Inc. | Vapor delivery system useful with ion sources and vaporizer for use in such system |
US7732309B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersed ion implantation process |
WO2008075606A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Shimadzu Corporation | イオン化装置 |
GB0703044D0 (en) * | 2007-02-16 | 2007-03-28 | Nordiko Technical Services Ltd | Apparatus |
TWI385699B (zh) * | 2007-05-22 | 2013-02-11 | Semequip Inc | 用於自一離子源萃取離子之離子萃取系統 |
US20080305598A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Horsky Thomas N | Ion implantation device and a method of semiconductor manufacturing by the implantation of ions derived from carborane molecular species |
JP2008311125A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Nec Electronics Corp | 気化装置およびこれを備えたイオン源装置 |
US7947966B2 (en) * | 2007-07-31 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Double plasma ion source |
US7655925B2 (en) * | 2007-08-31 | 2010-02-02 | Cymer, Inc. | Gas management system for a laser-produced-plasma EUV light source |
WO2009045722A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Two-diemensional uniformity correction for ion beam assisted etching |
US7700925B2 (en) * | 2007-12-28 | 2010-04-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US8003954B2 (en) | 2008-01-03 | 2011-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Gas delivery system for an ion source |
FR2926395B1 (fr) * | 2008-01-11 | 2010-05-14 | Excico Group | Source pulsee d'electrons, procede d'alimentation electrique pour source pulsee d'electrons et procede de commande d'une source pulsee d'electrons |
TWI413149B (zh) * | 2008-01-22 | 2013-10-21 | Semequip Inc | 離子源氣體反應器及用於將氣體饋給材料轉化成不同分子或原子物種之方法 |
US20090200494A1 (en) * | 2008-02-11 | 2009-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for cold implantation of carbon-containing species |
US8072149B2 (en) * | 2008-03-31 | 2011-12-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Unbalanced ion source |
US8089052B2 (en) * | 2008-04-24 | 2012-01-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source with adjustable aperture |
US8330118B2 (en) * | 2008-05-16 | 2012-12-11 | Semequip, Inc. | Multi mode ion source |
US8871619B2 (en) * | 2008-06-11 | 2014-10-28 | Intevac, Inc. | Application specific implant system and method for use in solar cell fabrications |
US7812321B2 (en) * | 2008-06-11 | 2010-10-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for providing a multimode ion source |
US7759657B2 (en) | 2008-06-19 | 2010-07-20 | Axcelis Technologies, Inc. | Methods for implanting B22Hx and its ionized lower mass byproducts |
KR101064567B1 (ko) * | 2008-10-16 | 2011-09-14 | 김용환 | 빔폭 제어 가능한 전자빔 제공 장치 |
US8026492B2 (en) * | 2008-11-04 | 2011-09-27 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Dual mode gas field ion source |
US8981322B2 (en) * | 2009-02-04 | 2015-03-17 | Tel Epion Inc. | Multiple nozzle gas cluster ion beam system |
US9685186B2 (en) * | 2009-02-27 | 2017-06-20 | Applied Materials, Inc. | HDD pattern implant system |
US20100243913A1 (en) | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Tel Epion Inc. | Pre-aligned nozzle/skimmer |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
MY160165A (en) * | 2009-04-10 | 2017-02-28 | Applied Materials Inc | Use special ion source apparatus and implant with molecular ions to process hdd (high density magnetic disks)with patterned magnetic domains |
US8749053B2 (en) * | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
US20110021011A1 (en) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Carbon materials for carbon implantation |
US8802201B2 (en) * | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US8253118B2 (en) | 2009-10-14 | 2012-08-28 | Fei Company | Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes |
US8350236B2 (en) * | 2010-01-12 | 2013-01-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Aromatic molecular carbon implantation processes |
US8487534B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-07-16 | General Electric Company | Pierce gun and method of controlling thereof |
US8344337B2 (en) | 2010-04-21 | 2013-01-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Silaborane implantation processes |
JP5908476B2 (ja) | 2010-08-30 | 2016-04-26 | インテグリス・インコーポレーテッド | 固体材料から化合物又はその中間体を調製するための装置及び方法並びにそのような化合物及び中間体の使用 |
JP5730521B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2015-06-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 熱処理装置 |
KR101144222B1 (ko) * | 2010-12-22 | 2012-05-10 | 한국원자력연구원 | 이온원 장치 및 그 이온원의 운전방법 |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
JP5665679B2 (ja) * | 2011-07-14 | 2015-02-04 | 住友重機械工業株式会社 | 不純物導入層形成装置及び静電チャック保護方法 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
TWI583442B (zh) | 2011-10-10 | 2017-05-21 | 恩特葛瑞斯股份有限公司 | B2f4之製造程序 |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
TWI506719B (zh) | 2011-11-08 | 2015-11-01 | Intevac Inc | 基板處理系統及方法 |
WO2013068796A2 (en) * | 2011-11-09 | 2013-05-16 | Brookhaven Science Associates, Llc | Molecular ion source for ion implantation |
KR101590082B1 (ko) | 2011-11-23 | 2016-01-29 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 실리콘 산화물 화학 기상 증착 포토레지스트 평탄화를 위한 장치들 및 방법들 |
US9960042B2 (en) | 2012-02-14 | 2018-05-01 | Entegris Inc. | Carbon dopant gas and co-flow for implant beam and source life performance improvement |
US8664622B2 (en) * | 2012-04-11 | 2014-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | System and method of ion beam source for semiconductor ion implantation |
US9653261B2 (en) * | 2012-05-14 | 2017-05-16 | Mapper Lithography Ip B.V. | Charged particle lithography system and beam generator |
US10586625B2 (en) | 2012-05-14 | 2020-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Vacuum chamber arrangement for charged particle beam generator |
US11348756B2 (en) | 2012-05-14 | 2022-05-31 | Asml Netherlands B.V. | Aberration correction in charged particle system |
JP2014003046A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Hitachi Ltd | イオン注入方法 |
US9773635B2 (en) | 2012-07-07 | 2017-09-26 | Lilas Gmbh | Device for producing an electron beam |
US9484176B2 (en) * | 2012-09-10 | 2016-11-01 | Thomas Schenkel | Advanced penning ion source |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US8933630B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Arc chamber with multiple cathodes for an ion source |
TWI570745B (zh) | 2012-12-19 | 2017-02-11 | 因特瓦克公司 | 用於電漿離子植入之柵極 |
WO2014120232A1 (en) * | 2013-02-01 | 2014-08-07 | Seagate Technology Llc | System for low energy ion implantation and layer formation |
GB2518122B (en) * | 2013-02-19 | 2018-08-08 | Markes International Ltd | An electron ionisation apparatus |
US9443700B2 (en) * | 2013-03-12 | 2016-09-13 | Applied Materials, Inc. | Electron beam plasma source with segmented suppression electrode for uniform plasma generation |
US8994272B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-03-31 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Ion source having at least one electron gun comprising a gas inlet and a plasma region defined by an anode and a ground element thereof |
US9275819B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-03-01 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Magnetic field sources for an ion source |
US9865422B2 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-09 | Nissin Ion Equipment Co., Ltd. | Plasma generator with at least one non-metallic component |
US10221476B2 (en) * | 2013-06-03 | 2019-03-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Coating insulating materials for improved life |
US20150123003A1 (en) * | 2013-11-06 | 2015-05-07 | University Of Kentucky Research Foundation | High resolution absorption imaging using annihilation radiation from an external positron source |
US9543110B2 (en) * | 2013-12-20 | 2017-01-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Reduced trace metals contamination ion source for an ion implantation system |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US9540725B2 (en) | 2014-05-14 | 2017-01-10 | Tel Epion Inc. | Method and apparatus for beam deflection in a gas cluster ion beam system |
TWI501286B (zh) * | 2014-06-27 | 2015-09-21 | Advanced Ion Beam Tech Inc | 離子佈植機 |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
TWI523084B (zh) | 2014-11-11 | 2016-02-21 | 漢辰科技股份有限公司 | 離子佈植法 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
JP6415388B2 (ja) * | 2015-05-29 | 2018-10-31 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | プラズマ生成装置 |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
EP3324421A4 (en) * | 2015-07-15 | 2019-04-24 | National University corporation Nara Institute of Science and Technology | ELECTROSTATIC LENS, AND PARALLEL BEAM GENERATING DEVICE, AND PARALLEL BEAM CONVERGENCE DEVICE USING THE ELECTROSTATIC LENS AND A COLLIMATOR |
TWI581315B (zh) * | 2015-07-24 | 2017-05-01 | 漢辰科技股份有限公司 | 鑭系元素離子源產生方法 |
KR102589972B1 (ko) * | 2015-09-11 | 2023-10-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 슬롯형 접지 플레이트를 갖춘 플라즈마 모듈 |
US10954594B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-03-23 | Applied Materials, Inc. | High temperature vapor delivery system and method |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US9824846B2 (en) * | 2016-01-27 | 2017-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual material repeller |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
EP3261110A1 (en) * | 2016-06-21 | 2017-12-27 | Excillum AB | X-ray source with ionisation tool |
US9691584B1 (en) * | 2016-06-30 | 2017-06-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source for enhanced ionization |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US20180286656A1 (en) * | 2017-03-28 | 2018-10-04 | Thermo Finnigan Llc | Systems and methods for electron ionization ion sources |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
TWI818252B (zh) * | 2017-06-05 | 2023-10-11 | 美商瓦里安半導體設備公司 | 間接加熱式陰極離子源 |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10096445B1 (en) * | 2017-07-28 | 2018-10-09 | Bohhen Optronics Co., Ltd. | Ion source apparatus |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US10597773B2 (en) * | 2017-08-22 | 2020-03-24 | Praxair Technology, Inc. | Antimony-containing materials for ion implantation |
US11098402B2 (en) | 2017-08-22 | 2021-08-24 | Praxair Technology, Inc. | Storage and delivery of antimony-containing materials to an ion implanter |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
CN107576979B (zh) * | 2017-09-01 | 2024-04-12 | 山东省计量科学研究院 | 一种剂量率量程模拟扩展装置 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
GB2567853B (en) | 2017-10-26 | 2020-07-29 | Isotopx Ltd | Gas-source mass spectrometer comprising an electron source |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
JP6812962B2 (ja) * | 2017-12-26 | 2021-01-13 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
WO2019142055A2 (en) | 2018-01-19 | 2019-07-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
US10325752B1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-06-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Performance extraction set |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
TW202013553A (zh) | 2018-06-04 | 2020-04-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
JP2021529254A (ja) | 2018-06-27 | 2021-10-28 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10707050B2 (en) | 2018-07-26 | 2020-07-07 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method to detect glitches |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10892136B2 (en) * | 2018-08-13 | 2021-01-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source thermal gas bushing |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US10923309B2 (en) * | 2018-11-01 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | GeH4/Ar plasma chemistry for ion implant productivity enhancement |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10790116B2 (en) * | 2018-11-20 | 2020-09-29 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam using electostatic filter |
US10804068B2 (en) * | 2018-11-20 | 2020-10-13 | Applied Materials, Inc. | Electostatic filter and method for controlling ion beam properties using electrostatic filter |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
US11315791B2 (en) * | 2018-12-15 | 2022-04-26 | Entegris, Inc. | Fluorine ion implantation method and system |
US10573485B1 (en) * | 2018-12-20 | 2020-02-25 | Axcelis Technologies, Inc. | Tetrode extraction apparatus for ion source |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
TWI693656B (zh) * | 2019-04-25 | 2020-05-11 | 晨碩國際有限公司 | 離子佈植機用之供氣系統 |
KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
CN112117176B (zh) * | 2019-06-20 | 2023-03-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理设备及等离子体处理系统 |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
US11120966B2 (en) | 2019-09-03 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
US11232925B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-01-25 | Applied Materials, Inc. | System and method for improved beam current from an ion source |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
US11170973B2 (en) | 2019-10-09 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Temperature control for insertable target holder for solid dopant materials |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
RU2725788C1 (ru) * | 2019-12-17 | 2020-07-06 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) | Устройство для поверхностной обработки металлических и металлокерамических изделий |
CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
CN111663105A (zh) * | 2020-05-26 | 2020-09-15 | 南方科技大学 | 超高真空电子束蒸发器、电子束镀膜装置 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
JP7065162B2 (ja) * | 2020-09-30 | 2022-05-11 | 住友重機械工業株式会社 | イオン源装置 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
US11854760B2 (en) * | 2021-06-21 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Crucible design for liquid metal in an ion source |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6253558U (ja) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | ||
JPS6370649U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-12 | ||
JPH03257748A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-11-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン生成方法 |
JPH0676775A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | イオン打込み方法 |
JPH08298247A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JPH10188833A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | イオン発生装置及びイオン照射装置 |
JPH11283931A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
Family Cites Families (86)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US555204A (en) | 1896-02-25 | Car-fender | ||
US556204A (en) * | 1896-03-10 | Galvanizing-machine | ||
US2733348A (en) * | 1956-01-31 | Ion source units | ||
US2700107A (en) * | 1950-01-10 | 1955-01-18 | John S Luce | Ion source |
US2773348A (en) * | 1952-03-27 | 1956-12-11 | Nordberg Manufacturing Co | Turbo-charger system, involving plural turbine driven superchargers |
JPS5148097A (en) | 1974-10-23 | 1976-04-24 | Osaka Koon Denki Kk | Iongen |
US4272319A (en) | 1978-02-28 | 1981-06-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Device and method for electron beam heating of a high density plasma |
JPS54144170A (en) * | 1978-05-02 | 1979-11-10 | Hitachi Ltd | Cathode constituent of direct heating type |
US4261762A (en) | 1979-09-14 | 1981-04-14 | Eaton Corporation | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum |
US4531077A (en) * | 1983-12-16 | 1985-07-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Ion source with improved primary arc collimation |
US4714834A (en) | 1984-05-09 | 1987-12-22 | Atomic Energy Of Canada, Limited | Method and apparatus for generating ion beams |
US4633129A (en) | 1985-04-30 | 1986-12-30 | International Business Machines Corporation | Hollow cathode |
JPS6210850A (ja) * | 1985-07-08 | 1987-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子ビ−ム静電レンズ |
US4719355A (en) * | 1986-04-10 | 1988-01-12 | Texas Instruments Incorporated | Ion source for an ion implanter |
JPS62278734A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-03 | Ulvac Corp | イオン源 |
US4841197A (en) * | 1986-05-28 | 1989-06-20 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Double-chamber ion source |
US4737688A (en) * | 1986-07-22 | 1988-04-12 | Applied Electron Corporation | Wide area source of multiply ionized atomic or molecular species |
DE3708086A1 (de) * | 1987-03-13 | 1988-09-22 | Henkel Kgaa | Fahrbarer bodenreinigungsautomat |
US4791273A (en) * | 1987-05-15 | 1988-12-13 | Varian Associates, Inc. | Vaporizer system for ion source |
GB8803837D0 (en) | 1988-02-18 | 1988-03-16 | Vg Instr Group | Mass spectrometer |
JPH01235130A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-20 | Fuji Electric Co Ltd | イオン源装置 |
US4902572A (en) * | 1988-04-19 | 1990-02-20 | The Boeing Company | Film deposition system |
JPH027855A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-11 | Seiko Epson Corp | 発電機 |
JPH02296558A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-07 | Canon Inc | 侵入防止装置 |
US5313061A (en) * | 1989-06-06 | 1994-05-17 | Viking Instrument | Miniaturized mass spectrometer system |
DE69028304T2 (de) | 1989-06-06 | 1997-04-24 | Viking Instr Corp | Miniaturisiertes massenspektrometersystem |
EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
US5101110A (en) | 1989-11-14 | 1992-03-31 | Tokyo Electron Limited | Ion generator |
JP2791911B2 (ja) * | 1989-11-14 | 1998-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | イオン源 |
US5556204A (en) * | 1990-07-02 | 1996-09-17 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for detecting the temperature of a sample |
KR0165898B1 (ko) * | 1990-07-02 | 1999-02-01 | 미다 가쓰시게 | 진공처리방법 및 장치 |
US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
JPH05144397A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | イオン源 |
JPH06176724A (ja) * | 1992-01-23 | 1994-06-24 | Tokyo Electron Ltd | イオン源装置 |
US5306921A (en) * | 1992-03-02 | 1994-04-26 | Tokyo Electron Limited | Ion implantation system using optimum magnetic field for concentrating ions |
JP2580943Y2 (ja) * | 1992-06-25 | 1998-09-17 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
US5391962A (en) * | 1992-07-13 | 1995-02-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Electron beam driven negative ion source |
JP2569913Y2 (ja) * | 1993-03-10 | 1998-04-28 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置 |
US5306922A (en) * | 1993-03-16 | 1994-04-26 | Genus, Inc. | Production of high beam currents at low energies for use in ion implantation systems |
JPH06325711A (ja) * | 1993-05-14 | 1994-11-25 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | スパッタ型イオン源 |
JP3079869B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2000-08-21 | 日新電機株式会社 | イオン源 |
US5780862A (en) * | 1994-01-11 | 1998-07-14 | Siess; Harold E. | Method and apparatus for generating ions |
JPH0817377A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Rikagaku Kenkyusho | 電子ビーム励起イオンプラズマ発生装置 |
US5523652A (en) * | 1994-09-26 | 1996-06-04 | Eaton Corporation | Microwave energized ion source for ion implantation |
JP3454388B2 (ja) * | 1994-11-15 | 2003-10-06 | 理化学研究所 | イオンビーム発生装置のアーク放電方法 |
JP3487002B2 (ja) * | 1995-02-06 | 2004-01-13 | 石川島播磨重工業株式会社 | イオン源 |
JP3355869B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2002-12-09 | 日新電機株式会社 | イオン源制御装置 |
US5633506A (en) * | 1995-07-17 | 1997-05-27 | Eaton Corporation | Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses |
JPH0963493A (ja) * | 1995-08-18 | 1997-03-07 | Nissin Electric Co Ltd | イオン源装置 |
IL115287A (en) * | 1995-09-13 | 2000-02-17 | Aviv Amirav | Flame-based method and apparatus for analyzing a sample |
US5977552A (en) * | 1995-11-24 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Boron ion sources for ion implantation apparatus |
US5675152A (en) * | 1996-01-16 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Source filament assembly for an ion implant machine |
US5895923A (en) * | 1996-02-16 | 1999-04-20 | Eaton Corporation | Ion beam shield for implantation systems |
US6500314B1 (en) * | 1996-07-03 | 2002-12-31 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method |
US6048435A (en) * | 1996-07-03 | 2000-04-11 | Tegal Corporation | Plasma etch reactor and method for emerging films |
AU7092396A (en) | 1996-09-27 | 1998-04-17 | Arpad Barna | Ion source for generating ions of a gas or vapour |
JPH10154018A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Sumitomo Constr Mach Co Ltd | 油圧回路の作動油温度制御装置 |
US5951769A (en) * | 1997-06-04 | 1999-09-14 | Crown Roll Leaf, Inc. | Method and apparatus for making high refractive index (HRI) film |
US6111260A (en) * | 1997-06-10 | 2000-08-29 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for in situ anneal during ion implant |
US6815633B1 (en) * | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
US6150628A (en) * | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
JP3304861B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2002-07-22 | 日新ハイボルテージ株式会社 | セシウムスパッタ形負イオン源 |
US6107634A (en) | 1998-04-30 | 2000-08-22 | Eaton Corporation | Decaborane vaporizer |
US6094012A (en) | 1998-11-06 | 2000-07-25 | The Regents Of The University Of California | Low energy spread ion source with a coaxial magnetic filter |
US6037717A (en) | 1999-01-04 | 2000-03-14 | Advanced Ion Technology, Inc. | Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam |
US6246059B1 (en) | 1999-03-06 | 2001-06-12 | Advanced Ion Technology, Inc. | Ion-beam source with virtual anode |
US6288403B1 (en) * | 1999-10-11 | 2001-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Decaborane ionizer |
US6313428B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-11-06 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Apparatus and method for reducing space charge of ion beams and wafer charging |
US6452338B1 (en) * | 1999-12-13 | 2002-09-17 | Semequip, Inc. | Electron beam ion source with integral low-temperature vaporizer |
EP2426693A3 (en) | 1999-12-13 | 2013-01-16 | Semequip, Inc. | Ion source |
US7838850B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | External cathode ion source |
US7838842B2 (en) * | 1999-12-13 | 2010-11-23 | Semequip, Inc. | Dual mode ion source for ion implantation |
US20070107841A1 (en) * | 2000-12-13 | 2007-05-17 | Semequip, Inc. | Ion implantation ion source, system and method |
US6291940B1 (en) | 2000-06-09 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Blanker array for a multipixel electron source |
US6583544B1 (en) | 2000-08-07 | 2003-06-24 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source having replaceable and sputterable solid source material |
US6476399B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-11-05 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method for removing contaminant particles relative to an ion beam |
US6559462B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-05-06 | International Business Machines Corporation | Method to reduce downtime while implanting GeF4 |
CA2361298C (en) * | 2000-11-08 | 2004-10-12 | Research In Motion Limited | Impedance matching low noise amplifier having a bypass switch |
US6755150B2 (en) * | 2001-04-20 | 2004-06-29 | Applied Materials Inc. | Multi-core transformer plasma source |
US6651543B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-11-25 | Andrew D. Park | Lightweight soft body-armor product |
US6559544B1 (en) * | 2002-03-28 | 2003-05-06 | Alan Roth | Programmable interconnect for semiconductor devices |
US7138768B2 (en) | 2002-05-23 | 2006-11-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Indirectly heated cathode ion source |
US20040002202A1 (en) | 2002-06-26 | 2004-01-01 | Horsky Thomas Neil | Method of manufacturing CMOS devices by the implantation of N- and P-type cluster ions |
US7459704B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-12-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Ion source configuration for production of ionized clusters, ionized molecules and ionized mono-atoms |
US20070278417A1 (en) | 2005-07-01 | 2007-12-06 | Horsky Thomas N | Ion implantation ion source, system and method |
-
2000
- 2000-12-13 EP EP11009107A patent/EP2426693A3/en not_active Withdrawn
- 2000-12-13 TW TW089126562A patent/TW521295B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-13 WO PCT/US2000/033786 patent/WO2001043157A1/en active Application Filing
- 2000-12-13 JP JP2001543753A patent/JP4820038B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-13 EP EP00988056.8A patent/EP1245036B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-13 AU AU24306/01A patent/AU2430601A/en not_active Abandoned
-
2002
- 2002-06-12 US US10/170,512 patent/US7107929B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-15 US US10/825,339 patent/US7022999B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-08 US US10/887,426 patent/US7185602B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-08 US US10/887,425 patent/US7112804B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-07-01 US US11/174,107 patent/US7479643B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-01 JP JP2006055554A patent/JP2006196465A/ja active Pending
- 2006-09-26 US US11/527,994 patent/US7800312B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-04 JP JP2006327583A patent/JP5107567B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-29 US US11/647,924 patent/US7732787B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-12-18 US US12/642,161 patent/US8154210B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010018646A patent/JP2010140908A/ja not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-01-06 JP JP2011001555A patent/JP2011066022A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-01-31 JP JP2013016451A patent/JP2013127976A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6253558U (ja) * | 1985-09-21 | 1987-04-02 | ||
JPS6370649U (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-12 | ||
JPH03257748A (ja) * | 1990-01-22 | 1991-11-18 | Tokyo Electron Ltd | イオン生成方法 |
JPH0676775A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-03-18 | Hitachi Ltd | イオン打込み方法 |
JPH08298247A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | イオン注入方法およびその装置 |
JPH10188833A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Toshiba Corp | イオン発生装置及びイオン照射装置 |
JPH11283931A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Hitachi Ltd | イオン打ち込み方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101380149B1 (ko) | 2006-12-08 | 2014-04-01 | 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. | 이온 주입기를 위한 패러데이 컵의 자기적 모니터링 |
JP2013509004A (ja) * | 2009-10-27 | 2013-03-07 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | イオン注入システムおよび方法 |
US9111860B2 (en) | 2009-10-27 | 2015-08-18 | Entegris, Inc. | Ion implantation system and method |
US9142387B2 (en) | 2009-10-27 | 2015-09-22 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
CN105702547A (zh) * | 2009-10-27 | 2016-06-22 | 安格斯公司 | 离子注入系统及方法 |
US9685304B2 (en) | 2009-10-27 | 2017-06-20 | Entegris, Inc. | Isotopically-enriched boron-containing compounds, and methods of making and using same |
KR20180111950A (ko) * | 2016-07-05 | 2018-10-11 | 가부시키가이샤 사무코 | 클러스터 이온 빔 생성 방법 및 그것을 이용한 클러스터 이온 빔 조사 방법 |
KR102165217B1 (ko) | 2016-07-05 | 2020-10-13 | 가부시키가이샤 사무코 | 클러스터 이온 빔 생성 방법 및 그것을 이용한 클러스터 이온 빔 조사 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030230986A1 (en) | 2003-12-18 |
TW521295B (en) | 2003-02-21 |
US7185602B2 (en) | 2007-03-06 |
US20100148089A1 (en) | 2010-06-17 |
EP1245036B1 (en) | 2013-06-19 |
EP2426693A3 (en) | 2013-01-16 |
US20040188631A1 (en) | 2004-09-30 |
US20070262262A1 (en) | 2007-11-15 |
JP2007115704A (ja) | 2007-05-10 |
EP2426693A2 (en) | 2012-03-07 |
US7800312B2 (en) | 2010-09-21 |
JP5107567B2 (ja) | 2012-12-26 |
US7479643B2 (en) | 2009-01-20 |
US20070108394A1 (en) | 2007-05-17 |
JP2011066022A (ja) | 2011-03-31 |
JP2004507861A (ja) | 2004-03-11 |
WO2001043157A1 (en) | 2001-06-14 |
US7732787B2 (en) | 2010-06-08 |
US7107929B2 (en) | 2006-09-19 |
US7022999B2 (en) | 2006-04-04 |
EP1245036A1 (en) | 2002-10-02 |
US20050051096A1 (en) | 2005-03-10 |
US8154210B2 (en) | 2012-04-10 |
US7112804B2 (en) | 2006-09-26 |
US20050269520A1 (en) | 2005-12-08 |
US20040245476A1 (en) | 2004-12-09 |
EP1245036A4 (en) | 2009-04-22 |
JP2010140908A (ja) | 2010-06-24 |
JP2013127976A (ja) | 2013-06-27 |
JP4820038B2 (ja) | 2011-11-24 |
AU2430601A (en) | 2001-06-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071212 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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|
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|
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120221 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130213 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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