JPS62278734A - イオン源 - Google Patents

イオン源

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JPS62278734A
JPS62278734A JP12128386A JP12128386A JPS62278734A JP S62278734 A JPS62278734 A JP S62278734A JP 12128386 A JP12128386 A JP 12128386A JP 12128386 A JP12128386 A JP 12128386A JP S62278734 A JPS62278734 A JP S62278734A
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JP
Japan
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discharge chamber
gas
discharge
sub
ion source
Prior art date
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Pending
Application number
JP12128386A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuo Takayama
一男 高山
Eiji Yabe
矢部 栄二
Kenichi Takagi
憲一 高木
Ryota Fukui
了太 福井
Riichi Kikuchi
菊池 理一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 λ 発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 不発明は、イオン注入装置、1オ/マイクロアナライザ
その他イオンを利用する装置に通用されるイオン源に関
する。
(従来の技術) 従来1代表的なイオン源としてタングステンフィラメン
トを便用してプラズマを発生させるフリーマン型イオン
源が仰られている。このイオン源は、タングステンフィ
ラメントがイオンによりスパッタされ、或は化学的に活
性なガスを放電ガスとして使用するとフィラメントが化
学反応してその損耗が甚だしく、フィラメントの又換の
ためにイオン源の作動?停止しなければならない。これ
に伴ない該イオン源全便用する装置の停止も要求され、
装βの稼動効率が低下する不都合がある。
そこで吊願人等は、先に、イオンrf1の放電室を、細
孔を備えた隔壁を欅により主放電室と副放電室に区画し
、フィラメントを設けた副放電室には希ガスを導入し、
でた主放電室には所望のイオンを発生する放(ガス全導
入し、副放電室の出力?主放電室の圧力よりも高め、)
1うメントと隔壁を極と主放電室の陽極との間で複合放
tを行なうことによりイオンf!:発生させ。
フィラメントの寿命を長くするようにしたものを提案し
た(′#開昭60−189841 )。
(発明が解決しようとする問題点) 前記提案のものは化学的に活性な放電ガスを使用出来、
しかも比較的長時間の使用に耐える有利性があるが、大
きなイオン電流を得るには萱だ元弁でない。
本発明の目的は、長寿命でしかも大きなイオン逼流を得
ることが出来るづオン源を提供することにある。
(問題点を解決するための手段) 本発明では、前記問題点の解決のために、放電室を、隔
壁により主放電室とフィラメント2投けた副放電室とに
区画すると共にこれら両室?該@壁に設けたアノード電
極の細孔を介して連通さぜ、該副放電室に希ガスを導入
すると共に主放電室に所望のくオンを発生させる放電ガ
スを導入し、獲副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも
高く保持するようにしたものに於て。
該放電室の側方に、前記細孔の軸方向にほぼ沿った磁場
を形成する磁石を設けるようにした。
これに於て放電ガスに酸素ガスを使用することも可能で
ある。
(fPr−用) 副放電室にArガス等の希ガスを導入すると共に主放電
室に02ガス等の化学活性の窩い放電ガスを4入し、該
副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも高める。そして
副放電室内のフィラメントへ通電すると共に細孔が形成
されたアノ−1′[極及び主放電室にアノ−1′電圧を
印力aすると、副放電室内では)1ラメントからの熱電
子の供給を得てアノード電極との間でプラズマが発生す
る。このプラズマは開放を室の圧力が高いのでアノード
’iaeに形成した細孔から主放電室内へとI!!き出
し、この噴出プラズマと主放電室との間で放電ガスが電
離し、イオンが発生する。発生したイオンは主放電室の
側方のイオンビーム引き出し口から引き出し[&により
ビーーム状に引き出される。
電1放電室から細孔を介して主放電室へと噴出するプラ
ズマは、両放電室の圧力差だけではわずかの高さにしか
噴出しないが、放電室の外部側方に磁石を設けてこれに
より該細孔の軸方向に沿つfc磁場を与えることで細孔
から王放屯室内に細く長いフィラメント状のプラズマを
噴出させ得、イオン引き出し口の近くに1でプラズマを
4ぐことが出来、多くのイオンを引き出し得て大きなイ
オンiI流を得ることが出来る。、また、王放1室で生
成さnたイオン及び中性活性ガスは副放電室との圧力差
のために副放電室へと逆流することがなく、フィラメン
トのスノゼッタ及び活性ガスとの反応による損耗を防げ
、副放電室では希ガスが用いられているのでフィラメン
トが解化することもなく、イオン源の寿命も長(なゐ。
(実施例) 本発明の実施例を別紙図面につき説明すると、第1図に
於て符+fi(11は円筒形室内金有する改(室、(2
)は該放電室(1)を上方の主放電室(3)と下方の副
放電室(4)とに区lする隔壁を示し、図示のものでは
該隔壁(2)を副放電室(4)の天板(5)と申開にア
ノード電極(6)全介在さゼたセラミック板(7)(7
)とで構成した。主放電室(31d 、内面にセラミッ
ク板(8)を設けたフロートx位の第2アノード電惨(
9)と、前記隔壁(2)と、円筒形空室を有する第3ア
ノード電極00とで構成し、第3アノード![祢(I+
)に、上下方rqノ幅2 tm、 *さ25mのスリッ
ト状のイオン引き出し口++11と、その反対側1に装
置し”CAsF’5ガス、02ガス等の活性ガスやAr
ガス等の不活性ガスの放電ガス’klj1人する放電ガ
ス導入孔口とを形成した。
O:つはアノード電極(6)に形成した細孔で、天板(
5)及びセラミック板(7) (7)にも該細孔f13
に連らなる延長孔04α41全形成し、主放電室(3)
と副放電室(4)とが連通するようにした。、該細孔0
3及び延長孔(14Q41は隔壁(2)に直線状に開孔
形成し、しかも4オン引き出し口α1)に接近させて形
成することが好ましい。
□□□は副放電室(4)に形成した人「ガス等の希ガス
の導入孔、(至)は副放電室(4)に開孔する延長孔0
4の前方に設けtフィラメント、α力は主放電室(3)
の第2アノード¥jL極(9)の前方のセラミック板(
8)に延長孔α4と対問させて形成した放電用の71%
孔(至)09はイオン引出口αυの前方に設けた引出し
電極である。放電室(1)を構成する主放電室(3)の
上方と副族11L’4 (4)の下方には、アノード電
極(6)の細孔■の軸方向にほぼ沿った磁場ωを与える
ように磁石12]) am)が設けられる、第2図は第
1図示の実施例に於ける電気配線を示すもので、Qはア
ノード電極(6)に副放電内(4)内での放電のための
電位を与える副放電用電源、いは第3アノードを極01
に主放電室(3)内での放電のための゛電位を与える玉
数電用電源、弼はフ1ラメント(至)の発熱用のフィラ
メント電源。
(イ)は引出し[極0&α9にイオン引き出し用の電位
を与λる引出し電源、翰は減速電源である。□□□はイ
オン引出し口α])から引出されるビーム状イオンのイ
オン′亀流を測定するためにイオン引出し口(]l)か
ら30011離【7て設けたファラデーカップである。
以上の構成のものに於ける作動は次の通りである。
1ず1m11放成室(4)内の真空度が1〜(J、I 
IorrとなるようにArガスを導入口09から1−2
scanの割合で流し込み、玉数を室(:()の真空度
が1υ〜1Otor rととなるように放電ガス導入口
じからASFSガスを流し、放電室(1)の外部の真空
度をlO〜ILJtorrとした6次で各電源■@I2
41@を作動させると、フィラメント(至)からの電子
の供給全党け。
これとアノードを祢(6)との間で放電し、rLrガス
のプラズマが発生する。該フィラメント卵は直径u、a
 mで2%のトリウム入りタングステン線をステンレス
のコネクター■を介して絶縁物の甘□□□に固定して構
成した。
この放電は、X外的にはアノード電極(6)の細孔α3
の内面に於て行なわれる副放電であり、そのプラズマが
主放電室(3)と副放電室(4)の圧力差により細孔α
J及び延長孔04)から玉数[室(3)内へと流れ込む
と、これと第3アノ−r電極頭との間で生ずる玉数W、
を誘起し、 AsF5ガスのプラズマが生ずる。副放電
室(4)から主放電室(3)に流れ込むプラズマは、玉
数t’を起すためのフ1ラメントの役目を営むが王副成
を室+31 (41間の圧力差のみに頓ると主放電室(
:()内で拡散希釈化し。
AsF5ガスの多くを電離さぞ得ないので、更に磁石a
l)12υを設けて細孔Uの方向のa場■金発生さぜ、
これに沿って副放電によるプラズマが光軸状に主放電室
(3)に大きく噴出してAsF5ガスの多くを電離する
ようにした。電離した入Sイオン等は引出し電極0跨0
9によりづオン引き出しロロl)からビーム状に引き出
される。
引き出されたイオンの象はファラデーカップ@に於てフ
ァラデーカップ電流(4オン″?11.光)として測定
されるが、フィラメント(ト)に2υ、5A。
アノード1極(6)に与える副放電1電流を3.(JA
、第37ノード電極11Gに与える玉数11L亀流り、
を人とした場合、第3図の曲線入で示すように引出し電
極明α9の電圧を変えることにより仄第に太きくなるフ
ァラデーカップ電流が得られ%最大4(JmA/−の大
きな値の多量のイオンを発生させ得た、仝図の曲線Bは
引出し電極(卯的?流れる引き出し電流で、その引出し
電圧の増大には余り依存しないことが分った。
更に第1図及び銅2図示のものに於て、副族m!(41
にA「ガスf 1.2 secm aし、主放電室(3
)にり、3 secmの入SFS  を流し、フィラメ
ント【旨の篭@i乙うケ26.5 A、アノード電極(
6)に副放電1用r6源のから1.5Aの電流を与え、
引出1.7電極(18叫の′ぼ、源(イ)の電圧を4 
tJ KVとし、玉数電用亀源03の電流を変化させた
ところ、引出し電極q勾α9の引出し電流は第4図の曲
線Cで示すように玉数電亀流の増加に比し11シて増加
すると共にファラデーカップ(イ)で測定された電流も
曲@ I)のように玉数亀亀流に比例することが分った
。これによれば玉数電′邂流の調繁によってイオン発生
ft kコントロール出来、イオン源の使用上1更利で
あゐ。
史fζ副成逼室(4ンにArガス金1.2secm、ま
た王放電室(3)にAsF5ガスを(J、3 secm
流し、フィラメント(ト)の電源勿に2 tl、5 A
、1放′は用電源@からアノードを極(6)に3.OA
、玉数電用電源(ハ)から第3アノードt*noに1.
1A、引出し電源(至)から引出しt極Q81 Q(i
に41JKV金夫々与えて連続して使用したところ、1
5図の曲、IJWに見られるようにファラデーカップ@
で測定される電流は、ドリフト、リップル共に1%以下
で安定性は良好であった。この状態でフリーマン型イオ
ン源のR命2 U (J mA @hours ’(越
え、る約40時間の連続運転を行なえた。
主放電室(3)に導入される活性ガスA s F5の放
電ガスに代え02ガスを使用17でも、大きなファラデ
ーカップ電流即ち大葉のOづオンを安定して長時間に亘
9得ることが可能で1例えばシリコンウェハの5i02
絶縁層の形成に有効に利用出来る。
(発明の効果) 以上のように不発明では、希ガスのプラズマが形成され
る副放電室とこれよりも低圧でしかも細孔?介して該プ
ラズマが導入される主放電室を設けるようにしたイオン
源に、tJ細孔の軸方口にほぼ沿つ友出湯を形成する磁
石を設けるようにしたので、副放i!!で発生する希ガ
スのプラズマを玉数電室円に細孔から尋人して元軸状に
噴出させ得、放′亀ガスの′邂4効率を高めて大量のイ
オンを発生させることが出来、また放電ガスは1放*y
に逆流しないので酸素等の活性ガスを使用して長時間運
転することが出来でウェハ等の処理能率を高めることが
出来る特の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の半裁斜視図、第2図は第1図
示のものの配線図、第3図乃至第5図はファラデーカッ
プで測定した不発明のイオン源のt流密度の線図である

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、放電室を、隔壁により主放電室とフィラメントを設
    けた副放電室とに区画すると共にこれら両室を該隔壁に
    設けたアノード電極の細孔を介して連通させ、該副放電
    室に希ガスを導入すると共に主放電室に所望のイオンを
    発生させる放電ガスを導入し、該副放電室の圧力を主放
    電室の圧力よりも高く保持するようにしたものに於て、
    該放電室の側方に、前記細孔の軸方向にほぼ沿つた磁場
    を形成する磁石を設けたことを特徴とするイオン源。 2、前記放電ガスは酸素ガスであることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項に記載のイオン源。
JP12128386A 1986-05-28 1986-05-28 イオン源 Pending JPS62278734A (ja)

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US07/055,804 US4841197A (en) 1986-05-28 1987-05-27 Double-chamber ion source

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JP12128386A JPS62278734A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 イオン源

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Cited By (3)

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