JPS62278734A - イオン源 - Google Patents
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- JPS62278734A JPS62278734A JP12128386A JP12128386A JPS62278734A JP S62278734 A JPS62278734 A JP S62278734A JP 12128386 A JP12128386 A JP 12128386A JP 12128386 A JP12128386 A JP 12128386A JP S62278734 A JPS62278734 A JP S62278734A
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
λ 発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
不発明は、イオン注入装置、1オ/マイクロアナライザ
その他イオンを利用する装置に通用されるイオン源に関
する。
その他イオンを利用する装置に通用されるイオン源に関
する。
(従来の技術)
従来1代表的なイオン源としてタングステンフィラメン
トを便用してプラズマを発生させるフリーマン型イオン
源が仰られている。このイオン源は、タングステンフィ
ラメントがイオンによりスパッタされ、或は化学的に活
性なガスを放電ガスとして使用するとフィラメントが化
学反応してその損耗が甚だしく、フィラメントの又換の
ためにイオン源の作動?停止しなければならない。これ
に伴ない該イオン源全便用する装置の停止も要求され、
装βの稼動効率が低下する不都合がある。
トを便用してプラズマを発生させるフリーマン型イオン
源が仰られている。このイオン源は、タングステンフィ
ラメントがイオンによりスパッタされ、或は化学的に活
性なガスを放電ガスとして使用するとフィラメントが化
学反応してその損耗が甚だしく、フィラメントの又換の
ためにイオン源の作動?停止しなければならない。これ
に伴ない該イオン源全便用する装置の停止も要求され、
装βの稼動効率が低下する不都合がある。
そこで吊願人等は、先に、イオンrf1の放電室を、細
孔を備えた隔壁を欅により主放電室と副放電室に区画し
、フィラメントを設けた副放電室には希ガスを導入し、
でた主放電室には所望のイオンを発生する放(ガス全導
入し、副放電室の出力?主放電室の圧力よりも高め、)
1うメントと隔壁を極と主放電室の陽極との間で複合放
tを行なうことによりイオンf!:発生させ。
孔を備えた隔壁を欅により主放電室と副放電室に区画し
、フィラメントを設けた副放電室には希ガスを導入し、
でた主放電室には所望のイオンを発生する放(ガス全導
入し、副放電室の出力?主放電室の圧力よりも高め、)
1うメントと隔壁を極と主放電室の陽極との間で複合放
tを行なうことによりイオンf!:発生させ。
フィラメントの寿命を長くするようにしたものを提案し
た(′#開昭60−189841 )。
た(′#開昭60−189841 )。
(発明が解決しようとする問題点)
前記提案のものは化学的に活性な放電ガスを使用出来、
しかも比較的長時間の使用に耐える有利性があるが、大
きなイオン電流を得るには萱だ元弁でない。
しかも比較的長時間の使用に耐える有利性があるが、大
きなイオン電流を得るには萱だ元弁でない。
本発明の目的は、長寿命でしかも大きなイオン逼流を得
ることが出来るづオン源を提供することにある。
ることが出来るづオン源を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明では、前記問題点の解決のために、放電室を、隔
壁により主放電室とフィラメント2投けた副放電室とに
区画すると共にこれら両室?該@壁に設けたアノード電
極の細孔を介して連通さぜ、該副放電室に希ガスを導入
すると共に主放電室に所望のくオンを発生させる放電ガ
スを導入し、獲副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも
高く保持するようにしたものに於て。
壁により主放電室とフィラメント2投けた副放電室とに
区画すると共にこれら両室?該@壁に設けたアノード電
極の細孔を介して連通さぜ、該副放電室に希ガスを導入
すると共に主放電室に所望のくオンを発生させる放電ガ
スを導入し、獲副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも
高く保持するようにしたものに於て。
該放電室の側方に、前記細孔の軸方向にほぼ沿った磁場
を形成する磁石を設けるようにした。
を形成する磁石を設けるようにした。
これに於て放電ガスに酸素ガスを使用することも可能で
ある。
ある。
(fPr−用)
副放電室にArガス等の希ガスを導入すると共に主放電
室に02ガス等の化学活性の窩い放電ガスを4入し、該
副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも高める。そして
副放電室内のフィラメントへ通電すると共に細孔が形成
されたアノ−1′[極及び主放電室にアノ−1′電圧を
印力aすると、副放電室内では)1ラメントからの熱電
子の供給を得てアノード電極との間でプラズマが発生す
る。このプラズマは開放を室の圧力が高いのでアノード
’iaeに形成した細孔から主放電室内へとI!!き出
し、この噴出プラズマと主放電室との間で放電ガスが電
離し、イオンが発生する。発生したイオンは主放電室の
側方のイオンビーム引き出し口から引き出し[&により
ビーーム状に引き出される。
室に02ガス等の化学活性の窩い放電ガスを4入し、該
副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも高める。そして
副放電室内のフィラメントへ通電すると共に細孔が形成
されたアノ−1′[極及び主放電室にアノ−1′電圧を
印力aすると、副放電室内では)1ラメントからの熱電
子の供給を得てアノード電極との間でプラズマが発生す
る。このプラズマは開放を室の圧力が高いのでアノード
’iaeに形成した細孔から主放電室内へとI!!き出
し、この噴出プラズマと主放電室との間で放電ガスが電
離し、イオンが発生する。発生したイオンは主放電室の
側方のイオンビーム引き出し口から引き出し[&により
ビーーム状に引き出される。
電1放電室から細孔を介して主放電室へと噴出するプラ
ズマは、両放電室の圧力差だけではわずかの高さにしか
噴出しないが、放電室の外部側方に磁石を設けてこれに
より該細孔の軸方向に沿つfc磁場を与えることで細孔
から王放屯室内に細く長いフィラメント状のプラズマを
噴出させ得、イオン引き出し口の近くに1でプラズマを
4ぐことが出来、多くのイオンを引き出し得て大きなイ
オンiI流を得ることが出来る。、また、王放1室で生
成さnたイオン及び中性活性ガスは副放電室との圧力差
のために副放電室へと逆流することがなく、フィラメン
トのスノゼッタ及び活性ガスとの反応による損耗を防げ
、副放電室では希ガスが用いられているのでフィラメン
トが解化することもなく、イオン源の寿命も長(なゐ。
ズマは、両放電室の圧力差だけではわずかの高さにしか
噴出しないが、放電室の外部側方に磁石を設けてこれに
より該細孔の軸方向に沿つfc磁場を与えることで細孔
から王放屯室内に細く長いフィラメント状のプラズマを
噴出させ得、イオン引き出し口の近くに1でプラズマを
4ぐことが出来、多くのイオンを引き出し得て大きなイ
オンiI流を得ることが出来る。、また、王放1室で生
成さnたイオン及び中性活性ガスは副放電室との圧力差
のために副放電室へと逆流することがなく、フィラメン
トのスノゼッタ及び活性ガスとの反応による損耗を防げ
、副放電室では希ガスが用いられているのでフィラメン
トが解化することもなく、イオン源の寿命も長(なゐ。
(実施例)
本発明の実施例を別紙図面につき説明すると、第1図に
於て符+fi(11は円筒形室内金有する改(室、(2
)は該放電室(1)を上方の主放電室(3)と下方の副
放電室(4)とに区lする隔壁を示し、図示のものでは
該隔壁(2)を副放電室(4)の天板(5)と申開にア
ノード電極(6)全介在さゼたセラミック板(7)(7
)とで構成した。主放電室(31d 、内面にセラミッ
ク板(8)を設けたフロートx位の第2アノード電惨(
9)と、前記隔壁(2)と、円筒形空室を有する第3ア
ノード電極00とで構成し、第3アノード![祢(I+
)に、上下方rqノ幅2 tm、 *さ25mのスリッ
ト状のイオン引き出し口++11と、その反対側1に装
置し”CAsF’5ガス、02ガス等の活性ガスやAr
ガス等の不活性ガスの放電ガス’klj1人する放電ガ
ス導入孔口とを形成した。
於て符+fi(11は円筒形室内金有する改(室、(2
)は該放電室(1)を上方の主放電室(3)と下方の副
放電室(4)とに区lする隔壁を示し、図示のものでは
該隔壁(2)を副放電室(4)の天板(5)と申開にア
ノード電極(6)全介在さゼたセラミック板(7)(7
)とで構成した。主放電室(31d 、内面にセラミッ
ク板(8)を設けたフロートx位の第2アノード電惨(
9)と、前記隔壁(2)と、円筒形空室を有する第3ア
ノード電極00とで構成し、第3アノード![祢(I+
)に、上下方rqノ幅2 tm、 *さ25mのスリッ
ト状のイオン引き出し口++11と、その反対側1に装
置し”CAsF’5ガス、02ガス等の活性ガスやAr
ガス等の不活性ガスの放電ガス’klj1人する放電ガ
ス導入孔口とを形成した。
O:つはアノード電極(6)に形成した細孔で、天板(
5)及びセラミック板(7) (7)にも該細孔f13
に連らなる延長孔04α41全形成し、主放電室(3)
と副放電室(4)とが連通するようにした。、該細孔0
3及び延長孔(14Q41は隔壁(2)に直線状に開孔
形成し、しかも4オン引き出し口α1)に接近させて形
成することが好ましい。
5)及びセラミック板(7) (7)にも該細孔f13
に連らなる延長孔04α41全形成し、主放電室(3)
と副放電室(4)とが連通するようにした。、該細孔0
3及び延長孔(14Q41は隔壁(2)に直線状に開孔
形成し、しかも4オン引き出し口α1)に接近させて形
成することが好ましい。
□□□は副放電室(4)に形成した人「ガス等の希ガス
の導入孔、(至)は副放電室(4)に開孔する延長孔0
4の前方に設けtフィラメント、α力は主放電室(3)
の第2アノード¥jL極(9)の前方のセラミック板(
8)に延長孔α4と対問させて形成した放電用の71%
孔(至)09はイオン引出口αυの前方に設けた引出し
電極である。放電室(1)を構成する主放電室(3)の
上方と副族11L’4 (4)の下方には、アノード電
極(6)の細孔■の軸方向にほぼ沿った磁場ωを与える
ように磁石12]) am)が設けられる、第2図は第
1図示の実施例に於ける電気配線を示すもので、Qはア
ノード電極(6)に副放電内(4)内での放電のための
電位を与える副放電用電源、いは第3アノードを極01
に主放電室(3)内での放電のための゛電位を与える玉
数電用電源、弼はフ1ラメント(至)の発熱用のフィラ
メント電源。
の導入孔、(至)は副放電室(4)に開孔する延長孔0
4の前方に設けtフィラメント、α力は主放電室(3)
の第2アノード¥jL極(9)の前方のセラミック板(
8)に延長孔α4と対問させて形成した放電用の71%
孔(至)09はイオン引出口αυの前方に設けた引出し
電極である。放電室(1)を構成する主放電室(3)の
上方と副族11L’4 (4)の下方には、アノード電
極(6)の細孔■の軸方向にほぼ沿った磁場ωを与える
ように磁石12]) am)が設けられる、第2図は第
1図示の実施例に於ける電気配線を示すもので、Qはア
ノード電極(6)に副放電内(4)内での放電のための
電位を与える副放電用電源、いは第3アノードを極01
に主放電室(3)内での放電のための゛電位を与える玉
数電用電源、弼はフ1ラメント(至)の発熱用のフィラ
メント電源。
(イ)は引出し[極0&α9にイオン引き出し用の電位
を与λる引出し電源、翰は減速電源である。□□□はイ
オン引出し口α])から引出されるビーム状イオンのイ
オン′亀流を測定するためにイオン引出し口(]l)か
ら30011離【7て設けたファラデーカップである。
を与λる引出し電源、翰は減速電源である。□□□はイ
オン引出し口α])から引出されるビーム状イオンのイ
オン′亀流を測定するためにイオン引出し口(]l)か
ら30011離【7て設けたファラデーカップである。
以上の構成のものに於ける作動は次の通りである。
1ず1m11放成室(4)内の真空度が1〜(J、I
IorrとなるようにArガスを導入口09から1−2
scanの割合で流し込み、玉数を室(:()の真空度
が1υ〜1Otor rととなるように放電ガス導入口
じからASFSガスを流し、放電室(1)の外部の真空
度をlO〜ILJtorrとした6次で各電源■@I2
41@を作動させると、フィラメント(至)からの電子
の供給全党け。
IorrとなるようにArガスを導入口09から1−2
scanの割合で流し込み、玉数を室(:()の真空度
が1υ〜1Otor rととなるように放電ガス導入口
じからASFSガスを流し、放電室(1)の外部の真空
度をlO〜ILJtorrとした6次で各電源■@I2
41@を作動させると、フィラメント(至)からの電子
の供給全党け。
これとアノードを祢(6)との間で放電し、rLrガス
のプラズマが発生する。該フィラメント卵は直径u、a
mで2%のトリウム入りタングステン線をステンレス
のコネクター■を介して絶縁物の甘□□□に固定して構
成した。
のプラズマが発生する。該フィラメント卵は直径u、a
mで2%のトリウム入りタングステン線をステンレス
のコネクター■を介して絶縁物の甘□□□に固定して構
成した。
この放電は、X外的にはアノード電極(6)の細孔α3
の内面に於て行なわれる副放電であり、そのプラズマが
主放電室(3)と副放電室(4)の圧力差により細孔α
J及び延長孔04)から玉数[室(3)内へと流れ込む
と、これと第3アノ−r電極頭との間で生ずる玉数W、
を誘起し、 AsF5ガスのプラズマが生ずる。副放電
室(4)から主放電室(3)に流れ込むプラズマは、玉
数t’を起すためのフ1ラメントの役目を営むが王副成
を室+31 (41間の圧力差のみに頓ると主放電室(
:()内で拡散希釈化し。
の内面に於て行なわれる副放電であり、そのプラズマが
主放電室(3)と副放電室(4)の圧力差により細孔α
J及び延長孔04)から玉数[室(3)内へと流れ込む
と、これと第3アノ−r電極頭との間で生ずる玉数W、
を誘起し、 AsF5ガスのプラズマが生ずる。副放電
室(4)から主放電室(3)に流れ込むプラズマは、玉
数t’を起すためのフ1ラメントの役目を営むが王副成
を室+31 (41間の圧力差のみに頓ると主放電室(
:()内で拡散希釈化し。
AsF5ガスの多くを電離さぞ得ないので、更に磁石a
l)12υを設けて細孔Uの方向のa場■金発生さぜ、
これに沿って副放電によるプラズマが光軸状に主放電室
(3)に大きく噴出してAsF5ガスの多くを電離する
ようにした。電離した入Sイオン等は引出し電極0跨0
9によりづオン引き出しロロl)からビーム状に引き出
される。
l)12υを設けて細孔Uの方向のa場■金発生さぜ、
これに沿って副放電によるプラズマが光軸状に主放電室
(3)に大きく噴出してAsF5ガスの多くを電離する
ようにした。電離した入Sイオン等は引出し電極0跨0
9によりづオン引き出しロロl)からビーム状に引き出
される。
引き出されたイオンの象はファラデーカップ@に於てフ
ァラデーカップ電流(4オン″?11.光)として測定
されるが、フィラメント(ト)に2υ、5A。
ァラデーカップ電流(4オン″?11.光)として測定
されるが、フィラメント(ト)に2υ、5A。
アノード1極(6)に与える副放電1電流を3.(JA
、第37ノード電極11Gに与える玉数11L亀流り、
を人とした場合、第3図の曲線入で示すように引出し電
極明α9の電圧を変えることにより仄第に太きくなるフ
ァラデーカップ電流が得られ%最大4(JmA/−の大
きな値の多量のイオンを発生させ得た、仝図の曲線Bは
引出し電極(卯的?流れる引き出し電流で、その引出し
電圧の増大には余り依存しないことが分った。
、第37ノード電極11Gに与える玉数11L亀流り、
を人とした場合、第3図の曲線入で示すように引出し電
極明α9の電圧を変えることにより仄第に太きくなるフ
ァラデーカップ電流が得られ%最大4(JmA/−の大
きな値の多量のイオンを発生させ得た、仝図の曲線Bは
引出し電極(卯的?流れる引き出し電流で、その引出し
電圧の増大には余り依存しないことが分った。
更に第1図及び銅2図示のものに於て、副族m!(41
にA「ガスf 1.2 secm aし、主放電室(3
)にり、3 secmの入SFS を流し、フィラメ
ント【旨の篭@i乙うケ26.5 A、アノード電極(
6)に副放電1用r6源のから1.5Aの電流を与え、
引出1.7電極(18叫の′ぼ、源(イ)の電圧を4
tJ KVとし、玉数電用亀源03の電流を変化させた
ところ、引出し電極q勾α9の引出し電流は第4図の曲
線Cで示すように玉数電亀流の増加に比し11シて増加
すると共にファラデーカップ(イ)で測定された電流も
曲@ I)のように玉数亀亀流に比例することが分った
。これによれば玉数電′邂流の調繁によってイオン発生
ft kコントロール出来、イオン源の使用上1更利で
あゐ。
にA「ガスf 1.2 secm aし、主放電室(3
)にり、3 secmの入SFS を流し、フィラメ
ント【旨の篭@i乙うケ26.5 A、アノード電極(
6)に副放電1用r6源のから1.5Aの電流を与え、
引出1.7電極(18叫の′ぼ、源(イ)の電圧を4
tJ KVとし、玉数電用亀源03の電流を変化させた
ところ、引出し電極q勾α9の引出し電流は第4図の曲
線Cで示すように玉数電亀流の増加に比し11シて増加
すると共にファラデーカップ(イ)で測定された電流も
曲@ I)のように玉数亀亀流に比例することが分った
。これによれば玉数電′邂流の調繁によってイオン発生
ft kコントロール出来、イオン源の使用上1更利で
あゐ。
史fζ副成逼室(4ンにArガス金1.2secm、ま
た王放電室(3)にAsF5ガスを(J、3 secm
流し、フィラメント(ト)の電源勿に2 tl、5 A
、1放′は用電源@からアノードを極(6)に3.OA
、玉数電用電源(ハ)から第3アノードt*noに1.
1A、引出し電源(至)から引出しt極Q81 Q(i
に41JKV金夫々与えて連続して使用したところ、1
5図の曲、IJWに見られるようにファラデーカップ@
で測定される電流は、ドリフト、リップル共に1%以下
で安定性は良好であった。この状態でフリーマン型イオ
ン源のR命2 U (J mA @hours ’(越
え、る約40時間の連続運転を行なえた。
た王放電室(3)にAsF5ガスを(J、3 secm
流し、フィラメント(ト)の電源勿に2 tl、5 A
、1放′は用電源@からアノードを極(6)に3.OA
、玉数電用電源(ハ)から第3アノードt*noに1.
1A、引出し電源(至)から引出しt極Q81 Q(i
に41JKV金夫々与えて連続して使用したところ、1
5図の曲、IJWに見られるようにファラデーカップ@
で測定される電流は、ドリフト、リップル共に1%以下
で安定性は良好であった。この状態でフリーマン型イオ
ン源のR命2 U (J mA @hours ’(越
え、る約40時間の連続運転を行なえた。
主放電室(3)に導入される活性ガスA s F5の放
電ガスに代え02ガスを使用17でも、大きなファラデ
ーカップ電流即ち大葉のOづオンを安定して長時間に亘
9得ることが可能で1例えばシリコンウェハの5i02
絶縁層の形成に有効に利用出来る。
電ガスに代え02ガスを使用17でも、大きなファラデ
ーカップ電流即ち大葉のOづオンを安定して長時間に亘
9得ることが可能で1例えばシリコンウェハの5i02
絶縁層の形成に有効に利用出来る。
(発明の効果)
以上のように不発明では、希ガスのプラズマが形成され
る副放電室とこれよりも低圧でしかも細孔?介して該プ
ラズマが導入される主放電室を設けるようにしたイオン
源に、tJ細孔の軸方口にほぼ沿つ友出湯を形成する磁
石を設けるようにしたので、副放i!!で発生する希ガ
スのプラズマを玉数電室円に細孔から尋人して元軸状に
噴出させ得、放′亀ガスの′邂4効率を高めて大量のイ
オンを発生させることが出来、また放電ガスは1放*y
に逆流しないので酸素等の活性ガスを使用して長時間運
転することが出来でウェハ等の処理能率を高めることが
出来る特の効果がある。
る副放電室とこれよりも低圧でしかも細孔?介して該プ
ラズマが導入される主放電室を設けるようにしたイオン
源に、tJ細孔の軸方口にほぼ沿つ友出湯を形成する磁
石を設けるようにしたので、副放i!!で発生する希ガ
スのプラズマを玉数電室円に細孔から尋人して元軸状に
噴出させ得、放′亀ガスの′邂4効率を高めて大量のイ
オンを発生させることが出来、また放電ガスは1放*y
に逆流しないので酸素等の活性ガスを使用して長時間運
転することが出来でウェハ等の処理能率を高めることが
出来る特の効果がある。
第1図は本発明の実施例の半裁斜視図、第2図は第1図
示のものの配線図、第3図乃至第5図はファラデーカッ
プで測定した不発明のイオン源のt流密度の線図である
。
示のものの配線図、第3図乃至第5図はファラデーカッ
プで測定した不発明のイオン源のt流密度の線図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、放電室を、隔壁により主放電室とフィラメントを設
けた副放電室とに区画すると共にこれら両室を該隔壁に
設けたアノード電極の細孔を介して連通させ、該副放電
室に希ガスを導入すると共に主放電室に所望のイオンを
発生させる放電ガスを導入し、該副放電室の圧力を主放
電室の圧力よりも高く保持するようにしたものに於て、
該放電室の側方に、前記細孔の軸方向にほぼ沿つた磁場
を形成する磁石を設けたことを特徴とするイオン源。 2、前記放電ガスは酸素ガスであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載のイオン源。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12128386A JPS62278734A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン源 |
US07/055,804 US4841197A (en) | 1986-05-28 | 1987-05-27 | Double-chamber ion source |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12128386A JPS62278734A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62278734A true JPS62278734A (ja) | 1987-12-03 |
Family
ID=14807421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12128386A Pending JPS62278734A (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62278734A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
EP0805476A2 (en) * | 1996-05-01 | 1997-11-05 | The Boc Group, Inc. | Plasma enhanced chemical vapour deposition processes and apparatus |
JP2004507861A (ja) * | 1999-12-13 | 2004-03-11 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189841A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Tokai Daigaku | イオン源 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP12128386A patent/JPS62278734A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60189841A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Tokai Daigaku | イオン源 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08111198A (ja) * | 1994-10-11 | 1996-04-30 | Ulvac Japan Ltd | イオン源 |
EP0805476A2 (en) * | 1996-05-01 | 1997-11-05 | The Boc Group, Inc. | Plasma enhanced chemical vapour deposition processes and apparatus |
EP0805476A3 (en) * | 1996-05-01 | 1998-05-06 | The Boc Group, Inc. | Plasma enhanced chemical vapour deposition processes and apparatus |
US6116185A (en) * | 1996-05-01 | 2000-09-12 | Rietzel; James G. | Gas injector for plasma enhanced chemical vapor deposition |
JP2004507861A (ja) * | 1999-12-13 | 2004-03-11 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP4820038B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2011-11-24 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
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