JPS5918840B2 - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
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- JPS5918840B2 JPS5918840B2 JP51053372A JP5337276A JPS5918840B2 JP S5918840 B2 JPS5918840 B2 JP S5918840B2 JP 51053372 A JP51053372 A JP 51053372A JP 5337276 A JP5337276 A JP 5337276A JP S5918840 B2 JPS5918840 B2 JP S5918840B2
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 44
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
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- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
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- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/08—Ion sources; Ion guns using arc discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン源に関する。
イオン源は重い粒子の加速器、同位体の分離装置、熱核
反応炉、表面処理装置、ある種の化学装置などのような
数多くの用途に必要なものである。
反応炉、表面処理装置、ある種の化学装置などのような
数多くの用途に必要なものである。
従来知られているいわゆる中空陰極と呼ばれているイオ
ン源では、高イオン密度のプラズマが発生される。
ン源では、高イオン密度のプラズマが発生される。
しかし、イオン源としてのそれらの使用には、イオンが
発生された場所すなわち中空陰極から、イオンを使用す
る場所へ向けられるイオンビームを発生するように、イ
オンを取り出す問題が含まれる。
発生された場所すなわち中空陰極から、イオンを使用す
る場所へ向けられるイオンビームを発生するように、イ
オンを取り出す問題が含まれる。
本発明は、中空陰極放電装置と、要求された点で使用で
きるイオン源を形成するように中空陰極放電装置からイ
オンビームを取り出すための装置とで構成される装置を
提供するものである。
きるイオン源を形成するように中空陰極放電装置からイ
オンビームを取り出すための装置とで構成される装置を
提供するものである。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は中空陰極を有する放電装置10を示す。
この中空陰極は公知のものであって、冷陰極として動作
する平行な2枚の導電板1,2と、これらの陰極に対し
て正の直流電位Vを電源4から与えられる陽極とで構成
される。
する平行な2枚の導電板1,2と、これらの陰極に対し
て正の直流電位Vを電源4から与えられる陽極とで構成
される。
アルゴンのような不活性のイオン化できるガスが、たと
えば水銀柱0.1〜5龍の圧力下の陰極1,2と陽極3
の周囲を循環している。
えば水銀柱0.1〜5龍の圧力下の陰極1,2と陽極3
の周囲を循環している。
陽極3に電圧Vが与えられると、放電が起きてガスがイ
オン化される。
オン化される。
陰極板1と2の間隔が数朋というように十分に狭いと、
陽極3まで延びる鮮やかなグローが陰極板の間で観察さ
れる。
陽極3まで延びる鮮やかなグローが陰極板の間で観察さ
れる。
このグローは上記放電によって発生された板状プラズマ
から発生される。
から発生される。
点で描いて示されているこのプラズマは、厚さがlii
台のシースと通常呼ばれているものによって、陰極1,
2から分離される。
台のシースと通常呼ばれているものによって、陰極1,
2から分離される。
実際にプラズマはこの輝く板状に集中させられる。
陰極に対して正電位に保たれている陽極はこのプラズマ
からいくらかの電子をうばうから、このプラズマも陰極
に対して正電位となる。
からいくらかの電子をうばうから、このプラズマも陰極
に対して正電位となる。
このプラズマイオンはシースを通って陰極に向って力目
速される。
速される。
水銀柱0.1 mm以下の圧力では、放電を維持するた
めに陰極から電子を取り出すのはイオン衝撃であること
が実験により判明している。
めに陰極から電子を取り出すのはイオン衝撃であること
が実験により判明している。
一方、この装置ではイオン電流密度は非常に高く、通常
の場合は20 mA/cri’tに達する。
の場合は20 mA/cri’tに達する。
最後に、表面積の広い陰極板1,2により高電流を得る
ことができる。
ことができる。
このような中空陰極装置については、1956年ドイツ
のスプリンガー出版社(SpringerVerlag
)発行の[物理学ハンドブックHandbuchder
Phys ik) J第22巻91ページ以降に所載
の「低圧グ爾−放電」という項において詳しく述べられ
ている。
のスプリンガー出版社(SpringerVerlag
)発行の[物理学ハンドブックHandbuchder
Phys ik) J第22巻91ページ以降に所載
の「低圧グ爾−放電」という項において詳しく述べられ
ている。
本発明は上記のような特性を有するイオン源を形成する
ために、第2図を参照して以下に説明する条件の下に、
中空陰極放電装置の陰極へ向かうこのようなイオン流を
利用するものである。
ために、第2図を参照して以下に説明する条件の下に、
中空陰極放電装置の陰極へ向かうこのようなイオン流を
利用するものである。
第2図は本発明のイオン源の一実施例で、陰極1と、陽
極3と、電源4と、第2陰極20を有する。
極3と、電源4と、第2陰極20を有する。
プラズマ中のイオンのいくつかを装置10の外側へ向け
るためにイオンを通す穴30が第2陰極20に設けられ
る。
るためにイオンを通す穴30が第2陰極20に設けられ
る。
それらのイオンは中空陰極1に通常衝突するエネルギー
を持ってプラズマから出る。
を持ってプラズマから出る。
発明者の実験によればこのエネルギーは800〜150
0eVに達する。
0eVに達する。
ある用途には、使用場所即ち使用点40の前方に位置す
るほぼ等電位の空間内中をイオンビームが初速で走行す
れば、そのエネルギーで十分である。
るほぼ等電位の空間内中をイオンビームが初速で走行す
れば、そのエネルギーで十分である。
使用点でより高いエネルギーを要する場合には、それら
のイオンは点40へ向けてイオン源により加速される。
のイオンは点40へ向けてイオン源により加速される。
しかし、このようにして陰極20を通ったイオンは、陰
極の先に高い正の空間電荷を形成する。
極の先に高い正の空間電荷を形成する。
この空間電荷は、発生されるプラズマのイオン密度が高
いため、特に高い。
いため、特に高い。
この空間電荷の影響で、イオンが、シースの厚み即ち陰
極からプラズマまでの距離だけ進行した後、陰極に向け
て戻るのを防ぐため、電源5により加熱されて、電源6
により陰極の電位に対して僅かに負に保たれるフィラメ
ント7がイオンビーム径路中に設けられる。
極からプラズマまでの距離だけ進行した後、陰極に向け
て戻るのを防ぐため、電源5により加熱されて、電源6
により陰極の電位に対して僅かに負に保たれるフィラメ
ント7がイオンビーム径路中に設けられる。
このような条件の下にフィラメント7から放出される低
速電子は前記空間電荷を中和し、イオンがはるかに長い
距離走行して、使用点401ご達するのを可能にする。
速電子は前記空間電荷を中和し、イオンがはるかに長い
距離走行して、使用点401ご達するのを可能にする。
しかしこれらの低速電子が第2陰極20に設けられてい
る穴30を通って過剰な数だけ中空陰極の方へ入ること
を阻止するために、かつ陰極1と20の間に形成されて
いるプラズマの中に入ることを防ぐために、電源9によ
り陰極20に対して僅かに正電位に保たれるグリッド8
が、陰極20とフィラメント7の間で陰極20に近い位
置に設けられる。
る穴30を通って過剰な数だけ中空陰極の方へ入ること
を阻止するために、かつ陰極1と20の間に形成されて
いるプラズマの中に入ることを防ぐために、電源9によ
り陰極20に対して僅かに正電位に保たれるグリッド8
が、陰極20とフィラメント7の間で陰極20に近い位
置に設けられる。
フィラメント7から放出された電子のうち、グリッド8
の吸引力から逃れて穴30を通って中空陰極装置10の
中に入った電子は、穴30を設けたために陰極20の表
面積が減少したことにより生ずる放出電子の量の低下を
補償するという有用な機能を行う。
の吸引力から逃れて穴30を通って中空陰極装置10の
中に入った電子は、穴30を設けたために陰極20の表
面積が減少したことにより生ずる放出電子の量の低下を
補償するという有用な機能を行う。
中空陰極装置10の中に入る電子の量は特にフィラメン
トIの温度により制御できる。
トIの温度により制御できる。
本発明の装置においては、放電を自ら持続できることが
できるようにするためには、イオンの取り出し量をプラ
ズマ中に存在するイオンの総量のある割合に制限しなけ
ればならない。
できるようにするためには、イオンの取り出し量をプラ
ズマ中に存在するイオンの総量のある割合に制限しなけ
ればならない。
この目的のために穴をあけた陰極20を用いる。
この陰極20の透過性、すなわち、穴30の全表面積と
陰極20の全表面積との比は50%を大きくこえること
はない。
陰極20の全表面積との比は50%を大きくこえること
はない。
このような条件の下では装置10の中で発生されたイオ
ンの25%だけが取り出されるにすぎず、それにより放
電を持続でき、それと同時に、後段加速は別にしても、
取り出されたイオンビームの運動エネルギーと装置10
に供給された全電気エネルギーとの比として測定したエ
ネルギー効率を約25%にすることができる。
ンの25%だけが取り出されるにすぎず、それにより放
電を持続でき、それと同時に、後段加速は別にしても、
取り出されたイオンビームの運動エネルギーと装置10
に供給された全電気エネルギーとの比として測定したエ
ネルギー効率を約25%にすることができる。
この効率は従来のイオン源の効率よりも高い。
グリッド8の網目寸法と、穴あき陰極20の穴の寸法と
、グリッド8と陰極20との距離は、シースの厚みと同
程度である。
、グリッド8と陰極20との距離は、シースの厚みと同
程度である。
このシースの厚みは通常は1mmである。
制御電圧が1500Vの場合には、陰極20に対するグ
リッド8の電位と、陰極20に対するフィラメント7の
電位とは、一例をあげればそれぞれ+20Vと一15V
に選択される。
リッド8の電位と、陰極20に対するフィラメント7の
電位とは、一例をあげればそれぞれ+20Vと一15V
に選択される。
表面積がSO=で間隔が4關の2枚の長方形板より成る
平らな陰極を用い、水銀柱0.1 mmのアルゴン圧力
、および上記のような電圧条件の下で、イオン源10と
5MeV イオン加速器との間の等電位空間中に80c
rrL以上の距離にわたって500mAのイオン電流を
生じさせることができた。
平らな陰極を用い、水銀柱0.1 mmのアルゴン圧力
、および上記のような電圧条件の下で、イオン源10と
5MeV イオン加速器との間の等電位空間中に80c
rrL以上の距離にわたって500mAのイオン電流を
生じさせることができた。
ビームを集中させるための装置と、水銀柱0.1 mm
の先行圧力とイオン加速器中のはるかに低い圧力との間
の必要な圧力傾度を確立するための装置は、上記距離に
わたって分布させる。
の先行圧力とイオン加速器中のはるかに低い圧力との間
の必要な圧力傾度を確立するための装置は、上記距離に
わたって分布させる。
第2図はまたイオン源によって供給されたイオンがグリ
ッド8と使用点40との間等電位空間内に走行させられ
る場合が実線で示し、イオンビームが電源42により使
用点40まで加速される場合を破線(第2図の上部)で
示す。
ッド8と使用点40との間等電位空間内に走行させられ
る場合が実線で示し、イオンビームが電源42により使
用点40まで加速される場合を破線(第2図の上部)で
示す。
第3図は、第2図のイオン源を用いたイオン加速器の一
例を示すものである。
例を示すものである。
この例では第2図の使用点40に、イオン加速器100
が設けられている。
が設けられている。
このイオン加速器100のグリッドは直流電圧源90に
接続され、放電装置10からのイオンビーム(図示しな
い)に、陰極20からグリッド50までの空間中で、第
1のカロ速を与える。
接続され、放電装置10からのイオンビーム(図示しな
い)に、陰極20からグリッド50までの空間中で、第
1のカロ速を与える。
中央部に貫通孔のある電極70は、グリッド50と結合
している。
している。
イオンビームはグリッド50を通って加速器100に入
り、加速器の電極60および共振器110の方に走行す
る。
り、加速器の電極60および共振器110の方に走行す
る。
この領域でビーム(ハツチングで示す)は、電圧源80
から供給される直流電圧によって、後段加速を受ける。
から供給される直流電圧によって、後段加速を受ける。
真空手段は第3図には示されていない。
なお、本発明は上述の実施例に限定されるわけでなく種
々変形できるのはもちろんである。
々変形できるのはもちろんである。
第1図は本発明に使用する中空陰極装置を示す概略線図
、第2図は本発明の実施例を示す説明図、第3図は第2
図のイオン源を用いたイオン加速器を示す図である。 1.2・・・・・・陰極板、3・・・・・・陽極、8・
・・・・・グリッド、20・・・・・・穴あき陰極、3
0・・・・・・穴、40・・・・・・イオン使用点。
、第2図は本発明の実施例を示す説明図、第3図は第2
図のイオン源を用いたイオン加速器を示す図である。 1.2・・・・・・陰極板、3・・・・・・陽極、8・
・・・・・グリッド、20・・・・・・穴あき陰極、3
0・・・・・・穴、40・・・・・・イオン使用点。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 中空陰極放電装置が、イオン化できるガス中で、互
いに向い合う2つの陰極と、陽極と、゛この陽極を前記
陰極に対して正の直流制御電位(■にする装置とで構成
され、この制御電位(■の作用で前記ガスがイオン化さ
れて板状プラズマが形成され、このプラズマは陰極から
所定の距離だけ隔たった場所から陽極まで延び、前記陰
極の一方には穴が設けられ、この穴を通ってプラズマの
イオンのいくらかが外部へ出、これらのイオンが使用点
まで走行する径路中に前記穴をあけられた陰極に対して
負電位にされる高温フィラメントが設けられ、このフィ
ラメントは前記陰極へ向けて電子を放出し、前記穴あき
陰極に対して正の直流電位にされるグリッドが前記フィ
ラメントと前記穴あき陰極の間に設けられ、前記グリッ
ドは前記陰極から前記プラズマと前記陰極との間の距離
程度だけ離れている位置に設けられることを特徴とする
イオン源。 2、特許請求の範囲の第1項に記載のイオン源において
、前記穴あき陰極は50%をあまり大きくこえない透過
度を有するイオン源。 3 特許請求の範囲第1項に記載のイオン源において、
制御電位(ト)が1500Vの場合には前記負電位は一
15■、前記正電位は+20Vであるイオン源。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR7515440A FR2311479A1 (fr) | 1975-05-16 | 1975-05-16 | Source d'ions utilisant un dispositif a decharge a cathode creuse et, en particulier, accelerateur de particules comportant une telle source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS51141999A JPS51141999A (en) | 1976-12-07 |
JPS5918840B2 true JPS5918840B2 (ja) | 1984-05-01 |
Family
ID=9155371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51053372A Expired JPS5918840B2 (ja) | 1975-05-16 | 1976-05-12 | イオン源 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4087721A (ja) |
JP (1) | JPS5918840B2 (ja) |
DE (1) | DE2621453C3 (ja) |
FR (1) | FR2311479A1 (ja) |
GB (1) | GB1500095A (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4282436A (en) * | 1980-06-04 | 1981-08-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Intense ion beam generation with an inverse reflex tetrode (IRT) |
US4377773A (en) * | 1980-12-12 | 1983-03-22 | The United States Of America As Represented By The Department Of Energy | Negative ion source with hollow cathode discharge plasma |
US6064156A (en) * | 1998-09-14 | 2000-05-16 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Process for ignition of gaseous electrical discharge between electrodes of a hollow cathode assembly |
US6729174B1 (en) | 1998-09-14 | 2004-05-04 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Process for testing a xenon gas feed system of a hollow cathode assembly |
US20050035085A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-17 | Stowell William Randolph | Apparatus and method for reducing metal oxides on superalloy articles |
JP2010192197A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN114453345B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-04-11 | 广东鼎泰高科技术股份有限公司 | 一种等离子体清洗系统 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2467224A (en) * | 1948-02-21 | 1949-04-12 | Rca Corp | Neutralization of electrostatic charges in electron-optical instruments |
US3156090A (en) * | 1961-09-18 | 1964-11-10 | Harold R Kaufman | Ion rocket |
-
1975
- 1975-05-16 FR FR7515440A patent/FR2311479A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-05-12 JP JP51053372A patent/JPS5918840B2/ja not_active Expired
- 1976-05-13 GB GB19845/76A patent/GB1500095A/en not_active Expired
- 1976-05-13 US US05/687,087 patent/US4087721A/en not_active Expired - Lifetime
- 1976-05-14 DE DE2621453A patent/DE2621453C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2621453C3 (de) | 1982-02-11 |
US4087721A (en) | 1978-05-02 |
FR2311479B1 (ja) | 1977-12-09 |
FR2311479A1 (fr) | 1976-12-10 |
DE2621453B2 (de) | 1981-05-27 |
GB1500095A (en) | 1978-02-08 |
JPS51141999A (en) | 1976-12-07 |
DE2621453A1 (de) | 1976-11-25 |
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