JPS62278733A - イオン源用電源装置 - Google Patents

イオン源用電源装置

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JPS62278733A
JPS62278733A JP12128586A JP12128586A JPS62278733A JP S62278733 A JPS62278733 A JP S62278733A JP 12128586 A JP12128586 A JP 12128586A JP 12128586 A JP12128586 A JP 12128586A JP S62278733 A JPS62278733 A JP S62278733A
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JP
Japan
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discharge chamber
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anode electrode
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gas
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JP12128586A
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Inventor
Kazuo Takayama
一男 高山
Eiji Yabe
矢部 栄二
Kenichi Takagi
憲一 高木
Ryota Fukui
了太 福井
Riichi Kikuchi
菊池 理一
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Ulvac Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 (産業上の利用分野) 本発明は、イオン注入装置、イオンマイクロアナライザ
その他の装置に使用されるイオン源の電源装置に関する
(従来の技術〕 従来1代表的なイオン源としてタングステンフィラメン
トを使用してプラズマを発生させるフリーマン型イオン
源が知られている。このイオン源は、タングステンフィ
ラメントがイオンによりスノξツタされ、或は化学的に
活性なガスを放雷ガスとして使用するとフィラメントが
化学反応してその損耗が甚だしく、フィラメントの交換
のためにイオン源の作動と停止しなければならない。こ
れに伴ない該イオン源を使用する装置の停止も要求され
、装置の稼動効率が低下する不都合がある、 そこで出願人等は、先に、イオン源の放電室を、細孔を
備えた隔壁電極によυ主放電室と副放電室に区画し、フ
ィラメント’を投けた副放電室VCは希ガスを導入し、
また主放電室には所望のイオンと発生する放電ガスを導
入し、副放電室の圧力を主放電室の圧力よシも高め、フ
ィラメントと隔壁電極と主放電室の陽極との間で複合放
電を行なうことによりイオンを発生させ。
フィラメントの寿命を長くするようKしたものを提案し
た(特開昭60−189841,1゜(発明が解決しよ
うとする問題点り 前記提案のものは、副放電室に放電させるための電源と
してS KW8度の比較的大型の定電源を使用していた
が、実際には放電開始のスタートアップ用にl KV程
度の7圧を必要とするも。
放電発生後は40V−100V程度の電圧で足りること
が分った。前記のような大型の定電源を使用することは
、不必要に過剰のパワーを作動させることになって合理
的でな(+tた電源の設置スペースが非常に大きくなっ
て設備上不便である。
本発明は、前記提案のイオン源を小型の電源で作動出来
るように改良することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段ノ 本発明では、前記問題点の解決のために、放電室を、隔
壁により主放電室とフィラメントを設けた副放電室とに
区画すると共にこれら両室を該隔壁に設けたアノード電
極の細孔を介して連通させ、該副放電室〈希ガスを導入
すると共に主放電室に所望のイオンを発生させる放電ガ
スを導入し、該副放電室の圧力を主放電室の圧力よシも
高く保持するようにしたものに於て。
前記アノ−I′電極に、抵抗を介して高電圧小電流の第
1電源と低電圧大電流の第2′FL源とを直列に接続し
1両WJl、第2電源を結ぶ回路をダイオードを介して
該アノード電極に接続するようにし次。
(IIF−用ノ 副放電室に入rガス等の希ガスを導入すると共に主放電
室に02ガス等の化学活性の高い放電ガスを導入し、核
副放電室の圧力を主放電室の圧力よりも高める。そして
副放電室内のフィラメントへ通電すると共に細孔が形成
されたアノード電極及び主放電室にアノード電圧を印加
すると、副放電室内ではフィラメントからの熱電子の供
給を得てアノード電極との間でプラズマが発生する。こ
のプラズマは副放電室の圧力が高いのでアノ−1′電極
忙形成した細孔から主放電室内へと噴き出し、この噴出
プラズマと主放電室との間で放電ガスが電離し、イオン
が発生する。発生したイオンは主放電室の側方のイオン
ビーム引き出し口から引き出し電極によりビーム状に引
き出される。この場合、副放電室内でプラズマが発生す
るまでは、アノ−1′電極に直列の第1.第2電源から
高電圧が作用するが。
プラズマが発生するようKなると電圧が下がり大電流が
流れ始めるので自動的に第1電源は不作動状態になり、
専ら第21!源からダイオードを介して低電工大を流が
該アノード電極に供給され、ノセワーの小さい第1.第
2電源により副放電室の放電の発生と持続と行なえる。
(実施例ノ 本発明の実施例を別紙図面につき説明すると。
第1図に於て、符号(1ノは円筒形室内を有する放電室
、(2)は該放電室(1)?上方の主放電室(3)と下
方の副放電室(4)とに区画する隔壁を示し1図示のも
のでは該隔壁(2)ト副放ヱ室(41の天板(5)と中
間にアノード電極(6)を介在させたセラミック板(7
)(7)とで構成した。
主放電室(3)は、内面にセラミック板(3)を設けた
フロート電位の第2アノード電極(9]と、前記隔壁(
2)と1円筒形空室を有する第3アノード電極(IQと
で構成するようにし、第3アノード電極00に、上下方
向の@2間、長さ25m5のスリット状のイオン引き出
し口αηと、その反対側に位置してAs F sガス、
02ガス等の活性ガスやA、ガス等の不活性ガスの放電
ガス?導入する放電ガス導入孔@とを形成した。
Q3はアノード電極(5)釦形成した細孔で、天板(5
)及びセラミック板(7) (7)にも該細孔側に連ら
なる延長孔σ荀σ4を形成し、主放電室(3)と副放電
室(41とか連通ずるようKした。該細孔α3及び延長
孔a4)a<は隔壁(2ンに@線状に開孔形成し、しか
もイオン引き出し口01)に接近させて形成するこ七が
好ましい。
qりは副放′、ニ室(4)K形成したArガス等の希ガ
スの導入孔、O13は副放電室(4)に開孔する延長孔
σくの前方に設けたフィラメント、αηは主放電室(3
)の第2アノード電極(9)の前方のセラミック板(8
)K延長孔α荀と対向させて形成した放電用の小孔。
(至)α1はイオン引出口α刀の前方に設けた引出し電
極である。放電室(1)を構成する主放電室(3)の上
方と副放電室(4)の下方には、アノード電極(5)の
細孔(至)の軸方向にほぼ沿った磁場勾を与えるように
磁石な])勾が設けられる、 第2図は第1図示の実施例に於ける電気配線を示すもの
で、勾はアノード電源(6)に副放電室(4]内での放
電のための電位を与える副放電用電源、(至)は第3ア
ノードを極00に主放電室(3)内での放電の乏めの電
位を与える主放電用電源、(ハ)はフィラメントOfl
の発熱用のフィラメントを源。
(ハ)は引出し電ffl OA Qlにイオン引き出し
用の電位を与える引出し電源、@は減速電源である。ま
た(7)はイオン引出し日東から引き出されるビーム状
イオンのイオン電流を測定するためにイオン引き出し口
α〃から30crn離して設は念772デーカップであ
る。
該副放電用電源(イ)はアノード電極(6)K抵抗(至
)を介して高電圧小電流の第1電源(22a)と低電圧
大電流の第2電源(22b)と?直列に接続し。
更に両筒1. 第2′N、源(22a)(22b)を結
ぶ回路(ホ)をダイオード(7)を介して該アノード電
極(6)に接続して構成した。該第1電源(22a)に
例えばIKV、 0.5 A O電源?使用し、t21
!源(22b、l K例えば1607.5人の電源が使
用される。
以上の構成のものに於ける作動は次の通シである。
まず、副放電室(4)内の真空度が1〜Q、1Torr
となるようKArガスを導入口(至)から流し込み。
主放電室(3]の真空度が10−2〜10”” Tor
rとなるように放電ガス導入口qaからA s F 5
ガスを流し1放電室(1)の外部の真空度を10−4〜
1O−5Torrとした。次で各電源(2)の(財)(
ハ)を作動させると。
フィラメントQf9からの電子の供給を受け、これとア
ノード電極(6)との間で放電し、  l’trガスの
プラズマが発生する。該フィラメントQQは直径0.6
簡で2チのトリウム入りタングステン線をステンレスの
コネクターC(Iを介して絶縁物の台(イ)に固定して
構成した。
この放電は、具体的にはアノード電極(6)の細孔(至
)の内面ンζ於て行なわれる副放電であシ、そのプラズ
マが主放電室(3)と副放電室(4)の圧力差により細
孔(至)及び延長孔α(から主放電室(3)内へと流れ
込むと、これと第37ノーl′電極CIGとの間で生ず
る生放@を誘起し、  AsF5ガスのプラズマが生ず
る。副放電ヱ(4)から主放電室(3)に流れ込むプラ
ズマは、主放電を起すためのフィラメントの役目?営む
が主副放電室(3)(4)間の圧力差のみに頼ると主放
電室(3]内で拡散希釈化し。
As F 5ガスの多くを電離させ得ないので、更に磁
石やυQυを設けて細孔■の方向の磁場ωを発生させ、
これにつって副放電によるプラズマが光軸状に主放電室
(3)に犬きく噴出してAs P 5ガスの多くと電離
するよってした。電離したAsイオン等は引出し電極側
HKよシイオン引き出し口(6)からビー°ム状に引き
出される。
副放電用電源四は、副放電室(4)内で放電が発生する
までは、アノ−に電極(6)へ直列の第1゜第2電源(
22a)(22J)からこれらの合計電圧の1160V
が与えられるが、放電発生後は電圧が下がり消費電流が
犬きくなるので抵抗@全介在させた第1電源(22a)
からよりも回路−及びダイオード(7)を介して160
vの低電圧の第2宅源C22b)からアノード電極(6
)に大電流が流れ。
副放電室(4)の放電が維持される。
以上の実施例に於て、フィラメント(至)Kはその電源
(財)から20.5 Aの?流を供給し、アノード電極
、極(6)にB1放電中は3.OA、第3アノード電極
qQに1.1 Aの電流を夫々供給した場合、ファラデ
ーカップ(1)に於て測定されたイオン電流は40 m
A/洲であつ念。
(発明の効果) 以上のように6本発明では、希ガスのプラズマが形成さ
れる副放電室と、これよりも低圧でしかも細孔全弁して
該プラズマが導入される主放電室を設けたイオン源に於
て、副放電室内での放電を生じさせるアノード電極への
電源ヲ。
高電圧小電流の第1m源と低電圧大電流の第2π源?抵
抗と介して直列に接続し、両電源を結ぶ回路をダイオー
ド?介して該アノード電極〈接続する構成としたので、
高電圧大電流の大型の電源を用意する必要がなく、小型
の電源を2台設備すれば足り、設置スペースが小さく、
イオン源全体を小形化出来、過剰のパワーを設備する無
駄を排除出来て経済的である等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の半裁斜視図、第2図は第1図
示のものの配線図である。 (1)・・・放電室     (2)・・・隔壁(3)
・・・主放電室    (41・・・副放電室(6)・
・・アノード電極  @・・細孔Ofj・・・フィラメ
ント  (イ)・・・副放電用電源C22a)  ・・
・第 1 電源     (22bJ  ・・・第 2
1!源に)・・抵抗      四・・・回路(7)・
・ダイオード 第1図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放電室を、隔壁により主放電室とフィラメントを設けた
    副放電室とに区画すると共にこれら両室を該隔壁に設け
    たアノード電極の細孔を介して連通させ、該副放電室に
    希ガスを導入すると共に主放電室に所望のイオンを発生
    させる放電ガスを導入し、該副放電室の圧力を主放電室
    の圧力よりも高く保持するようにしたものに於て、前記
    アノード電極に、抵抗を介して高電圧小電流の第1電源
    と低電圧大電流の第2電源とを直列に接続し、両第1、
    第2電源を結ぶ回路をダイオードを介して該アノード電
    極に接続したことを特徴とするイオン源用電源装置。
JP12128586A 1986-05-28 1986-05-28 イオン源用電源装置 Granted JPS62278733A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12128586A JPS62278733A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 イオン源用電源装置
US07/055,804 US4841197A (en) 1986-05-28 1987-05-27 Double-chamber ion source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12128586A JPS62278733A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 イオン源用電源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62278733A true JPS62278733A (ja) 1987-12-03
JPH0535533B2 JPH0535533B2 (ja) 1993-05-26

Family

ID=14807473

Family Applications (1)

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JP12128586A Granted JPS62278733A (ja) 1986-05-28 1986-05-28 イオン源用電源装置

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JP (1) JPS62278733A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4870284A (en) * 1987-11-17 1989-09-26 Hitachi, Ltd. Ion source and method of drawing out ion beam

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4870284A (en) * 1987-11-17 1989-09-26 Hitachi, Ltd. Ion source and method of drawing out ion beam

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JPH0535533B2 (ja) 1993-05-26

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