JP3427450B2 - イオン源装置 - Google Patents

イオン源装置

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JP3427450B2
JP3427450B2 JP28599493A JP28599493A JP3427450B2 JP 3427450 B2 JP3427450 B2 JP 3427450B2 JP 28599493 A JP28599493 A JP 28599493A JP 28599493 A JP28599493 A JP 28599493A JP 3427450 B2 JP3427450 B2 JP 3427450B2
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浩二 三宅
隆司 三上
英明 田原
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、基板にイオン或いはラ
ジカルを照射して良質の薄膜を形成するMPカソード
型,バケット型等のイオン源装置に関する。 【0002】 【従来の技術】従来のこの種イオン源装置,例えばMP
(マイクロ波プラズマ)カソード型イオン源装置は、図
2に示すような構成になっている。同図において、1は
非磁性体金属材料の主筐体、2は主筐体1により形成さ
れた主プラズマ室、3は主筐体1の両側に形成された開
口部、4は一方の開口部3に取り付けられたイオンビー
ム引出電極系であり、電位の異なる加速電極5,減速電
極6,接地電極7から構成されている。8は主筐体1の
フランジ及び各電極5,6,7間に介在された絶縁体、
9は主筐体1の外側に設けられたカスプ磁場発生用の永
久磁石である。 【0003】10は他方の開口部3に取り付けられた非
磁性金属材料からなる副筐体、11は副筐体10により
形成された副プラズマ室、12,13は副筐体10の両
側の磁性体又は非磁性金属材料の蓋板、14は蓋板13
の中央の電子放出孔、15は副筐体10と主筐体1間の
絶縁体、16は副プラズマ室11へのガスの導入口であ
る。 【0004】17はマイクロ波導入用の同軸ケーブル、
18は同軸ケーブル17の先端のアンテナ、19は副筐
体10の外側に設けられた環状の永久磁石であり、副プ
ラズマ室11に電子サイクロトロン共鳴(ECR)条件
以上の磁場を発生する。20は副筐体10,副プラズマ
室11,蓋板12,13,電子放出孔14,導入口1
6,同軸ケーブル17,アンテナ18,磁石19からな
るMPカソードである。 【0005】21は負極が蓋板12に接続された直流放
電用のアーク電源であり、正極が主筐体1に接続されて
いる。22は正極がアーク電源21の正極に接続された
加速電源であり、負極はアースされている。23は加速
電源22の正極と加速電極5との間に設けられた高抵抗
値の抵抗、24は負極が減速電極6に接続された減速電
源であり、正極はアースされている。 【0006】そして、イオン源装置を基板照射用イオン
源として使用する場合、副筐体10をカソード電位に保
持し、導入口16からガスを供給し、副プラズマ室11
に同軸ケーブル17,アンテナ18を介してマイクロ波
を導入し、マイクロ波放電を発生させ、導入口16から
のガスを電離して副プラズマ25を生成する。 【0007】つぎに、副プラズマ25の生成で電離され
た電子を電子放出孔14を通って主プラズマ室2に放出
し、主プラズマ室2内の希ガス等のイオン化ガスを電離
して主プラズマ26を生成し、主プラズマ26からイオ
ンを引出電極系4の引出し作用により引き出している。 【0008】また、イオン源装置をラジカル源として使
用する場合、加速電源22,減速電源24を停止,即ち
ボリューム等により0Vに降下させ、圧力差で主プラズ
マ26から電荷を持たないラジカルのみを選択的に放出
することが試みられている。 【0009】 【発明が解決しようとする課題】従来の前記装置におい
て、ラジカルを放出する場合、減速電極6,接地電極7
は接地電位であり、これに対して主プラズマ26は接地
電位よりも正電位であるため、イオンが引き出され、基
板に照射される。これによりラジカル照射のみの場合と
比較して薄膜にダメージが生じたり、絶縁物基板が正に
帯電するという問題点がある。本発明は前記の点に留意
し、イオン源を用いてラジカルのみを選択的に放出し、
基板に良質の薄膜を形成し、イオン源を、イオンとラジ
カルとを選択的に引き出せる複合装置として使用できる
イオン源装置を提供することを目的とする。 【0010】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のイオン源装置は、プラズマを生成する筐体
と、加速電極と減速電極と接地電極とから構成された
出電極系とを備えた基板照射用イオン源装置において、
引出電極系の全ての各電極をフローティング電位とする
ものである。 【0011】 【作用】前記のように構成された本発明のイオン源装置
は、引出電極系の加速電極、減速電極、接地電極の全て
の各電極をフローティング電位とするようにしたため、
イオンの放出が抑制され、ラジカルのみが選択的に引き
出され、基板に良質の薄膜が形成され、イオン源が、イ
オンとラジカルとが引き出せる複合装置として使用可能
となる。 【0012】 【実施例】実施例について図1を参照して説明する。同
図において、図2と同一符号は同一もしくは相当するも
のを示し、図2と異なる点は、加速電源22と接地間,
減速電源24と接地間,接地電極7と接地間にそれぞれ
スイッチ27,28,29を設けた点である。 【0013】そして、実施例1の場合、各スイッチ2
7,28,29を全て開にすると、加速電極5,減速電
極6,接地電極7の引出電極系4が全てフローティング
電位となり、イオンの放出が抑制され、ラジカルのみを
圧力差で選択的に放出する。 【0014】つぎに、実施例2の場合、加速電源22を
ボリュームにより0Vに降下させ、スイッチ27を閉に
し、スイッチ28,29を開にすると、主筐体1は接地
電位となり、加速電極5は高抵抗23を介することによ
りフローティング電位となり、減速電極6,接地電極7
もフローティング電位となり、実施例1と同様、ラジカ
ルのみ選択的に放出される。 【0015】つぎに、実験結果について説明する。電極
系4から300mm離れた位置に径が100mmの基板
を接地して配設し、従来例と実施例1,2の構成で基板
にラジカルを照射し、それぞれの基板電流をマイクロア
ンペア計で測定し、イオンの流入量を測定した。その結
果、実施例1,2では基板電流、即ちイオン流入量を検
出できなかったが、従来例では約100μAの基板電流
が検出された。 【0016】以上のように、電極系4を全てフローティ
ング電位とするようにしたため、イオンの放出が抑制さ
れ、ラジカルのみが選択的に引き出され、基板に良質の
薄膜が形成される。また、電極系4を全てフローティン
グ電位とし、かつ、主筐体1を接地電位とすると、より
一層の効果を奏する。さらに、電極系4の電位を各スイ
ッチ27,28,29により切り換えるようにしたた
め、電位の切換えが容易である。なお、スイッチ27,
28,29の代わりにボリュームを用いて高抵抗を挿入
するようにしてもよく、また、スイッチ27,28,2
9の開閉は手動であっても自動であってもよい。 【0017】 【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本発明のイ
オン源装置は、引出電極系4の加速電極5、減速電極
6、接地電極7の全ての各電極5、6、7をフローティ
ング電位とするようにしたため、イオンの放出を抑制
し、ラジカルのみを選択的に引き出すことができ、基板
に良質の薄膜を形成することができ、イオン源を、イオ
ンとラジカルとを引き出す複合装置として使用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の1実施例の切断正面図である。 【図2】従来例の切断正面図である。 【符号の説明】 1 筐体 4 引出電極系 26 プラズマ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−88165(JP,A) 特開 平3−219533(JP,A) 特開 平2−72620(JP,A) 実開 昭62−136570(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01J 27/00 - 27/26 H01J 37/04 - 37/08 C23C 14/00 - 16/56

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 プラズマを生成する筐体と、加速電極と
    減速電極と接地電極とから構成された引出電極系とを備
    えた基板照射用イオン源装置において、 前記引出電極系の全ての前記各電極をフローティング電
    位とすることを特徴とするイオン源装置。
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