JP3487002B2 - イオン源 - Google Patents
イオン源Info
- Publication number
- JP3487002B2 JP3487002B2 JP01807295A JP1807295A JP3487002B2 JP 3487002 B2 JP3487002 B2 JP 3487002B2 JP 01807295 A JP01807295 A JP 01807295A JP 1807295 A JP1807295 A JP 1807295A JP 3487002 B2 JP3487002 B2 JP 3487002B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arc discharge
- voltage
- plasma
- anode electrode
- ion source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマよりイオンビ
ームを発生させるイオン源に係り、特に、電極の分解掃
除が不要で連続運転可能なイオン源に関するものであ
る。
ームを発生させるイオン源に係り、特に、電極の分解掃
除が不要で連続運転可能なイオン源に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種のイオン源は、プラズマ発生室内
で作動ガスをプラズマ化させ、このプラズマに電場を与
えてイオンを引出すものである。プラズマ発生室に満た
される作動ガスは、所望のイオンの元になる元素が水素
と化合したガスであり、例えば、燐イオンを得るために
はＰＨ3 、硼素イオンを得るためにはＢ2 Ｈ6 が用いら
れる。
で作動ガスをプラズマ化させ、このプラズマに電場を与
えてイオンを引出すものである。プラズマ発生室に満た
される作動ガスは、所望のイオンの元になる元素が水素
と化合したガスであり、例えば、燐イオンを得るために
はＰＨ3 、硼素イオンを得るためにはＢ2 Ｈ6 が用いら
れる。
【０００３】これらの作動ガスを電離させるためにプラ
ズマ室内でアーク放電が行われる。電離されてプラズマ
となった作動ガス構成元素のイオンは、引き出し用の電
場で加速され、プラズマ発生室外に引き出される。
ズマ室内でアーク放電が行われる。電離されてプラズマ
となった作動ガス構成元素のイオンは、引き出し用の電
場で加速され、プラズマ発生室外に引き出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマ発
生室内はプラズマで満たされているが、その一部は化合
物或いは単体に戻り、プラズマ発生室内、例えばアーク
放電用アノード電極表面に付着する。そのまま運転を続
けるとアノード電極表面には、これらが堆積して堆積物
となる。燐の場合は融点が低いためほとんど堆積物が付
かないが、硼素の堆積物は付きやすく、堆積して膜を形
成する。このように堆積物がアノード電極表面に膜を形
成すると、アーク放電が阻害されてイオン源が所期の動
作をできなくなる。
生室内はプラズマで満たされているが、その一部は化合
物或いは単体に戻り、プラズマ発生室内、例えばアーク
放電用アノード電極表面に付着する。そのまま運転を続
けるとアノード電極表面には、これらが堆積して堆積物
となる。燐の場合は融点が低いためほとんど堆積物が付
かないが、硼素の堆積物は付きやすく、堆積して膜を形
成する。このように堆積物がアノード電極表面に膜を形
成すると、アーク放電が阻害されてイオン源が所期の動
作をできなくなる。
【０００５】このため従来は、アノード電極をときおり
清掃して堆積物を取り除いていた。ところが掃除のため
には、プラズマ発生室を大気開放する必要がある。いっ
たんプラズマ発生室を大気開放すると、様々の不純物が
プラズマ発生室内に入り、汚染された状態となる。この
種のイオン源は半導体基板材料へのイオンドーピング等
のプロセスに用いるものであり、高純度雰囲気を要求
し、極度に汚染を嫌う。このため、プラズマ発生室を大
気開放してアノード電極の掃除を行った後、再び真空排
気して運転を開始するまでの立ち上げに丸一日かかって
いた。
清掃して堆積物を取り除いていた。ところが掃除のため
には、プラズマ発生室を大気開放する必要がある。いっ
たんプラズマ発生室を大気開放すると、様々の不純物が
プラズマ発生室内に入り、汚染された状態となる。この
種のイオン源は半導体基板材料へのイオンドーピング等
のプロセスに用いるものであり、高純度雰囲気を要求
し、極度に汚染を嫌う。このため、プラズマ発生室を大
気開放してアノード電極の掃除を行った後、再び真空排
気して運転を開始するまでの立ち上げに丸一日かかって
いた。
【０００６】このように従来のイオン源は、アノード電
極表面の堆積物を取り除くために、運転を停止し、分解
掃除を行い、長時間をかけて立ち上げる必要があった。
極表面の堆積物を取り除くために、運転を停止し、分解
掃除を行い、長時間をかけて立ち上げる必要があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、電極の分解掃除が不要で連続運転可能なイオン源を
提供することにある。
し、電極の分解掃除が不要で連続運転可能なイオン源を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、一側が開放されたプラズマ発生室内に作動
ガスを満たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラズ
マ化させ、このプラズマを上記開放された一側を覆う引
出し電極で加速して上記プラズマ発生室外にイオンビー
ムを引き出すイオン源において、上記プラズマ発生室内
に少なくとも２つのアーク放電用アノード電極をそれぞ
れ独立に電圧印加可能に設け、これらのアノード電極に
交互に一方はアーク放電電圧を他方はそれより負電圧の
スパッタクリーニング電圧を切換えて印加する電圧切換
部を設けたものである。
に本発明は、一側が開放されたプラズマ発生室内に作動
ガスを満たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラズ
マ化させ、このプラズマを上記開放された一側を覆う引
出し電極で加速して上記プラズマ発生室外にイオンビー
ムを引き出すイオン源において、上記プラズマ発生室内
に少なくとも２つのアーク放電用アノード電極をそれぞ
れ独立に電圧印加可能に設け、これらのアノード電極に
交互に一方はアーク放電電圧を他方はそれより負電圧の
スパッタクリーニング電圧を切換えて印加する電圧切換
部を設けたものである。
【０００９】上記各アノード電極をそれぞれプラズマ発
生室内の全周に沿わせ、これらのアノード電極をイオン
ビームの引き出し方向に互いにずらせて配置してもよ
い。
生室内の全周に沿わせ、これらのアノード電極をイオン
ビームの引き出し方向に互いにずらせて配置してもよ
い。
【００１０】電圧切換部は、アーク放電用電源に通じる
接点とそれより負の電源に通じる接点とをアノード電極
毎に有し、各アノード電極に通じる共通接点を上記いず
れかの接点に互い違いに繋ぎ代えて電圧を切換えてもよ
い。
接点とそれより負の電源に通じる接点とをアノード電極
毎に有し、各アノード電極に通じる共通接点を上記いず
れかの接点に互い違いに繋ぎ代えて電圧を切換えてもよ
い。
【００１１】
【作用】上記構成により、２つのアーク放電用アノード
電極のうち一方のアノード電極にはアーク放電電圧が印
加されるので、アーク放電によりプラズマ発生室の作動
ガスをプラズマ化させることができる。このとき他方の
アノード電極にはアーク放電電圧より負電圧（スパッタ
クリーニング電圧）が印加されるので、プラズマが吸い
寄せられ衝突する。プラズマが衝突することにより、ア
ノード電極表面の物質が弾き出される。アノード電極表
面に堆積物がある場合、この堆積物が弾き出される。こ
のスパッタ作用による清浄をスパッタクリーニングと呼
ぶ。この状態で運転を続けると、スパッタクリーニング
電圧としたアノード電極の表面の堆積物は取り除かれ、
一方、アーク放電に用いたアノード電極表面には堆積物
が堆積する。
電極のうち一方のアノード電極にはアーク放電電圧が印
加されるので、アーク放電によりプラズマ発生室の作動
ガスをプラズマ化させることができる。このとき他方の
アノード電極にはアーク放電電圧より負電圧（スパッタ
クリーニング電圧）が印加されるので、プラズマが吸い
寄せられ衝突する。プラズマが衝突することにより、ア
ノード電極表面の物質が弾き出される。アノード電極表
面に堆積物がある場合、この堆積物が弾き出される。こ
のスパッタ作用による清浄をスパッタクリーニングと呼
ぶ。この状態で運転を続けると、スパッタクリーニング
電圧としたアノード電極の表面の堆積物は取り除かれ、
一方、アーク放電に用いたアノード電極表面には堆積物
が堆積する。
【００１２】次いで、これらのアノード電極の電位を互
いに切換える。その直前までスパッタクリーニング電圧
であったアノード電極はアーク放電電圧となりアーク放
電を開始する。このアノード電極の表面の堆積物は取り
除かれているので、良好なアーク放電が行われる。一
方、直前までアーク放電電圧であったアノード電極はス
パッタクリーニング電圧となり、プラズマが衝突するよ
うになる。このためこのアノード電極の表面の堆積物は
取り除かれる。
いに切換える。その直前までスパッタクリーニング電圧
であったアノード電極はアーク放電電圧となりアーク放
電を開始する。このアノード電極の表面の堆積物は取り
除かれているので、良好なアーク放電が行われる。一
方、直前までアーク放電電圧であったアノード電極はス
パッタクリーニング電圧となり、プラズマが衝突するよ
うになる。このためこのアノード電極の表面の堆積物は
取り除かれる。
【００１３】このようにして、２つかそれ以上のアノー
ド電極に交互にアーク放電電圧とそれより負電圧のスパ
ッタクリーニング電圧とを切換えて印加すると、分解掃
除をするまでもなく堆積物は取り除かれ、常に良好なア
ーク放電が行われる。また、一方のアノード電極表面の
堆積物を取り除いている間にも他方のアノード電極によ
って運転が継続されるので、長期に亘って無停止で運転
することが可能となる。
ド電極に交互にアーク放電電圧とそれより負電圧のスパ
ッタクリーニング電圧とを切換えて印加すると、分解掃
除をするまでもなく堆積物は取り除かれ、常に良好なア
ーク放電が行われる。また、一方のアノード電極表面の
堆積物を取り除いている間にも他方のアノード電極によ
って運転が継続されるので、長期に亘って無停止で運転
することが可能となる。
【００１４】イオンビームの流れを均一にするために
は、アーク放電に偏りがないことが必要であるから、各
アノード電極をそれぞれプラズマ発生室内の全周に沿わ
せることにより、周方向の偏りをなくす。このようなプ
ラズマ発生室内の全周に沿った複数のアノード電極の配
置としては、これらのアノード電極をイオンビームの引
き出し方向に互いにずらせるとよく、これによりアノー
ド電極が同形同大に構成できる。
は、アーク放電に偏りがないことが必要であるから、各
アノード電極をそれぞれプラズマ発生室内の全周に沿わ
せることにより、周方向の偏りをなくす。このようなプ
ラズマ発生室内の全周に沿った複数のアノード電極の配
置としては、これらのアノード電極をイオンビームの引
き出し方向に互いにずらせるとよく、これによりアノー
ド電極が同形同大に構成できる。
【００１５】電圧切換部は、アーク放電用電源に通じる
接点とそれより負の電源に通じる接点とを各アノード電
極に通じる共通接点に対し互い違いに繋ぎ代えるだけな
ので、簡単に構成できる。
接点とそれより負の電源に通じる接点とを各アノード電
極に通じる共通接点に対し互い違いに繋ぎ代えるだけな
ので、簡単に構成できる。
【００１６】
【実施例】以下本発明の一実施例を添付図面に基づいて
詳述する。
詳述する。
【００１７】図１に示されるように、イオン源は、一側
が開放された有底円筒状のプラズマ発生室１内に、図示
されない作動ガス注入部より注入された作動ガスＧが満
たされている。プラズマ発生室底部１ａ中央に配置され
たフィラメント２はアーク放電用のカソード電極を兼用
している。これに対するアーク放電用のアノード電極３
１，３２はプラズマ室１の側壁１ｂに沿って環状に設け
られている。２つのアノード電極３１，３２は同形同大
のものであり、互いに同等のアーク放電能力を有する。
これらのアノード電極３１，３２はプラズマ発生室１の
軸方向、即ち、イオンビームの引き出し方向に互いにず
らせて配置されている。
が開放された有底円筒状のプラズマ発生室１内に、図示
されない作動ガス注入部より注入された作動ガスＧが満
たされている。プラズマ発生室底部１ａ中央に配置され
たフィラメント２はアーク放電用のカソード電極を兼用
している。これに対するアーク放電用のアノード電極３
１，３２はプラズマ室１の側壁１ｂに沿って環状に設け
られている。２つのアノード電極３１，３２は同形同大
のものであり、互いに同等のアーク放電能力を有する。
これらのアノード電極３１，３２はプラズマ発生室１の
軸方向、即ち、イオンビームの引き出し方向に互いにず
らせて配置されている。
【００１８】カソード電極兼用フィラメント２にはフィ
ラメント電源４が接続され、このカソード電極兼用フィ
ラメント２とアノード電極３１，３２との間にはアーク
放電用電源５、クリーニング用電源６及び電圧切換部７
が設けられている。アーク放電用電源５とクリーニング
用電源６とは互いに正電位側を接しており、アーク放電
用電源５の負電位側に接しているカソード電極兼用フィ
ラメント２から見ると、クリーニング用電源６の負電位
側はアーク放電電圧１００〜１５０Ｖより数十〜１００
Ｖ負電圧となっている。電圧切換部７は、アーク放電用
電源５及びクリーニング用電源６の正電位側に通じる２
つの接点７１，７２と、クリーニング用電源６の負電位
側に通じる２つの接点７３，７４とを有しており、さら
に各アノード電極３１，３２に通じる２つの共通接点７
５，７６を有している。接点間は、一方の共通接点７５
（７６）がアーク放電用電源５及びクリーニング用電源
６の正電位側に通じる接点７１（７２）に閉じていると
きには、他方の共通接点７６（７５）がクリーニング用
電源６の負電位側に通じる接点７４（７３）に閉じるよ
うに構成されており、これらの開閉状態が同期して互い
違いに切換わるようになっている。図示しないが、この
切換えを一定時間間隔で作動させるタイマが設けられて
いる。
ラメント電源４が接続され、このカソード電極兼用フィ
ラメント２とアノード電極３１，３２との間にはアーク
放電用電源５、クリーニング用電源６及び電圧切換部７
が設けられている。アーク放電用電源５とクリーニング
用電源６とは互いに正電位側を接しており、アーク放電
用電源５の負電位側に接しているカソード電極兼用フィ
ラメント２から見ると、クリーニング用電源６の負電位
側はアーク放電電圧１００〜１５０Ｖより数十〜１００
Ｖ負電圧となっている。電圧切換部７は、アーク放電用
電源５及びクリーニング用電源６の正電位側に通じる２
つの接点７１，７２と、クリーニング用電源６の負電位
側に通じる２つの接点７３，７４とを有しており、さら
に各アノード電極３１，３２に通じる２つの共通接点７
５，７６を有している。接点間は、一方の共通接点７５
（７６）がアーク放電用電源５及びクリーニング用電源
６の正電位側に通じる接点７１（７２）に閉じていると
きには、他方の共通接点７６（７５）がクリーニング用
電源６の負電位側に通じる接点７４（７３）に閉じるよ
うに構成されており、これらの開閉状態が同期して互い
違いに切換わるようになっている。図示しないが、この
切換えを一定時間間隔で作動させるタイマが設けられて
いる。
【００１９】プラズマ発生室１の側壁１ｂにはプラズマ
を閉じ込めるための磁場を形成する環状の磁石８が多段
に設けられている。
を閉じ込めるための磁場を形成する環状の磁石８が多段
に設けられている。
【００２０】イオンを加速する引出し電極９は、イオン
ビームを通過させる多数の穴を有するグリッド電極であ
り、プラズマ発生室１の開放された一側を覆うように設
けられている。引出し電極９の外方にはプラズマ発生室
１に連通するプロセス室１０が設けられており、このプ
ロセス室１０内にはイオンビームの照射対象である半導
体基板１１を置くことができる。プロセス室１０は図外
の真空排気系に連通している。
ビームを通過させる多数の穴を有するグリッド電極であ
り、プラズマ発生室１の開放された一側を覆うように設
けられている。引出し電極９の外方にはプラズマ発生室
１に連通するプロセス室１０が設けられており、このプ
ロセス室１０内にはイオンビームの照射対象である半導
体基板１１を置くことができる。プロセス室１０は図外
の真空排気系に連通している。
【００２１】次に実施例の作用を述べる。
【００２２】まず、電圧切換部７において、一方の共通
接点７５が接点７１に閉じているものとすると、必ず他
方の共通接点７６は接点７４に閉じている。このときア
ノード電極３１にはアーク放電電圧が印加される。ま
た、アノード電極３２にはアーク放電電圧より負電圧の
スパッタクリーニング電圧が印加される。
接点７５が接点７１に閉じているものとすると、必ず他
方の共通接点７６は接点７４に閉じている。このときア
ノード電極３１にはアーク放電電圧が印加される。ま
た、アノード電極３２にはアーク放電電圧より負電圧の
スパッタクリーニング電圧が印加される。
【００２３】タイマの働きにより、一定時間経過後、電
位切換部７の開閉状態が互い違いに切換わり、一方の共
通接点７５が接点７３に閉じ、他方の共通接点７６が接
点７２に閉じるので、アノード電極３１にはスパッタク
リーニング電圧が印加され、アノード電極３２にはアー
ク放電電圧が印加されるようになる。
位切換部７の開閉状態が互い違いに切換わり、一方の共
通接点７５が接点７３に閉じ、他方の共通接点７６が接
点７２に閉じるので、アノード電極３１にはスパッタク
リーニング電圧が印加され、アノード電極３２にはアー
ク放電電圧が印加されるようになる。
【００２４】電圧切換部７の働きにより、２つのアーク
放電用アノード電極３１，３２のうちいずれか一方のア
ノード電極３１（３２）にはアーク放電電圧が印加され
るので、アーク放電によりプラズマ発生室１内の作動ガ
スをプラズマ化させることができる。このとき、アノー
ド電極３１，３２はそれぞれ環状に形成されているの
で、プラズマ発生室１内の全周に偏りなく沿っている。
従って、アーク放電に偏りがなく、周方向に均一にプラ
ズマが発生する。このプラズマは、環状の磁石８が形成
する磁場によって閉じ込められ、引出し電極９の電位に
よって加速され、均一な流れのイオンビームとなってプ
ロセス室１０に引き出される。なお、アノード電極３１
とアノード電極３２とは、プラズマ発生室１の軸方向に
位置が異なるが、そのことはプラズマ発生には大きな影
響はない。
放電用アノード電極３１，３２のうちいずれか一方のア
ノード電極３１（３２）にはアーク放電電圧が印加され
るので、アーク放電によりプラズマ発生室１内の作動ガ
スをプラズマ化させることができる。このとき、アノー
ド電極３１，３２はそれぞれ環状に形成されているの
で、プラズマ発生室１内の全周に偏りなく沿っている。
従って、アーク放電に偏りがなく、周方向に均一にプラ
ズマが発生する。このプラズマは、環状の磁石８が形成
する磁場によって閉じ込められ、引出し電極９の電位に
よって加速され、均一な流れのイオンビームとなってプ
ロセス室１０に引き出される。なお、アノード電極３１
とアノード電極３２とは、プラズマ発生室１の軸方向に
位置が異なるが、そのことはプラズマ発生には大きな影
響はない。
【００２５】さて、一方のアノード電極３１（３２）に
アーク放電電圧が印加されているとき、他方のアノード
電極３２（３１）にはアーク放電電圧より負電圧のスパ
ッタクリーニング電圧が印加されるので、プラズマが吸
い寄せられ衝突する。プラズマが衝突することにより、
アノード電極３２（３１）表面の物質が弾き出される。
アノード電極３２（３１）表面に堆積物がある場合、こ
の堆積物が弾き出される。この状態で運転を続けると、
スパッタクリーニング電圧としたアノード電極３２（３
１）の表面の堆積物は取り除かれ、一方、アーク放電に
用いたアノード電極３１（３２）表面には堆積物が堆積
する。
アーク放電電圧が印加されているとき、他方のアノード
電極３２（３１）にはアーク放電電圧より負電圧のスパ
ッタクリーニング電圧が印加されるので、プラズマが吸
い寄せられ衝突する。プラズマが衝突することにより、
アノード電極３２（３１）表面の物質が弾き出される。
アノード電極３２（３１）表面に堆積物がある場合、こ
の堆積物が弾き出される。この状態で運転を続けると、
スパッタクリーニング電圧としたアノード電極３２（３
１）の表面の堆積物は取り除かれ、一方、アーク放電に
用いたアノード電極３１（３２）表面には堆積物が堆積
する。
【００２６】次いで、これらのアノード電極３１，３２
の電圧を互いに切換える。その直前までスパッタクリー
ニング電圧であったアノード電極３２（３１）はアーク
放電電位となりアーク放電を開始する。このアノード電
極３２（３１）の表面の堆積物は既に取り除かれている
ので、良好なアーク放電が行われる。一方、直前までア
ーク放電電圧であったアノード電極３１（３２）はスパ
ッタクリーニング電圧となり、プラズマが衝突するよう
になる。このためこのアノード電極３１（３２）の表面
の堆積物は取り除かれる。
の電圧を互いに切換える。その直前までスパッタクリー
ニング電圧であったアノード電極３２（３１）はアーク
放電電位となりアーク放電を開始する。このアノード電
極３２（３１）の表面の堆積物は既に取り除かれている
ので、良好なアーク放電が行われる。一方、直前までア
ーク放電電圧であったアノード電極３１（３２）はスパ
ッタクリーニング電圧となり、プラズマが衝突するよう
になる。このためこのアノード電極３１（３２）の表面
の堆積物は取り除かれる。
【００２７】このようにして、２つのアノード電極３
１，３２に交互にアーク放電電圧とそれより負電圧のス
パッタクリーニング電圧とを切換えて印加すると、分解
掃除をするまでもなく堆積物は取り除かれ、常に良好な
アーク放電が行われる。また、一方のアノード電極３１
（３２）表面の堆積物を取り除いている間にも他方のア
ノード電極３２（３１）によって運転が継続されるの
で、長期に亘って無停止で運転することが可能となる。
１，３２に交互にアーク放電電圧とそれより負電圧のス
パッタクリーニング電圧とを切換えて印加すると、分解
掃除をするまでもなく堆積物は取り除かれ、常に良好な
アーク放電が行われる。また、一方のアノード電極３１
（３２）表面の堆積物を取り除いている間にも他方のア
ノード電極３２（３１）によって運転が継続されるの
で、長期に亘って無停止で運転することが可能となる。
【００２８】
【発明の効果】本発明は次の如き優れた効果を発揮す
る。
る。
【００２９】（１）分解掃除しなくてよいので大気開放
による汚染が回避され、分解掃除の手間も省ける。
による汚染が回避され、分解掃除の手間も省ける。
【００３０】（２）常に清浄なアノード電極よりアーク
放電が行われるので、イオン源の性能を最良の状態に維
持できる。
放電が行われるので、イオン源の性能を最良の状態に維
持できる。
【００３１】（３）電極の掃除が不要となり、長期に亘
って連続的に運転できるので、可動効率は最大限まで高
められる。
って連続的に運転できるので、可動効率は最大限まで高
められる。
【図１】本発明の一実施例を示すイオン源の断面及び回
路図である。
路図である。
１ プラズマ発生室
５ アーク放電用電源
６ クリーニング用電源
７ 電圧切換部
３１、３２ アノード電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一側が開放されたプラズマ発生室内に作
動ガスを満たし、アーク放電によりこの作動ガスをプラ
ズマ化させ、このプラズマを上記開放された一側を覆う
引出し電極で加速して上記プラズマ発生室外にイオンビ
ームを引き出すイオン源において、上記プラズマ発生室
内に少なくとも２つのアーク放電用アノード電極をそれ
ぞれ独立に電圧印加可能に設け、これらのアノード電極
に交互に一方はアーク放電電圧を他方はそれより負電圧
のスパッタクリーニング電圧を切換えて印加する電圧切
換部を設けたことを特徴とするイオン源。 - 【請求項２】 上記各アノード電極をそれぞれプラズマ
発生室内の全周に沿わせ、これらのアノード電極をイオ
ンビームの引き出し方向に互いにずらせて配置したこと
を特徴とする請求項１記載のイオン源。 - 【請求項３】 電圧切換部は、アーク放電用電源に通じ
る接点とそれより負の電源に通じる接点とをアノード電
極毎に有し、各アノード電極に通じる共通接点を上記い
ずれかの接点に互い違いに繋ぎ代えて電圧を切換えるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01807295A JP3487002B2 (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01807295A JP3487002B2 (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212953A JPH08212953A (ja) | 1996-08-20 |
| JP3487002B2 true JP3487002B2 (ja) | 2004-01-13 |
Family
ID=11961470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01807295A Expired - Fee Related JP3487002B2 (ja) | 1995-02-06 | 1995-02-06 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3487002B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2426693A3 (en) * | 1999-12-13 | 2013-01-16 | Semequip, Inc. | Ion source |
| JP2004362901A (ja) | 2003-06-04 | 2004-12-24 | Sharp Corp | イオンドーピング装置、イオンドーピング方法および半導体装置 |
| CN101960554B (zh) * | 2008-03-25 | 2012-12-26 | 三井造船株式会社 | 离子源 |
| US8008632B2 (en) * | 2008-07-24 | 2011-08-30 | Seagate Technology Llc | Two-zone ion beam carbon deposition |
| CN102308358B (zh) * | 2008-12-08 | 2015-01-07 | 通用等离子公司 | 具有自清洁阳极的闭合漂移磁场离子源装置及基材改性修改方法 |
| JP5342386B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2013-11-13 | セイコーインスツル株式会社 | イオン発生装置のソースハウジングに堆積したフッ素化合物を除去する方法およびイオン発生装置 |
| KR101358250B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2014-02-06 | 주식회사 다원시스 | 플라스마 이온 분리 및 가속 세정 방법 및 장치 |
| WO2013191430A1 (ko) * | 2012-06-20 | 2013-12-27 | 주식회사 다원시스 | 플라스마 이온을 이용한 세정 장치 및 세정 방법 |
| US9530615B2 (en) * | 2012-08-07 | 2016-12-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for improving the performance and extending the lifetime of an ion source |
| JP6056445B2 (ja) * | 2012-12-17 | 2017-01-11 | 旭硝子株式会社 | 光学素子の製造方法 |
-
1995
- 1995-02-06 JP JP01807295A patent/JP3487002B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08212953A (ja) | 1996-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3591846B2 (ja) | 基板被覆装置 | |
| CA2499235C (en) | Method of cleaning ion source, and corresponding apparatus/system | |
| JP5694183B2 (ja) | 自己浄化アノードを含む閉ドリフト磁場イオン源装置および同装置による基板改質プロセス | |
| JP3487002B2 (ja) | イオン源 | |
| TWI436412B (zh) | 製造已清潔的基材或被進一步處理的潔淨的基材之方法及設備 | |
| JP2012038668A (ja) | イオン源電極のクリーニング方法 | |
| WO2015025823A1 (ja) | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 | |
| WO2006070633A1 (ja) | スパッタ源、スパッタ装置、薄膜の製造方法 | |
| JP3127636B2 (ja) | イオン源 | |
| JP3120595B2 (ja) | イオンビーム引出装置 | |
| JP2001229841A (ja) | 引出し電極のクリーニング方法及びイオンビーム処理装置 | |
| JP2002038264A (ja) | スパッタ成膜方法およびスパッタ成膜装置 | |
| JPS6298542A (ja) | イオン源 | |
| US20160064191A1 (en) | Ion control for a plasma source | |
| JPS63282262A (ja) | スパッタリング装置の制御方法 | |
| JPH06325711A (ja) | スパッタ型イオン源 | |
| JPH07316794A (ja) | イオンプレーティングのプラズマビーム制御方法及び制御装置 | |
| KR100269615B1 (ko) | 챔버 불순물 제거장치 | |
| JPH07173626A (ja) | スパッタ装置 | |
| JPH0676750A (ja) | イオン源 | |
| JP3279762B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3805004B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPS6233761A (ja) | 真空容器内壁の清浄装置 | |
| JPH11269636A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH09248618A (ja) | 真空アークデスケーリング装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071031 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071031 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071031 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091031 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101031 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |