WO2006070633A1

WO2006070633A1 - スパッタ源、スパッタ装置、薄膜の製造方法

Info

Publication number: WO2006070633A1
Application number: PCT/JP2005/023276
Authority: WO
Inventors: Toshio Negishi; Masahiro Ito
Original assignee: Ulvac, Inc.
Priority date: 2004-12-28
Filing date: 2005-12-19
Publication date: 2006-07-06
Also published as: JP4865570B2; KR20070099414A; KR101255375B1; CN100557071C; JPWO2006070633A1; TWI401329B; CN1993491A; TW200626738A

Abstract

　有機薄膜にダメージを与えずにその表面にスパッタ膜を形成する。　スパッタ源１１～１３が有する筺体１０１の開口を遮蔽板１０３で閉塞し、その開口部１０７ａの両脇にトラップ磁石１０５1、１０５2を配置する。筺体１０１内部にターゲット部１２０を配置し、スパッタリングする際、遮蔽部１０３を接地電位に接続し、電子等の負の荷電粒子を遮蔽部１０３に入射させ、開口部１０７ａを通過した荷電粒子は、トラップ磁石１０５1、１０５2が形成する磁界によって飛行方向を曲げる。スパッタ源１１～１３上を成膜対象物が横断する際、成膜対象物表面には荷電粒子が入射しないので、有機薄膜へのダメージが小さい。

Description

明細書

スパッタ源、スパッタ装置、薄膜の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は有機 EL素子の製造方法および製造装置に関し、特に有機層上にスパッタリングにより電極を形成する有機 EL素子の製造方法および製造装置に関する。背景技術

[0002] 従来では有機層上に電極、特に金属もしくは合金の電極を形成する場合、蒸着法が採用されていた。蒸着法では、電子などがほとんど発生せず有機層に損傷を与えないためである。

[0003] しかし、蒸着法では、金属もしくは合金を高温に加熱して蒸発させ有機層が形成された基板に蒸着するため、有機層が高温で損傷しないよう、蒸着源を基板から充分離し、かつ基板を冷却する必要があった。さらに、温度上昇を抑えるため成膜速度も速くできな力つた。

[0004] さらに、蒸着法では高沸点の金属は使用できないため、使用する金属に制限があつた。特に、高沸点の金属化合物等では蒸着法は使用できな力つた。

このため、スパッタリングにより有機層上に電極膜を形成する方法が提案されている

[0005] しかし、通常の半導体上などに電極膜を形成するスノッタリング方法では、発生した荷電粒子が有機層に損傷を与える場合がある。有機 EL等で使用される有機層は非常に繊細なため、入射した荷電粒子による損傷で、電子もしくはホールの伝達等の機能が消失もしくは著しく低下する場合がある。

[0006] このため、基板とターゲットの間に、接地電位もしくは正電位のグリッド電極ゃァパ一チヤを設けて基板に衝突する電子を減少させる技術が公開されて!ヽる（特許文献

D o

さらに、基板とターゲットの間に、基板と平行な磁場を発生させ基板に衝突する電子を減少させる技術が公開されてヽる (特許文献 2)。

[0007] しかし、上記従来技術では、基板の大型化に伴いグリッド電極やアパーチャの大型ィ匕、磁場発生装置の大型化が必要で、実質的に対応が困難である。さらに、大きなグリッド電極やアパーチャを備えると、クリーニングの頻度が大きくなりメンテナンス上不利になる場合もある。さらに、汚れの剥離によるアーキングなどの影響を大きく受ける場合ちある。

[0008] さらにまた、複数の金属を同時にもしくは順次に成膜する場合に、一台の装置ではそれら複数の膜を形成できな、場合があった。

特許文献 1 :特開平 10— 158821

特許文献 2 :特開平 10— 228981

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0009] 有機層上にスパッタリングにより金属等のスパッタ膜を形成する場合に、有機層へのダメージを抑えることができる電極膜の形成方法および形成装置を提供する。さらに、基板が大型化しても対応が容易であるスパッタ膜の形成方法および形成装置を提供する。

さらに、複数の金属を同時もしくは順じ、一の装置で形成できるスパッタによる電極膜の形成装置を提供する。

課題を解決するための手段

[0010] 上記課題を解決するため、本発明は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に第一、第二のトラップ磁石部が配置され、前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ源である。

また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。

また、本発明は、前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされたスパッタ源である。

また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筐体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筐体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筐体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。

また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。また、本発明は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。

また、本発明は、前記真空槽と前記遮蔽板は接地電位に接続され、

前記ターゲットは前記接地電位に対して負電圧が印加されるスパッタ源である。また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筐体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筐体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筐体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。

また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続され、前記成膜対象物と前記スパッタ源とは、前記開口の長手方向と直角方向に相対的に移動されるように構成されたスパッタ装置である。

また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続されたスパッタ装置である。

また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部と、第一、第二のトラップ磁石部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記スパッタ源は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記第一、第二のトラップ磁石部は前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に配置され、前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ装置である。

また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ装置である。

また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面力も放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。

また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、

前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面力も放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板に対して平行な磁力線を形成し、前記磁力線を通過した前記スパッタリング粒子が、前記有機薄膜表面に入射させる薄膜の製造方法である。

また、本発明は、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。

また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。

本発明は上記のように構成されており、電子や電荷 Z質量比が大きな荷電粒子は成膜対象物に到達せず、中性粒子によって薄膜が形成される。従って、成膜対象物表面に損傷され易い薄膜が形成されていても、その薄膜表面に、スパッタ法によって薄膜を積層させることができる。

発明の効果

[0011] 有機薄膜表面にスパッタ法によって薄膜を形成する際、電子やイオンが有機薄膜表面に入射しな、ので、有機薄膜にダメージが生じな、。

図面の簡単な説明

[0012] [図 1]本発明のスパッタ装置の一例

[図 2](a)、（b) :本発明のスパッタ源の一例

[図 3](a)、（b) :本発明のスパッタ源の他の例

[図 4]本発明のスパッタ源の他の例

[図 5]本発明のスパッタ源の他の例

符号の説明

[0013] 1……スパッタ装置

13〜16……スパッタ源

101……筐体

105、 105……トラップ磁石

1 2

107a, 107b……開口部

120……ターゲット部

122……ターゲッ卜

発明を実施するための最良の形態

[0014] 図 1を参照し、符号 11〜13は本発明のスパッタ源であり、符号 1は、そのスパッタ源

11〜 13を有する本発明のスパッタ装置である。

このスパッタ装置 1は、真空槽 10を有しており、該真空槽 10内に、一乃至複数台のスパッタ源 11〜13が配置されている。ここでは三台である。真空槽 10には真空排気系 25が接続されており、真空槽 10内を真空排気できるように構成されている。

[0015] 真空槽 10には、搬入孔 21と搬出孔 22が設けられており、真空排気系 25によって真空槽 10内を真空排気し、所定圧力に達した後、搬入孔 21に設けられた真空バルブを開け、搬入孔 21に接続された前工程の有機薄膜製造装置から、成膜対象物 30 を真空槽内に搬入する。

搬入される成膜対象物 30の表面には有機薄膜が形成されている。この有機薄膜は下方に向けられている。

[0016] 各スパッタ源 11〜13は、後述するようにスパッタリング粒子が放出されるように構成されている。スパッタ源 11〜13内にスパッタリングガスを導入し、スパッタ源 11〜13 からスパッタリング粒子を放出させながら成膜対象物 30を移動させ、各スパッタ源 11

〜13の上を順番に通過させると、成膜対象物 30の有機薄膜の表面に導電性薄膜等のスパッタ薄膜が形成される。

[0017] 有機薄膜表面にスパッタ膜が形成されると、搬出孔 22に設けられた真空バルブが開けられ、スパッタ膜が形成された成膜対象物 30は、搬出孔 22から後工程の製造装置に搬送される。

[0018] 真空槽 10内は、成膜対象物 30を搬入孔 21から搬入する際、及び搬出孔 22から搬出する際でも真空雰囲気が維持される。

なお、符号 23は成膜対象物 30を保持するホルダ、符号 24は成膜対象物を移動させる移動装置を示している。

[0019] ここでは各スパッタ源 11〜13は同じ構造であり、その外観を図 2(a)に示し、内部を同図 (b)に示す。

このスパッタ源 11〜13は、細長の筐体 101を有している。筐体 101は容器状であり、該筐体 101内の底壁上には細長のターゲット部 120が配置されている。

[0020] ターゲット部 120は、ターゲットホルダ 121の表面上にターゲット 122が固定され、裏面側にマグネトロン放電用磁石 123が配置されて構成されている。

ターゲット 122は細長い板状であり、筐体 101の内部では、筐体 101の長手方向に沿って配置されており、ターゲット 122の表面は筐体 101の開口に平行に向けられている。ここでは、ターゲット 122は金属材料等の導電性材料である。

[0021] 真空槽 10が接続された電位を接地電位としたとき、ターゲットホルダ 121はスパッタ電源 108に接続され、直流の負電圧、又はバイアス電圧を含む交流電圧を、ターゲットホルダ 121を介してターゲット 122に印加できるように構成されている。 [0022] 筐体 101が構成する容器の開口上には、絶縁物 104を介して細長の遮蔽板 103が配置され、筐体 101の開口が遮蔽板 103によって塞がれている。これにより、ターゲット 122は、筐体 101の側壁により、前後左右を囲まれているのに加え、ターゲット 12 2の上方位置も、後述する開口部 107aの部分を除き、遮蔽板 103によって塞がれている。従って、ターゲット 122の表面と筐体 101の壁面と遮蔽板 103とでターゲット 12 2表面上の空間が取り囲まれている。この空間に後述のプラズマが形成される。

[0023] 筐体 101と遮蔽板 103は、少なくとも表面が導電性材料で構成されている。筐体 10 1と遮蔽板 103は、例えば金属で構成される。筐体 101は遮蔽板 103や真空槽 10とは絶縁され、浮遊電位に置かれている。それに対し、この例では、遮蔽板 103は真空槽 10に電気的に接続されている。真空槽 10は接地電位に置かれているから、遮蔽板 103も設置電位に置かれて、る。

但し、遮蔽板 103の電位は接地電位ではなぐターゲット 122への印加電圧よりも接地電位に近い電位であり、ターゲット 122に対して正電圧であれば、接地電位に対して正電圧であってもよいし、接地電圧に対して負電圧であってもよい。筐体 101 は絶縁物であってもよい。遮蔽板 103を接地電位以外の電圧にする場合には、遮蔽板をバイアス電源 110に接続し、電圧を印加すればよ!ヽ。

[0024] このスパッタ源 11〜13では、ターゲット 122は、ターゲットホルダ 121の筐体 101の開口側の面に配置され、マグネトロン放電用磁石 123は、ターゲットホルダ 121の筐体 101の底壁側に向いた面に配置されている。ターゲット 122表面と遮蔽板 103の裏面とが平行に向力、合うようになって、る。

[0025] 遮蔽板 103の幅方向中央位置には、遮蔽板 103の長手方向に沿って伸びる細長で、遮蔽板 103を厚み方向に貫通する開口部 107aが形成されている。絶縁物 104 は細長であり遮蔽板 103と筐体 101の上端の間に位置するものの、遮蔽板 103の裏面は筐体 101の内部空間に露出されているから、この開口部 107aにより、筐体 101 の内部空間が、筐体 101の外部の真空槽 10の内部空間に接続されるように構成されている。

[0026] 遮蔽板 103上の開口部 107aの両脇位置には、開口部 107aの長手方向に沿って、細長いトラップ磁石部 105、 105がそれぞれ配置されている。即ち、二個のトラップ磁石部 105、 105は、長辺のうちの一辺に沿った側面が開口

1 2

部 107aに近い位置に配置されており、それと平行な他の長辺に沿った側面は、開口部 107aに対して遠!、位置に配置されて!、る。

このトラップ磁石部 105、 105は細長い永久磁石で構成してもよいし、小さな永久

1 2

磁石を細長く並べてもよい。また、電磁石で構成してもよい。

[0027] いずれにしろ、開口部 107aの両側に配置された二個のトラップ磁石部 105、 105

1 2 のうち、一方のトラップ磁石 105の N極は長手方向の一側面に沿って形成されており

1

、他方のトラップ磁石 105では、少なくそれと反対の磁極 (S極)が長手方向の一側面

2

に沿って形成されている。

[0028] 二個のトラップ磁石 105、 105は、 N極と S極が開口部 107aに向けられた側面に

1 2

それぞれ配置されており、従って、開口部 107a両脇のトラップ磁石 105、 105により

1 2

、開口部 107aを挟んで、互いに異なる極性の磁極が向き合うように構成されている。

[0029] これにより、開口部 107aよりも上方であって、二個のトラップ磁石 105、 105の側

1 2 面で挟まれた領域には、開口部 107aの幅方向と平行 (長手方向と垂直)な方向に伸びる磁力線が形成される。この磁力線は、遮蔽板 103の表面やターゲット 122の表面と略平行である。なお、ここでは、トラップ磁石 105、 105を遮蔽板 103の表面上に

1 2

配置することで、筐体 101の外部に磁界を形成したが、プラズマに対する保護がされていれば、遮蔽板 103の裏面側に配置し、開口部 107aよりも下方であって、二個のトラップ磁石 105、 105の側面で挟まれた領域に磁力線を形成してもよい。

1 2

[0030] 更にまた、開口部 107aの側面に第一、第二のトラップ磁石 105、 105を配置し、

1 2

開口部 107aの長手方向に沿って対向する側面に、 N極と S極を配置してもよい。要するに、開口部 107aの内部を含む位置であって、開口部 107aに近い位置に、開口部 107aを覆うような磁力線を、遮蔽板 103の表面と略平行に形成すればよい。

[0031] 各スパッタ源 11〜13の筐体 101には、それぞれスパッタリングガス供給系 109が接続されており、真空槽 10の真空排気系 25が動作し、各スパッタ源 11〜13の筐体 10 1の内部が真空槽 10内部と一緒に真空排気され、所定の圧力に到達した後、スパッタリングガス供給系 109により、真空雰囲気に置かれた各筐体 101内にアルゴンガス等のスパッタリングガスが導入される。 [0032] そしてターゲット 122に負電圧又は交流電圧が印加されると筐体 101内部にプラズマが形成され、ターゲット 122の表面がスパッタリングされ、ターゲット 122を構成する材料のスパッタリング粒子がターゲット 122表面力も筐体 101内に放出される。

[0033] 筐体 101内部では、遮蔽板 103とターゲット 122との間に電界が形成されており、タ一ゲット 122から放出されたスパッタリング粒子のうち、電荷 Z質量の値 (電荷 Z質量比)が大きな負のイオンや大部分の電子は、遮蔽板 103に吸引され、遮蔽板 103に入射し、接地電位と遮蔽板との間に流れる電流となる。

[0034] 正のイオンや中性粒子、及び遮蔽板 103に入射しな力つた電荷 Z質量比の小さな負のイオンや電子のうち、開口部 107aに向力つて飛行するものは開口部 107aを通過し、トラップ磁石 105、 105が形成する磁力線を横切ろうとする。

1 2

[0035] このとき、電荷を有するイオンはその磁力線によって飛行方向が曲げられ、また、電子は磁力線によってトラップされ、トラップ磁石 105、 105や遮蔽板 103や真空槽 1

1 2

0に入射する。

[0036] 中性粒子は磁力線の影響を受けず、直進する。成膜対象物 30は、真空槽 10の内部を移動しており、開口部 107a上であって、有機薄膜が形成された成膜面を開口部 107aに向け、開口部 107aに面する位置を通過するため、直進し、二個のトラップ磁石 105、 105の側面で挟まれた領域を通過した中性粒子は、成膜対象物 30の成膜

1 2

面のうち、開口部 107aと対向する位置に入射し、成膜対象物 30の有機薄膜表面にスパッタ薄膜が成長する。

[0037] 従って、成膜対象物 30の成膜面には中性のスパッタリング粒子だけが入射し、電荷を有するイオンや電子は入射しな!、ので、有機薄膜が荷電粒子によって損傷することがない。

[0038] 各スパッタ源 11〜 13は同じ構造である力ターゲット 122は、同一の材料で構成されたターゲット 122を配置しても、異なる材料で構成されたターゲットを配置してもよい。成膜対象物 30がー乃至複数台のスパッタ源 11〜13上を通過すると、各スパッタ源 11〜13から放出された中性のスパッタ粒子により、スパッタ薄膜が形成される。異なる材料のターゲット 122が配置されている場合は異種類の薄膜を積層させることができるから、例えば、最初に通過するスパッタ源 11によって電子注入層が形成され、その後に通過するスパッタ源 12, 13によって電極膜が形成されるようにすることができる。

[0039] 以上説明したスパッタ源 11〜14は、ターゲット 122に対して正電圧が印加される遮蔽板 103と、トラップ磁石 105、 105の両方で荷電粒子が成膜対象物 30に到達しな

1 2

いようにしていたが、いずれか一方でも効果があり、本発明に含まれる。

[0040] また、以上説明したスパッタ源 11〜13では、 1台のスパッタ源 11〜13では、細長の一個の開口によって一個の開口部 107aが形成されていた力図 3(a)、（b)のスパッタ源 14に示すように、複数の開口 131を近接して一列、又は複数列に並べ、一個の開口部 107bを構成してもよい。図 3(a)、（b)の開口 131は一列に並んでいる。

[0041] また、上記スパッタ源 11〜13では、ターゲット部 120が筐体 101の底壁上に配置されていたが、本発明はそれに限定されるものではなぐ長手方向の側面に沿って二個のターゲット部 120を配置してもよい。

この場合、図 4のスパッタ源 15のように、長手方向の側面に沿った二台のターゲット部 120のターゲット 122を互いに平行に向き合わせて配置するとよい。例えば、筐体 101の中心軸線に向けることもできる。

[0042] また、図 5のスパッタ源 16のように、長手方向の側面に沿ったターゲット部 120に加え、更に、底壁上にも、ターゲット 122が開口部 107aに向けられたターゲット部 120 を配置してもよい。ターゲット 122のスパッタされる面積が増すと、スパッタ粒子が多く放出されるので、成膜速度が向上する。

[0043] なお、上記各実施例では、第一例のスパッタ源 11〜13、及び他の例のスパッタ源 14、 15は、その全部を真空槽 10の内部に配置されていた力スパッタ源 11〜15の一部が真空槽 10の外部に突き出されていても、開口部 17a、 17bが真空槽 10の内部に向けられていても、真空槽 10に配置されているから、本発明のスパッタ装置に含まれる。

Claims

請求の範囲

[1] ターゲットと、

前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、

前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に第一、第二のトラップ磁石部が配置され、

前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ源。

[2] 前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続された請求項 1記載のスパッタ源。

[3] 前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされた請求項 2記載のスパッタ源。

[4] 前記ターゲットは、容器状の筐体の内部に配置され、

前記遮蔽板は前記筐体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筐体と前記遮蔽板の間は絶縁された請求項 2記載のスパッタ源。

[5] 前記開口部は複数の開口を並べて構成した請求項 1乃至請求項 4の、ずれか 1項記載のスパッタ源。

[6] ターゲットと、

前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源。

[7] 前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされた請求項 6記載のスパッタ源。

[8] 前記真空槽と前記遮蔽板は接地電位に接続され、

前記ターゲットは前記接地電位に対して負電圧が印加される請求項 7記載のスパッタ源。

[9] 前記ターゲットは、容器状の筐体の内部に配置され、

前記遮蔽板は前記筐体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筐体と前記遮蔽板の間は絶縁された請求項 6記載のスパッタ源。

[10] 前記開口部は複数の開口を並べて構成した請求項 6乃至請求項 9の、ずれか 1項記載のスパッタ源。

[11] 真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、

前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部とを有し、

前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、

前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、

前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続され、前記成膜対象物と前記スパッタ源とは、前記開口の長手方向と直角方向に相対的に移動されるように構成されたスパッタ装置。

[12] 前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続された請求項 11記載のスパッタ装置。

[13] 真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、

前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部と、第一、第二のトラップ磁石部とを有し、

前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、

前記スパッタ源は、ターゲットと、

前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、

前記第一、第二のトラップ磁石部は前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に配置され、

前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ装置。

[14] 前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続された請求項 13記載のスパッタ装置。

[15] 前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続された請求項 14記載のスパッタ装置。

[16] 真空槽に配置されたターゲット表面力放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、

前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法。

[17] 前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、

前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する請求項 16記載の薄膜の製造方法。

[18] 真空槽に配置されたターゲット表面力放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、

前記遮蔽板に対して平行な磁力線を形成し、前記磁力線を通過した前記スパッタリング粒子が、前記有機薄膜表面に入射させる薄膜の製造方法。

[19] 前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する請求項 18記載の薄膜の製造方法。

[20] 前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、

前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する請求項 19記載の薄膜の製造方法。