JPWO2006070633A1 - スパッタ源、スパッタ装置、薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
有機薄膜にダメージを与えずにその表面にスパッタ膜を形成する。スパッタ源１１〜１３が有する筺体１０１の開口を遮蔽板１０３で閉塞し、その開口部１０７ａの両脇にトラップ磁石１０５1、１０５2を配置する。筺体１０１内部にターゲット部１２０を配置し、スパッタリングする際、遮蔽部１０３を接地電位に接続し、電子等の負の荷電粒子を遮蔽部１０３に入射させ、開口部１０７ａを通過した荷電粒子は、トラップ磁石１０５1、１０５2が形成する磁界によって飛行方向を曲げる。スパッタ源１１〜１３上を成膜対象物が横断する際、成膜対象物表面には荷電粒子が入射しないので、有機薄膜へのダメージが小さい。
Description
本発明は有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置に関し、特に有機層上にスパッタリングにより電極を形成する有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置に関する。
従来では有機層上に電極、特に金属もしくは合金の電極を形成する場合、蒸着法が採用されていた。蒸着法では、電子などがほとんど発生せず有機層に損傷を与えないためである。
しかし、蒸着法では、金属もしくは合金を高温に加熱して蒸発させ有機層が形成された基板に蒸着するため、有機層が高温で損傷しないよう、蒸着源を基板から充分離し、かつ基板を冷却する必要があった。さらに、温度上昇を抑えるため成膜速度も速くできなかった。
さらに、蒸着法では高沸点の金属は使用できないため、使用する金属に制限があった。特に、高沸点の金属化合物等では蒸着法は使用できなかった。
このため、スパッタリングにより有機層上に電極膜を形成する方法が提案されている。
このため、スパッタリングにより有機層上に電極膜を形成する方法が提案されている。
しかし、通常の半導体上などに電極膜を形成するスパッタリング方法では、発生した荷電粒子が有機層に損傷を与える場合がある。有機ＥＬ等で使用される有機層は非常に繊細なため、入射した荷電粒子による損傷で、電子もしくはホールの伝達等の機能が消失もしくは著しく低下する場合がある。
このため、基板とターゲットの間に、接地電位もしくは正電位のグリッド電極やアパーチャを設けて基板に衝突する電子を減少させる技術が公開されている（特許文献１）。
さらに、基板とターゲットの間に、基板と平行な磁場を発生させ基板に衝突する電子を減少させる技術が公開されている（特許文献２）。
さらに、基板とターゲットの間に、基板と平行な磁場を発生させ基板に衝突する電子を減少させる技術が公開されている（特許文献２）。
しかし、上記従来技術では、基板の大型化に伴いグリッド電極やアパーチャの大型化、磁場発生装置の大型化が必要で、実質的に対応が困難である。さらに、大きなグリッド電極やアパーチャを備えると、クリーニングの頻度が大きくなりメンテナンス上不利になる場合もある。さらに、汚れの剥離によるアーキングなどの影響を大きく受ける場合もある。
さらにまた、複数の金属を同時にもしくは順次に成膜する場合に、一台の装置ではそれら複数の膜を形成できない場合があった。
特開平１０−１５８８２１
特開平１０−２２８９８１
有機層上にスパッタリングにより金属等のスパッタ膜を形成する場合に、有機層へのダメージを抑えることができる電極膜の形成方法および形成装置を提供する。
さらに、基板が大型化しても対応が容易であるスパッタ膜の形成方法および形成装置を提供する。
さらに、複数の金属を同時もしくは順じ、一の装置で形成できるスパッタによる電極膜の形成装置を提供する。
さらに、基板が大型化しても対応が容易であるスパッタ膜の形成方法および形成装置を提供する。
さらに、複数の金属を同時もしくは順じ、一の装置で形成できるスパッタによる電極膜の形成装置を提供する。
上記課題を解決するため、本発明は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に第一、第二のトラップ磁石部が配置され、前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされたスパッタ源である。
また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。
また、本発明は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされたスパッタ源である。
また、本発明は、前記真空槽と前記遮蔽板は接地電位に接続され、
前記ターゲットは前記接地電位に対して負電圧が印加されるスパッタ源である。
また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。
また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続され、前記成膜対象物と前記スパッタ源とは、前記開口の長手方向と直角方向に相対的に移動されるように構成されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部と、第一、第二のトラップ磁石部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記スパッタ源は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記第一、第二のトラップ磁石部は前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に配置され、前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、
前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板に対して平行な磁力線を形成し、前記磁力線を通過した前記スパッタリング粒子が、前記有機薄膜表面に入射させる薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。
本発明は上記のように構成されており、電子や電荷／質量比が大きな荷電粒子は成膜対象物に到達せず、中性粒子によって薄膜が形成される。従って、成膜対象物表面に損傷され易い薄膜が形成されていても、その薄膜表面に、スパッタ法によって薄膜を積層させることができる。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされたスパッタ源である。
また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。
また、本発明は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされたスパッタ源である。
また、本発明は、前記真空槽と前記遮蔽板は接地電位に接続され、
前記ターゲットは前記接地電位に対して負電圧が印加されるスパッタ源である。
また、本発明は、前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁されたスパッタ源である。
また、本発明は、前記開口部は複数の開口を並べて構成したスパッタ源である。
また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続され、前記成膜対象物と前記スパッタ源とは、前記開口の長手方向と直角方向に相対的に移動されるように構成されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部と、第一、第二のトラップ磁石部とを有し、前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記スパッタ源は、ターゲットと、前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、前記第一、第二のトラップ磁石部は前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に配置され、前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続されたスパッタ装置である。
また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、
前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記遮蔽板に対して平行な磁力線を形成し、前記磁力線を通過した前記スパッタリング粒子が、前記有機薄膜表面に入射させる薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法である。
また、本発明は、前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する薄膜の製造方法である。
本発明は上記のように構成されており、電子や電荷／質量比が大きな荷電粒子は成膜対象物に到達せず、中性粒子によって薄膜が形成される。従って、成膜対象物表面に損傷され易い薄膜が形成されていても、その薄膜表面に、スパッタ法によって薄膜を積層させることができる。
有機薄膜表面にスパッタ法によって薄膜を形成する際、電子やイオンが有機薄膜表面に入射しないので、有機薄膜にダメージが生じない。
１……スパッタ装置
１３〜１６……スパッタ源
１０１……筺体
１０５1、１０５2……トラップ磁石
１０７ａ、１０７ｂ……開口部
１２０……ターゲット部
１２２……ターゲット
１３〜１６……スパッタ源
１０１……筺体
１０５1、１０５2……トラップ磁石
１０７ａ、１０７ｂ……開口部
１２０……ターゲット部
１２２……ターゲット
図１を参照し、符号１１〜１３は本発明のスパッタ源であり、符号１は、そのスパッタ源１１〜１３を有する本発明のスパッタ装置である。
このスパッタ装置１は、真空槽１０を有しており、該真空槽１０内に、一乃至複数台のスパッタ源１１〜１３が配置されている。ここでは三台である。真空槽１０には真空排気系２５が接続されており、真空槽１０内を真空排気できるように構成されている。
このスパッタ装置１は、真空槽１０を有しており、該真空槽１０内に、一乃至複数台のスパッタ源１１〜１３が配置されている。ここでは三台である。真空槽１０には真空排気系２５が接続されており、真空槽１０内を真空排気できるように構成されている。
真空槽１０には、搬入孔２１と搬出孔２２が設けられており、真空排気系２５によって真空槽１０内を真空排気し、所定圧力に達した後、搬入孔２１に設けられた真空バルブを開け、搬入孔２１に接続された前工程の有機薄膜製造装置から、成膜対象物３０を真空槽内に搬入する。
搬入される成膜対象物３０の表面には有機薄膜が形成されている。この有機薄膜は下方に向けられている。
搬入される成膜対象物３０の表面には有機薄膜が形成されている。この有機薄膜は下方に向けられている。
各スパッタ源１１〜１３は、後述するようにスパッタリング粒子が放出されるように構成されている。スパッタ源１１〜１３内にスパッタリングガスを導入し、スパッタ源１１〜１３からスパッタリング粒子を放出させながら成膜対象物３０を移動させ、各スパッタ源１１〜１３の上を順番に通過させると、成膜対象物３０の有機薄膜の表面に導電性薄膜等のスパッタ薄膜が形成される。
有機薄膜表面にスパッタ膜が形成されると、搬出孔２２に設けられた真空バルブが開けられ、スパッタ膜が形成された成膜対象物３０は、搬出孔２２から後工程の製造装置に搬送される。
真空槽１０内は、成膜対象物３０を搬入孔２１から搬入する際、及び搬出孔２２から搬出する際でも真空雰囲気が維持される。
なお、符号２３は成膜対象物３０を保持するホルダ、符号２４は成膜対象物を移動させる移動装置を示している。
なお、符号２３は成膜対象物３０を保持するホルダ、符号２４は成膜対象物を移動させる移動装置を示している。
ここでは各スパッタ源１１〜１３は同じ構造であり、その外観を図２(ａ)に示し、内部を同図(ｂ)に示す。
このスパッタ源１１〜１３は、細長の筺体１０１を有している。筺体１０１は容器状であり、該筺体１０１内の底壁上には細長のターゲット部１２０が配置されている。
このスパッタ源１１〜１３は、細長の筺体１０１を有している。筺体１０１は容器状であり、該筺体１０１内の底壁上には細長のターゲット部１２０が配置されている。
ターゲット部１２０は、ターゲットホルダ１２１の表面上にターゲット１２２が固定され、裏面側にマグネトロン放電用磁石１２３が配置されて構成されている。
ターゲット１２２は細長い板状であり、筺体１０１の内部では、筺体１０１の長手方向に沿って配置されており、ターゲット１２２の表面は筺体１０１の開口に平行に向けられている。ここでは、ターゲット１２２は金属材料等の導電性材料である。
ターゲット１２２は細長い板状であり、筺体１０１の内部では、筺体１０１の長手方向に沿って配置されており、ターゲット１２２の表面は筺体１０１の開口に平行に向けられている。ここでは、ターゲット１２２は金属材料等の導電性材料である。
真空槽１０が接続された電位を接地電位としたとき、ターゲットホルダ１２１はスパッタ電源１０８に接続され、直流の負電圧、又はバイアス電圧を含む交流電圧を、ターゲットホルダ１２１を介してターゲット１２２に印加できるように構成されている。
筺体１０１が構成する容器の開口上には、絶縁物１０４を介して細長の遮蔽板１０３が配置され、筺体１０１の開口が遮蔽板１０３によって塞がれている。これにより、ターゲット１２２は、筺体１０１の側壁により、前後左右を囲まれているのに加え、ターゲット１２２の上方位置も、後述する開口部１０７ａの部分を除き、遮蔽板１０３によって塞がれている。従って、ターゲット１２２の表面と筺体１０１の壁面と遮蔽板１０３とでターゲット１２２表面上の空間が取り囲まれている。この空間に後述のプラズマが形成される。
筺体１０１と遮蔽板１０３は、少なくとも表面が導電性材料で構成されている。筺体１０１と遮蔽板１０３は、例えば金属で構成される。筺体１０１は遮蔽板１０３や真空槽１０とは絶縁され、浮遊電位に置かれている。それに対し、この例では、遮蔽板１０３は真空槽１０に電気的に接続されている。真空槽１０は接地電位に置かれているから、遮蔽板１０３も設置電位に置かれている。
但し、遮蔽板１０３の電位は接地電位ではなく、ターゲット１２２への印加電圧よりも接地電位に近い電位であり、ターゲット１２２に対して正電圧であれば、接地電位に対して正電圧であってもよいし、接地電圧に対して負電圧であってもよい。筺体１０１は絶縁物であってもよい。遮蔽板１０３を接地電位以外の電圧にする場合には、遮蔽板をバイアス電源１１０に接続し、電圧を印加すればよい。
但し、遮蔽板１０３の電位は接地電位ではなく、ターゲット１２２への印加電圧よりも接地電位に近い電位であり、ターゲット１２２に対して正電圧であれば、接地電位に対して正電圧であってもよいし、接地電圧に対して負電圧であってもよい。筺体１０１は絶縁物であってもよい。遮蔽板１０３を接地電位以外の電圧にする場合には、遮蔽板をバイアス電源１１０に接続し、電圧を印加すればよい。
このスパッタ源１１〜１３では、ターゲット１２２は、ターゲットホルダ１２１の筺体１０１の開口側の面に配置され、マグネトロン放電用磁石１２３は、ターゲットホルダ１２１の筺体１０１の底壁側に向いた面に配置されている。ターゲット１２２表面と遮蔽板１０３の裏面とが平行に向かい合うようになっている。
遮蔽板１０３の幅方向中央位置には、遮蔽板１０３の長手方向に沿って伸びる細長で、遮蔽板１０３を厚み方向に貫通する開口部１０７ａが形成されている。絶縁物１０４は細長であり遮蔽板１０３と筺体１０１の上端の間に位置するものの、遮蔽板１０３の裏面は筺体１０１の内部空間に露出されているから、この開口部１０７ａにより、筺体１０１の内部空間が、筺体１０１の外部の真空槽１０の内部空間に接続されるように構成されている。
遮蔽板１０３上の開口部１０７ａの両脇位置には、開口部１０７ａの長手方向に沿って、細長いトラップ磁石部１０５1、１０５2がそれぞれ配置されている。
即ち、二個のトラップ磁石部１０５1、１０５2は、長辺のうちの一辺に沿った側面が開口部１０７ａに近い位置に配置されており、それと平行な他の長辺に沿った側面は、開口部１０７ａに対して遠い位置に配置されている。
このトラップ磁石部１０５1、１０５2は細長い永久磁石で構成してもよいし、小さな永久磁石を細長く並べてもよい。また、電磁石で構成してもよい。
即ち、二個のトラップ磁石部１０５1、１０５2は、長辺のうちの一辺に沿った側面が開口部１０７ａに近い位置に配置されており、それと平行な他の長辺に沿った側面は、開口部１０７ａに対して遠い位置に配置されている。
このトラップ磁石部１０５1、１０５2は細長い永久磁石で構成してもよいし、小さな永久磁石を細長く並べてもよい。また、電磁石で構成してもよい。
いずれにしろ、開口部１０７ａの両側に配置された二個のトラップ磁石部１０５1、１０５2のうち、一方のトラップ磁石１０５1のＮ極は長手方向の一側面に沿って形成されており、他方のトラップ磁石１０５2では、少なくそれと反対の磁極(Ｓ極)が長手方向の一側面に沿って形成されている。
二個のトラップ磁石１０５1、１０５2は、Ｎ極とＳ極が開口部１０７ａに向けられた側面にそれぞれ配置されており、従って、開口部１０７ａ両脇のトラップ磁石１０５1、１０５2により、開口部１０７ａを挟んで、互いに異なる極性の磁極が向き合うように構成されている。
これにより、開口部１０７ａよりも上方であって、二個のトラップ磁石１０５1、１０５2の側面で挟まれた領域には、開口部１０７ａの幅方向と平行(長手方向と垂直)な方向に伸びる磁力線が形成される。この磁力線は、遮蔽板１０３の表面やターゲット１２２の表面と略平行である。なお、ここでは、トラップ磁石１０５1、１０５2を遮蔽板１０３の表面上に配置することで、筺体１０１の外部に磁界を形成したが、プラズマに対する保護がされていれば、遮蔽板１０３の裏面側に配置し、開口部１０７ａよりも下方であって、二個のトラップ磁石１０５1、１０５2の側面で挟まれた領域に磁力線を形成してもよい。
更にまた、開口部１０７ａの側面に第一、第二のトラップ磁石１０５1、１０５2を配置し、開口部１０７ａの長手方向に沿って対向する側面に、Ｎ極とＳ極を配置してもよい。
要するに、開口部１０７ａの内部を含む位置であって、開口部１０７ａに近い位置に、開口部１０７ａを覆うような磁力線を、遮蔽板１０３の表面と略平行に形成すればよい。
要するに、開口部１０７ａの内部を含む位置であって、開口部１０７ａに近い位置に、開口部１０７ａを覆うような磁力線を、遮蔽板１０３の表面と略平行に形成すればよい。
各スパッタ源１１〜１３の筺体１０１には、それぞれスパッタリングガス供給系１０９が接続されており、真空槽１０の真空排気系２５が動作し、各スパッタ源１１〜１３の筺体１０１の内部が真空槽１０内部と一緒に真空排気され、所定の圧力に到達した後、スパッタリングガス供給系１０９により、真空雰囲気に置かれた各筺体１０１内にアルゴンガス等のスパッタリングガスが導入される。
そしてターゲット１２２に負電圧又は交流電圧が印加されると筺体１０１内部にプラズマが形成され、ターゲット１２２の表面がスパッタリングされ、ターゲット１２２を構成する材料のスパッタリング粒子がターゲット１２２表面から筺体１０１内に放出される。
筺体１０１内部では、遮蔽板１０３とターゲット１２２との間に電界が形成されており、ターゲット１２２から放出されたスパッタリング粒子のうち、電荷／質量の値(電荷／質量比)が大きな負のイオンや大部分の電子は、遮蔽板１０３に吸引され、遮蔽板１０３に入射し、接地電位と遮蔽板との間に流れる電流となる。
正のイオンや中性粒子、及び遮蔽板１０３に入射しなかった電荷／質量比の小さな負のイオンや電子のうち、開口部１０７ａに向かって飛行するものは開口部１０７ａを通過し、トラップ磁石１０５1、１０５2が形成する磁力線を横切ろうとする。
このとき、電荷を有するイオンはその磁力線によって飛行方向が曲げられ、また、電子は磁力線によってトラップされ、トラップ磁石１０５1、１０５2や遮蔽板１０３や真空槽１０に入射する。
中性粒子は磁力線の影響を受けず、直進する。成膜対象物３０は、真空槽１０の内部を移動しており、開口部１０７ａ上であって、有機薄膜が形成された成膜面を開口部１０７ａに向け、開口部１０７ａに面する位置を通過するため、直進し、二個のトラップ磁石１０５1、１０５2の側面で挟まれた領域を通過した中性粒子は、成膜対象物３０の成膜面のうち、開口部１０７ａと対向する位置に入射し、成膜対象物３０の有機薄膜表面にスパッタ薄膜が成長する。
従って、成膜対象物３０の成膜面には中性のスパッタリング粒子だけが入射し、電荷を有するイオンや電子は入射しないので、有機薄膜が荷電粒子によって損傷することがない。
各スパッタ源１１〜１３は同じ構造であるが、ターゲット１２２は、同一の材料で構成されたターゲット１２２を配置しても、異なる材料で構成されたターゲットを配置してもよい。成膜対象物３０が一乃至複数台のスパッタ源１１〜１３上を通過すると、各スパッタ源１１〜１３から放出された中性のスパッタ粒子により、スパッタ薄膜が形成される。異なる材料のターゲット１２２が配置されている場合は異種類の薄膜を積層させることができるから、例えば、最初に通過するスパッタ源１１によって電子注入層が形成され、その後に通過するスパッタ源１２、１３によって電極膜が形成されるようにすることができる。
以上説明したスパッタ源１１〜１４は、ターゲット１２２に対して正電圧が印加される遮蔽板１０３と、トラップ磁石１０５1、１０５2の両方で荷電粒子が成膜対象物３０に到達しないようにしていたが、いずれか一方でも効果があり、本発明に含まれる。
また、以上説明したスパッタ源１１〜１３では、１台のスパッタ源１１〜１３では、細長の一個の開口によって一個の開口部１０７ａが形成されていたが、図３(ａ)、(ｂ)のスパッタ源１４に示すように、複数の開口１３１を近接して一列、又は複数列に並べ、一個の開口部１０７ｂを構成してもよい。図３(ａ)、(ｂ)の開口１３１は一列に並んでいる。
また、上記スパッタ源１１〜１３では、ターゲット部１２０が筺体１０１の底壁上に配置されていたが、本発明はそれに限定されるものではなく、長手方向の側面に沿って二個のターゲット部１２０を配置してもよい。
この場合、図４のスパッタ源１５のように、長手方向の側面に沿った二台のターゲット部１２０のターゲット１２２を互いに平行に向き合わせて配置するとよい。例えば、筺体１０１の中心軸線に向けることもできる。
この場合、図４のスパッタ源１５のように、長手方向の側面に沿った二台のターゲット部１２０のターゲット１２２を互いに平行に向き合わせて配置するとよい。例えば、筺体１０１の中心軸線に向けることもできる。
また、図５のスパッタ源１６のように、長手方向の側面に沿ったターゲット部１２０に加え、更に、底壁上にも、ターゲット１２２が開口部１０７ａに向けられたターゲット部１２０を配置してもよい。ターゲット１２２のスパッタされる面積が増すと、スパッタ粒子が多く放出されるので、成膜速度が向上する。
なお、上記各実施例では、第一例のスパッタ源１１〜１３、及び他の例のスパッタ源１４、１５は、その全部を真空槽１０の内部に配置されていたが、スパッタ源１１〜１５の一部が真空槽１０の外部に突き出されていても、開口部１７ａ、１７ｂが真空槽１０の内部に向けられていても、真空槽１０に配置されているから、本発明のスパッタ装置に含まれる。
Claims (20)
- ターゲットと、
前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、
前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、
前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に第一、第二のトラップ磁石部が配置され、
前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ源。 - 前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続された請求項１記載のスパッタ源。
- 前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされた請求項２記載のスパッタ源。
- 前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、
前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁された請求項２記載のスパッタ源。 - 前記開口部は複数の開口を並べて構成した請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のスパッタ源。
- ターゲットと、
前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、
前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成されたスパッタ源であって、
前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続されたスパッタ源。 - 前記遮蔽板は、前記スパッタ源が配置された真空槽と同電位にされた請求項６記載のスパッタ源。
- 前記真空槽と前記遮蔽板は接地電位に接続され、
前記ターゲットは前記接地電位に対して負電圧が印加される請求項７記載のスパッタ源。 - 前記ターゲットは、容器状の筺体の内部に配置され、
前記遮蔽板は前記筺体の開口に絶縁物を介して配置され、前記筺体と前記遮蔽板の間は絶縁された請求項６記載のスパッタ源。 - 前記開口部は複数の開口を並べて構成した請求項６乃至請求項９のいずれか１項記載のスパッタ源。
- 真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、
前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部とを有し、
前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、
前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、
前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続され、
前記成膜対象物と前記スパッタ源とは、前記開口の長手方向と直角方向に相対的に移動されるように構成されたスパッタ装置。 - 前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続された請求項１１記載のスパッタ装置。
- 真空槽と、前記真空槽に配置されたスパッタ源とを有し、
前記スパッタ源は、ターゲットと、遮蔽板と、前記遮蔽板に形成された細長の開口部と、第一、第二のトラップ磁石部とを有し、
前記遮蔽板は前記ターゲットと離間して配置され、
前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子は前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、
前記スパッタ源は、ターゲットと、
前記ターゲットと離間して配置され、細長の開口部を有する遮蔽板とを有し、
前記ターゲットから放出されたスパッタリング粒子が前記開口部を通過して成膜対象物表面に到達するように構成され、
前記第一、第二のトラップ磁石部は前記開口部の長手方向に沿って、前記開口部の両脇に配置され、
前記第一、第二のトラップ磁石部の前記開口部に面した側面には、異なる磁極が配置されたスパッタ装置。 - 前記遮蔽板は、前記ターゲットに印加される電圧に対する正電圧に接続された請求項１３記載のスパッタ装置。
- 前記遮蔽板と前記真空槽とは接地電位に接続された請求項１４記載のスパッタ装置。
- 真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、
前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する薄膜の製造方法。 - 前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、
前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する請求項１６記載の薄膜の製造方法。 - 真空槽に配置されたターゲット表面から放出されたスパッタリング粒子を、遮蔽板に設けられた開口部を通過させ、成膜対象物上に露出する有機薄膜表面に到達させ、薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、
前記遮蔽板に対して平行な磁力線を形成し、前記磁力線を通過した前記スパッタリング粒子が、前記有機薄膜表面に入射させる薄膜の製造方法。 - 前記遮蔽板には、前記ターゲットの電位に対して正電圧を印加する請求項１８記載の薄膜の製造方法。
- 前記遮蔽板と前記真空槽を接地電位に接続し、
前記ターゲットには接地電位に対して負電圧を印加する請求項１９記載の薄膜の製造方法。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438996A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Japan Res Dev Corp | Manufacture of thin film el element |
| JPS6438995A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Japan Res Dev Corp | Manufacture of thin film el element |
| JPH01139762A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JPH10158821A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子の製造装置および方法 |
| JPH10228981A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子の製造装置および方法 |
| JP2002339061A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Canon Inc | 薄膜形成方法 |
| JP2005142079A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | スパッタ装置、スパッタ方法、有機ｅｌ発光素子の製造装置および有機ｅｌ発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4401539A (en) * | 1981-01-30 | 1983-08-30 | Hitachi, Ltd. | Sputtering cathode structure for sputtering apparatuses, method of controlling magnetic flux generated by said sputtering cathode structure, and method of forming films by use of said sputtering cathode structure |
| JPH03243761A (ja) * | 1990-02-22 | 1991-10-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング装置 |
| GB9006073D0 (en) * | 1990-03-17 | 1990-05-16 | D G Teer Coating Services Limi | Magnetron sputter ion plating |
| US5772858A (en) * | 1995-07-24 | 1998-06-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a target in a sputtering source |
| JP3719797B2 (ja) * | 1996-11-08 | 2005-11-24 | 株式会社アルバック | 有機薄膜表面への導電性薄膜形成方法 |
| US6193854B1 (en) * | 1999-01-05 | 2001-02-27 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for controlling erosion profile in hollow cathode magnetron sputter source |
| TW413726B (en) * | 1999-11-20 | 2000-12-01 | Prec Instr Dev Ct | Method for monitoring thickness uniformity of films based on spectroscopic measurement |
| TW589393B (en) * | 2000-05-18 | 2004-06-01 | Prec Instr Dev Ct Nat | An improved process for deposition a thin film by sputtering |
| TWI223672B (en) * | 2000-10-26 | 2004-11-11 | Prec Instr Dev Ct Nat | An improved process of ion-assistance sputtering deposition |
| TWI229138B (en) * | 2001-06-12 | 2005-03-11 | Unaxis Balzers Ag | Magnetron-sputtering source |
| US6623610B1 (en) * | 2002-03-02 | 2003-09-23 | Shinzo Onishi | Magnetron sputtering target for magnetic materials |
| TW593725B (en) * | 2002-04-30 | 2004-06-21 | Prodisc Technology Inc | Coating device and method |
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438996A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Japan Res Dev Corp | Manufacture of thin film el element |
| JPS6438995A (en) * | 1987-08-04 | 1989-02-09 | Japan Res Dev Corp | Manufacture of thin film el element |
| JPH01139762A (ja) * | 1987-11-25 | 1989-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JPH10158821A (ja) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子の製造装置および方法 |
| JPH10228981A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-25 | Tdk Corp | 有機ｅｌ発光素子の製造装置および方法 |
| JP2002339061A (ja) * | 2001-05-16 | 2002-11-27 | Canon Inc | 薄膜形成方法 |
| JP2005142079A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | スパッタ装置、スパッタ方法、有機ｅｌ発光素子の製造装置および有機ｅｌ発光素子の製造方法 |
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