JPS6233761A - 真空容器内壁の清浄装置 - Google Patents
真空容器内壁の清浄装置Info
- Publication number
- JPS6233761A JPS6233761A JP17078685A JP17078685A JPS6233761A JP S6233761 A JPS6233761 A JP S6233761A JP 17078685 A JP17078685 A JP 17078685A JP 17078685 A JP17078685 A JP 17078685A JP S6233761 A JPS6233761 A JP S6233761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lining plate
- vacuum vessel
- inside wall
- wall
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、被処理物の表面に薄膜を形成する真空蒸着
、イオンブレーティング、またはスパッタリング用など
の真空容器に備えられて、その真空容器の内壁を清浄す
る清浄装置に関するものである。
、イオンブレーティング、またはスパッタリング用など
の真空容器に備えられて、その真空容器の内壁を清浄す
る清浄装置に関するものである。
[従来の技術J
従来より、真空中にて被処理物の表面に薄膜を形成する
際に使用される真空容器においては、既に、その内部に
納めた被処理物の表面に関してのみの清浄方法は確立し
ている。その清浄方法としては、イオン衝撃法と称され
る方法がある。この方法は、真空状態とされた真空容器
内部の被処理物に負電位をかけて、加速した正イオンを
被処理物の表面に衝突させることにより、その被処理物
の表面を清浄する方法である。例えば、アルゴンガスや
水素ガスをグロー放電によって正イオン化し、それを電
界により加速して衝突させている。
際に使用される真空容器においては、既に、その内部に
納めた被処理物の表面に関してのみの清浄方法は確立し
ている。その清浄方法としては、イオン衝撃法と称され
る方法がある。この方法は、真空状態とされた真空容器
内部の被処理物に負電位をかけて、加速した正イオンを
被処理物の表面に衝突させることにより、その被処理物
の表面を清浄する方法である。例えば、アルゴンガスや
水素ガスをグロー放電によって正イオン化し、それを電
界により加速して衝突させている。
従来においては、このような方法によって被処理物の表
面に関しての清浄は行なわれているものの、真空容器の
内壁に関しての清浄は全く行なわれていなかった。
面に関しての清浄は行なわれているものの、真空容器の
内壁に関しての清浄は全く行なわれていなかった。
[発明が解決しようとする問題・点コ
実際に、真空容器内にて被処理物の表面に薄膜を形成す
るに当たっては、真空容器の内壁の汚染が重大な悪影響
を及ぼす。
るに当たっては、真空容器の内壁の汚染が重大な悪影響
を及ぼす。
すなわち、真空容器の内壁が水や油の蒸気などによって
汚染されていた場合には、これらがイオンブレーティン
グなどによって壁面から離脱し、それらの分子が被処理
物に引き寄せられて生成膜中に混入し、その膜質を劣化
させる。また、梅雨時期等において真空容器の内壁が水
の分子によって覆われていた場合には、薄膜の生成中に
壁面から飛び出した分子が正常な放電を乱し、イオン発
生源や被処理物のバイアス電源にアーク放電を起こさせ
て、しばしば操業を停止させるという問題があった。
汚染されていた場合には、これらがイオンブレーティン
グなどによって壁面から離脱し、それらの分子が被処理
物に引き寄せられて生成膜中に混入し、その膜質を劣化
させる。また、梅雨時期等において真空容器の内壁が水
の分子によって覆われていた場合には、薄膜の生成中に
壁面から飛び出した分子が正常な放電を乱し、イオン発
生源や被処理物のバイアス電源にアーク放電を起こさせ
て、しばしば操業を停止させるという問題があった。
この発明は、このような従来の問題を解決するものであ
る。
る。
[問題点を解決するための手段]
この発明の真空容器内壁の清浄装置は、グロー放電によ
ってイオン化されるガスを真空容器内に導入するガス導
入部と、真空容器の内壁に電気的に絶縁されて備えられ
た内張板と、真空容器内に備えられた電極と、この電極
を陽極側としかつ前記内張板を陰極側としてこれらの間
にてグロー放電を起こさ仕て、イオン化ガスを面記内張
仮に衝突させる直流電源とからなることを特徴としてい
る。
ってイオン化されるガスを真空容器内に導入するガス導
入部と、真空容器の内壁に電気的に絶縁されて備えられ
た内張板と、真空容器内に備えられた電極と、この電極
を陽極側としかつ前記内張板を陰極側としてこれらの間
にてグロー放電を起こさ仕て、イオン化ガスを面記内張
仮に衝突させる直流電源とからなることを特徴としてい
る。
[作用 ]
この発明による真空容器内壁の清浄装置は、真空容器の
内壁に対してイオン化ガスを衝突させ、この衝突によっ
て真空容器内壁の汚染物質をはじき飛ばして清浄する。
内壁に対してイオン化ガスを衝突させ、この衝突によっ
て真空容器内壁の汚染物質をはじき飛ばして清浄する。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を第1図に基づいて説明する
。本例のものはイオンブレーティング装置への適応例で
ある。
。本例のものはイオンブレーティング装置への適応例で
ある。
図において1は真空容器であり、その内部には、基板(
被処理物)2を装着した基板ホルダ3と、蒸発源4が対
向して配置されている。本例においては、この蒸発源4
に電子銃(7tt極)5が備わっている。真空容器lの
内壁には、その内壁に沿って内張板6が備えられている
。この内張板6は、碍子7を介して内壁に取り付けられ
ており、その内壁とは電気的に絶縁されている。基板ホ
ルダ3は電線8によって切換スイッチ9の一方の固定接
点9aに接続されており、また内張板6は電線10によ
って切換スイッチ9の他方の固定接点9bに接続されて
いる。切換スイッチ9の可動接点9cは直流電源11の
陰極側に接続されている。一方、電子銃5は直流電源1
1の陽極側に接続されている。
被処理物)2を装着した基板ホルダ3と、蒸発源4が対
向して配置されている。本例においては、この蒸発源4
に電子銃(7tt極)5が備わっている。真空容器lの
内壁には、その内壁に沿って内張板6が備えられている
。この内張板6は、碍子7を介して内壁に取り付けられ
ており、その内壁とは電気的に絶縁されている。基板ホ
ルダ3は電線8によって切換スイッチ9の一方の固定接
点9aに接続されており、また内張板6は電線10によ
って切換スイッチ9の他方の固定接点9bに接続されて
いる。切換スイッチ9の可動接点9cは直流電源11の
陰極側に接続されている。一方、電子銃5は直流電源1
1の陽極側に接続されている。
次に作用について説明する。
まず、真空容器l内を図示しない排気ポンプによってI
O−’Torr台にまで一度高真空にし、それからア
ルゴンガスや水素ガス等を真空容器!内に導入して10
−”Torr台にする。そして、切換スイッチ9の可動
接点9cを他方の固定接点9b側に入れ、内張板6に高
電位をかけてその内張板6と電子銃5との間にてグロー
放電を起こさせる。
O−’Torr台にまで一度高真空にし、それからア
ルゴンガスや水素ガス等を真空容器!内に導入して10
−”Torr台にする。そして、切換スイッチ9の可動
接点9cを他方の固定接点9b側に入れ、内張板6に高
電位をかけてその内張板6と電子銃5との間にてグロー
放電を起こさせる。
これにより、アルゴンガスまたは水素ガスは励起されて
イオンとなる。そして、内張板6には負電位がかかって
いるため、イオン化ガスはその内張板6の電界により加
速されてその表面に衝突する。
イオンとなる。そして、内張板6には負電位がかかって
いるため、イオン化ガスはその内張板6の電界により加
速されてその表面に衝突する。
その衝突により、内張板6の表面を汚染している物質を
はじき飛ばして、その内張板6、つまり真空容器1の内
壁を清浄する。はじき飛ばした物質は排気ポンプによっ
て取り除く。
はじき飛ばして、その内張板6、つまり真空容器1の内
壁を清浄する。はじき飛ばした物質は排気ポンプによっ
て取り除く。
このようにして真空容器Iの内壁を清浄した後は、切換
スイッチ9の可動接点9cを一方の固定接点9a側に入
れて基板2に高電位をかけ、その基板2と電子銃5との
間にてグロー放電を起こさせる。これにより、前述の場
合と同様にして、今度は基板2の表面を清浄する。その
際、既に真空容器lの内壁が清浄化されているため、そ
の真空容器1の内壁から基板2への汚染物質の移動がな
く、基板2の清浄度が保たれる。
スイッチ9の可動接点9cを一方の固定接点9a側に入
れて基板2に高電位をかけ、その基板2と電子銃5との
間にてグロー放電を起こさせる。これにより、前述の場
合と同様にして、今度は基板2の表面を清浄する。その
際、既に真空容器lの内壁が清浄化されているため、そ
の真空容器1の内壁から基板2への汚染物質の移動がな
く、基板2の清浄度が保たれる。
そして、この基板2の表面を充分に清浄してから、その
基板2に対する所定の薄膜の生成処理を施す。
基板2に対する所定の薄膜の生成処理を施す。
このように、本例の場合は切換スイッチ9の切換によっ
て、真空容器1の内壁と基板2の表面を選択的に清浄す
る。また、このようなイオンブレーティング装置への適
応例においては、蒸発源4を抵抗加熱式としてそこに抵
抗ヒータを備えてもよい。
て、真空容器1の内壁と基板2の表面を選択的に清浄す
る。また、このようなイオンブレーティング装置への適
応例においては、蒸発源4を抵抗加熱式としてそこに抵
抗ヒータを備えてもよい。
なお、この発明の清浄装置は、上述したイオンブレーテ
ィング装置への適応のみならず、スパッタリング装置等
への適応ら可能である。すなわち、薄膜の生成等のため
に内部の清浄化が必要な種々の真空容器の内壁の清浄装
置として広範囲に適応できる。
ィング装置への適応のみならず、スパッタリング装置等
への適応ら可能である。すなわち、薄膜の生成等のため
に内部の清浄化が必要な種々の真空容器の内壁の清浄装
置として広範囲に適応できる。
[発明の効果コ
以上説明したように、この発明による真空容器内壁のt
i:l装置は、真空容器の内壁に対してイオン化ガスを
衝突させ、この衝突によって真空容器内壁の汚染物質を
はじき飛ばして清浄する構成であるから、真空容器の内
壁の汚染物質をなくしてその悪影響を未然に回避するこ
とができる。したがって、例えば真空容器内における被
処理物の清浄度を保って、その被処理物に生成する膜質
の向上を図ることができると共に、異常なアーク放電を
なくして操業を安定化させることができる。
i:l装置は、真空容器の内壁に対してイオン化ガスを
衝突させ、この衝突によって真空容器内壁の汚染物質を
はじき飛ばして清浄する構成であるから、真空容器の内
壁の汚染物質をなくしてその悪影響を未然に回避するこ
とができる。したがって、例えば真空容器内における被
処理物の清浄度を保って、その被処理物に生成する膜質
の向上を図ることができると共に、異常なアーク放電を
なくして操業を安定化させることができる。
第1図はこの発明の一実施例を表す要部の概略構成図で
ある。 !・・・・・・真空容器、 2・・・・・・基板(被
処理物)、5・・・・・・電子銃(?Ii極)、 6
・・・・・内張板、7・・・・・・碍子、 11・・
・・・・直流電源。
ある。 !・・・・・・真空容器、 2・・・・・・基板(被
処理物)、5・・・・・・電子銃(?Ii極)、 6
・・・・・内張板、7・・・・・・碍子、 11・・
・・・・直流電源。
Claims (1)
- グロー放電によってイオン化されるガスを真空容器内に
導入するガス導入部と、真空容器の内壁に電気的に絶縁
されて備えられた内張板と、真空容器内に備えられた電
極と、この電極を陽極側としかつ前記内張板を陰極側と
してこれらの間にてグロー放電を起こさせて、イオン化
ガスを前記内張板に衝突させる直流電源とからなること
を特徴とする真空容器内壁の清浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17078685A JPS6233761A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 真空容器内壁の清浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17078685A JPS6233761A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 真空容器内壁の清浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6233761A true JPS6233761A (ja) | 1987-02-13 |
Family
ID=15911339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17078685A Pending JPS6233761A (ja) | 1985-08-02 | 1985-08-02 | 真空容器内壁の清浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6233761A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6417857A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Central Glass Co Ltd | Cleaning gas containing chlorine fluoride |
JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
-
1985
- 1985-08-02 JP JP17078685A patent/JPS6233761A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6417857A (en) * | 1987-07-13 | 1989-01-20 | Central Glass Co Ltd | Cleaning gas containing chlorine fluoride |
JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5908602A (en) | Apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing | |
US5294322A (en) | Electric arc coating device having an additional ionization anode | |
JPH0773994A (ja) | 中空陰極アレイおよびこれを用いた表面処理方法 | |
JPS6233761A (ja) | 真空容器内壁の清浄装置 | |
JPH11293468A (ja) | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 | |
JPS6324068A (ja) | 連続真空蒸着メツキ装置 | |
US4201654A (en) | Anode assisted sputter etch and deposition apparatus | |
JP3299721B2 (ja) | プラズマcvd装置 | |
RU2037559C1 (ru) | Способ нанесения покрытий на изделия методом ионного распыления и устройство для его осуществления | |
JPH05331634A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPS63458A (ja) | 真空ア−ク蒸着装置 | |
JP3805004B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JPH0378954A (ja) | イオン源 | |
RU1834911C (ru) | Способ обработки изделий в установках вакуумно-плазменного нанесени покрытий | |
RU2026417C1 (ru) | Устройство для вакуумно-плазменного нанесения неэлектропроводящих покрытий на изделия в среде рабочего газа | |
JPH04315797A (ja) | プラズマ処理装置およびそのプラズマ源のクリーニング方法 | |
KR100469552B1 (ko) | 플라즈마 표면 처리 장치 및 방법 | |
JPS55110774A (en) | High vacuum ion plating apparatus | |
JPH01162766A (ja) | マグネトロン・スパッタリング装置 | |
JPH0372068A (ja) | 固体イオン源 | |
JPH0448073A (ja) | スパッタリング装置 | |
JPS616271A (ja) | バイアスイオンプレ−テイング方法および装置 | |
JPH09248618A (ja) | 真空アークデスケーリング装置 | |
JPH04314864A (ja) | 基体表面のプラズマクリーニング方法 | |
CN115007522A (zh) | 一种表面清洗氧化方法 |