JPH02296558A - 侵入防止装置 - Google Patents
侵入防止装置Info
- Publication number
- JPH02296558A JPH02296558A JP1116093A JP11609389A JPH02296558A JP H02296558 A JPH02296558 A JP H02296558A JP 1116093 A JP1116093 A JP 1116093A JP 11609389 A JP11609389 A JP 11609389A JP H02296558 A JPH02296558 A JP H02296558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar battery
- solar cell
- condenser
- series
- current
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000009545 invasion Effects 0.000 title abstract 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims 1
- 241000282326 Felis catus Species 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 241000282472 Canis lupus familiaris Species 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 241001465754 Metazoa Species 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
第1図において、100は単位光電変換部、101は単
位光電変換部100を多数個直列接続した太陽電池、1
02はコンデンサ、103はスイッチ、104は逆流防
止用ダイオード、105は抵抗器、106は電流端子、
107は接地用端子である。
位光電変換部100を多数個直列接続した太陽電池、1
02はコンデンサ、103はスイッチ、104は逆流防
止用ダイオード、105は抵抗器、106は電流端子、
107は接地用端子である。
第1図に示した本発明の装置のスイッチ103を閉じて
作動解除とし、光が入射する場所に設置し、端子107
を接地し、電流端子106を目的とする場所の、例えば
フェンス等の導体と接続する。
作動解除とし、光が入射する場所に設置し、端子107
を接地し、電流端子106を目的とする場所の、例えば
フェンス等の導体と接続する。
次にスイッチ103を開いて作動状態とし、本発明の太
陽電池101に光を入射させると、太陽電池101の両
端に高電圧が発生し、この光起電力はコンデンサ102
に蓄積される。
陽電池101に光を入射させると、太陽電池101の両
端に高電圧が発生し、この光起電力はコンデンサ102
に蓄積される。
電流端子106に接続された導体に泥棒や犬、猫等が接
触すると、太陽電池101とコンデンサ102から電流
が流れ、感電させることにより、侵入を防ぐことができ
る。
触すると、太陽電池101とコンデンサ102から電流
が流れ、感電させることにより、侵入を防ぐことができ
る。
本発明の装置の機能を停止させる場合、あるいは、設置
場所を移動させる場合はスイッチ103を閉じて、コン
デンサ102に蓄積した電気を放電することができる。
場所を移動させる場合はスイッチ103を閉じて、コン
デンサ102に蓄積した電気を放電することができる。
第2図は、第1図の太陽電池101の製造工程図であり
、200は絶縁性基体、201は第1の電極、202は
半導体層、203は第2の電極である。アモルファスシ
リコンを半導体層に用いた場合における、高電圧発生用
太陽電池の製造方法を第2図の製造工程図に沿って、よ
り具体的に説明する。
、200は絶縁性基体、201は第1の電極、202は
半導体層、203は第2の電極である。アモルファスシ
リコンを半導体層に用いた場合における、高電圧発生用
太陽電池の製造方法を第2図の製造工程図に沿って、よ
り具体的に説明する。
まず、洗浄したコーニング製#7059ガラス板200
上にIn2O3−3n02 (ITOj層を電子ビーム
法で蒸着し、フォトリソグラフィーにより、重量比がF
eC1−:HCl (40%) :H,0=30 :
200 : 200の混合溶液のITOエツチング液で
第1の電極のパターン201を形成する。
上にIn2O3−3n02 (ITOj層を電子ビーム
法で蒸着し、フォトリソグラフィーにより、重量比がF
eC1−:HCl (40%) :H,0=30 :
200 : 200の混合溶液のITOエツチング液で
第1の電極のパターン201を形成する。
次にシランガスとジボランガス、シランガス、シランガ
スとホスフィンガスのプラズマCVDによりpin接合
のアモルファスシリコン半導体層202を堆積する[第
2図(a)1゜ さらに、フォトリソグラフィーと、CF4ガスを用いて
ドライエツチングにより、半導体層202のパターンを
形成する[第2図(b)1゜ついで、4℃を電子ビーム
法で蒸着し、第2の電極203を形成し[第2図(b)
]、AI2エツチングl夜(H,PO,(85%)
: HNCh (60%) :CH3CO0H:H,0
=16: 1 :2: 1)を用い、フォトリソグラフ
ィーにより第2の電極203のパターンを形成して太陽
電池を得る[第2図(d)]。
スとホスフィンガスのプラズマCVDによりpin接合
のアモルファスシリコン半導体層202を堆積する[第
2図(a)1゜ さらに、フォトリソグラフィーと、CF4ガスを用いて
ドライエツチングにより、半導体層202のパターンを
形成する[第2図(b)1゜ついで、4℃を電子ビーム
法で蒸着し、第2の電極203を形成し[第2図(b)
]、AI2エツチングl夜(H,PO,(85%)
: HNCh (60%) :CH3CO0H:H,0
=16: 1 :2: 1)を用い、フォトリソグラフ
ィーにより第2の電極203のパターンを形成して太陽
電池を得る[第2図(d)]。
上記本発明の太陽電池の製造例として、アモルファスシ
リコン太陽電池に関して説明したが、本発明は、第1電
極、半導体層、透明導電層、第2電極の材質及び形成方
法において、実施例に限定されるものではない。
リコン太陽電池に関して説明したが、本発明は、第1電
極、半導体層、透明導電層、第2電極の材質及び形成方
法において、実施例に限定されるものではない。
第3図は、本発明の詳細な説明図である。第3図におい
て、(a)は住宅への応用例、(b)は自動車への応用
を示す概念図である。
て、(a)は住宅への応用例、(b)は自動車への応用
を示す概念図である。
第3図において、300は本発明の高電圧発生装置、3
01は接地端子、302は電流端子、303は窓用アル
ミサツシ、304は門の扉(金属製)、305は獣道、
306は住宅、307は車のドアの取っ手、30gは自
動車である。
01は接地端子、302は電流端子、303は窓用アル
ミサツシ、304は門の扉(金属製)、305は獣道、
306は住宅、307は車のドアの取っ手、30gは自
動車である。
第3図(a)は本発明の電流端子302を、住宅の一部
である窓ワク303や扉304に接続したものであり、
泥棒等が窓ワタや扉に接触すると高電圧がかかり、微弱
電流が流れて感電するので、盗難防止に役立つ。また、
猫や犬の通り道に本発明の電流端子302を接続した導
体を地表から浮かせて設置することにより、猫や犬の侵
入を防ぐことが可能である。
である窓ワク303や扉304に接続したものであり、
泥棒等が窓ワタや扉に接触すると高電圧がかかり、微弱
電流が流れて感電するので、盗難防止に役立つ。また、
猫や犬の通り道に本発明の電流端子302を接続した導
体を地表から浮かせて設置することにより、猫や犬の侵
入を防ぐことが可能である。
第3図(b)は本発明の装置を自動車のダツシュボード
等に設置し、電流端子302をドアの取っ手307に接
続し、盗難防止に応用した例である。
等に設置し、電流端子302をドアの取っ手307に接
続し、盗難防止に応用した例である。
C発明の効果コ
本発明は、以上説明してきたように、絶縁基体上に単位
光電変換領域を、多数直列に接続して集積化することに
より、小型で安価な高電圧電源を得ることができ、さら
にコンデンサとスイッチを組み合わせることにより、設
置が容易で、安全性が高く、操作も簡単な、小型低価格
の侵入防止装置が得られる。
光電変換領域を、多数直列に接続して集積化することに
より、小型で安価な高電圧電源を得ることができ、さら
にコンデンサとスイッチを組み合わせることにより、設
置が容易で、安全性が高く、操作も簡単な、小型低価格
の侵入防止装置が得られる。
本発明では、光電変換素子を用いることにより、商用電
源等の供給電源の心配がなく、そのため、たとえば、電
源接続のためのコードが不要であり、また電池の交換も
不要である。さらにコンデンサに蓄電しておくことによ
り、夜間でも使用することが可能である。
源等の供給電源の心配がなく、そのため、たとえば、電
源接続のためのコードが不要であり、また電池の交換も
不要である。さらにコンデンサに蓄電しておくことによ
り、夜間でも使用することが可能である。
また、電流値が小さいため、安全性が高く、本発明の用
途として、盗難防止用や犬猫の侵入防止用等の一般家庭
での使用を可能とするという効果もある。
途として、盗難防止用や犬猫の侵入防止用等の一般家庭
での使用を可能とするという効果もある。
第1図は本発明の実施例の回路図。
第2図は本発明の構成の一部である高電圧を発生する太
陽電池の製造工程図。 第3図は本発明の使用用途の例を説明する概念図である
。 0・・・単位光電変換部 1・・・高電圧発生太陽電池 2・・・コンデンサ 3・・・スイッチ 4・・・逆流防止用ダイオード 5・・・抵抗器 6・・・電流端子 7・・・接地用端子 0・・・絶縁性基体 1・・・第1の電極 2・・・半導体層 3・・・第2の電極。 0 高電圧発生装置 1 設置端子 2 電流端子 3 窓枠 4 門の扉 5 獣道 306 住宅 307 ドアの取っ手 308 自動車
陽電池の製造工程図。 第3図は本発明の使用用途の例を説明する概念図である
。 0・・・単位光電変換部 1・・・高電圧発生太陽電池 2・・・コンデンサ 3・・・スイッチ 4・・・逆流防止用ダイオード 5・・・抵抗器 6・・・電流端子 7・・・接地用端子 0・・・絶縁性基体 1・・・第1の電極 2・・・半導体層 3・・・第2の電極。 0 高電圧発生装置 1 設置端子 2 電流端子 3 窓枠 4 門の扉 5 獣道 306 住宅 307 ドアの取っ手 308 自動車
Claims (2)
- (1)絶縁基体上に単位光電変換領域を複数直列に接続
して形成した太陽電池と、 該太陽電池の発生する電力を蓄える蓄電手段と、該蓄電
手段に蓄えられた電気、及び/又は前記太陽電池の発生
電力を放電させるための電流端子と、前記蓄電手段の電
気を放電させるための作動解除用スイッチと、を有する
ことを特徴とする、侵入防止装置。 - (2)前記太陽電池が、前記単位光電変換領域を100
0個以上、直列に接続したものであることを特徴とする
請求項1に記載の侵入防止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116093A JPH02296558A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 侵入防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1116093A JPH02296558A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 侵入防止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02296558A true JPH02296558A (ja) | 1990-12-07 |
Family
ID=14678536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1116093A Pending JPH02296558A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 侵入防止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02296558A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507861A (ja) * | 1999-12-13 | 2004-03-11 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2012069578A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Nihon Rocki Kogyo Kk | 太陽電池パネルを含む発電部、及び該発電部を有する移動式家屋 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP1116093A patent/JPH02296558A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004507861A (ja) * | 1999-12-13 | 2004-03-11 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP4820038B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2011-11-24 | セメクイップ, インコーポレイテッド | イオン注入イオン源、システム、および方法 |
JP2012069578A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Nihon Rocki Kogyo Kk | 太陽電池パネルを含む発電部、及び該発電部を有する移動式家屋 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10903786B2 (en) | Preventing harmful polarization of solar cells | |
US7800194B2 (en) | Thin film photodetector, method and system | |
US20030159729A1 (en) | Photovoltaic cell | |
JP2003533034A5 (ja) | ||
ES8703683A1 (es) | Un dispositivo fotovoltaico | |
US20130340812A1 (en) | High voltage semiconductor based wafer and a solar module having integrated electronic devices | |
CN103931000A (zh) | 具有防篡改功能的光伏设备 | |
TW200405559A (en) | Method for the post-treatment of a photovoltaic cell | |
US20060107996A1 (en) | Photovoltaic cell | |
Qasuria et al. | A novel and stable ultraviolet and infrared intensity sensor in impedance/capacitance modes fabricated from degraded CH3NH3PbI3-xClx perovskite materials | |
JPH02296558A (ja) | 侵入防止装置 | |
EP2115788A2 (en) | Semiconductor device structure | |
CN107843755B (zh) | 一种防盗防潮电表 | |
Antoniadis et al. | Unraveling the μτ-mystery in a-Si: H | |
JP3627311B2 (ja) | 光電流増倍素子 | |
CN215009726U (zh) | 一种电动汽车高速道路光伏电网系统 | |
CN212411315U (zh) | 一种静电场周界探测系统 | |
CN221742233U (zh) | 一种智能化建筑工程用警示栏 | |
RU2044231C1 (ru) | Коллектор солнечного излучения | |
Kamarulzaman et al. | Application of thermally stimulated discharge techniques to a-Se: Te/Se double-layer photoreceptors | |
Sayyad et al. | The photo-electrical behavior of n-Si and p-Si/orange dye/conductive glass cells | |
Riedel et al. | Current-voltage characteristics of polymer-fullerene solar cells | |
Park et al. | Semiconductor devices using the plasma-polymerized pyrrole | |
Landsberg | Recombination in solar cells: theoretical aspects | |
JPH04360983A (ja) | 太陽電池を備えた窓用ガラス |