JPH0963493A - イオン源装置 - Google Patents

イオン源装置

Info

Publication number
JPH0963493A
JPH0963493A JP7233430A JP23343095A JPH0963493A JP H0963493 A JPH0963493 A JP H0963493A JP 7233430 A JP7233430 A JP 7233430A JP 23343095 A JP23343095 A JP 23343095A JP H0963493 A JPH0963493 A JP H0963493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
arc chamber
anode
magnet
arc
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7233430A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiko Okumura
正彦 奥村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP7233430A priority Critical patent/JPH0963493A/ja
Publication of JPH0963493A publication Critical patent/JPH0963493A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 アノード面積を減少してアーク効率を向上
し、より大面積,かつ,大電流化を、小さな電源で、安
価に実現する。 【解決手段】 内部に電子放出用熱フィラメント5を有
し,プラズマ43が形成されるアークチャンバ45と、
アークチャンバ45の内面に埋設され,端面がアークチ
ャンバ45内に露出した複数個の磁石46と、アークチ
ャンバ45の内面に配設されたアノード板47とを備え
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱フィラメントを
用いたイオン源装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のイオン源装置について図4ないし
図8を参照して説明する。まず、概略図を示した図4に
おいて、1は非磁性体金属製の筒状のアノードとしての
アークチャンバ、2はアークチャンバ1内のプラズマ
室、3はアークチャンバ1の上面開口を閉塞した蓋板、
4は蓋板3を貫通し,先端部がプラズマ室2に導入され
た2個の電流導入部、5は両端が両導入部4の先端部に
装着された電子放出用熱フィラメントであり、カソード
としての熱電子放出源となる。6は正,負の両極が導入
部4を介して熱フィラメント5の両端に接続されたフィ
ラメント電源である。
【0003】7はアークチャンバ1の下面開口に設けら
れたイオンビーム引出電極であり、プラズマ室2側の加
速電極8と,中間の減速電極9と,下側の接地電極10
とからなる。11はアークチャンバ1にアーク電圧を印
加するアーク電源であり、正極がアークチャンバ1に接
続され、負極がフィラメント電源6の負極に接続されて
いる。12は加速電極8に正の加速電圧を印加する加速
電源であり、正極がアーク電源11の負極に接続され、
負極が接地されている。13は減速電極9に負の減速電
圧を印加する減速電源であり、負極が減速電極9に接続
され、正極が接地され、接地電極10が接地されてい
る。
【0004】つぎに、アークチャンバ1の部分につき、
図5ないし図7を参照して詳細に説明する。図5は切断
正面図,図6は図5の平面図,図7は図5の一部の切断
平面図であり、それらの図において、図4と同一符号は
同一もしくは相当するものを示す。
【0005】14はアークチャンバ1の下部に固着され
た下部フランジ、15はアークチャンバ1の外面に等間
隔に形成された複数個の長溝、16は各長溝15に嵌め
込まれた磁石、17はアークチャンバ1の上部に固着さ
れた上部フランジである。
【0006】18は上部フランジ17の外側に設けられ
た図8Aに示す円形状の給水パイプ、19は下部フラン
ジ14の上面に設けられた円形状の排水パイプ、20は
両パイプ18,19間を連結した複数個の連結パイプで
あり、各磁石16の両側及び隣接した磁石16の中間に
平行に設けられている。
【0007】21は蓋板3の下面に形成されたOリング
溝であり、Oリング溝21にOリング22が装着され、
蓋板3の上面に、アークチャンバ1と同様、3個の長溝
15が形成され、長溝15に磁石16が嵌め込まれてい
る。
【0008】23は蓋板3の各長溝15間に形成された
透孔、24は2個の端子、25は両端子24の端部に設
けられた保持具、26は蓋板3と保持具25との間に介
在された絶縁用のガスケット、27は基部が端子24に
電気的に接続された導体であり、保持具25を貫通して
透孔23に挿入され、先端部がアークチャンバ1のプラ
ズマ室2内に挿入されている。28は基部が導体27の
先端部に装着された支持杆であり、先端部にねじ29に
より熱フィラメント5が装着されている。
【0009】30は一片が上部フランジ17の左側部の
下面に固着され,他片が蓋板3の上面に固着されたヒン
ジ、31は基部が上部フランジ17の右側部の下面に固
着された板状の固定片、32は固定片31の両側に立設
された支持片、33は水平軸34と水平軸34の中央に
直交して設けられた螺棒35とからなる逆T字状の固定
体であり、固定体33の水平軸34が両支持片32に回
転自在に支持されている。36は螺棒35に螺合したナ
ットである。
【0010】37は蓋板3の上面に固着された係止板、
38は係止板37に形成された切欠部であり、切欠部3
8に固定体33の螺棒35が挿入され、ナット36が締
め付けられ、ナット36の端面が係止板37の切欠部3
8の周縁部に圧接し、蓋板3が上部フランジ17に圧接
されている。
【0011】39は蓋板3に立設された2個のコ字状の
取手、40は蓋板3の上面の一側に設けられた図8Bに
示す半円弧状の給水パイプ、41は蓋板3の上面の他側
に設けられた半円弧状の排水パイプ、42は両端が両パ
イプ40,41に接続された複数本の連結パイプであ
り、各磁石16の両側に設けられている。
【0012】そして、図4において、アークチャンバ1
のプラズマ室2に中性ガスを導入し、フィラメント電源
6により、熱フィラメント5を通電加熱して熱電子を放
出し、かつ、アーク電源11によりアークチャンバ1を
アノード電位にして熱フィラメント5をカソード電位に
する。この時、直流放電により中性ガスが電離してプラ
ズマ43が生成され、各磁石16が形成するカスプ磁場
によりプラズマ43が閉じ込められて高密度化され、引
出電極7によりプラズマ43中のイオンガスが引き出さ
れ、イオンビーム44が形成される。
【0013】そして、図5は蓋板3がアークチャンバ1
の上面開口を閉塞した状態であり、蓋板3を開放する場
合、ナット36を緩めて固定体33を回転し、螺棒35
を係止板37の切欠部38から離脱させ、蓋板3を開
く。
【0014】つぎに、蓋板3を閉塞する場合、蓋板3を
閉じ、固定体33を回転し、切欠部38に螺棒35を挿
入し、ナット36を締め付けて蓋板3を上部フランジ1
7に固定する。
【0015】そして、図8Aに示すように、上部フラン
ジ17の給水パイプ18の始端から給水された冷却水が
給水パイプ18の他端へ給水されるとともに、連結パイ
プ20を通って下部フランジ14の排水パイプ19に給
水され、排水パイプ19の終端から排水される。これと
同時に、図8Bに示すように、蓋板3の給水パイプ40
の始端から冷却水が給水され、連結パイプ42を通って
排水パイプ41の終端から排水され、2個の冷却水経路
により、アークチャンバ1及び蓋板3を冷却し、アーク
チャンバ1及び蓋板3の加熱を防止している。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記イオン源装
置において、より大面積,かつ,大電流化を図る場合、
アーク電力を大きくする方法が考えられるが、電源の値
段,電力費等によりコスト高になる。
【0017】そこで、他の手段としてアノード面積を減
少させることが考えられる。ところで、アノード面積
は、アノード、即ちアークチャンバ1に逃げてゆく電子
がアノード面に作る面積で、通常は磁石の磁場によって
トラップされるため、ラーマ直径×磁石の長さとなる。
【0018】従って、アノード面積を減少させるには、
磁石の長さ、即ち磁石の数を減らす方法或いはアノード
面での磁束密度を上げる方法が考えられる。
【0019】そして、磁石の数を減らす場合、必然的に
磁石と磁石との間が広くなり、カスプ磁場を形成するに
は自ずと限界があるという問題点がある。
【0020】つぎに、アノード面での磁束密度を上げる
場合、図9に示すように、磁束密度は磁石から離れると
急激に減少するため、磁石の表面とアノード内面との距
離を小さくする必要があるが、前記イオン源装置の構造
では、真空に対する強度を保つため、その距離を小さく
できず、現状のアノード表面の磁束密度は、磁石表面の
磁束密度の半分程度であり、アノード面での磁束密度を
上げるのが困難であるという問題点がある。
【0021】本発明は、前記の点に留意し、アノード面
積を減少してアーク効率を向上し、小さな電源で、より
大面積,かつ,大電流化を実現できる安価なイオン源装
置を提供することを目的とする。
【0022】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明のイオン源装置は、アークチャンバの内面
に、端面がアークチャンバ内に露出した複数個の磁石を
埋設し、アークチャンバの内面にアノード板を配設した
ものである。
【0023】従って、磁石表面とアノード内面との距離
が小さくなり、アノード表面での磁束密度が上がり、ア
ノード面積が減少することにより、アーク効率が向上
し、より大面積、かつ、大電流化が、小さな電源で、安
価に実現できる。
【0024】さらに、アークチャンバ内の掃除の際、ア
ノード板を交換するだけでよく、掃除が容易になる。
【0025】
【発明の実施の形態】1形態について図1ないし図3を
参照して説明する。図1は要部の切断正面図、図2は図
1の一部の切断平面図、図3は冷却水経路を示した斜視
図であり、それらの図において、図5と同一符号は同一
もしくは相当するものを示し、異なる点はつぎのとおり
である。
【0026】45は肉厚が厚いアークチャンバ、46は
アークチャンバ45の内面に上下方向に埋設された複数
個の磁石であり、端面がアークチャンバ45内に露出し
ている。47は筒状のアノード板であり、磁性体からな
る薄板がわん曲され、アークチャンバ45の内面に配設
され、磁石46の端面に着脱自在に装着されている。
【0027】48は蓋板3内の一側に形成された半円弧
状の給水孔、49は下部フランジ14の上面に形成され
た円状の給水溝、50は蓋板3の他側に形成された半円
弧状の排水孔、51は連結孔であり、蓋板3の連結孔5
1は磁石46の両側に形成され、両端が給水孔48と排
水孔50に接続され、アークチャンバ45の連結孔51
は磁石46の両側及び隣接した磁石46の中間に形成さ
れ、下端が給水溝49に接続され、上端が給水孔48,
排水孔50に接続されている。
【0028】52は給水孔48及び排水孔50の両側に
形成されたOリング溝であり、Oリング溝52にOリン
グ53が装着され、蓋板3とアークチャンバ45との接
合部が2重のシール構造になっている。
【0029】従って、磁石46の表面とアノード内面と
の距離が小さくなり、アノード表面での磁束密度が上が
り、アノード面積が減少することにより、アーク効率が
向上し、より大面積、かつ、大電流化が実現できる。
【0030】そして、図3に示すように、給水孔48の
始端から冷却水が給水され、連結孔51を通って排水孔
50へ給水されるとともに、連結孔51,給水溝49,
連結孔51を通って排水孔50へ給水され、排水孔50
の終端から排水され、1経路の冷却水経路により、アー
クチャンバ45及び蓋板3を冷却している。
【0031】そして、従来の給水パイプ,排水パイプ,
連結パイプのかわりに給水孔48,給水溝49,排水孔
50,連結孔51を設けたため、冷却水水路が外部から
見えることがなく、外観の美観が向上される。
【0032】そして、アークチャンバ45内の掃除の
際、アノード板47を磁石46から離脱し、アノード板
47を交換するだけでよく、アークチャンバ45内の掃
除が容易になる。
【0033】
【発明の効果】本発明は、つぎに記載する効果を奏す
る。本発明のイオン源装置はアークチャンバ45の内面
に、端面がアークチャンバ45内に露出した複数個の磁
石46を埋設し、アークチャンバ45の内面にアノード
板47を配設することにより、磁石46の表面とアノー
ド内面との距離を小さくし、アノード表面での磁束密度
を上げ、アノード面積を減少してアーク効率を向上し、
より大面積、かつ、大電流化を、小さな電源で、安価に
実現することができる。
【0034】さらに、アークチャンバ45内の掃除の
際、アノード板47を交換するだけでよく、掃除を容易
にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1形態の要部の切断正面図である。
【図2】図1の一部の切断平面図である。
【図3】図1の冷却水経路を示した斜視図である。
【図4】イオン源装置の概略図である。
【図5】従来例の切断正面図である。
【図6】図5の平面図である。
【図7】図5の一部の切断平面図である。
【図8】図5の冷却水経路を示した斜視図であり、Aは
周縁部、Bは上部である。
【図9】磁石表面からの距離と磁束密度との関係を示し
た図である。
【符号の説明】
2 プラズマ室 5 熱フィラメント 45 アークチャンバ 46 磁石 47 アノード板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内部に電子放出用熱フィラメントを有
    し,プラズマが形成されるアークチャンバと、 このアークチャンバの内面に埋設され,端面が前記アー
    クチャンバ内に露出した複数個の磁石と、 前記アークチャンバの内面に配設されたアノード板とを
    備えたイオン源装置。
JP7233430A 1995-08-18 1995-08-18 イオン源装置 Pending JPH0963493A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7233430A JPH0963493A (ja) 1995-08-18 1995-08-18 イオン源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7233430A JPH0963493A (ja) 1995-08-18 1995-08-18 イオン源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0963493A true JPH0963493A (ja) 1997-03-07

Family

ID=16954924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7233430A Pending JPH0963493A (ja) 1995-08-18 1995-08-18 イオン源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0963493A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115704A (ja) * 1999-12-13 2007-05-10 Semequip Inc イオン注入イオン源、システム、および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115704A (ja) * 1999-12-13 2007-05-10 Semequip Inc イオン注入イオン源、システム、および方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7872422B2 (en) Ion source with recess in electrode
US4713585A (en) Ion source
TW404986B (en) Apparatus for sputtering or arc evaporation
JP4339597B2 (ja) ダイポールイオン源
KR920004847B1 (ko) 스퍼터 장치
KR900003310B1 (ko) 이온 발생 장치
SE9704607D0 (sv) A method and apparatus for magnetically enhanced sputtering
JPH10229000A (ja) プラズマ発生装置およびそれを用いたイオン源
JPH07502862A (ja) イオンビームガン
US4847476A (en) Ion source device
JPH0963493A (ja) イオン源装置
JP3454384B2 (ja) イオンビーム発生装置及び方法
JP4029495B2 (ja) イオン源
JP3127636B2 (ja) イオン源
US3746474A (en) Ionic vacuum pump
JPH01221847A (ja) ガスフェーズイオン源における高圧導入部
JP3905572B2 (ja) 高融点物質蒸発装置
JP3632356B2 (ja) 同軸形電流導入端子
JPH09231911A (ja) イオン源装置及び真空装置並びに処理方法
RU2003116203A (ru) Ионный источник с холодным катодом
JP3152759B2 (ja) イオン銃
JPH06101307B2 (ja) 金属イオン源
JPH06295693A (ja) イオン源装置
JPH06349430A (ja) イオン源
JPH05325810A (ja) 高周波イオン源