JP2005354027A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】２，０００Ｋから８，０００Ｋ、又は１０，０００Ｋと全般的にブロードな色温度が得られ、演色評価数も９０以上と高い波長変換発光装置を提供する。
【解決手段】基板１の両側端部にそれぞれ電極パターン５が形成されており、この一側の電極パターン５上に１次光を発光する発光素子６が導電性接着剤９を介して取り付けられており、発光素子６の電極と他側の電極パターンは導電性ワイヤー２により連結されている。発光素子６の上面及び側面には蛍光物質３が配されている。蛍光物質３は、発光素子から発せられる１次光を可視光線スペクトル領域内の２次光に波長変換する。蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する、酸素に富んだ蛍光物質である。
【選択図】 図１

Description

本発明は発光装置に係り、特に、少なくとも一つの発光素子と、鉛及び／又は銅を含有し、かつ、発光素子から発せられる光の波長を変換する蛍光物質と、を備える波長変換発光装置に関する。
近年、主として電子機器に使われていた発光装置（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）が自動車及び照明用製品にも応用されつつある。ＬＥＤは電気的及び機構的な特性に極めて優れているため、今後その需要がますます増えていくと見られる。これと関連し、蛍光灯又は白熱灯などに代えられる白色ＬＥＤに関心が寄せられている。
ＬＥＤ技術分野においては、各種の白色の実現方式が提案されている。通常の白色ＬＥＤの実現技術は、発光素子の周りに蛍光物質を配置し、発光素子の１次発光の一部と蛍光物質により波長変換された２次発光を混色することにより白色を得る方式となっている。従来、４５０ｎｍから４９０ｎｍの青色素子と、青色素子の発光を吸収し、その吸収光をほとんど黄色よりなる蛍光光線に変換するＹＡＧ系の蛍光物質と、を備える白色ＬＥＤが提案されている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
しかしながら、従来の白色ＬＥＤは、色温度が６，０００から８，０００Ｋとその範囲が狭く、しかも演色評価数（Ｃｏｌｏｒ Ｒｅｎｄｅｒｉｎｇ Ｉｎｄｅｘ）も６０から７５と低いため、冷たい青色−白色光しか得られなかった。このため、所望とする色座標又は色温度が得られる白色ＬＥＤを提案し難く、特に、自然光に近い光を得るのに限界があった。
加えて、湿気に敏感な蛍光物質を使用する従来の白色ＬＥＤは、その発光特性が水、水蒸気若しくは極性溶媒に不安定である。これは、白色ＬＥＤの発光特性の変化につながる。
ＷＯ９８／０５０７８号公報 ＷＯ９８／１２７５７号公報
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、２，０００Ｋから８，０００Ｋ、又は１０，０００Ｋとブロードな色温度を得ることができ、かつ、演色評価数も９０以上となる波長変換発光装置を提供するところにある。
本発明の他の目的は、所望とする色座標又は色温度を容易に得ることのできる波長変換発光装置を提供するところにある。
本発明の更に他の目的は、発光特性の向上を図ることができ、かつ、水、湿気及び極性溶媒に強くて耐環境性に優れた波長変換発光装置を提供するところにある。
本発明の更に他の目的は、家電製品、オーディオ及び通信製品などの電子機器だけではなく、各種のディスプレイ、自動車、医療用機器、測定機器、照明用製品などにも応用可能な波長変換発光装置を提供するところにある。
本発明によれば、前記諸目的は、基板と、前記基板上に設けられた複数の電極と、前記複数の電極のうち何れか一つに設けられ、光を放出する発光ダイオードと、光の波長を変え、前記発光ダイオードの少なくとも一部を覆う蛍光物質と、前記複数の電極のうち他の一つに発光ダイオードを連結させるように構成された伝導性素子と、を備え、前記蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する、酸素に富んだ蛍光物質であることを特徴とする発光装置によって成し遂げられる。
ここで、前記蛍光物質は、後述する化学式（１）、化学式（２）又は化学式（３）で表されるアルミネート系、化学式（４）で表されるシリケート系、化学式（５）で表されるアンチモネート系、化学式（６）で表されるゲルマネート及び／又はゲルマネート−シリケート系及び化学式（７）で表されるフォスフェイト系のうちいずれか１種又はそれ以上の蛍光物質を含んでなる。各化学式で表される蛍光物質については、後述する（蛍光物質）の欄において詳細に説明する。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＡｌ２Ｏ３・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（１）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・（４−ａ−ｂ−ｃ）（Ｍ'''Ｏ）・７（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｂ２Ｏ３）・ｅ（Ｇａ２Ｏ３）・ｆ（ＳｉＯ２）・ｇ（ＧｅＯ２）・ｈ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（２）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ３）・ｅ（Ｍ''''Ｏ２）・ｆ（Ｍ'''''ｘＯｙ） ……（３）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ｍ'''Ｘ）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ）・ｅ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｆ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｇ（ＳｉＯ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（４）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄ（Ｓｂ２Ｏ５）・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（５）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＧｅＯ２・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（６）
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＰ２Ｏ５・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''Ｏ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（７）
一方、前記発光装置は、紫外線（ＵＶ）及び／又は可視光線波長領域においてそれぞれ相異なる波長を有する光を発光する少なくとも一つの発光素子、好ましくは、紫外線及び／又は青色波長領域の発光素子を備える。これにより、前記蛍光物質は、前記発光素子からの初期の紫外線光及び／又は初期の青色波長領域の光を演色評価数が９０以上となる可視光スペクトル領域の光に変換する。ここで、前記蛍光物質としては、それぞれ相異なる特性を有する化合物を単独で用いても良く、それ以上の化合物を複数種混合して用いても良い。
更に、前記蛍光物質は、前記発光素子の側面、上面及び底面のうち少なくともいずれか一方に配して用いても良く、接着剤又はモールド材に混合して用いても良い。
一方、前記発光素子及び前記蛍光物質は、好ましくは、パッケージ内に結合させる。このとき、前記パッケージは、基板上に前記少なくとも一つの発光素子が取り付けられ、前記発光素子の周りに前記蛍光物質が配される構造となっていても良く、レフレクターの形成された基板上に前記少なくとも一つの発光素子が取り付けられ、前記発光素子の周りに前記蛍光物質が配される構造となっていても良い。ここで、前記パッケージは、好ましくは、前記発光素子及び前記蛍光物質を前記基板上において封止するモールド部を備え、このモールド部には前記蛍光物質が均一に分布されている。
また、前記パッケージは、一対の電極リードのうちいずれか一方に前記少なくとも一つの発光素子が取り付けられ、前記発光素子の周りに前記蛍光物質が配され、前記発光素子と前記蛍光物質がモールド部により封止される構造を有することができる。
更にまた、前記パッケージは、前記少なくとも一つの発光素子からの熱を放熱するヒートシンクを備え、前記発光素子の周りに前記蛍光物質が配されている高出力用の構造を有することもできる。
本発明によれば、希土類成分を含み、かつ、鉛及び／又は銅を含有する化合物を蛍光物質として用いることから、２，０００Ｋから８，０００Ｋ、又は１０，０００Ｋと全般的にブロードな色温度が得られ、演色評価数も９０以上と高い波長変換発光装置を提供することができる。
このような本発明に係る波長変換発光装置は、発光強度、色温度及びカラー再現性に優れ、かつ、ユーザが所望とする色座標値に容易に発光できることから、携帯電話やノート型パソコンなどの各種の電子製品、オーディオ及び通信製品などの電子機器だけではなく、各種のディスプレイのキーパッド用やバックライト用として様々に採用することができ、自動車、医療用機器、測定機器及び照明用としても応用することができる。
更に、本発明によれば、水、湿気、水蒸気又は極性溶媒に極めて安定した波長変換発光装置を提供することができる。
以下、添付した図面に基づき、本発明に係る波長変換発光装置について詳述する。ここで、説明の便宜性ために、発光装置と蛍光物質を区別して説明する。
（発光装置）
図１は、本発明に係る発光装置の概略的な縦断面図であって、少なくとも一つの発光素子及び蛍光物質が組み合わせられてなるチップ型パッケージが示されている。
これを参照すれば、本発明に係る発光装置４０は、基板１の両側端部にそれぞれ電極パターン５が形成されており、この一側の電極パターン５上に１次光を発光する発光素子６が導電性接着剤９を介して取り付けられており、発光素子６の電極と他側の電極パターンは導電性ワイヤー２により連結されている。
ここで、発光素子６としては、紫外線光領域から可視光領域に至る光が発光可能なもの、好適には、紫外線発光素子及び／又は青色発光素子が使用可能である。
発光素子６の上面及び側面には蛍光物質３が配されている。蛍光物質３は、発光素子から発せられる１次光を可視光線スペクトル領域内の２次光に波長変換する。かかる蛍光物質３は、硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂又はシリコン樹脂に混ざって各発光素子６に塗布されても良く、導電性接着剤９に混ざって各発光素子６の底面に塗布されても良い。
ここで、発光素子６が取り付けられている基板１の上部は硬化性樹脂によりモールドされており、蛍光物質３は発光素子６の上面及び側面に所定の厚さにコーティングされている。しかし、本発明はこれに限定されることなく、蛍光物質を硬化性モールド部１０の全体に均一に分布しても良いということは言うまでもない（例えば、ＵＳ６，４８２，６６４号公報参照。）。
一方、蛍光物質３は、鉛及び／又は銅が含有された化合物を含んでなる。かかる化合物及びこれを含んでなる蛍光物質の詳細については、後述する。ここで、前記蛍光物質は希土類成分を含むことが好ましく、前記蛍光物質としては、化合物を単独で用いても良く、複数種の化合物を選択的に混合して用いても良い。例えば、前記蛍光物質は、４００ｎｍから５００ｎｍ、５００ｎｍから５９０ｎｍ又は５８０ｎｍから７００ｎｍの発光ピーク範囲を有する化合物を単独で用いても良く、上記した発光ピーク範囲を有する化合物を複数種混合して用いても良い。
前記発光装置４０においては、外部よりの電源が電極パターン５を介して発光素子６に供給される。これにより、発光素子６から１次光が発光され、蛍光物質３は１次光により励起されつつ１次光の波長を変換し、その結果として長波長の２次光を発光する。そして、発光素子６から発せられる１次光と、蛍光物質により波長変換された２次光と、が混色されることにより、該当可視光線スペクトル領域の色が得られる。ここで、前記発光装置には、相異なるピーク波長を有する２以上の発光素子が取付け可能であるということは言うまでもない。更に、蛍光物質の配合割合を適切に調節すれば、ユーザが所望とする色座標を有する色を容易に得ることができる。
このように、発光素子及び蛍光物質をなす化合物を適切に調節すれば、ユーザが所望とする色温度又は特定の色座標を有する光を発光することができ、特に、２，０００Ｋから８，０００Ｋ、又は１０，０００Ｋとブロードな色温度及び９０以上の演色評価数を得ることができる。これにより、本発明に係る発光装置は、家電製品、オーディオ及び通信製品などの電子機器だけではなく、屋内外の各種のディスプレイに容易に応用することができ、特に、自然光に近い色温度及び演色評価数が得られることから、自動車及び照明用製品に代えられる。
図２は、本発明に係るトップ型パッケージ発光装置の縦断面図である。
これを参照すれば、本発明に係るトップ型パッケージ発光装置５０は、前述したチップ型パッケージ発光装置（図１における図面符号４０参照）とほとんど同じ構造を有し、相違点があれば、基板１上にレフレクター３１を更に備えているという点である。このレフレクター３１は、発光素子６からの発光を所望の方向に反射する。
従って、本実施の形態においてもまた、蛍光物質３として希土類成分を含み、かつ、鉛及び／又は銅を含有する化合物が使用可能である。ここで、蛍光物質の詳細については後述する。
更に、このトップ型パッケージ発光装置５０にも、相異なるピーク波長を有する２以上の発光素子を取り付けることができる。そして、蛍光物質として、相異なる発光ピークを有する複数の化合物を選択的に、あるいはその配合割合を異にして混合したものを提供することができる。この蛍光物質はレフレクター３１内において発光素子６上に塗布されるか、あるいは硬化性樹脂モールド部１０に均一に分布される。
一方、前記図１及び図２に示すように、本発明に係る発光装置４０，５０は、熱伝道性に優れた金属性材料からなる基板１が使用可能である。上述した如き構造においては、発光素子が動作する時に生じる熱を容易に放熱することができるため、高出力の発光装置が製造可能になる。ここに別途の放熱板（図示せず）を更に取り付ければ、発光素子からの熱を一層効率よく放熱することができる。
図３は、本発明に係るランプ型パッケージ発光装置の縦断面図である。
これを参照すれば、本発明に係るランプ型パッケージ発光装置６０は、一対のリード電極５１，５２と、一側のリード電極５１の上端部に形成された素子ホルダー５３と、を備える。素子ホルダー５３はカップ状を呈し、その内部に少なくとも一つの発光素子６が取り付けられる。ここで、前記素子ホルダー５３の内部に複数の発光素子が取り付けられる場合、各発光素子は相異なるピーク波長を有することができる。取り付けられた発光素子の電極は、他側の電極リード５２と導電性ワイヤー２により連結できる。
カップ状の素子ホルダー５３の内部には、蛍光物質３が所定量だけ混合されたエポキシ樹脂５４が塗布されている。ここで、蛍光物質３は、希土類成分を含み、かつ、鉛及び／又は銅を含有する化合物を含むことができる。化合物及びこれを含んでなる蛍光物質３の詳細については、後述する。
更に、発光素子６と蛍光物質３が組み合わせられてなる素子ホルダー５３の外部は、硬化性樹脂、例えば、エポキシ又はシリコンなどによりモールドされている。
本実施の形態においては、ランプ型パッケージ発光装置６０が一対のリード電極を備える場合を例にとって説明したが、本発明は必ずしもこれに限定されることなく、一対以上のリード電極を備えても良いということは言うまでもない。
一方、図４は、本発明の一実施の形態による高出力用パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。
これを参照すれば、本発明の一実施の形態による高出力用パッケージ発光装置７０は、ハウジング７３内にヒートシンク７１が収容されてその一部が外部に露出され、一対のリードフレーム７４が外部にはみ出されている。ヒートシンク７１の上面には少なくとも一つの発光素子６が取り付けられ、発光素子６とリードフレーム７４は導電性ワイヤーを介して互いに連結される。また、蛍光物質３は発光素子６の上面及び側面に配されている。
更に、図５は、本発明の他の実施の形態による高出力用パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。
これを参照すれば、本発明の他の実施の形態による高出力用パッケージ８０は、それぞれ発光素子６，７が取り付けられている単一又は複数に分離されたヒートシンク６１，６２と、前記発光素子６，７の上面及び側面に蛍光物質３が配置されたハウジング６３と、複数のリードフレーム６４と、を備える。ここで、前記複数のリードフレーム６４はハウジング６３の外部に突出されており、このリードフレーム６４に外部からの電源が供給される。
図４及び図５に示すように、本発明に係る高出力用パッケージ発光装置７０，８０においても同様に、ヒートシンク６１，６２と各発光素子６，７との接着部分に蛍光物質３を介在することができる。更に、ハウジング６３，７３の上部にレンズを取り付けることもできる。
このような高出力用パッケージ発光装置７０，８０においても単一又は複数の発光素子６，７を選択的に採用することができ、このとき、採用される発光素子に合わせて蛍光物質を調節すれば良い。一方、蛍光物質３として、希土類成分を含み、かつ、鉛及び／又は銅を含有する化合物が使用可能である。また、蛍光物質の詳細については、後述する。
一方、上記のような構成を有する高出力用パッケージ発光装置７０，８０においては、好ましくは、ヒートシンク６１，６２とは別途にあるいは一体に放熱板（図示せず）を取り付ける。これにより、高い入力電源による各発光素子６，７の動作に当たって、各発光素子６，７からの熱を効率よく放熱することができる。ここで、放熱板の冷却方式としては、空気対流方式あるいはファンなどを用いた強制循環方式が採用可能である。
以上では幾つかの種類の発光装置が例として挙げられているが、本発明に係る発光装置は上述した如き構造に限定されることなく、発光素子の特性、蛍光物質の特性、所望とする光の波長及び使用用途に応じて様々な構造に変えられ、必要に応じて、新規な構造物を更に追加しても良い。
以下、本発明に係る発光装置に使われる蛍光物質について詳細に説明する。
（蛍光物質）
本発明に係る発光装置に適用される蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する化合物を含む。また、好ましくは、この蛍光物質は、紫外線光及び／又は可視光のうち青色光により励起され、かつ、希土類成分を含む。前記化合物は、アルミネート系、シリケート系、アンチモネート系、ゲルマネート系及びフォスフェイト系からなる。
アルミネート系化合物は、下記式（１）、下記式（２）又は下記式（３）で表される化合物を含む。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＡｌ２Ｏ３・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（１）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はスカンジウム（Ｓｃ）、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦８、０＜ｅ≦４、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦８、０＜ｈ≦２、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・（４−ａ−ｂ−ｃ）（Ｍ'''Ｏ）・７（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｂ２Ｏ３）・ｅ（Ｇａ２Ｏ３）・ｆ（ＳｉＯ２）・ｇ（ＧｅＯ２）・ｈ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（２）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、インジウム（Ｉｎ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦４、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、０≦ｇ≦１、０＜ｈ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
銅及び鉛を含有する発光物質は、基本的に、固相における混合反応を経て製造される。最初には、不純物、例えば、鉄をまったく含まない純粋な初期物質を使用することが好ましい。即ち熱処理工程を経れば酸化物に変わるおそれがある物質を最初に使用した方が良い。これは、酸素に優れた蛍光体構造を得るための基本的な原則である。
以下、実施例などにより本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｃｕ０．０２Ｓｒ３．９８Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＳｒＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド、ヒドロキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、Ｈ３ＢＯ３と混合する。次に、このような混合結果物を１段階の工程、つまり、１２００℃のアルミナ坩堝において１時間加熱する。次いで、このように初期加熱して得られた結果物を２段階の工程、即ち空気が希薄な１４５０℃の温度条件下で約４時間加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が４９４ｎｍである発光物質を得る。
下記表１は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｐｂ０．０５Ｓｒ３．９５Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ
初期物質としてＰｂＯ、ＳｒＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート又は他の成分、つまり、オキシドに分解可能な初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、Ｈ３ＢＯ３と混合する。このような混合結果物を１段階の工程、即ち空気が供給される１２００℃のアルミナ坩堝において１時間加熱する。次いで、このように初期加熱して得られた結果物を２段階の工程、即ち空気が十分な１４５０℃の温度条件下で約２時間加熱した後、更に空気が希薄な状態で約２時間加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた物質を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が４９４．５ｎｍである発光物質を得る。
下記表２は、鉛を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、鉛を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
本実施例による銅及び／又は鉛を含有する希土類成分により活性化されたアルミネートを紫外線及び／又は可視光に適用して得られた光学的な発光特性は、下記表３の通りである。
Figure 2005354027
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ３）・ｅ（Ｍ''''Ｏ２）・ｆ（Ｍ'''''ｘＯｙ） ……（３）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦１、０≦ｂ≦２、０＜ｃ≦８、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０＜ｆ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｃｕ０．０５Ｓｒ０．９５Ａｌ１．９９９７Ｓｉ０．０００３Ｏ４：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＳｒＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＡｌＦ３と混合する。次いでこのような混合結果物を空気が希薄な１２５０℃のアルミナ坩堝において３時間加熱する。引き続き、このように加熱して得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が５２１．５ｎｍである発光物質を得る。
下記表４は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｃｕ０．１２ＢａＭｇ１．８８Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＭｇＯ、ＢａＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド、ヒドロキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＡｌＦ３と混合する。次いで、このような混合結果物を空気が希薄な１４２０℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。引き続き、このように加熱して得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が４５２ｎｍである発光物質を得る。
下記表５は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｐｂ０．１Ｓｒ０．９Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ
初期物質としてＰｂＯ、ＳｒＣＯ３、Ａｌ（ＯＨ）３及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート又は他の成分、即ちオキシドに分解可能な初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、Ｈ３ＢＯ３と混合する。このような混合結果物を１段階の工程、即ち空気が供給される１０００℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次いで、このように初期加熱して得られた結果物を２段階の工程、即ち空気が十分な１４２０℃の温度条件下で約１時間加熱した後に、空気が希薄な状態で約２時間更に加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が５２１ｎｍである発光物質を得る。
下記表６は、鉛を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、鉛を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
本実施例による銅及び／又は鉛を含有する希土類成分により活性化されたアルミネートの光学的な発光特性は、下記表７の通りである。
Figure 2005354027
シリケート系化合物は、下記式（４）で表される化合物を含む。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ｍ'''Ｘ）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ）・ｅ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｆ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｇ（ＳｉＯ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（４）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''は、ゲルマニウム（Ｇｅ）、バナジウム（Ｖ）、ネオジム（Ｎｄ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）及びハフニウム（Ｈｆ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）及びルテニウム（Ｌｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０＜ｂ≦８、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦２、０≦ｅ≦２、０≦ｆ≦２、０≦ｇ≦１０、０＜ｈ≦５、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｃｕ０．０５Ｓｒ１．７Ｃａ０．２５ＳｉＯ４：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＳｒＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、極めて純粋なオキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合する。次いで、このような混合結果物を１段階の工程において、不活性ガス（Ｎ２又は腐食しないガス）が供給される１２００℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次いで、このように加熱して得られた結果物を粉砕する。次いで、２段階の工程において、前記粉砕結果物を空気がやや希薄な１２００℃のアルミナ坩堝において約２時間加熱する。その後、２段階工程を経て得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が５９２ｎｍである発光物質を得る。
下記表８は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたシリケートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたシリケートの発光特性を４５０ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
また、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｃｕ０．２Ｂａ２Ｚｎ０．２Ｍｇ０．６Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＢａＣＯ３、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合する。次いで、このような混合結果物を、１段階の工程において、空気が希薄な１１００℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次いで、このように加熱して得られた結果物を粉砕する。次いで、２段階の工程において、前記粉砕結果物を空気がやや希薄な１２３５℃のアルミナ坩堝において約２時間加熱する。その後、このように加熱して得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が４６７ｎｍである発光物質を得る。
下記表９は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたシリケートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたシリケートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｐｂ０．１Ｂａ０．９５Ｓｒ０．９５Ｓｉ０．９９８Ｇｅ０．００２Ｏ４：Ｅｕ
初期物質としてＰｂＯ、ＳｒＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＳｉＯ２、ＧｅＯ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合する。このような混合結果物を１段階の工程において、空気が十分な１０００℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次いで、後続する２段階の工程において、前記加熱結果物を再び空気が十分な１２２０℃のアルミナ坩堝において約４時間加熱した後、更に空気が希薄な状態で２時間加熱する。その後、このように加熱して得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が５２７ｎｍである発光物質を得る。
下記表１０は、鉛を含有するＥｕ２＋により活性化されたシリケートと、鉛を含有しないＥｕ２＋により活性化されたシリケートの発光特性を４５０ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｐｂ０．２５Ｓｒ３．７５Ｓｉ３Ｏ８Ｃｌ４：Ｅｕ
初期物質としてＰｂＯ、ＳｒＣＯ３、ＳｒＣｌ２、ＳｉＯ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド、クロライド及びカーボネート類の初期物質は、化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合される。混合された物質は１段階の工程、即ち１１００℃の空気が十分なアルミナ坩堝において約２時間加熱される。１次加熱された物質は、２段階の工程中に再び空気が十分な１２２０℃において４時間加熱された後に、空気が希薄な状態で１時間更に加熱される。その後、加熱された結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に及び篩を通すことにより、最大の発光波長が４９２ｎｍである発光物質を得る。
下記表１１は、鉛を含有するＥｕ２＋により活性化されたクロロシリケートと、鉛を含有しないＥｕ２＋により活性化されたクロロシリケート発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
この実施例による銅及び／又は鉛を含有する希土類成分により活性化されたシリケートの光学的な発光特性は、下記表１２の通りである。
Figure 2005354027
アンチモネート系の化合物は、下記式（５）で表される化合物を含む。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄ（Ｓｂ２Ｏ５）・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（５）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、プラセオジム（Ｐｒ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）及びガドリニウム（Ｇｄ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦４、０＜ｄ≦８、０≦ｅ≦８、０≦ｆ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｃｕ０．２Ｍｇ１．７Ｌｉ０．２Ｓｂ２Ｏ７：Ｍｎ
初期物質としてＣｕＯ、ＭｇＯ、Ｌｉ２Ｏ、Ｓｂ２Ｏ５及びＭｎＣＯ３が使用可能である。
先ず、オキシド類の初期物質を少量のフラックスと化学量論比で混合する。次いで、この混合結果物を１段階の工程、即ち空気が十分な９８５℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次に、この加熱して得られた結果物を粉砕する。その後、このように初期加熱された結果物を２段階の工程、即ち酸素が十分な１２００℃の温度条件下で約８時間加熱する。引き続き、このように１段階及び２段階の工程を経て得られた物質を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が６２６ｎｍである発光物質を得る。
下記表１３は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたアルミネートと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアンチモネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｐｂ０．００６Ｃａ０．６Ｓｒ０．３９４Ｓｂ２Ｏ６
初期物質としてＰｂＯ、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３及びＳｂ２Ｏ５が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックスと混合する。次いで、この混合結果物を１段階の工程、即ち空気が十分な９７５℃のアルミナ坩堝において約２時間加熱する。次に、このように加熱して得られた結果物を粉砕する。その後、この粉砕物を２段階の工程において、空気が十分な１１７５℃のアルミナ坩堝において約４時間加熱した後、更に酸素を供給しつつ４時間加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた物質を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が６３７ｎｍである発光物質を得る。
下記表１４は、鉛を含有するＥｕ２＋により活性化されたアンチモネートと、鉛を含有しないＥｕ２＋により活性化されたアルミネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び発光波長をそれぞれ示す。
Figure 2005354027
この実施例による銅及び／又は鉛を含有する希土類成分により活性化されたアンチモネートの発光特性は、下記表１５の通りである。
Figure 2005354027
ゲルマネート及び／又はゲルマネート−シリケート系化合物は、下記式（６）で表される化合物を含む。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＧｅＯ２・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（６）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）及びカドミウム（Ｃｄ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はスカンジウム（Ｓｃ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）及びランタン（Ｌａ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マンガン（Ｍｎ）、バナジウム（Ｖ）、ネオジム（Ｎｄ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、プラセオジム（Ｐｒ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）及びジスプロシウム（Ｄｙ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦１０、０＜ｄ≦１０、０≦ｅ≦１４、０≦ｆ≦１４、０≦ｇ≦１０、０≦ｈ≦２、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｐｂ０．００４Ｃａ１．９９Ｚｎ０．００６Ｇｅ０．８Ｓｉ０．２Ｏ４：Ｍｎ
初期物質としてＰｂＯ、ＣａＣＯ３、ＺｎＯ、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２及びＭｎＣＯ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合する。次いで、この混合結果物を１段階の工程、即ち酸素が十分な１２００℃のアルミナ坩堝において２時間加熱する。次いで、このように加熱して得られた結果物を粉砕する。その後、２段階の工程において、更に酸素が十分な１２００℃の温度条件下で約２時間加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が６５５ｎｍである発光物質を得る。
下記表１６は、鉛を含有するＭｎにより活性化されたゲルマネートと、鉛を含有しないＭｎにより活性化されたゲルマネートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にてそれぞれ比較したものであって、発光強度及び波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
一方、下記式を有する発光物質を製造するためには、
Ｃｕ０．４６Ｓｒ０．５４Ｇｅ０．６Ｓｉ０．４Ｏ３：Ｍｎ
初期物質としてＣｕＯ、ＳｒＣＯ３、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２及びＭｎＣＯ３が使用可能である。
先ず、オキシド及びカーボネート類の初期物質を化学量論比で少量のフラックス、例えば、ＮＨ４Ｃｌと混合する。次いで、この混合結果物を１段階の工程、即ち酸素が十分な１１００℃のアルミナ坩堝において約２時間加熱する。次いで、このように加熱して得られた結果物を粉砕する。その後、２段階の工程において、その粉砕結果物を酸素が十分な１１８０℃のアルミナ坩堝において約４時間加熱する。引き続き、このような１段階及び２段階の工程を経て得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が６５８ｎｍである発光物質を得る。
下記表１７は、銅を含有するＭｎにより活性化されたゲルマネート−シリケートと、銅を含有しないＭｎにより活性化されたゲルマネート−シリケートの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び波長をそれぞれ示している。
Figure 2005354027
本実施例による銅及び／又は鉛を含有するゲルマネート又はゲルマネート−シリケートと関連して得られた結果は、下記表１８の通りである。
Figure 2005354027
フォスフェイト系の化合物は、下記式（７）で表される化合物を含む。
ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＰ２Ｏ５・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''Ｏ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（７）
ここで、Ｍ'は鉛（Ｐｂ）及び銅（Ｃｕ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）及びマンガン（Ｍｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はスカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ランタン（Ｌａ）、ガリウム（Ｇａ）及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''は、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ネオジム（Ｎｄ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）及びモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はビスマス（Ｂｉ）、錫（Ｓｎ）、プラセオジム（Ｐｒ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、セリウム（Ｃｅ）及びテルビウム（Ｔｂ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｘはフルオロ（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）及びヨード（Ｉ）からなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦１２、０≦ｃ≦１６、０＜ｄ≦３、０≦ｅ≦５、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦２、０＜ｈ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
製造の実施例
下記式を有する発光物質を製造するために、
Ｃｕ０．０２Ｃａ４．９８（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ
初期物質としてＣｕＯ、ＣａＣＯ３、Ｃａ３（ＰＯ４）２、ＣａＣｌ２及びＥｕ２Ｏ３が使用可能である。
先ず、オキシド、フォスフェイト、サルフェートに加えて、カーボネート及びクロライド類の初期物質を化学量論比で少量のフラックスと混合する。次いで、この混合結果物を空気が希薄な１２４０℃のアルミナ坩堝において約２時間加熱する。引き続き、このように加熱して得られた結果物を粉砕、洗浄、乾燥、最後に篩を通すことにより、最大の発光波長が４５０ｎｍである発光物質を得る。
下記表１９は、銅を含有するＥｕ２＋により活性化されたクロロフォスフェイトと、銅を含有しないＥｕ２＋により活性化されたクロロフォスフェイトの発光特性を４００ｎｍの励起波長にて比較したものであって、発光強度及び波長をそれぞれ示している。。
Figure 2005354027
一方、本実施例による銅及び／又は鉛を含有する希土類成分により活性化された発光物質の特性は、下記表２０の通りである。
Figure 2005354027
一方、本発明に係る発光装置の蛍光物質は、これらのアルミネート系、シリケート系、アンチモネート系、ゲルマネート系及びフォスフェイト系の化合物を単独で使用しても良く、これらの化合物を複数種選択的に混合して使用しても良い。
図６は、本発明の一実施の形態による蛍光物質を適用した発光装置が示す発光スペクトル図である。本実施の形態における発光装置は、４０５ｎｍの波長を有する発光素子と、前記化合物から選ばれた化合物を複数種適切な割合にて混合してなる蛍光物質と、を備える。また、前記蛍光物質は、ピーク波長が略４５１ｎｍであるＣｕ０．０５ＢａＭｇ１．９５Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、ピーク波長が略６５８ｎｍであるＣｕ０．０３Ｓｒ１．５Ｃａ０．４７ＳｉＯ４：Ｅｕ、ピーク波長が略６４１ｎｍであるＰｂ０．００６Ｃａ０．６Ｓｒ０．３９４Ｓｂ２Ｏ６：Ｍｎ４+、ピーク波長が略５１２ｎｍであるＰｂ０．１５Ｂａ１．８４Ｚｎ０．０１Ｓｉ０．９９Ｚｒ０．０１Ｏ４：Ｅｕ及びピーク波長が略４９４ｎｍであるＣｕ０．２Ｓｒ３．８Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕを混合することで得られる。
本実施の形態においては、発光素子から発せられる４０５ｎｍ波長の初期発光のうち一部が蛍光物質により長波長である２次光に変換され、１次光と２次光が混色されることにより所望とする発光が得られる。本発光装置は、図６に示すように、波長４０５ｎｍの１次紫外線光を変換して広い波長領域の可視光、つまり、白色光を発光する。このとき、発光された白色光の色温度は３，０００Ｋであり、演色評価数は約９０から９５である。
一方、図７は、本発明の他の実施の形態による蛍光物質を適用した発光装置が示す発光スペクトル図である。本実施の形態における発光装置は、４５５ｎｍ波長の発光素子と、前記化合物から選ばれた化合物を複数種適切な割合にて混合してなる蛍光物質と、を備える。また、前記蛍光物質は、ピーク波長が略５９２ｎｍであるＣｕ０．０５Ｓｒ１．７Ｃａ０．２５ＳｉＯ４：Ｅｕ、ピーク波長が略５２７ｎｍであるＰｂ０．１Ｂａ０．９５Ｓｒ０．９５Ｓｉ０．９９８Ｇｅ０．００２Ｏ４：Ｅｕ及びピーク波長が略５５７ｎｍであるＣｕ０．０５Ｌｉ０．００２Ｓｒ１．５Ｂａ０．４４８ＳｉＯ４：Ｇｄ,Ｅｕを混合することで得られる。
本実施の形態においては、蛍光物質により発光素子から発せられる４５５ｎｍ波長の初期発光のうち一部が長波長である２次光に変換され、１次光と２次光が混色されることにより、特定の色を有する発光が得られる。本発光装置は、図７に示すように、４５５ｎｍの１次青色光を波長変換して広い波長領域の可視光（白色光）を得る。このとき、得られた可視光（白色光）の色温度は４，０００Ｋから６，５００Ｋであり、演色評価数は約８６から９３である。
以上、本発明に係る発光装置に使われる蛍光物質の例を図６及び図７と結び付けて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、化合物を単独で適用するか、あるいは複数種の化合物を混合して適用しても良いということは言うまでもない。
図１は本発明に係るチップ型パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。 図２は本発明に係るトップ型パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。 図３は本本発明に係るランプ型パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。 図４は本発明の一実施の形態による高出力用パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。 図５は本発明の他の実施の形態による高出力用パッケージ発光装置の概略的な縦断面図である。 図６は本発明の一実施の形態による蛍光物質を適用した発光装置が示す発光スペクトル図である。 図７は本発明の他の実施の形態による蛍光物質を適用した発光装置が示す発光スペクトル図である。
符号の説明
１ 基板
２ 導電性ワイヤー
３ 蛍光物質
５ 電極パターン
６，７ 発光素子
９ 接着剤
１０ モールド部
４０，５０，６０，７０ 発光装置
３１ レフレクター
５１，５２ リード電極
６１，６２，７１ ヒートシンク

Claims (21)

  1. 基板と、
    前記基板上に設けられた複数の電極と、
    前記複数の電極のうち何れか一つに設けられ、光を放出する発光ダイオードと、
    光の波長を変え、前記発光ダイオードの少なくとも一部を覆う蛍光物質と、
    前記複数の電極のうち他の一つに発光ダイオードを連結させるように構成された伝導性素子と、を備え、
    前記蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する、酸素に富んだ蛍光物質であることを特徴とする発光装置。
  2. 複数のリードと、
    前記複数のリードのうちいずれか一端に設けられたダイオードホルダと、
    前記ダイオードホルダ内に設けられ、複数の電極を有する発光ダイオードと、
    光の波長を変え、前記発光ダイオードの少なくとも一部を覆う蛍光物質と、
    前記複数のリードのうち他の一つに発光ダイオードを連結させるように構成された伝導性素子と、を備え、
    前記蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する、酸素に富んだ蛍光物質であることを特徴とする発光装置。
  3. 筺体と、
    前記筺体内に少なくとも部分的に設けられたヒートシンクと、
    前記ヒートシンク上に設けられた複数のリードフレームと、
    前記複数のリードフレームのうち何れか一つに取り付けられた発光ダイオードと、
    光の波長を変え、前記発光ダイオードの少なくとも一部を覆う蛍光物質と、
    前記複数のフレームのうち他の一つに発光ダイオードを連結させるように構成された伝導性素子と、を備え、
    前記蛍光物質は、鉛及び／又は銅を含有する、酸素に富んだ蛍光物質であることを特徴とする発光装置。
  4. 前記発光ダイオードと前記複数の電極のうち何れか一つとの間に設けられた伝導性接着剤を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
  5. 前記発光ダイオードとヒートシンクとの間に設けられた伝導性接着剤を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  6. 前記蛍光物質は、単一化合物又はこれらの２種以上の混合物を含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
  7. 前記発光ダイオードからの光を反射するレフレクターを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  8. 前記発光ダイオードと蛍光物質を封止させるモールド部を更に備えることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
  9. 前記モールド部に前記蛍光物質が分布されていることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
  10. 前記蛍光物質は、硬化性材料内に混合されていることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
  11. 前記複数のリードフレームのうち少なくとも一つは、筺体から突設されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  12. 前記ヒートシンクは、複数であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
  13. 前記発光ダイオードは、複数であることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
  14. 前記蛍光物質は、アルミネート系、シリケート系、アンチモネート系、ゲルマネート、ゲルマネート−シリケート系、フォスフェイト系又はこれらの混合物のうち何れか一つを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
  15. 前記蛍光物質は、下記式（１）で表されるアルミネートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＡｌ２Ｏ３・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（１）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＳｃ、Ｂ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦８、０＜ｅ≦４、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦８、０＜ｈ≦２、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  16. 前記蛍光物質は、下記式（２）で表されるアルミネートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・（４−ａ−ｂ−ｃ）（Ｍ'''Ｏ）・７（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｂ２Ｏ３）・ｅ（Ｇａ２Ｏ３）・ｆ（ＳｉＯ２）・ｇ（ＧｅＯ２）・ｈ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（２）
    ここで、Ｍ’はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦４、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０≦ｆ≦１、０≦ｇ≦１、０＜ｈ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  17. 前記蛍光物質は、下記式（３）で表されるアルミネートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ａｌ２Ｏ３）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ３）・ｅ（Ｍ''''Ｏ２）・ｆ（Ｍ'''''ｘＯｙ） ……（３）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦１、０≦ｂ≦２、０＜ｃ≦８、０≦ｄ≦１、０≦ｅ≦１、０＜ｆ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  18. 前記蛍光物質は、下記式（４）で表されるシリケートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''Ｏ）・ｃ（Ｍ'''Ｘ）・ｄ（Ｍ'''２Ｏ）・ｅ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｆ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｇ（ＳｉＯ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（４）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＡｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はＧｅ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ，Ｚｒ及びＨｆからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０＜ｂ≦８、０≦ｃ≦４、０≦ｄ≦２、０≦ｅ≦２、０≦ｆ≦２、０≦ｇ≦１０、０＜ｈ≦５、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  19. 前記蛍光物質は、下記式（５）で表されるアンチモネートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄ（Ｓｂ２Ｏ５）・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''ｘＯｙ） ……（５）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ及びＧｄからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦４、０＜ｄ≦８、０≦ｅ≦８、０≦ｆ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  20. 前記蛍光物質は、下記式（６）で表されるゲルマネート及び／又はゲルマネート−シリケートを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＧｅＯ２・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''ＯＯＰ）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（６）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ及びＣｄからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＳｃ、Ｂ、Ｙ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ及びＬａからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はＳｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ及びＤｙからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦２、０≦ｃ≦１０、０＜ｄ≦１０、０≦ｅ≦１４、０≦ｆ≦１４、０≦ｇ≦１０、０≦ｈ≦２、１≦ｏ≦２、１≦ｐ≦５、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
  21. 前記蛍光物質は、下記式（７）で表されるフォスフェイトを含むことを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載の発光装置。
    ａ（Ｍ'Ｏ）・ｂ（Ｍ''２Ｏ）・ｃ（Ｍ''Ｘ）・ｄＰ２Ｏ５・ｅ（Ｍ'''Ｏ）・ｆ（Ｍ''''２Ｏ３）・ｇ（Ｍ'''''Ｏ２）・ｈ（Ｍ''''''ｘＯｙ） ……（７）
    ここで、Ｍ'はＰｂ及びＣｕからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ａｕ及びＡｇからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ及びＭｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''はＳｃ、Ｙ、Ｂ、Ａｌ、Ｌａ，Ｇａ及びＩｎからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ'''''はＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｄ、Ｔａ、Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、Ｍ''''''はＢｉ、Ｓｎ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｃｅ及びＴｂからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなり、ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる１種又はそれ以上の物質からなる。このとき、０＜ａ≦２、０≦ｂ≦１２、０≦ｃ≦１６、０＜ｄ≦３、０≦ｅ≦５、０≦ｆ≦３、０≦ｇ≦２、０＜ｈ≦２、１≦ｘ≦２及び１≦ｙ≦５である。
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235903A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Seoul Semiconductor Co Ltd 多様な色温度を有する発光装置
JP2009510764A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを用いたｌｃｄバックライト
CN100503776C (zh) * 2006-12-19 2009-06-24 上海师范大学 一种CaSiO3:Pb,Mn纳米红色荧光材料的制备方法
JP2009526379A (ja) * 2006-02-06 2009-07-16 セミョーノヴィチ アブラモフ、ウラジミール 窒化ガリウム系半導体ヘテロ構造体の成長方法
JP2009532856A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを有する照明システム
JP2009543328A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US8431954B2 (en) 2007-08-28 2013-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US8501040B2 (en) 2007-08-22 2013-08-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non-stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8883040B2 (en) 2004-06-10 2014-11-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
JPWO2017159175A1 (ja) * 2016-03-14 2018-08-30 三井金属鉱業株式会社 蛍光体
JP2020505787A (ja) * 2017-01-13 2020-02-20 ユーハ ランタラＲＡＮＴＡＬＡ， Ｊｕｈａ Ｌｅｄ構造及び連続消毒用照明器具
US12009348B2 (en) 2006-03-31 2024-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2517024C (en) * 2003-02-24 2009-12-01 Waseda University .beta.-ga2o3 single crystal growing method, thin-film single crystal growing method, ga2o3 light-emitting device, and its manufacturing method
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
US8278846B2 (en) * 2005-11-18 2012-10-02 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
EP1963743B1 (en) * 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
WO2007073496A2 (en) 2005-12-22 2007-06-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
TWI460880B (zh) 2006-04-18 2014-11-11 Cree Inc 照明裝置及照明方法
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
JP5681364B2 (ja) 2006-04-20 2015-03-04 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 照明装置
US7648257B2 (en) 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
US7625103B2 (en) 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
CN101449100B (zh) 2006-05-05 2012-06-27 科锐公司 照明装置
KR101263934B1 (ko) * 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
US8596819B2 (en) 2006-05-31 2013-12-03 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7665862B2 (en) 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7766508B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
JP3964449B1 (ja) * 2006-10-06 2007-08-22 根本特殊化学株式会社 橙色発光蛍光体
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP2008140704A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄバックライト
KR101446366B1 (ko) 2006-12-07 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
JP2008166782A (ja) 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
WO2008082136A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Back lighting unit having phosphor film structure
KR101423456B1 (ko) 2006-12-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛
US8258682B2 (en) * 2007-02-12 2012-09-04 Cree, Inc. High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
JP5476128B2 (ja) 2007-02-22 2014-04-23 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法
US7824070B2 (en) * 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
JP2010527157A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US7901107B2 (en) 2007-05-08 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137974A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
KR20100017668A (ko) 2007-05-08 2010-02-16 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
EP2142843B1 (en) 2007-05-08 2016-12-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8042971B2 (en) * 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US20090002979A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Cree, Inc. Light emitting device (led) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US8123384B2 (en) 2007-07-17 2012-02-28 Cree, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US8018135B2 (en) 2007-10-10 2011-09-13 Cree, Inc. Lighting device and method of making
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
TWM337834U (en) * 2007-12-10 2008-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Package structure for light emitting diode
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
TW201019006A (en) * 2008-11-06 2010-05-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd LED light module
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR101047603B1 (ko) * 2009-03-10 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8568615B2 (en) * 2009-05-11 2013-10-29 Oceans King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Full-color light-emitting material and preparation method thereof
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
EP2480625A4 (en) 2009-09-21 2013-04-03 Univ Georgia NEAR-INFRARED DOPED PHOSPHORES HAVING A ZINC, GERMANIUM AND GALLATE MATRIX
EP2480626A4 (en) 2009-09-21 2013-04-03 Univ Georgia NEAR-FROSTED PHOSPHERE WITH AN ALKALI GALLAT MATRIX
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
DE102009059798A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen
CN102666781B (zh) 2009-12-21 2016-02-24 首尔半导体株式会社 具有氧正硅酸锶型磷光体的发光装置
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
CN102934242B (zh) * 2010-03-16 2016-01-20 迪斯普拉斯有限责任公司 用以控制白色发光二极管(led)的光通量的色度的方法及用以执行该方法的装置
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TWI418742B (zh) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp 發光元件的封裝結構
WO2013049154A2 (en) * 2011-09-28 2013-04-04 Henkel Ag & Co. Kgaa Oxetane-containing compounds and compositions thereof
CN102560659B (zh) * 2012-03-21 2015-01-07 新疆紫晶光电技术有限公司 一种非线性光学晶体及其制备方法和用途
WO2014025345A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 University Of South Carolina Stable phosphors for lighting applications
JP6009092B2 (ja) * 2012-10-31 2016-10-19 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド ゲルマニウム酸塩発光材料及びその製造方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN105745303A (zh) * 2013-11-13 2016-07-06 Lg伊诺特有限公司 蓝绿色荧光粉、发光器件封装和包括其的照明装置
JP6519746B2 (ja) * 2014-10-23 2019-05-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体材料及び発光装置
US20200093238A1 (en) * 2016-06-16 2020-03-26 Harsh Kumar Mobile phone case having mirrored surface and lighting
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
CN110444644B (zh) * 2019-07-26 2022-10-14 浙江大学 一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法
KR102205984B1 (ko) * 2019-12-03 2021-01-21 에스지에너지주식회사 자정작용 특성을 갖는 칼라 태양광 모듈 제조방법
CN116925760A (zh) * 2023-07-12 2023-10-24 安徽三联学院 一种Mn4+激活锑酸盐红色荧光材料及其制备方法

Family Cites Families (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) * 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) * 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) * 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) * 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
NL7013516A (ja) * 1970-09-12 1972-03-14
US3644212A (en) * 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
JPS476258U (ja) 1971-02-18 1972-09-21
JPS4938994A (ja) 1972-08-19 1974-04-11
US3893939A (en) * 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
JPS51119388A (en) * 1975-03-19 1976-10-19 Gte Sylvania Inc Fluorescent substances
NL7807274A (nl) * 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
GB2058117B (en) * 1979-08-03 1983-06-08 Kasei Optonix Borate phosphor
NL8006223A (nl) 1980-11-14 1982-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
NL8201943A (nl) 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS61258892A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPS62197487A (ja) 1986-02-25 1987-09-01 Hitachi Ltd 蛍光体の製造方法
JPS62218476A (ja) * 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
US5188763A (en) * 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor
JPH07110941B2 (ja) 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) * 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
DE69002470T2 (de) 1989-02-07 1994-03-03 Agfa Gevaert Nv Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff.
US5060118A (en) * 1989-04-06 1991-10-22 Frank A. Arone Apparatus for daylight color duplication
JPH0578659A (ja) * 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
US5518808A (en) * 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
KR940019586A (ko) 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
CN1102631C (zh) * 1995-04-14 2003-03-05 株式会社东京化学研究所 具有余辉特性的荧光体
JPH0940946A (ja) 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) * 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
KR200150839Y1 (ko) 1995-12-11 1999-07-15 정몽규 버스차량의 사이드 고정 유리 장착구조
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) * 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
EP0835920B1 (en) * 1996-10-10 2003-04-09 Agfa-Gevaert A new photostimulable phosphor
US5853614A (en) 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
DE59814117D1 (de) * 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
JP2992254B2 (ja) 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6278832B1 (en) 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6855515B1 (en) * 1998-04-22 2005-02-15 Merck & Co., Inc. Autoantigenic fragments, methods and assays
JP2907286B1 (ja) 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
DE69937993C5 (de) 1998-09-28 2019-01-10 Koninklijke Philips N.V. Beleuchtungsanordnung
KR100355456B1 (ko) * 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6565771B1 (en) * 1999-10-06 2003-05-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
GB0012377D0 (en) * 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
TW574343B (en) 2000-06-27 2004-02-01 Sumitomo Chemical Co Method of producing aluminate fluorescent substance, a fluorescent substance and a device containing a fluorescent substance
US6737801B2 (en) 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
TW459403B (en) 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
TWI290907B (en) 2000-10-17 2007-12-11 Sharp Kk Oxide material, method for preparing oxide thin film and element using said material
JP2002173677A (ja) 2000-12-04 2002-06-21 Tokin Corp 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた蛍光体ペースト
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
CN1187428C (zh) 2001-02-12 2005-02-02 湖南师范大学 单基双能转光剂及其制造方法和应用方法
JP2002254273A (ja) * 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
WO2002089219A1 (fr) * 2001-04-17 2002-11-07 Nichia Corporation Appareil electroluminescent
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
KR200253975Y1 (ko) 2001-08-18 2001-11-23 허성유 곤충관찰통
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
TW595012B (en) * 2001-09-03 2004-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor light-emitting device, light-emitting apparatus and manufacturing method of semiconductor light-emitting device
US6770398B1 (en) * 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
ATE525755T1 (de) 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4092911B2 (ja) 2001-12-21 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
EP1433831B1 (en) * 2002-03-22 2018-06-06 Nichia Corporation Nitride phosphor and method for preparation thereof, and light emitting device
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
CN2624578Y (zh) 2003-01-21 2004-07-07 夏志清 一种交直流两用的led灯
KR100499079B1 (ko) * 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JP4387119B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体装置
CN100412156C (zh) 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
US7320531B2 (en) 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
AU2003902422A0 (en) * 2003-05-19 2003-06-05 Intellirad Solutions Pty. Ltd Access security system
DE602004005598T2 (de) * 2003-07-08 2008-01-24 Viasystems Group, Inc. Verfahren zur herstellung einer midplane
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
CN100395897C (zh) 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TWI263356B (en) 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US7608200B2 (en) * 2004-01-16 2009-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
CN2690724Y (zh) 2004-03-05 2005-04-06 深圳市蓝科电子有限公司 高亮度发光二极管照明装置
KR100605211B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) * 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
CN100397544C (zh) 2004-05-27 2008-06-25 株式会社日立制作所 发光装置以及使用该发光装置的图像显示装置
JP2006012770A (ja) 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US7601276B2 (en) 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20070048809A (ko) 2004-09-07 2007-05-09 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 형광체, 형광체 페이스트 및 발광 소자
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
SG161205A1 (en) 2004-12-22 2010-05-27 Seoul Semiconductor Co Ltd Light emitting device
US7138770B2 (en) 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
KR200382395Y1 (ko) 2005-01-20 2005-04-20 한일이화주식회사 자동차용 도어포켓의 칸막이장치
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4868499B2 (ja) 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
KR100927154B1 (ko) 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
US20070069869A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Arnold Vaughn R Automobile security and reporting system
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
KR101396588B1 (ko) 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP5521273B2 (ja) 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8900482B2 (en) 2004-06-10 2014-12-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8883040B2 (en) 2004-06-10 2014-11-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Luminescent material
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP2012186492A (ja) * 2005-09-30 2012-09-27 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
JP2009510764A (ja) * 2005-09-30 2009-03-12 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを用いたｌｃｄバックライト
US9576940B2 (en) 2005-09-30 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US9287241B2 (en) 2005-09-30 2016-03-15 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and LCD backlight using the same
US8847254B2 (en) 2005-12-15 2014-09-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US8546830B2 (en) 2006-02-06 2013-10-01 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of growing semiconductor heterostructures based on gallium nitride
US8174042B2 (en) 2006-02-06 2012-05-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Method of growing semiconductor heterostructures based on gallium nitride
JP2009526379A (ja) * 2006-02-06 2009-07-16 セミョーノヴィチ アブラモフ、ウラジミール 窒化ガリウム系半導体ヘテロ構造体の成長方法
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US9312246B2 (en) 2006-03-31 2016-04-12 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US11322484B2 (en) 2006-03-31 2022-05-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
JP2009532856A (ja) * 2006-03-31 2009-09-10 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子及びそれを有する照明システム
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US9576939B2 (en) 2006-03-31 2017-02-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US12009348B2 (en) 2006-03-31 2024-06-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
JP2009543328A (ja) * 2006-06-30 2009-12-03 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光素子
CN100503776C (zh) * 2006-12-19 2009-06-24 上海师范大学 一种CaSiO3:Pb,Mn纳米红色荧光材料的制备方法
JP2008235903A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Seoul Semiconductor Co Ltd 多様な色温度を有する発光装置
US8501040B2 (en) 2007-08-22 2013-08-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non-stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8431954B2 (en) 2007-08-28 2013-04-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
JPWO2017159175A1 (ja) * 2016-03-14 2018-08-30 三井金属鉱業株式会社 蛍光体
KR102100213B1 (ko) 2016-03-14 2020-04-13 미쓰이금속광업주식회사 형광체
US11292964B2 (en) 2016-03-14 2022-04-05 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Phosphor
KR20180098660A (ko) * 2016-03-14 2018-09-04 미쓰이금속광업주식회사 형광체
JP2020505787A (ja) * 2017-01-13 2020-02-20 ユーハ ランタラＲＡＮＴＡＬＡ， Ｊｕｈａ Ｌｅｄ構造及び連続消毒用照明器具
JP7227922B2 (ja) 2017-01-13 2023-02-22 カリクスピュア インコーポレイテッド Ｌｅｄ構造及び連続消毒用照明器具

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