JPWO2017159175A1 - 蛍光体 - Google Patents
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Abstract
Description
また、光干渉断層画像装置(OCT)は、近赤外光を用いるために、一般的なX線断層撮影よりも生体損傷性が低いばかりか、断層撮影画像の空間分解能に優れている。
また、シリコンを用いた太陽電池や太陽光発電装置において、シリコンは近赤外領域の光応答性が最も高いため、仮に可視光を近赤外光に変換することができれば、発電効率をより一層高めることができる。
近赤外蛍光体に関しては、従来、例えば特許文献1(特開2008−185378号公報)において、OCT装置に用いる赤外ガラス蛍光体として、Yb2O3及びNd2O3を含み、さらにBi2O3及びB2O3からなるガラスを含有し、青色光で励起する近赤外発光蛍光体が開示されている。
また、特許文献2(特表2004−526330号公報)には、遷移金属イオンをドープしたガラス−セラミック材料で近赤外光励起される近赤外発光体が開示され、OCT装置への利用が提案されている。
また、現在普及している近赤外LEDをみても、同様に発光強度は高いものの、励起スペクトル及びスペクトルがシャープであるために、異なる波長のLEDを複数組み合わせないと、近赤外領域をカバーすることが十分にできないという課題を抱えていた。
このように、近赤外蛍光体については、可視光での幅広い帯域で励起されてブロードな蛍光スペクトルを発光すると共に、近赤外光を高強度で発光できる近赤外蛍光体の開発が望まれていた。
また、本発明は、CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=26〜27゜に現れる最大ピークの回折強度Bに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/B)が1.70以上であることを特徴とする蛍光体を提案する。
さらにまた、CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27〜27.5゜に現れる最大ピークの回折強度Cに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/C)が3.50以上であることを特徴とする蛍光体を提案する。
さらにまた、本発明は、CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27.5〜28.5゜に現れる最大ピークの回折強度Dに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/D)が9.00以上であることを特徴とする蛍光体を提案する。
さらにまた、本発明は、CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=39.5〜40.5゜に現れる最大ピークの回折強度Eに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/E)が5.00以上であることを特徴とする蛍光体を提案する。
本実施形態の一例に係る蛍光体(「本蛍光体」と称する)は、Ca、Cu及びSiを含有する酸化物であり、且つ、前記元素の含有モル比が0.15≦Ca/Si<0.25、及び、0.13≦Cu/Si<0.25であるのが好ましい。
かかる観点から、本蛍光体のCa/Siは、0.15以上0.25未満であるのが好ましく、中でも0.17以上或いは0.23以下であるのがより好ましく、その中でも特に0.18以上或いは0.21以下であるのがさらに好ましい。
かかる観点から、本蛍光体のCu/Siは、0.13以上0.25未満であるのが好ましく、中でも0.17以上或いは0.23以下であるのがより好ましく、その中でも特に0.18以上或いは0.21以下であるのがさらに好ましい。
本蛍光体が当該平面4配位構造からなる結晶相を有する、特に主結晶相として有すれば、可視光を強く吸収することができ、また可視光の吸収によって励起された電子が基底状態に戻る際に近赤外光としてエネルギーを放射するようになるため、好ましい。
この際、CaCuSi4O10結晶相を主結晶相として有するか否かは、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、CaCuSi4O10結晶相に由来する回折ピークの最大強度が、他のいずれの結晶相に由来する回折ピークの最大強度よりも大きいか否かで判断することができる。
本蛍光体がSiO2の結晶相を有することで、励起光の散乱を防ぎ、より一層高い蛍光スペクトル強度を得ることができる。
Cuの一部がMg及びZnのうちの1種又は2種で置換されていても、Cuの局所構造(CuO4)の発光を阻害しないと考えられるからである。さらに、結晶相内に局所構造としてMgO4やZnO4が形成されることで、隣接するCuO4同士による発光の自己吸収を防ぐため、量子効率の改善が期待できる。
本蛍光体は、Li、Na、K、B、P、F、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる一種又は二種以上の元素を含有する成分を含んでいてもよい。この際、これらの元素の含有量は、0.005〜3質量%であるのが好ましく、中でも0.008質量%以上或いは2質量%以下、その中でも0.01質量%以上或いは1質量%以下であるのが特に好ましい。
本蛍光体がこれらの元素を適量に含むと、結果的に発光ピーク強度を高めることができることを期待することができる。
なお、上記元素は、例えば本蛍光体を製造する際の焼結助剤の一部として、反応促進や焼結の促進又は抑制を目的として添加されて、本蛍光体に含有される場合を想定することができる。
本蛍光体においては、CuKα線を用いた粉末X線回折測定装置(XRD)で測定して得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=26〜27゜に現れる最大ピークすなわちCaCuSi4O10結晶格子の結晶面([104]面)に由来する回折ピークの回折強度Bに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークすなわちCaCuSi4O10結晶格子の結晶面([004]面)に由来する回折ピークの回折強度Aの比率(A/B)が1.70以上であるのが好ましい。
かかる範囲でCaCuSi4O10結晶相を含んでいれば、蛍光スペクトル強度を高めることができる。
かかる観点から、上記回折強度比率A/Bは、1.70以上であるのが好ましく、中でも1.90以上、その中でも2.00以上であるのがさらに好ましい。上記回折強度比率A/Bの上限は、経験的には4.50程度が好ましく、中でも4.00であるのが好ましい。
回折強度比率A/Bを調整するには、焼成時の温度と時間、フラックスの添加量などを適当な範囲に調整したり、Ca/SiやCu/Siのモル比を適当な範囲に調整したりすればよい。但し、これらの方法に限定されるものではない。
かかる範囲のCaCuSi4O10結晶相を含んでいれば、蛍光スペクトル強度を高めることができる。
かかる観点から、上記回折強度比率A/Cは3.50以上であるのが好ましく、中でも4.50以上、その中でも6.00以上であるのがさらに好ましい。上記回折強度比率A/Cの上限は、経験的には20.00程度が好ましく、中でも16.00であるのが好ましい。
回折強度比率A/Cを調整するには、焼成時の温度と時間、フラックスの添加量などを適当な範囲に調整したり、Ca/SiやCu/Siのモル比を適当な範囲に調整したりすればよい。但し、これらの方法に限定されるものではない。
かかる範囲のCaCuSi4O10結晶相を含んでいれば、蛍光スペクトル強度を高めることができる。
かかる観点から、上記回折強度比率A/Dは、9.00以上であるのが好ましく、中でも12.00以上、その中でも15.00以上であるのがさらに好ましい。上記回折強度比率A/Dの上限は、経験的には50.00程度が好ましく、中でも36.00であるのが好ましい。
回折強度比率A/Dを調整するには、焼成時の温度と時間、フラックスの添加量などを適当な範囲に調整したり、Ca/SiやCu/Siのモル比を適当な範囲に調整したりすればよい。但し、これらの方法に限定されるものではない。
かかる範囲のCaCuSi4O10結晶相を含んでいれば、蛍光スペクトル強度を高めることができる。
かかる観点から、上記回折強度比率A/Eは、5.00以上であるのが好ましく、中でも6.00以上、その中でも6.50以上であるのがさらに好ましい。上記回折強度比率A/Eの上限は、経験的には20.00程度が好ましく、中でも13.00であるのが好ましい。
回折強度比率A/Eを調整するには、焼成時の温度と時間、フラックスの添加量などを適当な範囲に調整したり、Ca/SiやCu/Siのモル比を適当な範囲に調整したりすればよい。但し、これらの方法に限定されるものではない。
本蛍光体は、薄膜状、板状、粒子状、などその態様には制限されない。ただし、用いられる発光素子搭載装置や印刷物などへの加工性の点から粒子状であることが好ましい。
本蛍光体は、次の製造方法によって製造することができる。但し、本蛍光体の製造方法が、次に説明する製造方法に限定されるものではない。
Cu原料としては、Cuの酸化物、炭酸塩、硫酸塩、金属などを挙げることができる。
Si原料としては、Siの酸化物、炭化物、窒化物、ケイ素などを挙げることができる。
なお、還元剤は、Cuの酸化数を2価に保つ観点から添加しない方が好ましい。
また、Cu原料とSi原料との配合割合(モル比)は、1:3〜1:7であるのが好ましく、中でも1:4〜1:6、その中でも1:4.5〜1:5.5であるのが特に好ましい。
CaCuSi2O6で示される結晶相を主結晶相とする場合に比べて、Si原料の配合比率が多い点が、本蛍光体の製造方法の特徴の一つである。但し、後述する実施例5のように、後工程で酸洗浄が入る場合など、Si原料の配合比を量論比(Ca:Si=1:4)より少なくしてもよい場合もある。
フラックスとしては、例えばLi、Na、K、B、P、F、Cl、Br及びIからなる群から選ばれる一種又は二種以上の元素を含むフラックスを挙げることができる。中でも、Li、Na、K、B、F、Clなどは特に好ましい。
フラックスの配合量(質量割合)は、Ca原料とCu原料とSi原料を混合した総重量に対して0.01〜15%であるのが好ましく、特に0.5%以上或いは10%以下、その中でも特に2%以上或いは7%以下であるのがより一層好ましい。
焼成温度は700〜1100℃とすることが好ましい。700℃以上であれば反応が進みやすい一方、1100℃以下であれば融解を抑制しやすいからである。また焼成温度は950℃以上とすることがさらに好ましい。950℃以上であれば、焼成後のCa/Siのモル比を、Cu/Siのモル比より大きくしやすいからである。
さらに、1回目の焼成後に水や塩酸などの酸性溶液で焼成粉を洗浄した後に、2回目の焼成を行うこともできる。こうすることで、各焼成段階により適した焼結助剤の配合量に調整することができ、最終製品である本蛍光体に含有するLi、Na、K、B、P、F、Cl、Br及びIの元素量もより最適な範囲に制御しやすくなる。
本蛍光体の好ましい実施態様においては、エネルギーの強い波長域(450〜750nm)の可視光で励起されることが特徴である。より効率的な発光のためには500〜700nmの可視光、特に580〜660nmの可視光で励起させることが好ましい。本蛍光体は、上記波長域、特に波長域全域において励起強度が大きいことが好ましい。
本蛍光体は好ましい実施形態において、蛍光スペクトルの半値幅が100nmを超える(図1においては125nm)という特徴も有している。
このように、本蛍光体は、幅広い帯域の可視光によって励起されてブロードな蛍光スペクトルを発光すると共に、近赤外光を高強度で発光することができる
本蛍光体は、可視光によって励起され、近赤外光を発光することができるから、近赤外発光素子に用いることができる。
例えば本蛍光体を、630nmに発光ピークを有する赤色LEDと組み合わせれば、エネルギー効率の優れた近赤外LED光源を提供できる。また、汎用の白色LEDや青色LED、緑色LED等と組み合わせて利用することもできる。
また、本蛍光体は、近赤外分光測定装置、光干渉断層画像装置(OCT)などの発光素子搭載装置に搭載される発光素子を構成する蛍光体として、太陽光発電装置などの受光素子搭載装置に搭載される受光素子を構成する波長変換材料として好適に用いることができる。この際、近赤外光源を小型化して内視鏡と組み合わせることができれば、眼や口腔など限定的であった光干渉断層画像(OCT)法の診断対象がより広がる可能性がある。
分光測定装置においては、本蛍光体は近赤外光源の波長変換材料として搭載される。
太陽光分光測定装置においては、本蛍光体を受光側の波長変換材料として搭載することができる。特に、シリコン製フォトダイオードを用いた受光素子は、近赤外光の800〜1000nmの波長域で高い分光感度を持つことが知られており、本蛍光体の近赤外発光のピーク波長域である900〜950nmとのマッチング性に優れ波長変換材料として好適である。
本明細書において「X〜Y」(X,Yは任意の数字)と表現する場合、特にことわらない限り「X以上Y以下」の意と共に、「好ましくはXより大きい」或いは「好ましくはYより小さい」の意も包含する。
また、「X以上」(Xは任意の数字)或いは「Y以下」(Yは任意の数字)と表現した場合、「Xより大きいことが好ましい」或いは「Y未満であることが好ましい」旨の意図も包含する。
実施例及び比較例で得られた蛍光体(サンプル)を粉末X線回折測定(XRD)用のサンプルとし、このサンプルをホルダーに装着し、MXP18(ブルカー・エイエックスエス(株)社製)を使用し、下記条件で回折線の角度と強度を測定し、XRDパターンを得た。
(管電圧)40kV
(管電流)150mA
(サンプリング間隔)0.02°
(スキャンスピード)4.0°/min
(開始角度)5.02°
(終了角度)80°
実施例及び比較例で得られた蛍光体(サンプル)を発光特性測定用のサンプルとし、分光蛍光光度計(日本分光(株)社製 FP−8700)を用いて、励起側と蛍光側のバンド幅はともに10nm、走査速度1000nm/minの条件で、励起スペクトル及び蛍光スペクトルを測定した。蛍光スペクトルの励起波長は625nmとし、励起スペクトルのモニター波長は各サンプルの蛍光スペクトルの極大発光波長(ピーク波長)とした。
そして、表1に示すように、比較例1のサンプルの蛍光スペクトルのピーク強度を1.0として、各サンプルの蛍光スペクトルのピーク強度を相対発光強度として示した。
炭酸Ca、塩基性炭酸Cu及び二酸化Siを、モル比で0.80:0.80:4.0となるように混合し、更にフラックスとして炭酸Naを前記混合物に対し5質量%となる量を加えて混合した。この混合物をアルミナ坩堝に入れて大気中で、850℃×12時間仮焼し、仮焼後に乳鉢で解砕した後、大気中で1000℃×3時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
得られた蛍光体(サンプル)は、1つのCu2+イオンの周りに4つのO2−イオンが結合した平面4配位構造からなるCaCuSi4O10の結晶相を主結晶相とし、その他の結晶相としてSiO2相を有する化合物であった。
この化合物中に含まれるNa量は1.7質量%であった。Na量の測定には、誘導結合プラズマ発光分光分析法(以下、ICPと称する)を用いた(後述する実施例でも同様)。
炭酸Ca、塩基性炭酸Cu及び二酸化Siを、モル比で0.85:0.80:4.0となるように混合し、更にフラックスとして四ホウ酸Naを前記混合物に対し5質量%となる量を加えて混合した。この混合物をアルミナ坩堝に入れて大気中で、850℃×16時間仮焼し、仮焼後に乳鉢で解砕した後、酸素雰囲気で1000℃×3時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
この化合物中に含まれるNa量は1.5質量%であった。
炭酸Ca、酸化Cu(II)及び二酸化Siを、モル比で0.75:0.75:4.0となるように混合し、更にフラックスとして塩化Naを前記混合物に対し5質量%となる量を加えて混合した。この混合物をアルミナ坩堝に入れて大気中で、850℃×8時間仮焼し、仮焼後に乳鉢で解砕した後、大気中で1000℃×3時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
この化合物中に含まれるNa量は1.6質量%であった。
炭酸Ca、酸化Cu(II)、二酸化Siを、モル比で0.95:0.80:4.0となるように混合し、更にフラックスとして塩化Naを前記混合物に対し5質量%となる量を加えて混合した。この混合物をアルミナ坩堝に入れて大気中で、1000℃×12時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
得られた蛍光体(サンプル)は、前記CaCuSi4O10の結晶相を主結晶相とし、その他の結晶相としてSiO2相を有する化合物であった。
この化合物中に含まれるNa量は1.6質量%であった。
炭酸Ca、塩基性炭酸Cu及び二酸化Siを、モル比で1.0:1.0:4.0となるように混合し、更にフラックスとして四ホウ酸Naを前記混合物に対し5質量%となる量を加えて混合した。
この混合物をアルミナ坩堝に入れて大気中で、850℃×4時間仮焼した。仮焼後に0.1mol/Lの希塩酸水溶液中で2時間撹拌洗浄し、ろ過乾燥した後に、アルミナ坩堝に入れて大気中で、1000℃×3時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
この化合物中に含まれるNa量は0.05質量%であった。
炭酸Ca、塩基性炭酸Cu及び二酸化Siを、モル比で1.0:1.0:4.0となるように混合し、アルミナ坩堝に入れて大気中で、850℃×16時間焼成して蛍光体(サンプル)を得た。
この化合物中に含まれるNa量は1.0質量%であった。
図1は、実施例1及び比較例1で得られた蛍光体(サンプル)の励起スペクトルと蛍光スペクトルを示した図であり、比較例1の場合は、縦軸の励起強度と蛍光強度の最大値を1とした場合の相対強度値で示し、実施例1の場合は、比較例1に対する相対強度値で示したものである。
このように、実施例1〜5で得られた蛍光体(サンプル)はいずれも、少なくとも450〜750nmの可視光で励起され、且つ、少なくとも800〜1200nmの近赤光を放射する特徴を有しており、表1で示すように、比較例1に比べて、相対発光強度が大きいことが確認された。すなわち、実施例1〜5で得られた蛍光体はいずれも、幅広い帯域の可視光によって励起されてブロードな蛍光スペクトルを発光すると共に、近赤外光を高強度で発光することができることが確認された。
Claims (19)
- Ca、Cu及びSiを含有する酸化物であり、且つ、前記元素の含有モル比が0.15≦Ca/Si<0.25、及び、0.13≦Cu/Si<0.25であることを特徴とする蛍光体。
- 少なくとも450〜750nmの可視光で励起され、且つ、少なくとも800〜1200nmの近赤光を放射することを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。
- 1つのCu2+イオンの周りに4つのO2−イオンが結合した平面4配位構造からなる結晶相を有する請求項1又は2に記載の蛍光体。
- 前記結晶相はCaCuSi4O10からなる結晶相であるとともに、当該結晶相が主結晶相であることを特徴とする請求項3に記載の蛍光体。
- SiO2からなる結晶相を有することを特徴とする請求項4に記載の蛍光体。
- 希土類元素を含まないことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の蛍光体。
- 前記Ca/Siは、前記Cu/Siより大きいことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の蛍光体。
- CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=26〜27゜に現れる最大ピークの回折強度Bに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/B)が1.70以上であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の蛍光体。
- CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27〜27.5゜に現れる最大ピークの回折強度Cに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/C)が3.50以上であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の蛍光体。
- CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27.5〜28.5゜に現れる最大ピークの回折強度Dに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/D)が9.00以上であることを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の蛍光体。
- CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=39.5〜40.5゜に現れる最大ピークの回折強度Eに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/E)が5.00以上であることを特徴とする請求項1〜10の何れかに記載の蛍光体。
- CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、
CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=26〜27゜に現れる最大ピークの回折強度Bに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/B)が1.70以上であることを特徴とする蛍光体。 - CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、
CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27〜27.5゜に現れる最大ピークの回折強度Cに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/C)が3.50以上であることを特徴とする蛍光体。 - CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、
CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=27.5〜28.5゜に現れる最大ピークの回折強度Dに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/D)が9.00以上であることを特徴とする蛍光体。 - CaCuSi4O10からなる結晶相を主結晶相として有する酸化物であり、
CuKα線を用いた粉末X線回折測定(XRD)で得られるXRDパターンにおいて、回折角2θ=39.5〜40.5゜に現れる最大ピークの回折強度Eに対する、回折角2θ=23〜24゜に現れる最大ピークの回折強度Aの比率(A/E)が5.00以上であることを特徴とする蛍光体。 - 請求項1〜15の何れかに記載の蛍光体を備えた近赤外発光素子。
- 請求項16に記載の近赤外発光素子を備えた装置。
- 請求項1〜15の何れかに記載の蛍光体を含有する蛍光塗料。
- 請求項18に記載の蛍光塗料を用いた蛍光体印刷物。
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