CN100442553C - 发光元件 - Google Patents

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Abstract

本发明是关于一种发光元件，包括基材、多个配置在基材上的电极、用以发出光线且配置于其中一电极上的发光二极管、用以改变光线波长的磷光体，且磷光体实质上是至少覆盖住部分的发光二极管，以及用以将发光二极管连接至其他电极的导电元件。磷光体可包括铝酸盐型态的化合物、铅及/或铜掺杂的硅酸盐、铅及/或铜掺杂的锑酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、铅及/或铜掺杂的磷酸盐，或前述材料的任意组合。

Description

发光元件
技术领域
本发明涉及一种发光元件，特别是涉及一种包括至少发光二极管及磷光体的发光元件，前述的磷光体包括铅及/或铜掺杂的化合物以改变光线的波长。
背景技术
以往用以使用在电子元件中的发光元件(发光二极管)目前已被使用在汽车以及照明产品上。由于发光元件具有优越的电性与结构特性，因此发光元件的需求已逐渐增加。相较于磷光灯(fluorescent lamps)与白热灯(incandescent lamps)，白光发光二极管(white LEDs)已受到相当大的关注。
在发光二极管技术中，已有多种实现白光的方法被提出。一般实现白光发光二极管的技术是将磷光体置于发光二极管上，并且使发光二极管所发出的主光线(primary emission)与用以改变波长的磷光体所发出的二次光线(secondary emission)混合。举例而言，如WO 98/05078与WO 98/12757中所述，其是使用一个能够发出波长波峰(peak wavelength)介于450-490纳米之间的蓝光发光二极管以及镱铝石榴石材料(YAG group material)，前述的镱铝石榴石材料能够吸收蓝光发光二极管，并且发出淡黄色光线(大部分)，此淡黄色光线的波长不同于其所吸收的光线的波长。
然而，在上述常用的白光发光二极管中，其色温范围很狭窄，约介于6,000K-8,000K之间，且其现色指数(Color Rendering Index，CRI)约介于60至75之间。因此，很难制造出色座标与色温与可见光(visible light)相似的白光发光二极管。这也是仅能实现寒冷感觉(cold feeling)的白色光的原因之一。此外，使用于白光发光二极管中的磷光体在水、蒸气或极性溶剂中通常不稳定，且此不稳定性可能会导致白光发光二极管的发光特性改变。
由此可见，上述现有的发光元件在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决发光元件存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。
有鉴于上述现有的发光元件存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的发光元件，能够改进一般现有的发光元件，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，为了达到前述发明目的，本发明的主要技术内容如下：
本发明是提供一种波长转换型发光元件(wavelength conversionLED)。在本发明一实施例中，是提供一种发光元件。此发光元件包括基材、多个配置在基材上的电极、用以发出光线且配置于其中一电极上的发光二极管、用以改变光线波长的磷光体，且磷光体实质上是至少覆盖住部分的发光二极管，以及用以将发光二极管连接至其他电极的导电元件。
在本发明另一实施例中，发光元件包括多个接脚、配置于其中一接脚末端的二极管支架(diode holder)、配置于二极管支架内且包括多个电极的发光二极管、用以改变光线波长的磷光体，且磷光体实质上是至少覆盖住部分的发光二极管，以及用以将发光二极管连接至其他电极的导电元件。
在本发明另一实施例中，发光元件包括壳体、至少部分配置于壳体内的散热器、配置在散热器上的导线架、配置在其中一导线架上的发光二极管、用以改变光线波长的磷光体，且磷光体实质上是至少覆盖住部分的发光二极管，以及用以将发光二极管连接至其他导线架的导电元件。
本实施例的磷光体可包括铝酸盐型态的化合物、铅及/或铜掺杂的硅酸盐、铅及/或铜掺杂的锑酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、铅及/或铜掺杂的磷酸盐，或前述材料的任意组合。本实施例亦提供磷光体的分子式。
经由上述可知，本发明是关于一种发光元件，包括基材、多个配置在基材上的电极、用以发出光线且配置于其中一电极上的发光二极管、用以改变光线波长的磷光体，且磷光体实质上是至少覆盖住部分的发光二极管，以及用以将发光二极管连接至其他电极的导电元件。磷光体可包括铝酸盐型态的化合物、铅及/或铜掺杂的硅酸盐、铅及/或铜掺杂的锑酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、铅及/或铜掺杂的磷酸盐，或前述材料的任意组合。
综上所述，本发明特殊结构的发光元件，具有上述诸多的优点及实用价值，并在同类产品中未见有类似的结构设计公开发表或使用而确属创新，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有较大的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的发光元件具有增进的多项功效，从而更加适于实用，而具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是依照本发明一实施例晶片型态的发光元件封装体的侧向剖面图。
图2是依照本发明一实施例顶盖型态的发光元件封装体的侧向剖面图。
图3是依照本发明一实施例灯体型态的发光元件封装体的侧向剖面图。
图4是依照本发明一实施例高功率发光元件封装体的侧向剖面图。
图5是依照本发明另一实施例高功率发光元件封装体的侧向剖面图。
图6是依照本发明一实施例具有发光材料的发光元件的发光频谱。
图7是依照本发明另一实施例具有发光材料的发光元件的发光频谱。
1：基材                        2：导线
3：磷光体(物质)                5：电极
6、7：发光二极管               9：导电胶
10：密封材料                   31：反射器
40：晶片型态的发光元件封装体   50：顶盖型态的发光元件封装体
51、52：接脚                   53：二极管支架
60：灯体型态的发光元件         61、62、71：散热器
63、73：壳体                   64、74：导线架
70、80：发光元件
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的发光元件其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
请参照所附图式，本发明将对波长转换型发光元件进行详细的说明，且为了易于说明，将分别针对发光元件以及磷光体进行说明如下。
(发光元件)
图1是本发明一实施例晶片型态发光元件封装体的侧向剖面图。晶片型态发光元件封装体包括至少一发光二极管以及一磷光物质(phosphorescent substance)。电极5是形成于基材1的两侧。用以发出光线的发光二极管6是配置在其中一个电极5上。发光二极管6是藉由导电胶9而配置在电极5上。发光二极管6的一个电极是藉由导线2与电极5连接。
发光二极管适于发出具有大波长范围的光线，例如，从紫外光到可见光的波长范围。在本发明的一实施例中，可使用紫外光发光二极管及/或蓝光发光二极管。
磷光体，即磷光物质3是配置在发光二极管6的顶面与侧面上。本发明的磷光体3包括铅及/或铜掺杂的铝酸盐型态的化合物、铅及/或铜掺杂的硅酸盐、铅及/或铜掺杂的锑酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、铅及/或铜掺杂的磷酸盐、或前述材料的任意组合。磷光体3可将发光二极管6所发出的光线的波长转换为另一波长或其他波长。在本发明一实施例中，转换后的光线是位于可见光的波长范围内。在磷光体3与硬化树脂混合后，磷光体3可运用至发光二极管6中。在磷光体3与导电胶9混合之后，包含有磷光体3的硬化树脂亦可运用在发光二极管6的底部。
配置在基材1上的发光二极管6可藉由一或多种密封材料10进行密封的动作。磷光体3是配置在发光二极管6的顶面及侧面上。磷光体3亦可在制造过程中分布于硬化的密封材料中。上述的制造方法是揭露于美国专利US 6,482,664，其所有内容于此一同并入参考。
磷光体3包括铅及/或铜掺杂的化合物。磷光体3包括一种或多种单一化合物。前述的单一化合物的发光波峰(emission peak)例如是介于约440纳米至约500纳米之间、约500纳米至约590纳米之间，或是约580纳米至700纳米之间。磷光体3包括一种或多种磷光体，其具有上述的发光波峰。
关于发光元件40，当发光二极管6接收到电源供应器所提供的电源时，发光二极管6会发出主光线。之后，主光线会激发磷光体3，而磷光体3会使主光线转换为较长波长的光线(二次光线)。从发光二极管6所发出的主光线与从磷光体3所发出的二次光线扩散并混合在一起，以使发光二极管6发出特定颜色的可见光频谱。在本发明一实施例中，可将一个以上具有不同发光波峰的发光二极管配置在一起。此外，若适当地调整磷光体的混合比例，本发明可获得特定的色光、色温以及现色指数(CRI)。
承上所述，若可适当地控制发光二极管6与磷光体3内所包含的化合物，即可获得想要的色温或特定的色座标，特别是在大范围的色温，例如从约2,000K至约8,000K或约10,000K之间，及/或现色指数约大于90。因此，本发明的发光元件可使用于家电、立体声音响、电信元件，以及内/外展览显示器等电子元件中。由于本发明的发光元件可提供与可见光相似的色温与现色指数，因此本发明的发光元件亦可使用于汽车与照明产品中。
图2是本发明一实施例顶盖型态的发光元件封装体的侧向剖面图。本发明的顶盖型态的发光元件封装体与图1中的晶片型态的发光元件封装体40具有相似的结构。顶盖型态的发光元件封装体50具有反射器31，其可将发光二极管6所发出的光线反射至特定方向。
在顶盖型态的发光元件封装体50中，可配置一个以上的发光二极管。每一个发光二极管具有与其他发光二极管不同的波长波峰。磷光体3包括多个具有不同发光波峰的单一化合物。前述各种化合物的比例可经过适当的控制。前述的磷光体3可应用于发光二极管及/或均匀地分布于反射器31的硬化材料中。以下将进行更详细的说明，本发明的磷光体包括铅及/或铜掺杂的铝酸盐型态的化合物、铅及/或铜掺杂的硅酸盐、铅及/或铜掺杂的锑酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐、铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、铅及/或铜掺杂的磷酸盐，或前述材料的任意组合。
在本发明的一实施例中，图1与图2中的发光元件包括一具有良好导热性的金属基材。此发光元件可轻易地将发光二极管所发出的热散去。因此，可制造出高功率的发光元件。若提供散热器于金属基材之下，可更有效率地将发光二极管所发出的热散去。
图3是为依照本发明一实施例灯体型态的发光元件封装体的侧向剖面图。灯体型态的发光元件60具有一对接脚51、52以及配置于其中一接脚末端的二极管支架53。二极管支架53具有如杯子的形状，且一个或多个发光二极管6是配置于二极管支架53中。当多个发光二极管配置于二极管支架53中时，每一个发光二极管53具有与其他发光二极管不同的波长波峰。发光二极管6的电极例如是通过导线2而与接脚52连接。
一定体积且混合于环氧树脂中的磷光体是配置在二极管支架53上。以下将进行更详细的说明，磷光体3例如包括铅及/或铜掺杂的化合物。
此外，二极管支架上例如配置有发光二极管6，且磷光体3例如是藉由硬化材料，如环氧树脂或硅树脂(silicon resin)进行密封。
在本发明一实施例中，灯体型态的发光元件60可具有一对以上的接脚。
图4是为依照本发明一实施例高功率发光元件封装体的侧向剖面图。散热器71是配置于高功率发光元件70的壳体73内，且散热器71是部分暴露于外界。一对导线架74是从壳体73突出。
一个或多个发光二极管是配置于其中一导线架74，且发光二极管6的电极例如是藉由导线与另一导线架74连接。导电胶9是配置于发光二极管6与导线架74之间。磷光体3则是配置在发光二极管6的顶面与侧面上。
图5是为依照本发明另一实施例高功率发光元件封装体的侧向剖面图。
高功率发光元件80具有壳体63，以容纳发光二极管6，7、配置于发光二极管6，7的顶面与侧面的磷光体3、一个或多个散热器61，62，以及一个或多个导线架64。导线架64可用以接收电源供应器所提供的电源，且导线架64是从壳体63突出。
在图7与图8的高功率发光元件70，80中，磷光体3可添加至配置于散热器与发光元件之间的胶体中。此外，本发明可将透镜与壳体63，73结合。
在本发明的高功率发光元件中可选择性地使用一个或多个发光二极管，且磷光体可依照发光二极管而进行调整。以下将进行更详细的说明，磷光体包括铅及/或铜掺杂的化合物。
本发明的高功率发光元件例如可具有冷却器(图中未示)及/或散热器。本发明可使用空气或风扇对冷却此冷却器。
本发明的发光元件并不限定于前述的结构，这些结构可根据发光二极管的特性、磷光体的特性，以及光线的波长作适当的修改。此外，尚可增加新的部件于前述的结构中。
本发明中，用以举例的磷光体是说明如下。
(磷光体)
本发明的磷光体包括铅及/或铜掺杂的化合物。磷光体可藉由紫外光及/或可见光，例如蓝光，来激发。化合物包括铝酸盐、硅酸盐、锑酸盐、锗酸盐、锗酸盐-硅酸盐，或磷酸盐型态的化合物。
铝酸盐型态的化合物可包括具有分子式(1)、分子式(2)，及/或分子式(5)的化合物。
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dAl2O3·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’oOp)·h(M”””xOy)……(1)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为一个或多个一价元素(monovalent elements)，如Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M”’可为一个或多个二价元素(divalent elements)，如Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M””可为一个或多个三价元素(trivalent element s)，如Sc、B、Ga、In，及/或前述材料的任意组合；M””’可为Si、Ge、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W、Mo，及/或前述材料的任意组合；M”””可为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，及/或前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及/或前述材料的任意组合；0＜a≤2；0≤b≤2；0≤c≤2；0≤d≤8；0＜e≤4；0≤f≤3；0≤g≤8；0＜h≤2；1≤o≤2；1≤p≤5；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·4-a-b-c(M”’O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M””xOy)……(2)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为一个或多个一价元素，如Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M”’可为一个或多个二价元素，如Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M””可为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、In、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，及前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及前述材料的任意组合；0＜a≤4；0≤b≤2；0≤c≤2；0≤d≤1；0≤e≤1；0≤f≤1；0≤g≤1；0＜h≤2；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
铜与铅掺杂发光材料的制备例如为一基础固态反应(basic solidreaction)。本发明可使用没有任何杂质的纯原材(starting materials)，例如铁。任何能够藉由加热制程转换为氧化物的原材皆可用以形成富氧的磷光体(oxygen dominated phosphors)。
制备的例子：
具有分子式(3)的发光材料的制备方法。
Cu0.02Sr3.98Al14O25:Eu    ……(3)
原材：CuO、SrCO3.Al(OH)3、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)、氢氧化物(hydroxides)，及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如H3BO3等，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约1小时，其是在温度约为1,200℃的条件下进行。在搅拌预烧制材料(pre-fired materials)之后，接着进行第二阶段烧制约4小时，其是于减压环境以及温度约为1,450℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为494纳米。
表1：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的Eu2+-活化铝酸盐与未经铜掺杂的Eu2+-活化铝酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.02</sub>Sr<sub>3.98</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu   Sr<sub>4</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu
  发光密度(％)   103.1   100
  波长(纳米)   494   493
具有分子式(4)的发光材料的制备方法。
Pb0.05Sr3.95Al14O25:Eu    ……(4)
原材：PbO、SrCO3、Al2O3、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)、碳酸盐(carbonates)等型态的原材，或其他能够热分解为氧化物的组成物可藉由少量的助焊剂(flux)，例如H3BO3等，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约1小时，其是于空气中以及温度约为1,200℃的条件下进行。在搅拌预烧制材料(pre-firedmaterials)之后，接着进行第二阶段烧制，其是于空气中以及温度约为1,450℃的条件下烧制约2小时，再于减压环境下烧制约2小时。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为494.5纳米。
表2：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐与未经铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐的比较。
  铅掺杂化合物   无铅化合物
  Pb<sub>0.05</sub>Sr<sub>3.95</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu   Sr<sub>4</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu
  发光密度(％)   101.4   100
  波长(纳米)   494.5   493
表3：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的铝酸盐的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Cu<sub>0.5</sub>Sr<sub>3.5</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu   360-430   101.2   495   493
  Cu<sub>0.02</sub>Sr<sub>3.98</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>2</sub><sub>5</sub>:Eu   360-430   103.1   494   493
  Pb<sub>0.05</sub>Sr<sub>3.95</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu   360-430   101.4   494.5   493
  Cu<sub>0.01</sub>Sr<sub>3.99</sub>   360-430   103   494   492
  Al<sub>13.995</sub>Si<sub>0.005</sub>O<sub>25</sub>:Eu
  Cu<sub>0.01</sub>Sr<sub>3.395</sub>Ba<sub>0.595</sub>Al<sub>14</sub>O<sub>25</sub>:Eu，Dy 360-430 100.8 494 493
  Pb<sub>0.05</sub>Sr<sub>3.95</sub>Al<sub>13.95</sub>Ga<sub>0.05</sub>O<sub>25</sub>:Eu   360-430   101.5   494   494
a(M’O)·b(M”O)·c(Al2O3)·d(M”’2O3)·e(M””O2)·f(M””’xOy)……(5)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M”’可为B、Ga、In，及/或前述材料的任意组合；M””可为Si、Ge、Ti、Zr、Hf，及/或前述材料的任意组合；M””’可为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，及/或前述材料的任意组合；0＜a≤1；0≤b≤2；0＜c≤8；0≤d≤1；0≤e≤1；0＜f≤2；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
制备的例子：
具有分子式(6)的发光材料的制备方法。
Cu0.05Sr0.95Al1.9997Si0.0003O4:Eu    ……(6)
原材：CuO、SrCO3、Al2O3、SiO2、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如AlF3等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行烧制约3小时，其是于减压环境以及温度约为1,250℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为521.5纳米。
表4：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的Eu2+-活化铝酸盐与未经铜掺杂的Eu2+-活化铝酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.05</sub>Sr<sub>0.95</sub>Al<sub>1.9997</sub>Si<sub>0.0003</sub>O<sub>4</sub>:Eu   SrAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu
  发光密度(％)   106   100
  波长(纳米)   521.5   519
具有分子式(7)的发光材料的制备方法。
Cu0.12BaMg1.88Al16O27:Eu    ……(7)
原材：CuO、MgO、BaCO3、Al(OH)3.Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)、氢氧化物(hydroxides)，及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如AlF3等，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行烧制约2小时，其是于减压环境以及温度约为1,420℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为452纳米。
表5：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐与未经铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.12</sub>BaMg<sub>1.88</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu   BaMg<sub>2</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu
  发光密度(％)   101   100
  波长(纳米)   452   450
具有分子式(8)的发光材料的制备方法。
Pb0.1Sr0.9Al2O4:Eu    ……(8)
原材：PbO、SrCO3、Al(OH)3、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)、氢氧化物(hydroxides)，及/或碳酸盐(carbonates)等型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如H3BO3等，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于空气中以及温度约为1,000℃的条件下进行。在搅拌预烧制材料(pre-firedmaterials)之后，接着进行第二阶段烧制，其是于空气中以及温度约为1,420℃的条件下烧制约1小时，再于减压环境下烧制约2小时。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为521纳米。
表6：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐与未经铅掺杂的Eu2+-活化铝酸盐的比较。
  铅掺杂化合物   无铅化合物
  Pb<sub>0.1</sub>Sr<sub>0.9</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu   SrAl<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu
  发光密度(％)   102   100
  波长(纳米)   521   519
关于铜及/或铅掺杂的铝酸盐的结果是列于表7中。
表7：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的铝酸盐的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Cu<sub>0.05</sub>Sr<sub>0.95</sub>Al<sub>1.9997</sub>Si<sub>0.0003</sub>O<sub>4</sub>:Eu   360-440   106   521.5   519
  Cu<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.7995</sub>Li<sub>0.0005</sub>Al<sub>1.9</sub>Ga<sub>0.1</sub>O<sub>4</sub>:Eu，Dy 360-440 101.2 482 480
  Pb<sub>0.1</sub>Sr<sub>0.9</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu   360-440   102   521   519
  Cu<sub>0.05</sub>BaMg<sub>1.95</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu，Mn   360-400   100.5   451,515   450,515
  Cu<sub>0.12</sub>BaMg<sub>1.88</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu   360-400   101   452   450
  Cu<sub>0.01</sub>BaMg<sub>0.99</sub>Al<sub>10</sub>O<sub>17</sub>:Eu   360-400   102.5   451   449
  Pb<sub>0.1</sub>BaMg<sub>0.9</sub>Al<sub>9.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>O<sub>17</sub>:Eu，Dy   360-400   100.8   448   450
  Pb<sub>0.08</sub>Sr<sub>0.902</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu，Dy   360-440   102.4   521   519
  Pb<sub>0.2</sub>Sr<sub>0.8</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Mn   360-440   100.8   658   655
  Cu<sub>0.06</sub>Sr<sub>0.94</sub>Al<sub>2</sub>O<sub>4</sub>:Eu   360-440   102.3   521   519
  Cu<sub>0.05</sub>Ba<sub>0.94</sub>Pb<sub>0.06</sub>   360-440   100.4   451   449
  Mg<sub>0.95</sub>Al<sub>10</sub>O<sub>17</sub>:Eu
  Pb<sub>0.3</sub>Ba<sub>0.7</sub>Cu<sub>0.1</sub>Mg<sub>1.9</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu 360-400 100.8 452 450
  Pb<sub>0.3</sub>Ba<sub>0.7</sub>Cu<sub>0.1</sub>Mg<sub>1.9</sub>Al<sub>16</sub>O<sub>27</sub>:Eu，Mn 360-400 100.4 452,515 450,515
铅及/或铜掺杂的硅酸盐具有分子式(9)。
a(M’O)·b(M”O)·c(M”’X)·d(M”’2O)·e(M””2O3)·f(M””’oOp)·g(SiO2)·h(M”””xOy)    …(9)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M”’可为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M””可为Al、Ga、In，及/或前述材料的任意组合；M””’可为Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr、Hf，及/或前述材料的任意组合；M”””可为Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu，及/或前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及前述材料的任意组合；0＜a≤2；0＜b≤8；0≤c≤4；0≤d≤2；0≤e≤2；0≤f≤2；0≤g≤10；0＜h≤5；1≤o≤2；1≤p≤5；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
制备的例子：
具有分子式(10)的发光材料的制备方法。
Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4:Eu    ……(10)
原材：CuO、SrCO3.CaCO3、SiO2、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行烧制约1小时，其是于钝气环境(如N2或惰性气体)以及温度约为1,200℃的条件下进行。接着，搅拌此材料(pre-fired materials)。之后，接着进行烧制约2小时，其是于稍微减压的环境以及温度约为1,200℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为592纳米。
表8：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的Eu2+-活化硅酸盐与未经铜掺杂的Eu2+-活化硅酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.05</sub>Sr<sub>1.7</sub>Ca<sub>0.25</sub>SiO<sub>4</sub>:Eu   Sr<sub>1.7</sub>Ca<sub>0.3</sub>SiO<sub>4</sub>:Eu
  发光密度(％)   104   100
  波长(纳米)   592   588
具有分子式(11)的发光材料的制备方法。
Cu0.2Ba2Zn0.2Mg0.6Si2O7:Eu    ……(11)
原材：CuO、BaCO3、ZnO、MgO、SiO2、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
高纯度氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于减压环境以及温度约为1,100℃的条件下进行。接着，搅拌此材料(pre-fired materials)。之后，接着进行烧制约2小时，其是于减压的环境以及温度约为1,235℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为467纳米。
表9：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的Eu2+-活化硅酸盐与未经铜掺杂的Eu2+-活化硅酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.2</sub>Sr<sub>2</sub>Zn<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.6</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Eu   Sr<sub>2</sub>Zn<sub>2</sub>Mg<sub>0.6</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Eu
  发光密度(％)   101.5   100
  波长(纳米)   467   465
具有分子式(12)的发光材料的制备方法。
Pb0.1Ba0.95Sr0.95Si0.998Ge0.002O4:Eu    ……(12)
原材：PbO、SrCO3、BaCO3.SiO2、GeO2.Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
纯氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)等型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约1小时，其是于空气中以及温度约为1,000℃的条件下进行。在搅拌预烧制材料(pre-fired materials)之后，接着进行第二阶段烧制，其是于空气中以及温度约为1,220℃的条件下烧制约4小时，再在减压环境下烧制约2小时。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为527纳米。
表10：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的Eu2+-活化硅酸盐与未经铅掺杂的Eu2+-活化硅酸盐的比较。
  铅掺杂化合物   无铅化合物
  Pb<sub>0.1</sub>Ba<sub>0.95</sub>Sr<sub>0.95</sub>Si<sub>0.998</sub>Ge<sub>0.002</sub>O<sub>4</sub>:Eu   BaSrSiO<sub>4</sub>:Eu
  发光密度(％)   101.3   100
  波长(纳米)   527   525
具有分子式(13)的发光材料的制备方法。
Pb0.25Sr3.75Si3O8Cl4:Eu    ……(13)
原材：PbO、SrCO3、SrCl2、SiO2、Eu2O3，及前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)、氯化物(chlorides)，及/或碳酸盐(carbonates)等型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于空气中以及温度约为1,100℃的条件下进行。在搅拌预烧制材料(pre-fired materials)之后，接着进行第二阶段烧制，其是于空气中以及温度约为1,220℃的条件下烧制约4小时，再在减压环境下烧制约1小时。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为492纳米。
表11：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的Eu2+-活化氯硅酸盐(chlorosilicate)与未经铅掺杂的Eu2+-活化氯硅酸盐的比较。
  铅掺杂化合物   无铅化合物
  Pb<sub>0.25</sub>Sr<sub>3.75</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>8</sub>Cl<sub>4</sub>:Eu   Sr<sub>4</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>8</sub>Cl<sub>4</sub>:Eu
  发光密度(％)   100.6   100
  波长(纳米)   492   490
关于铜及/或铅掺杂的硅酸盐的结果是列于表12中。
表12：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的稀土活化硅酸盐(rare earthactivated silicates)的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Pb<sub>0.1</sub>Ba<sub>0.95</sub>Sr<sub>0.95</sub>Si<sub>0.998</sub>Ge<sub>0.002</sub>O<sub>4</sub>:Eu 360-470 101.3 527 525
  Cu<sub>0.02</sub>(Ba，Sr，Ca，Zn)<sub>1.98</sub>SiO<sub>4</sub>:Eu 360-500 108.2 565 560
  Cu<sub>0.05</sub>Sr<sub>1.7</sub>Ca<sub>0.25</sub>SiO<sub>4</sub>:Eu   360-470   104   592   588
  Cu<sub>0.05</sub>Li<sub>0.002</sub>Sr<sub>1.5</sub>Ba<sub>0.448</sub>SiO<sub>4</sub>:Gd，Eu 360-470 102.5 557 555
  Cu<sub>0.2</sub>Sr<sub>2</sub>Zn<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.6</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Eu   360-450   101.5   467   465
  Cu<sub>0.02</sub>Ba<sub>2.8</sub>Sr<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.98</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:Eu，Mn 360-420 100.8 440,660 438,660
  Pb<sub>0.25</sub>Sr<sub>3.75</sub>Si<sub>3</sub>O<sub>8</sub>Cl<sub>4</sub>:Eu   360-470   100.6   492   490
  Cu<sub>0.2</sub>Ba<sub>2.2</sub>Sr<sub>0.75</sub>Pb<sub>0.05</sub>Zn<sub>0.8</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:Eu 360-430 100.8 448 445
  Cu<sub>0.2</sub>Ba<sub>3</sub>Mg<sub>0.8</sub>Si<sub>1.99</sub>Ge<sub>0.01</sub>O<sub>8</sub>:Eu 360-430 101 444 440
  Cu<sub>0.5</sub>Zn<sub>0.5</sub>Ba<sub>2</sub>Ge<sub>0.2</sub>Si<sub>1.8</sub>O<sub>7</sub>:Eu   360-420   102.5   435   433
  Cu<sub>0.8</sub>Mg<sub>0.2</sub>Ba<sub>3</sub>Si<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:Eu，Mn   360-430   103   438,670   435,670
  Pb<sub>0.15</sub>Ba<sub>1.84</sub>Zn<sub>0.01</sub>Si<sub>0.99</sub>Zr<sub>0.01</sub>O<sub>4</sub>:Eu 360-500 101 512 510
  Cu<sub>0.2</sub>Ba<sub>5</sub>Ca<sub>2.8</sub>Si<sub>4</sub>O<sub>16</sub>:Eu   360-470   101.8   495   491
铅及/或铜掺杂的锑酸盐具有分子式(14)。
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·d(Sb2O5)·e(M”’O)·f(M””xOy)……(14)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M”’可为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M””可为Bi、Sn、Sc、Y、La、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Gd，及/或前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及/或前述材料的任意组合；0＜a≤2；0≤b ≤2；0≤c≤4；0＜d≤8；0≤e≤8；0≤f≤2；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
制备的例子：
具有分子式(15)的发光材料的制备方法。
Cu0.2Mg1.7Li0.2Sb2O7:Mn    ……(15)
原材：CuO、MgO、Li2O、Sb2O5、MnCO3，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是在温度约为985℃的条件下进行。在预烧制之后，可搅拌该预烧制的材料。接着进行第二阶段烧制约8小时，其是于含氧大气环境以及温度约为1,200℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为626纳米。
表13：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的锑酸盐与未经铜掺杂的锑酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.2</sub>Mg<sub>1.7</sub>Li<sub>0.2</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Mn   Mg<sub>2</sub>Li<sub>0.2</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Mn
  发光密度(％)   101.8   100
  波长(纳米)   652   650
具有分子式(16)的发光材料的制备方法。
Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6……(16)
原材：PbO、CaCO3、SrCO3.Sb2O5，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，并以化学当量比例(stoichiometric proportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是在温度约为975℃的条件下进行。在预烧制之后，可搅拌该预烧制的材料。接着进行第二阶段烧制，其是于空气中以及温度约为1,175℃的条件下烧制约4小时，再在含氧大气环境下烧制约4小时。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为637纳米。
表14：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的锑酸盐与未经铅掺杂的锑酸盐的比较。
  铅掺杂化合物   无铅化合物
  Pb<sub>0.006</sub>Ca<sub>0.6</sub>Sr<sub>0.394</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>   Ca<sub>0.6</sub>Sr<sub>0.4</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>
  发光密度(％)   102   100
  波长(纳米)   637   638
关于铜及/或铅掺杂的锑酸盐的结果是列于表15中。
表15：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的锑酸盐的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Pb<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.002</sub>Ca<sub>1.798</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>F<sub>2</sub>:Mn   360-400   102   645   649
  Cu<sub>0.15</sub>Ca<sub>1.845</sub>Sr<sub>0.005</sub>Sb<sub>1.998</sub>Si<sub>0.002</sub>O<sub>7</sub>:Mn 360-400 101.5 660 658
  Cu<sub>0.2</sub>Mg<sub>1.7</sub>Li<sub>0.2</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Mn   360-400   101.8   652   650
  Cu<sub>0.2</sub>Pb<sub>0.01</sub>Ca<sub>0.79</sub>Sb<sub>1.98</sub>Nb<sub>0.02</sub>O<sub>6</sub>:Mn 360-400 98.5 658 658
  Cu<sub>0.01</sub>Ca<sub>1.99</sub>Sb<sub>1.9995</sub>V<sub>0.0005</sub>O<sub>7</sub>:Mn   360-400   100.5   660   657
  Pb<sub>0.006</sub>Ca<sub>0.6</sub>Sr<sub>0.394</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>   360-400   102   637   638
  Cu<sub>0.02</sub>Ca<sub>0.9</sub>Sr<sub>0.5</sub>Ba<sub>0.4</sub>Mg<sub>0.18</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>7</sub>   360-400   102.5   649   645
  Pb<sub>0.198</sub>Mg<sub>0.004</sub>Ca<sub>1.798</sub>Sb<sub>2</sub>O<sub>6</sub>F<sub>2</sub>   360-400   101.8   628   630
铅及/或铜掺杂的锗酸盐，及/或锗酸盐-硅酸盐具有分子式(17)。
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dGeO2·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’oOp)·h(M”””xOy)……(17)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M”’可为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd，及/或前述材料的任意组合；M””可为Sc、Y、B、Al、La、Ga、In，及/或前述材料的任意组合；M””’可为Si、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W、Mo，及/或前述材料的任意组合；M”””可为Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy，及/或前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及/或前述材料的任意组合；0＜a≤2；0≤b≤2；0≤c≤10；0＜d≤10；0≤e≤14；0≤f  ≤14；0≤g  ≤10；0≤h  ≤2；1≤o≤2；1≤p≤5；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
制备的例子：
具有分子式(18)的发光材料的制备方法。
Pb0.004Ca1.99Zn0.006Ge0.8Si0.2O4:Mn    ……(18)
原材：PbO、CaCO3、ZnO、GeO2、SiO2、MnCO3，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)等型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于含氧大气环境中以及温度约为1,200℃的条件下进行。接着，搅拌该材料。之后，接着进行第二阶段烧制约2小时，其是于含氧大气环境中以及温度约为1,200℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为655纳米。
表16：在激发波长约为400纳米的情况下，铅掺杂的锰-活化锗酸盐与未经铅掺杂的锰-活化锗酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Pb<sub>0.004</sub>Ca<sub>1.99</sub>Zn<sub>0.006</sub>Ge<sub>0.8</sub>Si<sub>0.2</sub>O<sub>4</sub>:Mn   Ca<sub>1.99</sub>Zn<sub>0.01</sub>Ge<sub>0.8</sub>Si<sub>0.2</sub>O<sub>4</sub>:Mn
  发光密度(％)   101.5   100
  波长(纳米)   655   657
具有分子式(19)的发光材料的制备方法。
Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3:Mn……(19)
原材：CuO、SrCO3、GeO2、SiO2、MnCO3，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)及/或碳酸盐(carbonates)等型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，例如NH4Cl等，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于含氧大气环境中以及温度约为1,100℃的条件下进行。接着，搅拌该材料。之后，接着进行第二阶段烧制约4小时，其是于含氧大气环境中以及温度约为1,180℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为658纳米。
表17：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的锰-活化锗酸盐-硅酸盐与未经铜掺杂的锰-活化锗酸盐-硅酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.46</sub>Sr<sub>0.54</sub>Ge<sub>0.6</sub>Si<sub>0.4</sub>O<sub>3</sub>:Mn   SrGe<sub>0.6</sub>Si<sub>0.4</sub>O<sub>3</sub>:Mn
  发光密度(％)   103   100
  波长(纳米)   658   655
表18：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的锗酸盐-硅酸盐的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Pb<sub>0.004</sub>Ca<sub>1.99</sub>Zn<sub>0.006</sub>Ge<sub>0.8</sub>Si<sub>0.2</sub>O<sub>4</sub>:Mn   360-400   101.5   655   657
  Pb<sub>0.002</sub>Sr<sub>0.954</sub>Ca<sub>1.044</sub>Ge<sub>0.93</sub>Si<sub>0.07</sub>O<sub>4</sub>:Mn 360-400 101.5 660 661
  Cu<sub>0.46</sub>Sr<sub>0.54</sub>Ge<sub>0.6</sub>Si<sub>0.4</sub>O<sub>3</sub>:Mn   360-400   103   658   655
  Cu<sub>0.002</sub>Sr<sub>0.998</sub>Ba<sub>0.99</sub>Ca<sub>0.01</sub>Si<sub>0.98</sub>Ge<sub>0.02</sub>O<sub>4</sub>:Eu 360-470 102 538 533
  Cu<sub>1.45</sub>Mg<sub>26.55</sub>Ge<sub>9.4</sub>Si<sub>0.6</sub>O<sub>48</sub>:Mn   360-400   102   660   657
  Cu<sub>1.2</sub>Mg<sub>26.8</sub>Ge<sub>8.9</sub>Si<sub>1.1</sub>O<sub>48</sub>:Mn   360-400   103.8   670   656
  Cu<sub>4</sub>Mg<sub>20</sub>Zn<sub>4</sub>Ge<sub>5</sub>Si<sub>2.5</sub>O<sub>38</sub>F<sub>10</sub>:Mn   360-400   101.5   658   655
  Pb<sub>0.001</sub>Ba<sub>0.849</sub>Zn<sub>0.05</sub>Sr<sub>1.1</sub>Ge<sub>0.04</sub>Si<sub>0.96</sub>O<sub>4</sub>:Eu 360-470 101.8 550 545
  Cu<sub>0.05</sub>Mg<sub>4.95</sub>GeO<sub>6</sub>F<sub>2</sub>:Mn   360-400   100.5   655   653
  Cu<sub>0.05</sub>Mg<sub>3.95</sub>GeO<sub>5.5</sub>F:Mn   360-400   100.8   657   653
铅及/或铜掺杂的磷酸盐具有分子式(20)。
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dP2O5·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’O2)·h(M”””xOy)……(20)
其中，M’可为Pb、Cu，及/或前述材料的任意组合；M”可为Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag，及/或前述材料的任意组合；M”’可为Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn，及/或前述材料的任意组合；M””可为Sc、Y、B、Al、La、Ga、In，及/或前述材料的任意组合；M””’可为Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo，及/或前述材料的任意组合；M”””可为Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Ce、Tb，及/或前述材料的任意组合；X可为F、Cl、Br、I，及/或前述材料的任意组合；0＜a≤2；0≤b≤12；0≤c≤16；0＜d≤3；0≤e≤5；0≤f≤3；0≤g≤2；0＜h≤2；1≤x≤2；以及1≤y≤5。
制备的例子：
具有分子式(21)的发光材料的制备方法。
Cu0.02Ca4.98(PO4)3Cl:Eu    ……(21)
原材：CuO、CaCO3、Ca3(PO4)2、CaCl2、Eu2O3，及/或前述材料的任意组合。
氧化物(oxides)、磷酸盐，及/或碳酸盐(carbonates)、氯化物型态的原材可藉由少量的助焊剂(flux)，并以化学当量比例(stoichiometricproportions)混合在一起。此混合物可在明矾坩埚(alumina crucible)内进行第一阶段烧制约2小时，其是于减压环境以及温度约为1,240℃的条件下进行。之后，此材料可被搅拌、洗涤、干燥，以及筛选。此最终的发光材料的发光波长约为450纳米。
表19：在激发波长约为400纳米的情况下，铜掺杂的Eu2+-活化氯磷酸盐与未经铜掺杂的Eu2+-活化氯磷酸盐的比较。
  铜掺杂化合物   无铜化合物
  Cu<sub>0.02</sub>Ca<sub>4.98</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>Cl:Eu   Ca<sub>5</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>Cl:Eu
  发光密度(％)   101.5   100
  波长(纳米)   450   447
表20：在激发波长约为400纳米的情况下，一些能够被长波长紫外光及/或可见光激发的铜及/或铅掺杂的磷酸盐的光学特性，及其发光密度百分比的比较。
组成 可能激发范围(纳米)   在激发波长为400纳米的情况下，与未掺杂铜/铅的化合物的发光密度比较(％) 铜/铅掺杂的化合物的波长波峰(纳米) 未掺杂铜/铅的化合物的波长波峰(纳米)
  Cu<sub>0.02</sub>Sr<sub>4.98</sub>(PO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>Cl:Eu   360-410   101.5   450   447
  Cu<sub>0.2</sub>Mg<sub>0.8</sub>BaP<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Eu，Mn   360-400   102   638   635
  Pb<sub>0.5</sub>Sr<sub>1.5</sub>P<sub>1.84</sub>B<sub>0.16</sub>O<sub>6.84</sub>:Eu   360-400   102   425   420
  Cu<sub>0.5</sub>Mg<sub>0.5</sub>Ba<sub>2</sub>(P，Si)<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:Eu   360-400   101   573   570
  Cu<sub>0.5</sub>Sr<sub>9.5</sub>(P，B)<sub>6</sub>O<sub>24</sub>Cl<sub>2</sub>:Eu   360-410   102   460   456
  Cu<sub>0.5</sub>Ba<sub>3</sub>Sr<sub>6.5</sub>P<sub>6</sub>O<sub>24</sub>(F，Cl)<sub>2</sub>:Eu 360-410 102 443 442
  Cu<sub>0.05</sub>(Ca，Sr，Ba)<sub>4.95</sub>P<sub>3</sub>O<sub>12</sub>Cl:Eu，Mn 360-410 101.5 438,641 435,640
  Pb<sub>0.1</sub>Ba<sub>2.9</sub>P<sub>2</sub>O<sub>8</sub>:Eu   360-400   103   421   419
承上述，本发明的发光元件内的磷光体可包括铝酸盐、硅酸盐、锑酸盐、锗酸盐、磷酸盐型态的化合物，及前述材料的任意组合。
图6是依照本发明一实施例具有发光材料的发光元件的发光频谱。本实施例具有发光波长为405纳米的发光二极管以及磷光体，且此磷光体是藉由上述化合物以一定比例混合而成。磷光体可由波长波峰约为451纳米的Cu0.05BaMg1.95Al16O27:Eu、波长波峰约为586纳米的Cu0.03Sr1.5Ca0.47SiO4:Eu、波长波峰约为637纳米的Pb0.006Ca0.6Sr0.394Sb2O6:Mn4+、波长波峰约为512纳米的Pb0.15Ba1.84Zn0.01Si0.99Zr0.01O4:Eu，以及波长波峰约为494纳米的Cu0.2Sr3.8Al14O25:Eu所构成。
在本实施例中，部分从发光二极管所发出，且波长为405纳米的初始光线会被磷光体所吸收，并被转换为较长的2nd波长。1st光线与2nd光线是混合在一起，以产生所需的光线。如图6所示，发光元件会将波长为405纳米的1st紫外光转换为宽频谱范围的可见光，即白光。此时，色温约为3,000K，而现色指数(CRI)是介于约90至约95之间。
图7是本发明另一实施例具有发光材料的发光元件的发光频谱。本实施例具有发光波长为455纳米的发光二极管以及磷光体，且此磷光体是藉由上述化合物以一定比例混合而成。
磷光体可由波长波峰约为592纳米的Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4:Eu、波长波峰约为527纳米的Pb0.1Ba0.95Sr0.95Si0.998Ge0.002O4:Eu，以及波长波峰约为557纳米的Cu0.05Li0.002Sr1.5Ba0.448SiO4:Gd，Eu所构成。
在本实施例中，部分从发光二极管所发出，且波长为455纳米的初始光线会被磷光体所吸收，并被转换为较长的2nd波长。1st光线与2nd光线是混合在一起，以产生所需的光线。如图7所示，发光元件会将波长为405纳米的1st蓝光转换为宽频谱范围的可见光，即白光。此时，色温是介于约4,000K至约6,500K之间，而现色指数(CRI)是介于约86至约93之间。
除了前述图6与图7中所描述的化合物，本发明中发光元件内的磷光体亦可以是其他种单一化合物或是多种单一化合物的混合物。
依据前述的内容，含有稀土元素的铅及/或铜掺杂的化合物可使得发光元件具有宽色温范围，介于约2,000K至约8,000K或约10,000K之间，以及大于90的优越色现指数。
前述波长转换型发光元件能够应用在行动电话、笔记本电脑，以及家电、立体声音响、电信元件等电子元件中，亦可应用在展览显示器的按键(key pad)以及背光源。此外，此波长转换型发光元件尚可应用在汽车、医疗仪器及照明产品中。
本发明可提供一种波长转换型发光元件，其具有抗水、抗蒸气以及抗极性溶剂等稳定性(stability)。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (21)

1、一种发光元件，其特征在于其包括：
一基材；
多个电极，配置在该基材上；
至少一个发光二极管，用以发出一光线，该发光二极管是配置在其中一电极上；
一磷光体，用以改变该光线的波长，该磷光体是至少覆盖住部分的该发光二极管；以及
一导电元件，用以将该发光二极管连接至其他电极，其中该磷光体为一铅及/或铜掺杂的富氧磷光体。
2、一种发光元件，其特征在于其包括：
多个接脚；
一二极管支架，配置于其中一接脚末端；
至少一个发光二极管，配置于该二极管支架内，且包括多个电极；
一磷光体，用以改变光线的波长，且磷光体是至少覆盖住部分的发光二极管；以及
一导电元件，用以将该发光二极管连接至其他电极，其中该磷光体为一铅及/或铜掺杂的富氧磷光体。
3、一种发光元件，其特征在于其包括：
一壳体；
一散热器，至少部分配置于壳体内；
多个导线架，配置在散热器上或附近；
至少一个发光二极管，配置在散热器上；
一磷光体，用以改变光线的波长，且磷光体是至少覆盖住部分的发光二极管；以及
一导电元件，用以将发光二极管连接至其中一个导线架，其中该磷光体为一铅及/或铜掺杂的富氧磷光体。
4、根据权利要求1或2所述的发光元件，其特征在于更包括一导电胶，配置于该发光二极管与其中一电极之间。
5、根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于更包括一导电胶，配置于该发光二极管与该散热器之间。
6、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一个或多个单一化合物，或前述材料的任意组合。
7、根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于更包括一反射器，用以反射该发光二极管所发出的光线。
8、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于更包括一密封材料，以覆盖住该发光二极管以及该磷光体。
9、根据权利要求8所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体是分布于该密封材料中。
10、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体是与一硬化材料混合。
11、根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于其中至少其中一导线架是从壳体突出。
12、根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于其中所述的散热器包括多个散热器。
13、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的发光二极管包括多个发光二极管。
14、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一铅及/或铜掺杂的铝酸盐型态化合物、一铅及/或铜掺杂的硅酸盐、一铅及/或铜掺杂的锑酸盐、一铅及/或铜掺杂的锗酸盐、一铅及/或铜掺杂的锗酸盐-硅酸盐、一铅及/或铜掺杂的磷酸盐或前述材料的任意组合。
15、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(1)的化合物，
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dAl2O3·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’oOp)·h(M”””xOy)......(1)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M”’包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M””包括Sc、B、Ga、In或前述材料的任意组合；
M””’包括Si、Ge、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W、Mo或前述材料的任意组合；
M”””包括Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤2；
0≤d≤8；
0＜e≤4；
0≤f≤3；
0≤g≤8；
0＜h≤2；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
16、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(2)的化合物，
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·4-a-b-c(M”’O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M””xOy)        ......(2)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M”’包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M””包括Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、In、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a ≤4；
0≤b≤2；
0≤c≤2；
0≤d≤1；
0≤e≤1；
0≤f≤1；
0≤g≤1；
0＜h≤2；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
17、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(5)的化合物，
a(M’O)·b(M”O)·c(Al2O3)·d(M”’2O3)·e(M””O2)·f(M””’xOy)......(5)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M”’包括B、Ga、In或前述材料的任意组合；
M””包括Si、Ge、Ti、Zr、Hf或前述材料的任意组合；
M””’包括Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合；
0＜a≤1；
0≤b≤2；
0＜c≤8；
0≤d≤1；
0≤e≤1；
0＜f≤2；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
18、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(9)的化合物，
a(M’O)·b(M”O)·c(M”’X)·d(M”’2O)·e(M””2O3)·f(M””’oOp)·g(SiO2)·h(M”””xOy)......(9)
其中，
M’包括Pb、Cu、或前述材料的任意组合；
M”包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M”’包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M””包括Al、Ga、In或前述材料的任意组合；
M””’包括Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr、Hf或前述材料的任意组合；
M”””包括Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a≤2；
0＜b≤8；
0≤c≤4；
0≤d≤2；
0≤e≤2；
0≤f≤2；
0≤g≤10；
0＜h≤5；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
19、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(14)的化合物，
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·d(Sb2O5)·e(M”’O)·f(M””xOy)......(14)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M”’包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M””包括Bi、Sn、Sc、Y、La、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Gd或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤4；
0＜d≤8；
0≤e≤8；
0≤f≤2；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
20、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(17)的化合物，
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dGeO2·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’oOp)·h(M”””xOy)......(17)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M”’包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd或前述材料的任意组合；
M””包括Sc、Y、B、Al、La、Ga、In或前述材料的任意组合；
M””’包括Si、Ti、Zr、Mn、V、Nb、Ta、W、Mo或前述材料的任意组合；
M”””包括Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤10；
0＜d≤10；
0≤e≤14；
0≤f≤14；
0≤g≤10；
0≤h≤2；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
21、根据权利要求1至3中任一权利要求所述的发光元件，其特征在于其中所述的磷光体包括一具有分子式(20)的化合物，
a(M’O)·b(M”2O)·c(M”X)·dP2O5·e(M”’O)·f(M””2O3)·g(M””’O2)·h(M”””xOy)......(20)
其中，
M’包括Pb、Cu或前述材料的任意组合；
M”包括Li、Na、K、Rb、Cs、Au、Ag或前述材料的任意组合；
M”’包括Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Mn或前述材料的任意组合；
M””包括Sc、Y、B、Al、La、Ga、In或前述材料的任意组合；
M””’包括Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo或前述材料的任意组合；
M”””包括Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy、Ce、Tb或前述材料的任意组合；
X包括F、Cl、Br、I或前述材料的任意组合；
0＜a≤2；
0≤b≤12；
0≤c≤16；
0＜d≤3；
0≤e≤5；
0≤f≤3；
0≤g≤2；
0＜h≤2；
1≤x≤2；以及
1≤y≤5。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI418742B (zh) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp 發光元件的封裝結構

Families Citing this family (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1598450B1 (en) * 2003-02-24 2011-09-21 Waseda University Beta-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
JP5249773B2 (ja) * 2005-11-18 2013-07-31 クリー インコーポレイテッド 可変電圧ブースト電流源を有する固体照明パネル
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
EP1963743B1 (en) * 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
EP1969633B1 (en) 2005-12-22 2018-08-29 Cree, Inc. Lighting device
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
BRPI0711255A2 (pt) 2006-04-18 2011-08-30 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
US7648257B2 (en) 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US7625103B2 (en) 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
EP2021688B1 (en) 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
KR101263934B1 (ko) * 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
US7969097B2 (en) * 2006-05-31 2011-06-28 Cree, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7665862B2 (en) 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7766508B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
JP3964449B1 (ja) * 2006-10-06 2007-08-22 根本特殊化学株式会社 橙色発光蛍光体
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP2008140704A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄバックライト
US7918581B2 (en) 2006-12-07 2011-04-05 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN100503776C (zh) * 2006-12-19 2009-06-24 上海师范大学 一种CaSiO3:Pb,Mn纳米红色荧光材料的制备方法
JP2008166782A (ja) 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
KR101423456B1 (ko) 2006-12-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛
WO2008082136A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Back lighting unit having phosphor film structure
US8258682B2 (en) * 2007-02-12 2012-09-04 Cree, Inc. High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
JP5476128B2 (ja) 2007-02-22 2014-04-23 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
US7824070B2 (en) * 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
CN101720402B (zh) 2007-05-08 2011-12-28 科锐公司 照明装置和照明方法
CN101755164B (zh) 2007-05-08 2013-03-27 科锐公司 照明装置和照明方法
TWI489648B (zh) 2007-05-08 2015-06-21 Cree Inc 照明裝置及照明方法
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
CN101711325B (zh) 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
US20090002979A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Cree, Inc. Light emitting device (led) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US8042971B2 (en) * 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
JP5431320B2 (ja) 2007-07-17 2014-03-05 クリー インコーポレイテッド 内部光学機能を備えた光学素子およびその製造方法
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
JP2011501417A (ja) 2007-10-10 2011-01-06 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび製作方法
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
TWM337834U (en) * 2007-12-10 2008-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Package structure for light emitting diode
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
TW201019006A (en) * 2008-11-06 2010-05-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd LED light module
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
KR101047603B1 (ko) * 2009-03-10 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR101092063B1 (ko) * 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US8568615B2 (en) * 2009-05-11 2013-10-29 Oceans King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Full-color light-emitting material and preparation method thereof
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
WO2011035292A2 (en) 2009-09-21 2011-03-24 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Near infrared doped phosphors having a zinc, germanium, gallate matrix
EP2480626A4 (en) 2009-09-21 2013-04-03 Univ Georgia NEAR-FROSTED PHOSPHERE WITH AN ALKALI GALLAT MATRIX
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
JP5748769B2 (ja) 2009-12-21 2015-07-15 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ストロンチウムオキシオルトシリケート型の蛍光体を有する発光装置
DE102009059798A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
WO2011115515A1 (ru) * 2010-03-16 2011-09-22 Общество с ограниченной ответственностью "ДиС ПЛЮС" Способ управления цветностью светового потока белого светодиода и устройство для его осуществления способа
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP2014532103A (ja) * 2011-09-28 2014-12-04 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェンＨｅｎｋｅｌ ＡＧ ＆ Ｃｏ．ＫＧａＡ オキセタン含有化合物およびその組成物
CN102560659B (zh) * 2012-03-21 2015-01-07 新疆紫晶光电技术有限公司 一种非线性光学晶体及其制备方法和用途
WO2014025345A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 University Of South Carolina Stable phosphors for lighting applications
CN104736663A (zh) * 2012-10-31 2015-06-24 海洋王照明科技股份有限公司 锗酸盐发光材料及其制备方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
EP3070146B1 (en) * 2013-11-13 2018-02-14 LG Innotek Co., Ltd. Blue-green phosphor, and light-emitting device package and lighting apparatus comprising same
JP6519746B2 (ja) * 2014-10-23 2019-05-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体材料及び発光装置
KR102100213B1 (ko) * 2016-03-14 2020-04-13 미쓰이금속광업주식회사 형광체
US20200093238A1 (en) * 2016-06-16 2020-03-26 Harsh Kumar Mobile phone case having mirrored surface and lighting
JP7227922B2 (ja) * 2017-01-13 2023-02-22 カリクスピュア インコーポレイテッド Ｌｅｄ構造及び連続消毒用照明器具
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
CN110444644B (zh) * 2019-07-26 2022-10-14 浙江大学 一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法
KR102205984B1 (ko) * 2019-12-03 2021-01-21 에스지에너지주식회사 자정작용 특성을 갖는 칼라 태양광 모듈 제조방법
US12102010B2 (en) 2020-03-05 2024-09-24 Akoustis, Inc. Methods of forming films including scandium at low temperatures using chemical vapor deposition to provide piezoelectric resonator devices and/or high electron mobility transistor devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61258892A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPH0578659A (ja) * 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
EP1249873A2 (en) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
CN1502137A (zh) * 2000-12-28 2004-06-02 ������������ʽ���� 发光装置

Family Cites Families (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) * 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) * 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) * 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) * 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
NL7013516A (zh) * 1970-09-12 1972-03-14
JPS476258U (zh) 1971-02-18 1972-09-21
US3644212A (en) 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
JPS4938994A (zh) 1972-08-19 1974-04-11
US3893939A (en) 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
JPS51119388A (en) * 1975-03-19 1976-10-19 Gte Sylvania Inc Fluorescent substances
NL7807274A (nl) * 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
DE3029389C2 (de) * 1979-08-03 1986-04-24 Kasei Optonix, Ltd., Tokio/Tokyo Borat-Leuchtstoff
NL8006223A (nl) 1980-11-14 1982-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
NL8201943A (nl) 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS62197487A (ja) 1986-02-25 1987-09-01 Hitachi Ltd 蛍光体の製造方法
JPS62218476A (ja) 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
US5188763A (en) * 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor
JPH07110941B2 (ja) 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
DE69002470T2 (de) 1989-02-07 1994-03-03 Agfa Gevaert Nv Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff.
US5060118A (en) * 1989-04-06 1991-10-22 Frank A. Arone Apparatus for daylight color duplication
US5518808A (en) 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
KR940019586A (ko) * 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
US5770111A (en) * 1995-04-14 1998-06-23 Kabushiki Kaisha Tokyo Kagaku Kenkyusho Phosphor with afterglow characteristic
JPH0940946A (ja) 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
KR200150839Y1 (ko) 1995-12-11 1999-07-15 정몽규 버스차량의 사이드 고정 유리 장착구조
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
DE69627334T2 (de) 1996-10-10 2003-12-11 Agfa-Gevaert, Mortsel Neuer Photostimulierbarer Leuchtstoff
US5853614A (en) * 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
EP0907970B1 (de) * 1997-03-03 2007-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
JP2992254B2 (ja) 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6278832B1 (en) 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6855515B1 (en) * 1998-04-22 2005-02-15 Merck & Co., Inc. Autoantigenic fragments, methods and assays
JP2907286B1 (ja) 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
EP1046196B9 (en) 1998-09-28 2013-01-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
KR100355456B1 (ko) 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
TWI272299B (en) 1999-10-06 2007-02-01 Sumitomo Chemical Co A process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
GB0012377D0 (en) 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
CN100567447C (zh) 2000-06-27 2009-12-09 住友化学工业株式会社 铝酸盐荧光物质的制法、荧光物质和含荧光物质的装置
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
TW459403B (en) 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
US7205256B2 (en) * 2000-10-17 2007-04-17 Sharp Kabushiki Kaisha Oxide material, method for preparing oxide thin film and element using said material
JP2002173677A (ja) 2000-12-04 2002-06-21 Tokin Corp 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた蛍光体ペースト
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
CN1187428C (zh) 2001-02-12 2005-02-02 湖南师范大学 单基双能转光剂及其制造方法和应用方法
JP2002254273A (ja) 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
KR200253975Y1 (ko) 2001-08-18 2001-11-23 허성유 곤충관찰통
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
US7189340B2 (en) 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
KR100923804B1 (ko) * 2001-09-03 2009-10-27 파나소닉 주식회사 반도체발광소자, 발광장치 및 반도체발광소자의 제조방법
US6770398B1 (en) 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
JPWO2003034508A1 (ja) 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4092911B2 (ja) 2001-12-21 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) * 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
SG173925A1 (en) * 2002-03-22 2011-09-29 Nichia Corp Nitride phosphor and production process thereof, and light emitting device
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
CN2624578Y (zh) 2003-01-21 2004-07-07 夏志清 一种交直流两用的led灯
KR100499079B1 (ko) 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JP4387119B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体装置
KR100574546B1 (ko) 2003-03-28 2006-04-27 한국화학연구원 스트론튬실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를이용한 발광다이오드
US7320531B2 (en) 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
AU2003902422A0 (en) * 2003-05-19 2003-06-05 Intellirad Solutions Pty. Ltd Access security system
ES2284031T3 (es) * 2003-07-08 2007-11-01 Viasystems Group, Inc. Metodo para fabricar un plano medio.
US6987353B2 (en) 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
CN100395897C (zh) 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TWI263356B (en) 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US7608200B2 (en) * 2004-01-16 2009-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
CN2690724Y (zh) 2004-03-05 2005-04-06 深圳市蓝科电子有限公司 高亮度发光二极管照明装置
KR100605211B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
JP2006012770A (ja) * 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
CN100397544C (zh) 2004-05-27 2008-06-25 株式会社日立制作所 发光装置以及使用该发光装置的图像显示装置
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US7601276B2 (en) 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP1811009A4 (en) * 2004-09-07 2008-10-22 Sumitomo Chemical Co PHOSPHORUS, PHOSPHORIC PASTE AND LIGHT-EMITTING DEVICE
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
AU2005319965B2 (en) 2004-12-22 2011-02-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7138770B2 (en) * 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
KR200382395Y1 (ko) 2005-01-20 2005-04-20 한일이화주식회사 자동차용 도어포켓의 칸막이장치
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4868499B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
KR100927154B1 (ko) 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
US20070069869A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Arnold Vaughn R Automobile security and reporting system
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7820075B2 (en) * 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP5521273B2 (ja) 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61258892A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPH0578659A (ja) * 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
CN1502137A (zh) * 2000-12-28 2004-06-02 ������������ʽ���� 发光装置
EP1249873A2 (en) * 2001-04-09 2002-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI418742B (zh) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp 發光元件的封裝結構

Also Published As

Publication number Publication date
DE202004021351U1 (de) 2007-10-11
US20080224163A1 (en) 2008-09-18
KR100665298B1 (ko) 2007-01-04
US20050274972A1 (en) 2005-12-15
US8089084B2 (en) 2012-01-03
TWI328885B (en) 2010-08-11
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EP1605030B1 (en) 2010-08-18
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US20080067920A1 (en) 2008-03-20
DE602004028710D1 (de) 2010-09-30
EP2025734A2 (en) 2009-02-18
EP2253690A3 (en) 2012-02-15
US7554129B2 (en) 2009-06-30
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EP1605030A2 (en) 2005-12-14
JP4159542B2 (ja) 2008-10-01
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ES2350830T3 (es) 2011-01-27
EP2025734A3 (en) 2009-06-10

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