ES2350830T3 - Dispositivo emisor de luz. - Google Patents
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- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 94
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 91
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 60
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 73
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 45
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 claims description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 abstract description 10
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 abstract description 9
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 30
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 30
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 13
- RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N europium(III) oxide Inorganic materials O=[Eu]O[Eu]=O RSEIMSPAXMNYFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 9
- LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L strontium carbonate Chemical compound [Sr+2].[O-]C([O-])=O LEDMRZGFZIAGGB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000010216 calcium carbonate Nutrition 0.000 description 4
- 238000010411 cooking Methods 0.000 description 4
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 3
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 3
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKWWHCXMQGIHHV-UHFFFAOYSA-L P(=O)([O-])([O-])Cl.[Cu+2] Chemical class P(=O)([O-])([O-])Cl.[Cu+2] OKWWHCXMQGIHHV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910003669 SrAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIMVAIRXWSNUHU-UHFFFAOYSA-N [Pb+3].[Si]([O-])([O-])([O-])Cl Chemical compound [Pb+3].[Si]([O-])([O-])([O-])Cl SIMVAIRXWSNUHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011148 calcium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N chloro(trihydroxy)silane Chemical class O[Si](O)(O)Cl GTDCAOYDHVNFCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 phosphorus chemical compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
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- C09K11/666—Aluminates; Silicates
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- C09K11/751—Chalcogenides
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Abstract
Dispositivo emisor de luz que comprende: - un sustrato, -una pluralidad de electrodos dispuestos sobre el sustrato, -un diodo emisor de luz configurado para emitir luz, estando el diodo emisor de luz dispuesto sobre uno de la pluralidad de electrodos -un fósforo configurado para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo el fósforo sustancialmente al menos una parte del diodo emisor de luz, y -un dispositivo eléctricamente conductor configurado para conectar el diodo emisor de luz con otro de la pluralidad de electrodos en el cual el fósforo comprende un aluminato que contiene plomo y/o cobre, un silicato que contiene plomo y/o cobre, un antimoniato que contiene plomo y/o cobre, un germanato que contienen plomo y/o cobre, un germanato-silicato que contiene plomo o cobre, un fosfato que contiene plomo y/o cobre, o cualquier combinación de los mismos.
Description
1.-Campo de la invención
La invención se refiere a dispositivos emisores de luz y más particularmente a dispositivos emisores de luz que incluyen al menos un diodo emisor de luz y fósforo, incluyendo el fósforo compuestos químicos dopados de plomo y/o cobre y convirtiendo la longitud de onda de luz.
2.-Descripción de la Técnica Relacionada
Los dispositivos emisores de luz (DEL), que se usan para su uso en dispositivos electrónicos, se usan ahora en automóviles y en productos de iluminación. Puesto que los dispositivos de emisión de luz tienen mayores características eléctricas y mecánicas, se ha aumentado la demanda de dispositivos emisores de luz. En relación con esto, se ha incrementado el interés por los DEL blancos como alternativa a las lámparas fluorescentes y las lámparas incandescentes.
En la tecnología DEL, se proponen diversas soluciones para la realización de luz blanca. Normalmente, la realización de tecnología de DEL blanco es poner el fósforo sobre e diodo emisor de luz y mezclar la emisión primaria procedente del diodo emisor de luz y la emisión secundaria procedente del fósforo, que convierte la longitud de onda. Por ejemplo, en los documentos WO 98/05078 y WO 98/12757, se usa un diodo emisor de luz, que es capaz de emitir una longitud de onda de pico a 450-490 nm y el material de grupo YAG, que absorbe luz procedente del diodo emisor de luz azul y emite luz amarillenta (principalmente), que pueden tener diferente longitud de onda de la de la luz absorbida.
Sin embargo, en tal DEL blanco, el intervalo de temperatura de color es estrecho, el cual se encuentra entre aproximadamente 6.000-8.000 K, y el CRI (Índice de reproducción cromática) es de aproximadamente 60 a 75. Por lo tanto, es difícil de producir el DEL blanco con coordinación de color y temperatura de color que son similares a las de la luz visible. Esta es una de las razones por las cuales solamente se puede realizar el color de luz blanco con una sensación de frío. Además, los fósforos que se usan para DEL blancos son normalmente inestables en agua, vapor o disolvente polar, y esto inestabilidad puede causar cambios en las características emisoras del DEL blanco.
El documento EP 1 249 873 describe un dispositivo emisor de luz que comprende un diodo emisor de luz, electrodos, un dispositivo eléctricamente conductor para conectar el diodo emisor de luz con los electrodos y los fósforos. Más específicamente, se da a conocer una mezcla apropiada de fósforo que comprende un fósforo de silicato y una fósforo dopado con cobre.
El documento JP05078659 se refiere a un fósforo de aluminato dopado con europio con color de emisión azul que contiene cobre para su uso en una lámpara fluorescente para resaltar la salida de luminiscencia por excitación de mercurio.
El documento JP61258892 se refiere a otro fósforo de aluminato dopado con europio con color de emisión azul y su uso en una lámpara fluorescente para mantener una intensidad y color elevados de luz durante toda la vida de la lámpara. El fósforo comprende plomo.
Se proporcionan un dispositivo emisor de luz de conversión de longitud de onda. En una realización conforme a esta invención, se proporciona un dispositivo para emitir luz. El dispositivo puede incluir un sustrato, una pluralidad de electrodos dispuestos sobre el sustrato, un diodo emisor de luz configurado para emitir luz, estando el diodo emisor de luz dispuesto sobre uno de la pluralidad de electrodos, fósforos configurados para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo los fósforos sustancialmente al menos una parte del diodo emisor de luz, y un dispositivo eléctricamente conductor configurado para conectar el diodo emisor de luz con otro de la pluralidad de electrodos.
En otra realización según la presente invención, un dispositivo emisor de luz puede incluir una pluralidad de conductores, un portadiodos dispuesto en el extremo de uno de la pluralidad de conductores, un diodo emisor de luz en el portadiodos, incluyendo el diodo emisor de luz una pluralidad de electrodos, fósforos configurados para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo los fósforos sustancialmente al menos una parte del diodo emisor de luz, y un dispositivo eléctricamente conductor configurado para conectar el dispositivo emisor de luz con otro de la pluralidad de conductores.
En otra realización según la presente invención, un dispositivo emisor de luz puede incluir un alojamiento, un disipador térmico al menos parcialmente dispuesto en el alojamiento, a pluralidad de conductores, un portadiodos dispuesto en el extremo de uno de la pluralidad de bastidores de conductores, fósforos configurados para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo los fósforos sustancialmente al menos una parte del diodo emisor de luz, y un dispositivo eléctricamente conductor configurado para conectar el dispositivo emisor de luz con otro de la pluralidad de bastidores de conductores.
El fósforo según la presente invención incluye compuesto de tipo aluminato, silicatos dopados con plomo y/o cobre, antimoniatos dopados con plomo y/o cobre, germanatos dopados con plomo y/o cobre, germanato-silicatos dopados con plomo y/o cobre, fosfatos dopados con plomo y/o cobre, o cualquier combinación de los mismos. También se proporcionan fórmulas para fósforos según la presente invención.
Otros aspectos de la invención pueden ser evidentes al considerar la siguiente descripción detallada, tomada conjuntamente con los dibujos anexos, en los cuales los caracteres de referencia similares se refieren a partes similares a lo largo de toda la memoria y en los cuales:
-la figura 1 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo chip según la presente invención;
-la figura 2 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo superior según la presente invención;
-la figura 3 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo lámpara según la presente invención;
-la figura 4 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención;
-la figura 5 muestra una vista lateral en sección transversal de otra realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención;
-la figura 6 muestra un espectro emisor de un dispositivo emisor de luz con material luminiscente según la presente invención; y -la figura 7 muestra un espectro emisor de un dispositivo emisor de luz con material luminiscente según otra realización de la invención.
En relación con los dibujos anexos, se va a explicar en detalle el dispositivo emisor de luz con conversión de longitud de onda, y el dispositivo emisor de luz y el fósforo se explicarán por separado para facilitar su explicación a continuación.
(Dispositivo emisor de luz)
La figura 1 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo chip según la presente invención. El dispositivo emisor de luz en paquete de tipo chip puede comprende al menos un diodo emisor de luz y una sustancia fosforescente. Los electrodos 5 se pueden formar sobre ambos lados del sustrato 1. El diodo emisor de luz 6 que emite luz se puede montar sobre uno de los electrodos 5. El diodo emisor de luz 6 se puede montar sobre el electrodo 5 a través de pasta eléctricamente conductora 9. Se puede conectar un electrodo de diodo emisor de luz 6 al modelo de electrodos 4 mediante un hilo eléctricamente conductor 2.
Los diodos emisores de luz pueden emitir luz con un gran intervalo de longitudes de onda, por ejemplo, desde la luz ultravioleta hasta la luz visible. En una realización según la presente invención, se puede usar un diodo emisor de luz UV y/o un diodo emisor de luz azul.
El fósforo, es decir, una sustancia fosforescente, 3 se puede colocar en la cara superior o caras laterales del diodo emisor de luz 6. El fósforo según la invención incluye compuestos de tipo aluminato dopado con plomo y/o cobre, silicatos dopados con plomo y/o cobre, antimoniatos dopados con plomo y/o cobre, germanatos dopados con plomo y/o cobre, germanato-silicatos dopados con plomo y/o cobre, fosfatos dopados con plomo y/o cobre, o cualquier combinación de los mismos. El fósforo 3 convierte la longitud de onda de la luz procedente del diodo emisor de luz 6 en otra longitud de onda u otras longitudes de onda. En una realización según la presente invención, la luz está en un intervalo de luz visible después de la conversión. El fósforo 3 se puede aplicar al diodo emisor de luz 6 después de mezclar el fósforo 3 con una resina endurecedora. La resina endurecedora que contiene fósforo se puede aplicar al fondo del diodo emisor de luz 6 después de mezclar fósforo 3 con pasta eléctricamente conductora 9.
El diodo emisor de luz 6 montado sobre el sustrato 1 se puede estanqueizar con uno o más materiales de estanqueidad 10. El fósforo se puede colocar sobre la cara superior o las caras laterales del diodo emisor de luz 6. El fósforo 3 se puede también distribuir en el material endurecido de estanqueidad durante la producción. Tal procedimiento de fabricación se
describe en la Patente de los Estados Unidos nº 6.482.664.
El fósforo 3 puede comprender uno o más compuestos químicos dopados con plomo y/o cobre. El fósforo 3 puede incluir uno o más compuestos químicos simples. El compuesto simple puede tener un pico de emisión de, por ejemplo, entre aproximadamente 440 nm y aproximadamente 550 nm, entre aproximadamente 500 nm y aproximadamente 590 nm, o entre aproximadamente 580 nm y 700. El fósforo 3 puede incluir uno o más fósforos simples, que pueden tener un pico de emisión tal como se ha ejemplificado anteriormente.
Respecto del dispositivo emisor de luz 40, el diodo emisor de luz 6 puede emitir luz primaria cuando el diodo emisor de luz 6 recibe energía procedente de una fuente de alimentación. La luz primaria puede entonces estimular el o los fósforos (3), y el o los fósforos 3 pueden convertir la luz primaria en una luz con una o más longitudes de onda más largas (una luz secundaria). La luz primaria procedente del diodo emisor de luz 6 y la luz secundaria procedente de los fósforos 3 se difunden y se mezclan juntas para que de este modo se pueda emitir un color predeterminado de luz en el espectro visible a partir del diodo emisor de luz 6. En una realización según la presente invención, se pueden montar juntos más de un diodo emisor de luz que tienen picos de emisión diferentes. Además, si la proporción de mezcla de los fósforos se ajusta adecuadamente, se pueden proporcionar un color específico de luz, una temperatura de color y un CRI.
Como se ha descrito anteriormente, si el diodo emisor de luz 6 y el compuesto incluido en el fósforo 3 se controlan adecuadamente, entonces se puede proporcionar una temperatura de color deseada o una coordinación de color específica, especialmente un amplio intervalo de temperatura de color, por ejemplo, entre aproximadamente 2.000 K y aproximadamente 8.000 K o aproximadamente 10.000 K y/o un índice de reproducción cromática superior a aproximadamente 90. Por lo tanto, los dispositivos emisores de luz según la presente invención se pueden usar para dispositivos electrónicos tales como electrodomésticos, dispositivos estéreos, de telecomunicaciones, y para pantallas de visualización personalizadas de interior/exterior. Los dispositivos emisores de luz según la presente invención se pueden usar también para automóviles y productos de iluminación porque proporcionan temperaturas de color y CRI similares a los de luz visible.
La figura 2 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo superior según la presente invención. El dispositivo emisor de luz en paquete de tipo superior según la presente invención puede tener una estructura similar a la del dispositivo 40 emisor de luz en paquete de tipo chip de la figura 1. El dispositivo en paquete de tipo superior puede tener el reflector 31 que puede reflejar la luz procedente del diodo emisor de luz 6 en la dirección deseada.
En el dispositivo 50 emisor de luz en paquete de tipo superior, se pueden montar más de un diodo emisor de luz. Cada uno de tales diodos emisores de luz puede tener una longitud de onda de pico diferente de la de los otros. El fósforo 3 puede comprender una pluralidad de compuestos sencillos con diferente pico de emisión. La proporción de cada uno de dicha pluralidad de compuestos se puede regular. Tal fósforo se puede aplicar al diodo emisor de luz y/o distribuir uniformemente en el material endurecedor del reflector 31. Como explica más detalladamente más adelante, el fósforo según la presente invención incluye compuesto de tipo aluminato dopados con plomo y/o cobre, silicatos dopados con plomo y/o cobre, antimoniatos dopados con plomo y/o cobre, germanatos dopados con plomo y/o cobre, germanatosilicatos dopados con plomo y/o cobre, fosfatos dopados con plomo y/o cobre, o cualquier combinación de los mismos.
En una realización según la presente invención, el dispositivo emisor de luz de la figura 1 o la figura 2 puede incluir un sustrato metálico, que puede tener una buen conductividad térmica. Tal dispositivo emisor de luz puede disipar fácilmente el calor procedente del diodo emisor de luz. Por lo tanto, se pueden fabricar dispositivos emisores de luz de gran potencia. Si se proporciona un disipador térmico debajo del sustrato metálico, el calor procedente del diodo emisor de luz se puede disipar más eficazmente.
La figura 3 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz en paquete de tipo lámpara según la presente invención. El dispositivo 60 emisor de luz de tipo lámpara puede tener un par de conductores 51, 52 y se puede formar un portadiodos 53 en el extremo de un conductor. El portadiodos 53 puede tener forma de copa, y se pueden disponer uno o más diodos 6 emisores de luz en el portadiodos 53, cada uno de los cuales puede tener una longitud de onda de pico diferente de la de los otros. Un electrodo de diodo 6 emisor de luz se puede conectar al conector 52 mediante, por ejemplo el hilo eléctricamente conductor 2.
El volumen regular del fósforo 3, que se puede mezclar en la resina epoxídica, se puede disponer en el portadiodos 53. Como se explica más en detalle en lo sucesivo, el fósforo 3 puede incluir componentes dopados con plomo y/o cobre.
Además, el portadiodos puede incluir el diodo 6 emisor de luz y el fósforo 3 se puede estanqueizar con material endurecedor tal como resina epoxídica o resina de silicona.
En una realización según la presente invención, el dispositivo emisor de luz en paquete de tipo lámpara puede tener más de un par de conductores compuestos de pares de electrodos.
La figura 4 muestra una vista lateral en sección transversal de una realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención. El disipador térmico 71 se puede disponer en el interior del alojamiento 73 del dispositivo emisor de luz de gran potencia 70, y se puede exponer parcialmente al exterior. Un par de bastidor de conductores 74 puede sobresalir del alojamiento 73.
Se pueden montar uno o más diodos emisores de luz en el bastidor de conductores 74, y se puede conectar un electrodo del diodo 6 emisor de luz y otro bastidor de conductores 74 mediante hilo eléctricamente conductor. Se puede disponer la pasta 9 eléctricamente conductora entre el diodo 6 emisor de luz y el bastidor 74 de conductores. El fósforo 3 se puede colocar sobre la cara superior o las caras laterales del diodo 6 emisor de luz.
La figura 5 muestra una vista lateral en sección transversal de otra realización ilustrativa de una parte de un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención.
El dispositivo emisor de luz 80 de gran potencia puede también tener el alojamiento 63, el cual puede contener los diodos 6,7 emisores de luz, el fósforo 3 dispuesto sobre la cara superior y las caras laterales de los diodos 6,7 emisores de luz, uno o más disipadores térmicos 61, 62 y uno o más bastidores de conductores 64. Los bastidores de conductores 64 pueden recibir energía de una fuente de alimentación y pueden sobresalir del alojamiento 63.
En los dispositivos emisores de luz de gran potencia 70, 80 en la figura 4 y 5, se puede añadir el fósforo a la pasta, que se puede disponer entre el disipador térmico y los dispositivos emisores de luz. Se puede combinar una lente con el alojamiento 63, 73.
En un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención, se pueden usar selectivamente uno o más diodos emisores de luz y el fósforo se puede regular en función del diodo emisor de luz. Como se explica más detalladamente en lo sucesivo, el fósforo incluye componentes dopados con plomo y/o cobre como se ha descrito anteriormente.
Un dispositivo emisor de luz de gran potencia según la presente invención puede tener un radiador (no mostrado) y/o uno o más disipadores térmicos. Se puede usar aire o un ventilador para enfriar el radiador.
Los dispositivos emisores de luz según la presente invención no se limitan a las estructuras descritas anteriormente, y las estructuras se pueden modificar en función de las características de los diodos emisores de luz, longitud de onda de luz y también de las aplicaciones. Además, se pueden añadir nuevas partes a las estructuras.
Un fósforo ejemplar según la presente invención es el siguiente:
(Fósforo)
El fósforo según la presente invención incluye compuestos químicos dopados con plomo y/o cobre como se ha descrito anteriormente. El fósforo se puede excitar mediante luz UV y/o luz visible, por ejemplo, luz azul. El compuesto incluye compuesto de tipo aluminato, silicato, antimoniato, germanato, germanato-silicato o fosfato.
Los compuestos de tipo aluminato pueden comprender la fórmula (1), (2), y/o (5)
a(M1O).b(M22O).c(M2X).dAl2O3.e(M3O).f(M42O3).g(M5oOp).h(M6xOy) (1)
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser uno o más elementos monovalentes, por ejemplo, Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser uno o más elementos divalentes, por ejemplo, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser uno o más elementos trivalentes, por ejemplo, Sc, B, Ga, In, y/o cualquier combinación de los mismos; M5 puede ser Si, Ge, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo, y/o cualquier combinación de los mismos; M6 puede ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, y/o cualquier combinación de los mismos, X puede ser F, Cl, Br, J, y/o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤2; 0<d≤8; 0<e≤4; 0≤f≤3; 0≤g≤8; 0<h≤2; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
a(M1O). b(M22O). c(M2X)-4-a-b -c(M3O).7(Al2O3) . d(B2O3) . e(Ga2O3). f (SiO2). g(GeO2). h(M4xOy) (2)
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser uno o más elementos monovalentes, por ejemplo, Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser uno o más elementos divalentes, por ejemplo, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, y cualquier combinación de los mismos, X puede ser F, Cl, Br, I, y cualquier combinación de los mismos; 0<a≤4; 0≤b≤2; 0≤c≤2; 0≤d≤1; 0≤e≤1; 0≤f≤1; 0≤g≤1; 0<h≤2; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
La preparación de materiales luminescentes dopados con cobre así como con plomo pueden ser una reacción de estado sólido básico. Se pueden usar materiales de partida puros sin ninguna impureza, por ejemplo hierro. Se puede usar cualquier material de partida que se pueda transferir a los óxidos mediante un procedimiento térmico para formar fósforos con predominio de oxígeno
Ejemplos de preparación
Preparación del material luminiscente que tiene la fórmula(3)
5 Cu0,02Sr3,98Al14O25:Eu (3)
Los materiales de partida: CuO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos, hidróxidos, y/o carbonates se pueden
10 mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, H3BO3. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina en un a primera etapa a aproximadamente 1.200° C durante aproximadamente una hora. Después de triturar los materiales precocidos se puede seguir con una etapa de cocción a aproximadamente 1.450°C en una atmósfera reducida durante aproximadamente 4 horas. Después de lo cual el material
15 se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima de aproximadamente 494 nm.
Tabla 1: Aluminato activado Eu2+ dopado con cobre comparado con aluminato activado Eu2+ sin cobre a aproximadamente 40 nm de longitud de onda de excitación.
20
- Compuesto dopado cobre
- con Compuesto sin cobre
- Cu0,0Sr3,98Al14O25 : Eu
- Sr4Al14O25 : Eu
- Densidad luminosa (%)
- 103,1 100
- Longitud de onda (nm)
- 494 493
Preparación del material luminiscente que tiene la fórmula(4)
Pb0,05Sr3,95Al14O25:Eu (4)
25 El material de partida : PbO, SrCO3, Al2O3, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos.
Los materiales de partida en forma de óxidos, carbonatos u otros componentes muy puros que se pueden descomponer térmicamente en óxidos, se pueden mezclar en proporción 30 estequiométrica junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo H3BO3. La mezcla se
puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.200ºC durante aproximadamente una hora al aire. Después de triturar los materiales precocidos se puede seguir con una etapa de cocción a aproximadamente 1.450° C al aire durante aproximadamente 2 horas y en una atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. A continuación, el material se puede
5 triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima de aproximadamente 494,5 nm.
Tabla 2: Aluminato activado Eu2+ dopado con plomo comparado con aluminato activado Eu2+ sin plomo a aproximadamente 40 nm de longitud de onda de excitación.
10
- Compuesto dopado plomo
- con Compuesto sin plomo
- Pb0,05Sr3,95Al14O25 : Eu
- Sr4Al14O25 : Eu
- Densidad luminosa (%)
- 101,4 100
- Longitud de onda (nm)
- 494,5 493
Tabla 3: propiedades ópticas de algunos aluminatos dopados con cobre y/o plomo excitables por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y su densidad luminosa en porcentaje a 400 15 nm de longitud de onda de excitación
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre(plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- Cu0,5Sr3,5Al14O25: Eu
- 360-430 101,2 495 493
- Cu0,02Sr3,98Al14O25: Eu
- 360-430 103,1 494 493
- Pb0,05Sr3,95Al14O25: Eu
- 360-430 101,4 494,5 493
- CU0,01Sr3,99Al13,995Si0,005O25:
- 360-430 103 494 492
- Eu
- Cu0,01Sr3,395Ba0,59Al14O25: Eu,Dy
- 360-430 100,8 494 493
- Pb0,05Sr3,95Al13,95Ga0,05O25: Eu
- 360-430 101,5 494 494
a(M1O).b(M2O).c(Al2O3).d(M22O3).e(M4O2).f(M5xOy) (5)
5 en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser B, Ga, In, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Si, Ge, Ti, Zr, Hf, y/o cualquier combinación de los mismos; M5 puede ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, y/o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤;0≤b≤2; 0<c≤8;
10 0≤d≤1; 0≤e≤1; 0<f≤2; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
Ejemplo de preparación
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula(6)
15
Cu0,05Sr0,95Al1,9997Si0,0003O4:Eu (6)
Materiales de partida: CuO, SrCO3, Al2O3, SiO2, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos.
20 Los materiales de partida en forma de, por ejemplo, óxidos puros y/o as como carbonates se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, AlF3. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.250° C en una atmósfera reducida durante aproximadamente 3 horas.
25 Después de lo cual el material se puede triturar, lavar secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima de aproximadamente 521,5 nm.
Tabla 4: aluminato activado Eu2+ que contiene cobre comparado con aluminato activado Eu2+ sin cobre a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,05Sr0,95Al1,9997Si0,0002O4: Eu
- SrAl2O4: Eu
- Densidad luminosa(%)
- 106 100
- Longitud de onda (nm)
- 521,5 519
5 Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (7)
Cu0,12BaMg1,88Al16O27:Eu (7)
Materiales de partida: CuO, MgO, BaCO3, Al(OH)3, Eu2O3, y/o cualquier combinación de 10 los mismos.
Los materiales de partida en forma de, por ejemplo, óxidos, hidróxidos, y/o carbonates puros se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, AlF3. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.420°C en una atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. Después de lo cual el
15 material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima de aproximadamente 452 nm.
Tabla 5: aluminato activado Eu2+ dopado con cobre comparado con aluminato activado Eu2+ no dopado con cobre a 400 nm de longitud de onda de excitación
20
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,12BaMg1,88Al16O27: Eu
- BaMg2Al16O27: Eu
- Densidad luminosa(%)
- 101 100
- Longitud de onda (nm)
- 452 450
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (8) Pb0,1Sr0,9Al2O4:Eu (8)
Materiales de partida: PbO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de, por ejemplo, óxidos, hidróxidos, y/o carbonates puros se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de
5 flujo, por ejemplo, H3BO3. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.000° C. durante aproximadamente 2 horas al aire. Después de triturar los materiales precocidos puede seguir una segunda etapa de cocido a aproximadamente 1.420° C al aire durante aproximadamente 1 hora y en una atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y
10 tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima de aproximadamente 521 nm.
Tabla 6: aluminato activado Eu2+ dopado con plomo comparado con aluminato activado Eu2+ sin plomo a aproximadamente 400 nm longitud de onda de excitación
15
- Compuesto dopado con plomo
- Compuesto sin plomo
- Pb0,1Sr0,9Al2O4: Eu
- SrAl2O4: Eu
- Densidad luminosa(%)
- 102 100
- Longitud de onda (nm)
- 521 519
- 20
- Los resultados obtenidos respecto de aluminatos dopados con cobre y/o plomo se muestran en la tabla 7. Tabla 7: Propiedades ópticas de algunos aluminatos dopados con cobre y/o plomo excitables por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y su densidad luminosa en % a 400 nm de longitud de onda de excitación.
- 25
- 30
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre/plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- Cu0,05Sr0,95Al1,997Si0,0003O4: Eu
- 360-440 106 521,5 519
- Cu0,2Mg0,7995Li0,0005Al1,9Ga0,1 O4: Eu,Dy
- 360-440 101, 2 482 480
- Pb0,1Sr0,9Al2O4: Eu
- 360-440 102 521 519
- Cu0,05BaMg1,95Al16O27: Eu,Mn
- 360-400 100,5 451, 515 450, 515
- Cu0,12BaMg1,88Al16O27: Eu
- 360-400 101 452 450
- Cu0,01BaMg0,99Al10O17: Eu
- 360-400 102,5 451 449
- Pb0,1BaMg0,9Al9,5Ga0,5O17: Eu,Dy
- 360-400 100,8 448 450
- Pb0,08Sr0,902Al2O4: Eu,Dy
- 360-440 102,4 521 519
- Pb0,2Sr0,8Al2O4: Mn
- 360-440 100,8 658 655
- Cu0,06Sr0,94Al2O4: Eu
- 360-440 102,3 521 519
- Cu0,05Ba0,94Pb0,06Mg0,95Al10O 17: Eu
- 360-440 100,4 451 449
- Pb0,3Ba0,7Cu0,1Mg1,9Al16O27: Eu
- 360-400 100,8 452 450
- Pb0,3Ba0,7Cu1,9Mg1,9Al16O27: Eu,Mn
- 360-400 100,4 452, 515 450, 515
Silicatos dopados con plomo y/o cobre que tienen la fórmula(9) a(M1O).b(M2O).c(M3X).d(M32O).e(M42O3).f(M5oOp).g(SiO2).h(M6xOy) (9)
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Al, Ga, In, y/o cualquier combinación de los mismos; M5 puede ser Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf, y/o cualquier combinación de los mismos; M6 puede ser Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, y/o cualquier combinación de los mismos; X puede ser F, Cl, Br, J, y cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0<b≤8; 0≤c≤4; 0≤d≤2; 0≤e≤2; 0≤f≤2; 0<g≤10; 0<h≤5; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
Ejemplo de preparación
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (10)
Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4:Eu (10)
Materiales de partida: CuO, SrCO3, CaCO3, SiO2, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos.
Los materiales de partida en forma de óxidos y/o carbonates puros se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo NH4Cl. La mezcla se puede cocer in un crisol de alúmina a aproximadamente 1.200° C. en una atmósfera de gas inerte (por ejemplo, N2 o un gas noble) durante aproximadamente 2 horas. A continuación, el material puede ser triturar. Después de lo cual, el material se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.200° C en una atmósfera ligeramente reducida durante aproximadamente 2 horas. A continuación, el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 592 nm.
Tabla 8: silicato activado Eu2+ dopado con cobre comparado con silicato activado Eu2+ sin cobre a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (11):
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4 : Eu
- Sr1,7Ca0,3SiO4: Eu
- Densidad luminosa (%)
- 104 100
- Longitud de onda (nm)
- 592 588
Cu,.2Ba2Zn0,2Mg0,6Si2O7 : Eu (11)
5 Materiales de partida: CuO, BaCO3, ZnO, MgO, SiO2, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos.
l materiales de partida en forma de óxidos y carbonates muy puros se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, NH4Cl. En una primera etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente
10 1.100° C en una atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. A continuación el material se puede triturar. Después de lo cual el material se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.235° C en una atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. A continuación el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 467 nm.
15 Tabla 9: silicato activado Eu2+ dopado con cobre comparado con silicato activado Eu2+ sin cobre a 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,2Sr2Zn0,2Mg0,6Si2O7: Eu
- Sr2Zn2Mg0,6Si2O7: Eu
- Densidad luminosa (%)
- 101,5 100
- Longitud de onda (nm)
- 467 465
20 Pb0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4:Eu (12)
Materiales de partida: PbO, SrCO3, BaCO3, SiO2, GeO2, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos y/o carbonates se pueden mezclar en
25 proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, NH4Cl. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.000° C durante aproximadamente 2 horas al aire. Después de triturar los materiales precocidos se puede seguir con una segunda etapa de cocción a 1.220° C al aire durante 4 horas y en atmósfera reducida durante 2 horas. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y
30 tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 527 nm.
Tabla 10: silicato activado Eu2+ dopado con plomo comparado con silicato activado Eu2+ sin plomo a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con plomo
- Compuesto sin plomo
- Pb0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4: Eu
- BaSrSiO4: Eu
- Densidad luminosa (%)
- 101,3 100
- Longitud de onda (nm)
- 527 525
5
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (13)
Pb0,25Sr3,75Si3O8Cl4 : Eu (13)
10 Materiales de partida: PbO, SrCO3, SrCl2SiO2, Eu2O3, y cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos, cloruros, y/o carbonates se pueden mezclar en proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, NH4Cl. La mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina en una primera etapa a
15 aproximadamente 1.100°C durante aproximadamente 2 horas al aire. Después de la trituración de los materiales precocidos se puede seguir con una segunda etapa a aproximadamente 1.220° C al aire durante aproximadamente 4 horas y en una atmósfera reducida durante aproximadamente 1 hora. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a
20 aproximadamente 492 nm.
Tabla 11: clorosilicato activado Eu2+ dopado con plomo comparado con clorosilicato activado Eu2+ sin plomo a 400 nm de longitud de onda de excitación
25
- Compuesto dopado con plomo
- Compuesto sin plomo
- Pb0,25Sr3,75Si3O8C14: Eu
- Sr4Si3O8C4: Eu
- Densidad luminosa (%)
- 100,6 100
- Longitud de onda (nm)
- 492 490
Los resultados obtenidos con respeto a silicatos dopados con cobre y/o plomo se muestran en la tabla 12.
Tabla 12: propiedades ópticas de algunos silicatos activos de tierra rara dopados con cobre y/o plomo excitable por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y su densidad luminosa en % a aproximadamente 400 nm longitud de onda de excitación Densidad luminosa a 400 nm de longitud de onda pico de excitación
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre/plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- P0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4: Eu
- 360-470 101,3 527 525
- Cu0,02(Ba,Sr,Ca,Zn)1,98SiO4: Eu
- 360-500 108,2 565 560
- Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4: Eu
- 360-470 104 592 588
- Cu0,05Li0,002Sr1,5Ba0,448SiO4: Gd,Eu
- 360-470 102,5 557 555
- Cu02Sr2Zn0,2Mg0,6Si2O7: Eu
- 360-450 101,5 467 465
- Cu0,02Ba2,8Sr0,2Mg0,98Si2O8: Eu,Mn
- 360-420 100.8 440, 660 438, 660
- Pb0,25Sr3,25Si3O8Cl4: Eu
- 360-470 100,6 49 490
- C0,2Ba2,2Sr0,75Pb0,05Zn0 ,8Si2O8: Eu
- 360-430 100,8 448 445
- Cu0,2Ba3Mg0,8Si1,99Ge0,01O8: Eu
- 360-430 101 444 440
- Cu0,5Zn0,5Ba2Ge0,2Si1,8O7: Eu
- 360-420 102,5 435 433
- Cu0,8Mg0,2Ba3Si2O8: Eu,Mn
- 360-430 103 438, 670 435, 670
- Pb0,15Ba1,84Zn0,01Si0,99Zr0,01O4: Eu
- 360-500 101 512 510
- Cu0,2Ba5Ca2,8Si4O16: Eu
- 360-470 101,8 495 491
Con antimoniatos dopados con plomo y/o cobre que tienen la fórmula(14)
a(M1O).b(M2'2O).c(M2X).d(Sb2O5).e(M3O).f(M4xOy) (14)
5
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd, y/o cualquier combinación de los mismos; X puede ser F, Cl, Br, J, y/o cualquier
10 combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤4; 0<d≤8; 0≤e≤8; 0≤f≤2; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
Ejemplos de preparación
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (15)
15
Cu0,2Mg1,7Li0,2Sb2O7:Mn (15)
Materiales de partida: CuO, MgO, Li2O, Sb2O5, MnCO3, y/o cualquier combinación de los mismos.
20 Los materiales de partida en forma de óxidos se pueden mezclar en proporción estequiométrica junto con pequeñas cantidades de flujo. En a primera etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 985° C al aire durante aproximadamente 2 horas. Después de precocer el material este se puede volver a triturar. En una segunda etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente
25 1.200°C en una atmósfera que contiene oxígeno durante aproximadamente 8 horas. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 626 nm.
Tabla 13: antimoniato dopado con cobre comparado con antimoniato sin cobre a 30 aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,2Mg1,7Li0,2Sb2O7: Mn
- Mg2Li0,2Sb2O7 : Mn
- Densidad luminosa (%)
- 101,8 100
- Longitud de onda (nm)
- 652 650
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (16)
Pb0,006Ca0,6Sr0,394Sb2O6 (16)
5
Materiales de partida: PbO, CaCO3, SrCO3, Sb2O5, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos y/o carbonates se pueden mezclar in proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo. En una primera etapa
10 la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 975° C al aire durante aproximadamente 2 horas. Después de precocer el material se puede volver a triturar. en una segunda etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.175°C. al aire durante aproximadamente 4 horas y a continuación en una atmósfera que contiene oxígeno durante aproximadamente 4 horas. Después de lo cual el material se puede triturar,
15 lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 637 nm.
Tabla 14: antimoniato dopado con plomo comparado con antimoniato sin plomo a 400 nm longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con plomo
- Compuesto sin plomo
- Pb0,006Ca0,6Sr0,394Sb2O6
- Ca0,6Sr0,4Sb2O6
- Densidad luminosa (%)
- 102 100
- Longitud de onda (nm)
- 637 638
20
Los resultados obtenidos respecto de los antimoniatos dopados con cobre y/o plomo se muestran en la tabla 15.
Tabla 15: propiedades ópticas de algunos antimoniatos dopados con cobre y/o plomo excitable 25 por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y sur densidad luminosa en % a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre/plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- Pb0,2Mg0,002Ca1,798Sb2O6F2: Mn
- 360-400 102 645 649
- Cu0,15Ca1,845Sr0,005Sb1,998Si0,002O7: Mn
- 360-400 101,5 660 658
- Cu0,2Mg1,7Li0,2Sb2O7: Mn
- 360-400 101,8 652 650
- Cu0,2Pb0,01Ca0,79Sb1,98Nb0,.02O6: Mn
- 360-400 98.5 658 658
- Cu0,01Ca1,99Sb1,9995V0,0005O7: Mn
- 360-400 100,5 660 657
- Pb0,.006Ca0,6Sr0,394Sb2O6
- 360-400 102 637 638
- Cu0,02Ca0,9Sr0,5Ba0,4Mg0,18Sb2O7
- 360-400 102,5 649 645
- Pb0,198Mg0,004Ca1,798Sb2O6F2
- 360-400 101,8 628 630
Germanato dopado con plomo y/o cobre y/o germanatos-silicatos que tienen la fórmula(17)
5 a(M1O).b(M22O)c(M2X).d(GeO2).e(M3O).f(M42O3).g(M5oOp).h(M6xOy) (17)
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, y/o
10 cualquier combinación de los mismos; M5 puede ser Si, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo, y/o cualquier combinación de los mismos; M6 puede ser Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, y/o cualquier combinación de los mismos X puede ser F, Cl, Br, I, y/o cualquier combinación de los mismos 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤10; 0<d≤10; 0≤e≤14; 0≤f≤14; 0≤g≤10; 0≤h≤2; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
Ejemplo de preparación
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (18)
5 Pb0,004Ca1,99Zn0,006Ge0,8Si0,2O4:Mn (18)
Materiales de partida: PbO, CaCO3, ZnO, GeO2, SiO2, MnCO3, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos y/o carbonates se pueden mezclar in
10 proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, NH4Cl. En una primera etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.200° C en una atmósfera que contiene oxígeno durante aproximadamente 2 horas. A continuación, el material se puede volver a triturar. En una segunda etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.200°C en atmósfera que contiene oxígeno
15 durante aproximadamente 2 horas. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 655 nm.
Tabla 16: germanato activado Mn dopado con plomo comparado con germanato activado Mn 20 sin plomo a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Pb0,004Ca1,99Zn0,006Ge0,8Si0,2O4: Mn
- Ca1,99Zn0,01Ge0,8Si0,2O4: Mn
- Densidad luminosa (%)
- 101,5 100
- Longitud de onda (nm)
- 655 657
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (19)
25 Cu0,46Sr0,54Ge0,6Si0,4O3:Mn (19)
Materiales de partida: CuO, SrCO3, GeO2, SiO2, MnCO3, y/o cualquier combinación de los mismos. Los materiales de partida en forma de óxidos y/o carbonates se pueden mezclar in 30 proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo, por ejemplo, NH4Cl. En
una primera etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.100° C en una atmósfera que contiene oxígeno durante aproximadamente 2 horas. A continuación, el material se puede volver a triturar. En una segunda etapa la mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.180° C en una atmósfera que contiene
5 oxígeno durante aproximadamente 4 horas. Después de lo cual el material se puede triturar, lavar, secar y tamizar. El material luminiscente resultante puede tener una emisión máxima a aproximadamente 658 nm.
Tabla 17: germanato-silicato activado Mn dopado con cobre comparado con germanato-silicato 10 activado Mn sin cobre a 400 nm longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,46Sr0,54Ge0,6Si0.4O3: Mn
- SrGe0,6Si0,4O3: Mn
- Densidad luminosa (%)
- 103 100
- Longitud de onda (nm)
- 658 655
Tabla 18: propiedades ópticas de algunos germanatos-silicatos dopados con cobre y/o plomo 15 excitables por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y su densidad luminosa in % a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre/plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- Pb0,004Ca1,99Zn0,006Ge0,8Si0,2O4: Mn
- 360-400 101,5 655 657
- Pb0,002Sr0,954Ca1,044Ge0,93Si0,07O4: Mn
- 360-400 101,5 660 661
- Cu0,46Sr0,54Ge0,6Si0,4O3: Mn
- 360-400 103 658 655
- Cu0,002Sr0,998Ba0,99Ca0,01Si0,98Ge0,02O4: Eu
- 360-470 102 638 533
- Cu1,45Mg2,655Ge9,4Si0,6O48: Mn
- 360-400 102 660 657
- Cu1,2Mg26,8Ge8,9Si1,1O48: Mn
- 360-400 103,8 670 656
- Cu4Mg20Zn4Ge5Si2,5O38F10: Mn
- 360-400 101,5 658 655
- Pb0,001Ba0,849Zn0,05Sr1,1Ge0,04Si0,96O4 : Eu
- 360-470 101,8 550 545
- Cu0,05Mg4,95GeO6F2: Mn
- 360-400 100,5 655 653
- Cu0,05Mg3,95GeO5,5F: Mn
- 360-400 100,8 657 653
Fosfatos dopados con plomo y/o cobre que tienen la fórmula(20)
a(M1O).b(M22O).c(M2X).dP2O5.e(M3O).f(M42O3).g(M5O2).h(M6xOy) (20)
5
en la cual M1 puede ser Pb, Cu, y/o cualquier combinación de los mismos; M2 puede ser Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, y/o cualquier combinación de los mismos; M3 puede ser Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, y/o cualquier combinación de los mismos; M4 puede ser Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, y/o cualquier combinación de los mismos; M5 puede ser Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta,
10 W, Mo, y/o cualquier combinación de los mismos; M6 puede ser Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Th, y/o cualquier combinación de los mismos, X puede ser F, Cl, Br, I, y/o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤12; 0≤c≤16; 0<d≤3; 0≤e≤5; 0≤f≤3; 0≤g≤2; 0<h≤2; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
15 Ejemplos de preparación
Preparación de material luminiscente que tiene la fórmula (21)
Cu0,02Ca4,98(PO4)3Cl:Eu (21)
20 Materiales de partida: CuO, CaCO3, Ca3(PO4)2, CaCl2, Eu2O3, y/o cualquier combinación de los mismos,
Los materiales de partida en forma de óxidos, fosfatos, y/o carbonates y cloruros se pueden mezclar in proporciones estequiométricas junto con pequeñas cantidades de flujo. La 25 mezcla se puede cocer en un crisol de alúmina a aproximadamente 1.240° C en atmósfera reducida durante aproximadamente 2 horas. Después de lo cual el material se puede triturar,
lavar, secar y tamizar. A continuación el material luminiscente puede tener una emisión máxima a aproximadamente 450 nm.
Tabla 19: clorofosfato activado Eu2+ dopado con cobre comparado con clorofosfato activado Eu2+ sin cobre a aproximadamente 400 nm de longitud de onda de excitación
- Compuesto dopado con cobre
- Compuesto sin cobre
- Cu0,02Ca4,98(PO4)3Cl: Eu
- Ca5(PO4)3Cl: Eu
- Densidad luminosa (%)
- 101,5 100
- Longitud de onda (nm)
- 450 447
Tabla 20: fosfatos dopados con cobre y/o plomo excitables por luz ultravioleta de onda larga y/o por luz visible y su densidad luminosa en % a aproximadamente 400 nm de longitud de onda 10 de excitación
- Composición
- Posible intervalo de excitación (nm) Densidad luminosa a 400 nm de excitación comparada con compuestos no dopados con cobre/plomo (%) Longitud de onda pico de materiales dopados con plomo/cobre (nm) longitud de onda pico de materiales sin plomo/cobre (nm)
- Cu0.02Sr4,98(PO4)3Cl: Eu
- 360 -410 101,5 450 447
- Cu0,2Mg0,8BaP2O7: Eu, Mn
- 360 -400 102 638 635
- Pb0,5Sr1,5P1,84B0,16O6,84: Eu
- 360 – 400 102 425 420
- Cu0,5Mg0,5Ba2(P,Si)2O8: Eu
- 360 – 400 101 573 570
- Cu0,5Sr9,5(P,B)6O24Cl2: Eu
- 360 – 410 102 460 456
- Cu0,5Ba3Sr6,5P6O24(F,Cl)2: Eu
- 360 – 410 102 443 442
- Cu0,05(Ca,Sr,Ba)4,95P3O12Cl: Eu, Mn
- 360 – 410 101,5 438, 641 432, 640
- Pb0,1Ba2,9P2O8: Eu
- 360 – 400 103 421 419
Mientras tanto, el fósforo del dispositivo emisor de luz según la invención puede comprender productos químicos de tipo aluminato, silicato, antimoniato, germanato o fosfato y cualquier combinación de los mismos.
La figura 6 representa un espectro de emisión de la realización según la invención, en la cual se usa fósforo para el dispositivo emisor de luz. La realización puede tener un diodo emisor de luz con una longitud de onda de 405 nm y el fósforo, el cual es la mezcla de los múltiples compuestos químicos seleccionados en una relación apropiada. El fósforo puede estar compuesto por Cu0,05BaMg1,95Al16O27 : Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 451 nm, Cu0,03SruCa0.47SiO4 : Eu que puede tener una longitud de onda pico
Mn4+
a 586 nm, Pb0,006Ca0,6Sr0,394Sb2O6 : que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 637 nm, Pb0,15Ba1,84Zn0,01Si0,99Zr0,01O4 : Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 512 nm, y Cu0,2Sr3,8Al14O25 : Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 494 nm.
En tal realización, parte de la luz inicial de emisión de aproximadamente 405 nm de longitud de onda procedente del diodo emisor de luz es absorbida por el fósforo, y se convierte en una segunda longitud de onda más larga. La primera y la segunda longitudes de onda se mezclan juntas y se produce la emisión deseada. Como se muestra en la figura 6, el dispositivo emisor de luz convierte la primera luz ultravioleta de 405 nm de longitud de onda en un amplio intervalo espectral de luz visible, es decir, luz blanca, y en ese momento la temperatura de color es de aproximadamente 3.000 K y el CRI es de aproximadamente 80 a aproximadamente 95.
La figura 7 es otro espectro de misión de la realización según la invención, en el cual se aplica fósforo para se aplica para el dispositivo emisor de luz. La realización puede tener un diodo emisor de luz con una longitud de onda de aproximadamente 450 nm y el fósforo, que es la mezcla de los múltiples compuestos químicos seleccionados en una relación apropiada..
El fósforo se compone de Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4 : Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 592 nm, Pb0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4 : Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 527 nm, y Cu0,05Li0,002Sr1,5Ba0,448SiO4 : Gd, Eu que puede tener una longitud de onda pico a aproximadamente 557 nm.
En tal realización, parte de la luz inicial de emisión de longitud de onda de 455 nm procedente del diodo emisor de luz es absorbida por el fósforo, y se convierte en una segunda longitud de onda más larga. La primera y la segunda longitudes de onda se mezclan juntas y se produce la emisión deseada. Como se muestra en la figura 7, el dispositivo emisor de luz convierte la primera luz azul de aproximadamente 455 nm de longitud de onda en un amplio intervalo espectral de luz visible, es decir, luz blanca, y en ese momento la temperatura de
color es de aproximadamente 4.000 K a aproximadamente 6.500 K y el CRI es de aproximadamente 86 a aproximadamente 93. El fósforo del dispositivo emisor de luz según la invención se puede aplicar mediante un único compuesto químico o una mezcla de una pluralidad de compuestos químicos simples 5 aparte de las realizaciones relativas a la figura 6 y la figura 7 explicadas anteriormente.
Según la descripción anterior, el dispositivo emisor de luz con un amplio intervalo de temperatura de color de aproximadamente 2.000 K o aproximadamente 8.000 K o aproximadamente 10.000 K y se puede realizar un índice de reproducción cromático superior de más de aproximadamente 90 usando los compuestos químicos dopados con plomo y/o
10 cobre que contienen elementos de tierra rara. Tal dispositivo emisor de luz de conversión de longitud de onda se puede aplicar a un teléfono portátil, agenda electrónica y dispositivos electrónicos tales como electrodomésticos, productos estéreos y productos de telecomunicación, y también para teclados personalizados de visualización y una aplicación de retroiluminación. Además, se puede aplicar al automóvil,
15 instrumentos médicos y productos de iluminación. Según la invención, también puede proporcionar un dispositivo emisor de luz de conversión de longitud de onda con estabilidad contra el agua, la humedad el vapor así como otros disolventes polares. En las realizaciones anteriormente descritas, se agrupan juntas diversas características
20 en una única realización con fines de racionalización de la descripción. El presente procedimiento de la invención no se ha de entender como que refleja la intención de que la invención reivindicada requiere más características de las expresamente expuestas en cada reivindicación De este modo las siguientes reivindicaciones se incorpora en consecuencia a la presente descripción detallada de realizaciones, refiriéndose cada reivindicación en sí a una
25 realización preferida de la invención.
Claims (15)
- Reivindicaciones1.-Dispositivo emisor de luz que comprende:-un sustrato, -una pluralidad de electrodos dispuestos sobre el sustrato, -un diodo emisor de luz configurado para emitir luz, estando el diodo emisor de luzdispuesto sobre uno de la pluralidad de electrodos -un fósforo configurado para cambiar una longitud de onda de la luz, cubriendo el fósforo sustancialmente al menos una parte del diodo emisor de luz, y -un dispositivo eléctricamente conductor configurado para conectar el diodo emisor deluz con otro de la pluralidad de electrodos en el cual el fósforo comprende un aluminato que contiene plomo y/o cobre, un silicato que contiene plomo y/o cobre, un antimoniato que contiene plomo y/o cobre, un germanato que contienen plomo y/o cobre, un germanato-silicato que contiene plomo o cobre, un fosfato que contiene plomo y/o cobre, o cualquier combinación de los mismos.
- 2.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (1)a(M1O).b(M22O).c(M2X).dAl2O3.e(M3O).f(M42O3).g(M5oOp).h(M6xOy) (1)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Sc, B, Ga, In, o cualquier combinación de los mismos; M5 es Si, Ge, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo, y/o cualquier combinación de los mismos; M6 es Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, o cualquier combinación de los mismos, X es F, Cl, Br, I, o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤2; 0<d≤8;0<e≤4; 0≤f≤3; 0≤g≤8; 0<h≤2; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
- 3.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (2)a(M1O). b(M22O). c(M2X)-4-a-b -c(M3O).7(Al2O3) . d(B2O3) . e(Ga2O3). f (SiO2). g(GeO2). h (M4xOy) (2)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos;M4es Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, o cualquier combinación de los mismos; X es F, Cl, Br, I, ó cualquier combinación de los mismos; 0<a≤4; 0≤b≤2; 0≤c≤2; 0≤d≤1; 0≤e≤1; 0≤f≤1;0≤g≤1;0<h≤2; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
- 4.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (5)a(M1O) . b(M2O) . c(Al2O3) . d(M22O3) . e(M4O2) . f(M5xOy) (5)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos; M3 es B, Ga, In, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Si, Ge, Ti, Zr, Hf, o cualquier combinación de los mismos;M5es Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤1; 0≤b≤2; 0<c≤8; 0≤d≤1; 0≤e≤1; 0<f≤2; 1≤x≤2; y 1≤y≤5
- 5.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (9)a(M1O).b(M2O).c(M3X).d(M32O).e(M42O3).f(M5oOp).g(SiO2).h(M6xOy) (9)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Al, Ga, In, o cualquier combinación de los mismos; M5 es Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf, o cualquier combinación de los mismos;M6es Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, o cualquier combinación de los mismos; X es F, Cl, Br, I, o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0<b≤8; 0≤c≤4; 0≤d≤2; 0≤e≤2; 0≤f≤2; 0<g≤10; 0<h≤5; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y1≤y≤5.
- 6.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (14)a(M1O) . b(M2'2O) . c(M2X) . d(Sb2O5) . e(M3O) . f(M4xOy) (14)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd, o cualquier combinación de los mismos; X es F, Cl, Br, I, o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤4; 0<d≤8; 0≤e≤8; 0≤f≤2; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
- 7.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (17)a(M1O) . b(M22O) . c(M2X) . d(GeO2) . e(M3O) . f(M42O3) . g(M5oOp) . h(M6xOy) (17)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, o cualquier combinación de los mismos; M5 es Si, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo, o cualquier combinación de los mismos; M6 es Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, o cualquier combinación de los mismos; X es F, Cl, Br, I, o cualquier combinación de los mismos 0<a≤2; 0≤b≤2; 0≤c≤10; 0<d≤10; 0≤e≤14; 0≤f≤14; 0≤g≤10; 0≤h≤2; 1≤o≤2; 1≤p≤5; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
- 8.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el cual el fósforo incluye un compuesto que tiene la fórmula (20)a(M1O).b(M22O).c(M2X).dP2O5.e(M3O).f(M42O3).g(M5O2).h(M6xOy) (20)en la cual M1 es Pb, Cu, o cualquier combinación de los mismos; M2 es Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag, o cualquier combinación de los mismos; M3 es Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn, o cualquier combinación de los mismos; M4 es Sc, Y, B, Al, La, Ga, In, o cualquier combinación de los mismos; M5 es Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, Mo, o cualquier combinación de los mismos; M6 es Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Tb, o cualquier combinación de los mismos,X puede ser F, Cl, Br, I, o cualquier combinación de los mismos; 0<a≤2; 0≤b≤12; 0≤c≤16; 0<d≤3; 0≤e≤5; 0≤f≤3; 0≤g≤2; 0<h≤2; 1≤x≤2; y 1≤y≤5.
- 9.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, en el cual el fósforo incluye uno o más compuestos simples o cualquier combinación de los mismos.
- 10.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9 que comprende, además, un material de estanqueidad configurado para cubrir el diodo emisor de luz y el fósforo.
- 11.-Dispositivo emisor de luz según la reivindicación 10, en el cual el fósforo se distribuye en el material de estanqueidad.
- 12.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 11, en el cual el fósforo se mezcla con un material endurecedor.
- 13.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 12, en el cual el diodo emisor de luz comprende una pluralidad de diodos emisores de luz.
- 14.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13, que comprende, además, pasta eléctricamente conductora dispuesta entre el diodo emisor de luz y uno de la pluralidad de electrodos.
- 15.-Dispositivo emisor de luz según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 14, que comprende, además, un reflector configurado para reflejar la luz procedente del diodo emisor de luz.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040042396A KR100665298B1 (ko) | 2004-06-10 | 2004-06-10 | 발광장치 |
KR10-2004-0042396 | 2004-06-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
ES2350830T3 true ES2350830T3 (es) | 2011-01-27 |
Family
ID=34930126
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES08166716.4T Active ES2490603T3 (es) | 2004-06-10 | 2004-12-22 | Dispositivo emisor de luz |
ES04106882T Active ES2350830T3 (es) | 2004-06-10 | 2004-12-22 | Dispositivo emisor de luz. |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ES08166716.4T Active ES2490603T3 (es) | 2004-06-10 | 2004-12-22 | Dispositivo emisor de luz |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7554129B2 (es) |
EP (3) | EP1605030B1 (es) |
JP (1) | JP4159542B2 (es) |
KR (1) | KR100665298B1 (es) |
CN (2) | CN100442553C (es) |
AT (1) | ATE478126T1 (es) |
DE (2) | DE602004028710D1 (es) |
ES (2) | ES2490603T3 (es) |
MX (1) | MX2007007648A (es) |
PT (1) | PT1605030E (es) |
TW (2) | TWI328885B (es) |
Cited By (1)
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- 2004-12-22 EP EP08166716.4A patent/EP2025734B1/en active Active
- 2004-12-22 DE DE602004028710T patent/DE602004028710D1/de active Active
- 2004-12-22 AT AT04106882T patent/ATE478126T1/de active
- 2004-12-22 ES ES04106882T patent/ES2350830T3/es active Active
- 2004-12-22 EP EP10177830A patent/EP2253690A3/en not_active Withdrawn
- 2004-12-22 DE DE202004021351U patent/DE202004021351U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-12-27 JP JP2004376611A patent/JP4159542B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-28 TW TW093140901A patent/TWI328885B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-28 TW TW098123458A patent/TWI344228B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-12-30 US US11/024,702 patent/US7554129B2/en active Active
-
2005
- 2005-01-17 CN CNB2005100059133A patent/CN100442553C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-01-17 CN CN2008101776688A patent/CN101424388B/zh active Active
- 2005-07-20 MX MX2007007648A patent/MX2007007648A/es active IP Right Grant
-
2007
- 2007-11-30 US US11/948,845 patent/US8066909B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-04 US US12/098,263 patent/US8089084B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-08-10 US US12/854,001 patent/US20100301371A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116925760A (zh) * | 2023-07-12 | 2023-10-24 | 安徽三联学院 | 一种Mn4+激活锑酸盐红色荧光材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE202004021351U1 (de) | 2007-10-11 |
US20080224163A1 (en) | 2008-09-18 |
KR100665298B1 (ko) | 2007-01-04 |
US20050274972A1 (en) | 2005-12-15 |
US8089084B2 (en) | 2012-01-03 |
TWI328885B (en) | 2010-08-11 |
CN1707819A (zh) | 2005-12-14 |
KR20050117164A (ko) | 2005-12-14 |
JP2005354027A (ja) | 2005-12-22 |
EP2025734B1 (en) | 2014-05-14 |
TW200541105A (en) | 2005-12-16 |
EP1605030A3 (en) | 2007-09-19 |
ES2490603T3 (es) | 2014-09-04 |
EP1605030B1 (en) | 2010-08-18 |
US20100301371A1 (en) | 2010-12-02 |
US20080067920A1 (en) | 2008-03-20 |
DE602004028710D1 (de) | 2010-09-30 |
EP2025734A2 (en) | 2009-02-18 |
CN100442553C (zh) | 2008-12-10 |
EP2253690A3 (en) | 2012-02-15 |
US7554129B2 (en) | 2009-06-30 |
CN101424388B (zh) | 2011-04-13 |
TW200952225A (en) | 2009-12-16 |
MX2007007648A (es) | 2007-09-18 |
ATE478126T1 (de) | 2010-09-15 |
US8066909B2 (en) | 2011-11-29 |
CN101424388A (zh) | 2009-05-06 |
PT1605030E (pt) | 2010-11-22 |
EP1605030A2 (en) | 2005-12-14 |
JP4159542B2 (ja) | 2008-10-01 |
EP2253690A2 (en) | 2010-11-24 |
TWI344228B (en) | 2011-06-21 |
EP2025734A3 (en) | 2009-06-10 |
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