CN102560659B - 一种非线性光学晶体及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种非线性光学晶体，该晶体的化学式为CsCdBO3，分子量为304.13，属于立方晶系，空间群为P213，晶胞参数为a=7.464(5)?，Z=4。采用该非线性光学晶体制成的非线性光学器件，在室温下，用调QNd:YAG激光器作光源，入射波长为1064nm的红外光，输出波长为532nm的绿色激光，激光强度相当于KDP(KH2PO4)的1倍。
Description
技术领域
本发明属于人工非线性光学晶体领域，具体涉及一种硼酸盐非线性光学晶体及其制备方法和用途。
背景技术
非线性光学晶体材料是重要的光电信息功能材料之一，是光电子技术特别是激光技术的重要物质基础，在信息、能源、工业制备、医学、军事等领域具有广泛的应用前景和巨大的应用价值。由于硼酸盐非线性光学晶体作为重要的倍频材料是当前应用广泛的激光倍频晶体，在硼酸盐体系中探索新型非线性光学晶体并实现激光波长的高效率转换成为激光领域一直关注的热点。目前主要的非线性光学材料有：BBO(β-BBO)、LBO（LiB3O5）晶体、CBO（CsB3O5）晶体、CLBO（CsLiB6O10）晶体和KBBF（KBe2BO3F2）晶体。这些材料的晶体生长技术已日趋成熟，但这些材料仍存在着明显的不足之处：如晶体易潮解、生长周期长、层状生长习性严重和价格昂贵等。因此，寻找新的非线线光学晶体材料仍然是一个非常重要而艰巨的工作。
因而近年来，在发展新型非线性光学晶体时，不仅注重晶体的光学性能和机械性能，而且希望新晶体材料容易制备，并获得价格低廉的大尺寸高质量的非线性光学晶体。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硼酸盐非线性光学晶体。
本发明的另一目的是提供上述晶体材料的制备方法。
本发明的另一个目的是提供上述晶体材料的用途。
本发明实现上述目的所采用的以下技术方案：
一种非线性光学晶体，该晶体的化学式为CsCdBO3，分子量为304.13，属于立方晶系，空间群为P213，晶胞参数为a=7.464(5)埃，Z=4。
所述CsCdBO3是将反应原料依下述化学方式程之一发生固相反应制得：
(1) Cs2CO3+2CdO+2H3BO3 →2CsCdBO3+CO2↑+3H2O↑
(2) 2Cd(NO3)2+2CsNO3+2H3BO3→2CsCdBO3+6NO2↑+3H2O↑+3/2O2↑
(3) 2CdO+Cs2O+2H3BO3→2CsCdBO3+3H2O↑
(4) Cd(OH)2+CsOH+H3BO3→CsCdBO3+3H2O↑
(5) Cs2CO3+2CdO+B2O3→2CsCdBO3+CO2↑
(6) 2Cd(NO3)2+2CsNO3+B2O3→2CsCdBO3+6NO2↑+3/2O2↑
(7) 2CdO+Cs2O+B2O3→2CsCdBO3
(8) 2Cd(OH)2+2CsOH+B2O3→2CsCdBO3+3H2O↑。
上述非线性光学晶体采用助熔剂法生长。
助熔剂法的特点是将原料在高温下熔融于低熔点的助熔剂中，再将固定在籽晶杆上的籽晶浸入溶液液面下，然后通过缓慢降温增大溶液的过饱和度生长出晶体。
所述助熔剂为H3BO3、Cs2CO3、Bi2O3，或者是H3BO3与Cs2CO3的混合物。
所述H3BO3与Cs2CO3的混合物中H3BO3与Cs2CO3的摩尔比为(1～3):(1～4)。
助熔剂法生长晶体时，助熔剂在化合物CsCdBO3生成之前或生成之后加入。
本发明非线性光学晶体的具体制备过程如下：
（1）CsCdBO3溶液的获得：将按上述化学方程式之一通过固相反应制得的CsCdBO3粉末与助熔剂混合均匀，升温至650～900℃，使其融化，得到CsCdBO3溶液；
或者，按上述任意一个化学方程式，将参与反应的反应物与助熔剂混合均匀，升温至650～900℃，熔融得到CsCdBO3溶液；
（2）CsCdBO3籽晶的生长：将步骤（1）得到的CsCdBO3溶液温度降至比溶液饱和状态的温度高5～20℃，再以0.5～10℃/h的速率降至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
（3）CsCdBO3晶体的生长：将盛有步骤（1）制得的CsCdBO3溶液的坩埚置入晶体生长炉中，将CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上，从晶体生长炉顶部下籽晶，先预热籽晶5～60分钟，再将籽晶下至CsCdBO3溶液液面或液面下，然后降温使CsCdBO3溶液达到饱和状态，再以0.1～5℃/天的速率降温，并以0～60rpm的转速旋转籽晶杆，等单晶生长至所需尺度后，将晶体提离CsCdBO3溶液，冷却至室温，即得到非线性光学晶体。
步骤（1）所得到的CsCdBO3溶液中CsCdBO3与助溶剂的摩尔比为1:（1～6）。
所述非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器的用途。
所获的晶体具有硬度大，不易碎裂，机械性能好，易于加工和保存的优点。采用本发明所述方法获得的非线性光学晶体制成的非线性光学器件，在室温下，用调Q Nd:YAG激光器作光源，入射波长为1064nm的红外光，输出波长为532nm的绿色激光，激光强度相当于KDP(KH2PO4)的1倍。
附图说明
图1为本发明CsCdBO3粉末的X-射线衍射图。
图2 为本发明CsCdBO3晶体制作的非线性光学器件的工作原理图。
其中，1-激光器、2-透镜、3-倍频器件、4-棱镜、5-滤波片、ω-光束的频率。
具体实施方式
以下结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
实施例1
化学方程式Cs2CO3+2CdO+2H3BO3 →2CsCdBO3+CO2↑+3H2O↑
将反应物Cs2CO3、CdO、H3BO3按摩尔比1:2:2称取放入研钵中，混合并仔细研磨，然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中，放入马弗炉中，缓慢升温至550℃，恒温24小时，冷却至室温，取出经第二次研磨之后放入马弗炉中，再升温至650℃，恒温24小时，冷却至室温，取出经第三次研磨后放入马弗炉中，再升温至810℃，恒温48小时，取出经研磨制得CsCdBO3多晶粉末。对该产物进行X射线分析（图1），所得X射线谱图与CsCdBO3单晶研磨成粉末后得到的X射线谱图是一致的；
将得到CsCdBO3多晶粉末与助熔剂H3BO3按摩尔比CsCdBO3: H3BO3 =1:3，进行混配，装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中，以30℃/h的升温速率将其加热至780℃，恒温15小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液降温至735℃，然后温度以0.5℃/h的速率缓慢降温至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂金坩埚置于780℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，先在CsCdBO3溶液表面上预热籽晶10分钟，再浸入液面中，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温30分钟后，温度快速降至730℃，溶液达到饱和状态；再以2℃/天的速率降温，以10rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长结束后，使晶体脱离液面，温度以10℃/小时的速率降至室温，即可获得尺寸为36mm×30mm×20 mm的CsCdBO3晶体。
实施例2
化学方程式2Cd(NO3)2+2CsNO3+2H3BO3→2CsCdBO3+6NO2↑+3H2O↑+3/2O2↑
将反应物Cd(NO3)2、CsNO3、H3BO3和助熔剂Cs2CO3按摩尔比1:1:1:4直接称取并进行混合，装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中，升温至温度745℃，恒温60小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液冷却降温至715℃，温度再以1.5℃/h的速率缓慢降温至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂金坩埚置于745℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液表面上预热10分钟，再浸入液面下，使籽晶在混合熔液中进行回熔，恒温30分钟后，温度快速降至710℃，溶液达到饱和状态；再以温度1℃/天的速率缓慢降温，不旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离液面，温度以20℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为32mm×22mm×15 mm的CsCdBO3晶体。
实施例3
化学方程式2CdO+Cs2O+2H3BO3→2CsCdBO3+3H2O↑
将反应物CdO、Cs2O、H3BO3按摩尔比2:1:2放入研钵中，混合并仔细研磨，然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中，将其压紧，放入马弗炉中，缓慢升温至550℃，恒温24小时，待冷却后取出坩埚，此时样品较疏松，接着取出样品重新研磨均匀，再置于坩埚中，在马弗炉内于温度780℃又恒温48小时，将其取出，放入研钵中捣碎研磨即得CsCdBO3化合物；
将得到的CsCdBO3化合物与助熔剂Bi2O3按摩尔比为1:2混合，装入Φ80mm×80mm的开口铂坩埚中，温度升至720℃，恒温80小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液温度降至660℃，温度再以2.5℃/h的速率降至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂坩埚置于720℃的晶体生长炉中，将获得的籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液表面上预热10分钟，部分浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温20分钟，温度快速降至650℃，溶液达到饱和状态；温度再以2℃/天的速率缓慢降温，以30rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离溶液表面，温度以30℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为33mm×30mm×20 mm的CsCdBO3晶体。
实施例4
化学方程式Cd(OH)2+CsOH+H3BO3→CsCdBO3+3H2O↑
将反应物Cd(OH)2、CsOH、H3BO3和助熔剂（Cs2CO3-H3BO3）按摩尔比1:1:1:3称取原料，进行混配，其中助熔剂中Cs2CO3与H3BO3的摩尔比为1:1，装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中，温度升至765℃，恒温10小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液温度冷却至685℃，温度再以2.5℃/h的速率降至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂金坩埚置于765℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液表面上预热5分钟，再浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温5分钟，温度快速降至680℃，溶液达到饱和状态；然后以温度2℃/天的速率缓慢降温，以50rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离熔液表面，温度以60℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为28mm×21mm×16 mm的CsCdBO3晶体。
实施例5
化学方程式Cs2CO3+2CdO+B2O3→2CsCdBO3+CO2↑
将反应物Cs2CO3、CdO、B2O3和助熔剂H3BO3按摩尔比1:2:1:2称取原料，进行混配，装入Φ80mm×80mm的开口铂坩埚中，升温至780℃，恒温60小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液温度降至620℃，温度再以3.5℃/h的速率缓慢降温至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂坩埚置于780℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，先在CsCdBO3溶液液面上预热籽晶15分钟，再浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温30分钟，快速降温至615℃，溶液达到饱和状态；温度再以3℃/天的速率缓慢降温，以5rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离溶液表面，以温度1℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为25mm×24mm×10mm的CsCdBO3晶体。
实施例6
化学方程式：2Cd(NO3)2+2CsNO3+B2O3→2CsCdBO3+6NO2↑+3/2O2↑
将反应物Cd(NO3)2、CsNO3、B2O3和助熔剂（H3BO3-Cs2CO3）按摩尔比2:2:1:1，其中助熔剂中H3BO3 与Cs2CO3摩尔比为2:4，称取原料，进行混配，装入Φ80mm×80mm的开口铂坩埚中，升温至温度650℃，恒温80小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液温度降至615℃，温度再以5℃/h的速率降至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂坩埚置于650℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液液面上预热20分钟，再浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温5分钟，温度快速降至610℃，溶液达到饱和状态；然后温度以3℃/天的速率缓慢降温，以15rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离溶液表面，温度以15℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为32mm×20mm×13mm的CsCdBO3晶体。
实施例7
化学反应方程式2CdO+Cs2O+B2O3→2CsCdBO3
将反应物CdO、Cs2O、B2O3和助熔剂Bi2O3按摩尔比2:1:1:2称取原料，进行混配，升温至760℃，恒温80小时，得到CsCdBO3熔液；
CsCdBO3熔液温度降至710℃，温度再以10℃/h的速率缓慢降温至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的坩埚置于760℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液液面上预热25分钟，然后部分浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温25分钟，温度快速降至700℃，溶液达到饱和状态；温度再以5℃/天的速率降温，以30rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离溶液表面，温度以35℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为22mm×22mm×12mm的CsCdBO3晶体。
实施例8
化学方式程2Cd(OH)2+2CsOH+B2O3→2CsCdBO3+3H2O↑
将反应物Cd(OH)2、CsOH、B2O3按摩尔比2:2:1放入研钵中，混合并仔细研磨，然后装入Φ100mm×100mm的开口刚玉坩埚中，将其压紧，放入马弗炉中，缓慢升温至550℃，恒温24小时，待冷却后取出坩埚，此时样品较疏松，接着取出样品重新研磨均匀，再置于坩埚中，在马弗炉内于温度810℃又恒温48小时，将其取出，放入研钵中捣碎研磨即得CsCdBO3化合物；
然后将合成的CsCdBO3化合物与助熔剂H3BO3按摩尔比1:3，进行混配，装入Φ80mm×80mm的开口铂金坩埚中，温度升至770℃，恒温70小时，得到CsCdBO3溶液；
CsCdBO3溶液温度降至725℃，温度再以4.0℃/h的速率缓慢降温至室温，自发结晶获得CsCdBO3籽晶；
将盛有CsCdBO3溶液的开口铂金坩埚置于770℃的晶体生长炉中，将获得的CsCdBO3籽晶固定于籽晶杆上从晶体生长炉顶部下籽晶，籽晶先在CsCdBO3溶液表面上预热8分钟，再浸入液面下，使籽晶在溶液中进行回熔，恒温8分钟，温度快速降至720℃，溶液达到饱和状态；温度再以0.8℃/天的速率缓慢降温，以10rpm的转速旋转籽晶杆，待晶体生长到所需尺度后，将晶体提离溶液表面，温度以5℃/h速率降至室温，然后将晶体从炉膛中取出，即可获得尺寸为18mm×22mm×15 mm的CsCdBO3晶体。
实施例9
将实施例1～8所得的任意一块CsCdBO3晶体按照要求加工成尺寸为5mm×5mm×6mm的倍频器件，按附图1所示将其安置在3的位置上，在室温下，用调Q Nd:YAG激光器作光源，入射波长为1064 nm，由调Q Nd:YAG激光器发出波长为1064 nm的红外光束射入CsCdBO3晶体，产生波长为532 nm的绿色倍频光，输出强度为同等条件KDP的1倍，出射光束含有波长为1064 nm的红外光和532 nm的绿光，经滤波片滤去红外光后得到波长为532 nm的绿色激光。
Claims (7)
1.一种非线性光学晶体，其特征在于：该晶体的化学式为CsCdBO3，分子量为304.13，属于立方晶系，空间群为P213，晶胞参数为a=7.464(5) 埃，Z=4。
2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于，化合物CsCdBO3是将反应原料依下述化学方程式之一发生固相反应制得：
(1) Cs2CO3+2CdO+2H3BO3 →2CsCdBO3+CO2↑+3H2O↑；
(2) 2Cd(NO3)2+2CsNO3+2H3BO3→2CsCdBO3+6NO2↑+3H2O↑+3/2O2↑；
(3) 2CdO+Cs2O+2H3BO3→2CsCdBO3+3H2O↑；
(4) Cd(OH)2+CsOH+H3BO3→CsCdBO3+3H2O↑；
(5) Cs2CO3+2CdO+B2O3→2CsCdBO3+CO2↑；
(6) 2Cd(NO3)2+2CsNO3+B2O3→2CsCdBO3+6NO2↑+3/2O2↑；
(7) 2CdO+Cs2O+B2O3→2CsCdBO3；
(8) 2Cd(OH)2+2CsOH+B2O3→2CsCdBO3+3H2O↑。
3.根据权利要求1所述的非线性光学晶体，其特征在于：所述非线性光学晶体采用助熔剂法生长。
4.根据权利要求3所述的非线性光学晶体，其特征在于：所述助熔剂为H3BO3、Cs2CO3、Bi2O3，或者是H3BO3与Cs2CO3的混合物。
5.根据权利要求4所述的非线性光学晶体，其特征在于：所述H3BO3与Cs2CO3的混合物中H3BO3与Cs2CO3的摩尔比为(1～3):(1～4)。
6.根据权利要求3所述的非线性光学晶体，其特征在于：助熔剂法生长晶体时，助熔剂在化合物CsCdBO3生成之前或生成之后加入。
7.权利要求1所述非线性光学晶体的用途，其特征在于：所述非线性光学晶体用于制备倍频发生器、上频率转换器、下频率转换器或光参量振荡器的用途。
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|---|---|---|---|---|
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| CN104746139A (zh) * | 2013-12-25 | 2015-07-01 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 化合物硼酸铷镁非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB931336A (en) * | 1959-08-06 | 1963-07-17 | Monsanto Chemicals | Improvements in or relating to boron phosphide |
| US5670086A (en) * | 1996-02-20 | 1997-09-23 | Eastman Kodak Company | Vitrified phosphor articles, intermediates, and preparation methods |
| CN1236027A (zh) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | 中国科学技术大学 | 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途 |
| CN1328526A (zh) * | 1998-09-03 | 2001-12-26 | 罗狄亚化学公司 | 含有两种掺杂剂的镧、镥、钇或钆的硼酸盐及其前体和其在等离子体或x射线系统中的用途 |
| CN1382839A (zh) * | 2002-03-22 | 2002-12-04 | 武汉大学 | 红外非线性光学晶体材料及其制备方法 |
| CN1396318A (zh) * | 2002-05-17 | 2003-02-12 | 武汉大学 | 一种红外无机非线性光学晶体材料及其制备方法 |
| CN1707819A (zh) * | 2004-06-10 | 2005-12-14 | 汉城半导体股份有限公司 | 发光元件 |
| CN1751141A (zh) * | 2003-02-13 | 2006-03-22 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器 |
| CN101245490A (zh) * | 2007-02-15 | 2008-08-20 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 |
| CN101311370A (zh) * | 2008-04-17 | 2008-11-26 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 大尺寸硼酸铋锌非线性光学晶体及制备方法和用途 |
| CN101514492A (zh) * | 2009-03-03 | 2009-08-26 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 大尺寸硼酸钾锶非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
| CN101587279A (zh) * | 2008-05-22 | 2009-11-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种非线性光学晶体亚碲酸镓 |
| CN101764263A (zh) * | 2009-11-09 | 2010-06-30 | 南京双登科技发展研究院有限公司 | 含有活性炭负极的铅碳超级电池及其制备方法 |
| CN102260911A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-30 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体中温相硼酸铍钾 |
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Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB931336A (en) * | 1959-08-06 | 1963-07-17 | Monsanto Chemicals | Improvements in or relating to boron phosphide |
| US5670086A (en) * | 1996-02-20 | 1997-09-23 | Eastman Kodak Company | Vitrified phosphor articles, intermediates, and preparation methods |
| CN1236027A (zh) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | 中国科学技术大学 | 化合物r2mb10o19非线性光学晶体及其制法和用途 |
| CN1328526A (zh) * | 1998-09-03 | 2001-12-26 | 罗狄亚化学公司 | 含有两种掺杂剂的镧、镥、钇或钆的硼酸盐及其前体和其在等离子体或x射线系统中的用途 |
| CN1382839A (zh) * | 2002-03-22 | 2002-12-04 | 武汉大学 | 红外非线性光学晶体材料及其制备方法 |
| CN1396318A (zh) * | 2002-05-17 | 2003-02-12 | 武汉大学 | 一种红外无机非线性光学晶体材料及其制备方法 |
| CN1751141A (zh) * | 2003-02-13 | 2006-03-22 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 硼酸盐系结晶的制造方法和激光振荡器 |
| CN1707819A (zh) * | 2004-06-10 | 2005-12-14 | 汉城半导体股份有限公司 | 发光元件 |
| CN101245490A (zh) * | 2007-02-15 | 2008-08-20 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种CsLiB6O10晶体的助熔剂生长方法 |
| CN101311370A (zh) * | 2008-04-17 | 2008-11-26 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 大尺寸硼酸铋锌非线性光学晶体及制备方法和用途 |
| CN101587279A (zh) * | 2008-05-22 | 2009-11-25 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种非线性光学晶体亚碲酸镓 |
| CN101514492A (zh) * | 2009-03-03 | 2009-08-26 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 大尺寸硼酸钾锶非线性光学晶体及其制备方法和用途 |
| CN101764263A (zh) * | 2009-11-09 | 2010-06-30 | 南京双登科技发展研究院有限公司 | 含有活性炭负极的铅碳超级电池及其制备方法 |
| CN102260911A (zh) * | 2010-05-12 | 2011-11-30 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 新型非线性光学晶体中温相硼酸铍钾 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| L WU.Sructure determination and relative properties of novel cubic broates MM′4(BO3)3 (M =Li,M′=Sr * |
| M=Na,M′=Sr, Ba).《Inorganic Chemistry》.2005,第44卷(第18期),6409-6414. * |
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