JP2005277380A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. シリコン基板と、
   前記基板に、液相エッチングによって形成されたホーンと、
   前記基板に、液相エッチングによって形成された少なくとも一つのコンタクトホールと、
   前記ホーン内から前記コンタクトホール下縁まで延びている少なくとも一つの電極と、
   もう一つの電極と、
   前記ホーン内にマウントされ且つ前記電極に電気的に接続された少なくとも一つのＬＥＤチップと、
   を含んでいることを特徴とする、ＬＥＤ。
2. シリコン基板と、
   前記基板に、液相エッチングによって形成されたホーンと、
   前記基板に、液相エッチングによって形成された少なくとも一つのコンタクトエッジと、
   前記ホーン内から前記コンタクトエッジ下縁まで延びている少なくとも一つの電極と、
   もう一つの電極と、
   前記ホーン内にマウントされ且つ前記電極に電気的に接続された少なくとも一つのＬＥＤチップと、
   を含んでいることを特徴とする、ＬＥＤ。
3. 前記シリコン基板がＬＥＤチップをマウントした側から見て矩形であり、前記コンタクトエッジが矩形の四隅の少なくとも一箇所に形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のＬＥＤ。
4. 前記シリコン基板が、少なくともホーンの領域にて下面に金属薄膜を備えていることを特徴とする、請求項１または２に記載のＬＥＤ。
5. 前記シリコン基板が、前記金属薄膜を介して放熱部材に設置されている、請求項４に記載のＬＥＤ。
6. 前記ホーン上に、レンズが配置されていることを特徴とする、請求項１から５に記載のＬＥＤ。
7. 前記シリコン基板のホーン周囲に前記レンズのための位置合わせ用窪みが形成されていることを特徴とする、請求項６に記載のＬＥＤ。
8. シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程と、
   前記酸化膜に対してコンタクトホールとなる部分を露出するようにパターニングする工程と、
   前記シリコン基板に液相エッチングによってコンタクトホールとなる部分に浅い窪みを形成する工程と、
   前記酸化膜に対してホーンとなる部分を露出するようにパターニングする工程と、
   前記シリコン基板に液相エッチングによってホーンとコンタクトホールを形成する工程と、
   前記シリコン基板表面に絶縁膜を形成する工程と、
   前記シリコン基板に電極パターンを形成する工程と、
   前記ホーン内にＬＥＤチップをダイボンドし、かつ、前記電極パターンに電気的に接続する工程と、
   前記シリコン基板を分割する工程と、
   を、含むことを特徴とする、ＬＥＤの製造方法。
9. シリコン基板表面に酸化膜を形成する工程と、
   前記酸化膜に対して貫通孔となる部分を露出するようにパターニングする工程と、
   前記シリコン基板に液相エッチングによって貫通孔となる部分に浅い窪みを形成する工程と、
   前記酸化膜に対してホーンとなる部分を露出するようにパターニングする工程と、
   前記シリコン基板に液相エッチングによってホーンと貫通孔を形成する工程と、
   前記シリコン基板表面に絶縁膜を形成する工程と、
   前記シリコン基板に電極パターンを形成する工程と、
   前記ホーン内にＬＥＤチップをダイボンドし、かつ、前記電極パターンに電気的に接続する工程と、
   前記シリコン基板を、貫通孔を横切るようにしてコンタクトエッジを形成しつつ分割する工程と、
   を、含むことを特徴とする、ＬＥＤの製造方法。
10. 第一の基板に電極を形成する工程と、
    第二の基板としてシリコン基板を用意し、前記シリコン基板に液相エッチングによって貫通孔を形成し、側壁にホーンを形成する工程と、
    前記第一の基板と前記第二の基板を、前記貫通孔底部に前記電極が見えるように張り合わせる工程と、
    前記電極にＬＥＤチップをダイボンドする工程と、
    を、含むことを特徴とする、ＬＥＤの製造方法。
11. 貫通孔内面にミラー面を形成する工程及び／又は樹脂モールドを行う工程及び／又はＳｉ表面を酸化膜で絶縁化する工程と
    を、含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤの製造方法。