JP2525554Y2 - 発光表示装置 - Google Patents
発光表示装置Info
- Publication number
- JP2525554Y2 JP2525554Y2 JP1990120299U JP12029990U JP2525554Y2 JP 2525554 Y2 JP2525554 Y2 JP 2525554Y2 JP 1990120299 U JP1990120299 U JP 1990120299U JP 12029990 U JP12029990 U JP 12029990U JP 2525554 Y2 JP2525554 Y2 JP 2525554Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- light emitting
- light
- conductor
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Description
【考案の詳細な説明】 産業上の利用分野 本考案は外部リードを具備した発光表示装置に関す
る。
る。
従来技術及び本考案の解決すべき課題 従来の７セグメントディスプレイ等の発光表示装置
は、プリント基板と反射板と外部リードを備えており、
外部リードがプリント基板に配設されたスルーホールに
接続された構造となっている。周知のとおり、今日この
種の発光表示装置においても、装置の小型化が強く要望
されている。しかしながら、上記の発光表示装置ではプ
リント基板と反射板とが別体から成るため小型化特に薄
型化が困難であった。
は、プリント基板と反射板と外部リードを備えており、
外部リードがプリント基板に配設されたスルーホールに
接続された構造となっている。周知のとおり、今日この
種の発光表示装置においても、装置の小型化が強く要望
されている。しかしながら、上記の発光表示装置ではプ
リント基板と反射板とが別体から成るため小型化特に薄
型化が困難であった。
そこで、本考案は上記の要求を満足する新規な構造の
発光表示装置を提供することを目的とする。
発光表示装置を提供することを目的とする。
また、従来では、発光表示装置に設けられた外部リー
ドを回路基板のスルーホールに固定したとき、発光表示
装置を回路基板に対して直角に直立させて実装すること
ができなかった。
ドを回路基板のスルーホールに固定したとき、発光表示
装置を回路基板に対して直角に直立させて実装すること
ができなかった。
そこで、本考案は、発光表示装置に設けられた外部リ
ードを回路基板のスルーホールに固定したとき、発光表
示装置を回路基板に対して直角に直立させて実装できる
薄型の発光表示装置を提供することを目的とする。
ードを回路基板のスルーホールに固定したとき、発光表
示装置を回路基板に対して直角に直立させて実装できる
薄型の発光表示装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本考案による発光表示装置は、一方の主面（21a）に
凹部（29）を形成した絶縁性基板（21）と、絶縁性基板
（21）の凹部（29）の底面（34）と側壁面（30〜33）に
配設した光反射性を有する一対の配線導体（35、36）
と、凹部（29）内の一方の配線導体（35）に載置した発
光素子（22）と、発光素子（22）と他方の配線導体（3
6）とを接続するリード細線（23）と、配線導体（35、3
6）の各々に接続した外部リード（25、26）とを備えて
いる。外部リード（25、26）の一方の端部は絶縁性基板
（21）の他方の主面（21b）に形成された溝部（37、3
8）に収容され、外部リード（25、26）の他方の端部は
絶縁性基板（21）の外側に導出される。絶縁性基板（2
1）の一方の主面（21a）と溝部（37、38）とを連絡する
一対の孔又は切欠部（27、28）を絶縁性基板（21）に形
成する。また、一対の配線導体（35、36）にそれぞれ接
続された第１の導体延長部（35a、36a）を孔又は切欠部
（27、28）の壁面に形成し、第１の導体延長部（35a、3
6a）にそれぞれ接続された第２の導体延長部（35b、36
b）を溝部（37、38）に形成する。発光素子（22）に電
気的に接続された外部リード（25、26）は、絶縁性基板
（21）の主面に対し略並行に溝部（37、38）から導出さ
れる。
凹部（29）を形成した絶縁性基板（21）と、絶縁性基板
（21）の凹部（29）の底面（34）と側壁面（30〜33）に
配設した光反射性を有する一対の配線導体（35、36）
と、凹部（29）内の一方の配線導体（35）に載置した発
光素子（22）と、発光素子（22）と他方の配線導体（3
6）とを接続するリード細線（23）と、配線導体（35、3
6）の各々に接続した外部リード（25、26）とを備えて
いる。外部リード（25、26）の一方の端部は絶縁性基板
（21）の他方の主面（21b）に形成された溝部（37、3
8）に収容され、外部リード（25、26）の他方の端部は
絶縁性基板（21）の外側に導出される。絶縁性基板（2
1）の一方の主面（21a）と溝部（37、38）とを連絡する
一対の孔又は切欠部（27、28）を絶縁性基板（21）に形
成する。また、一対の配線導体（35、36）にそれぞれ接
続された第１の導体延長部（35a、36a）を孔又は切欠部
（27、28）の壁面に形成し、第１の導体延長部（35a、3
6a）にそれぞれ接続された第２の導体延長部（35b、36
b）を溝部（37、38）に形成する。発光素子（22）に電
気的に接続された外部リード（25、26）は、絶縁性基板
（21）の主面に対し略並行に溝部（37、38）から導出さ
れる。
作用 外部リード（25、26）の一方の端部は絶縁性基板（2
1）に形成された溝部（37、38）に収容され且つ絶縁性
基板（21）の主面（21a、21b）に対し略並行に溝部（3
7、38）から導出されるので、発光表示装置の薄型化が
可能である。また、発光素子（22）に電気的に接続され
た外部リード（25、26）は、絶縁性基板（21）の主面
（21a、21b）に対し略並行に溝部（37、38）から導出さ
れるので、外部リード（25、26）を回路基板（44）のス
ルーホール（44a）に固定したとき、発光表示装置を回
路基板（44）に対して直角に直立させて実装することが
できる。
1）に形成された溝部（37、38）に収容され且つ絶縁性
基板（21）の主面（21a、21b）に対し略並行に溝部（3
7、38）から導出されるので、発光表示装置の薄型化が
可能である。また、発光素子（22）に電気的に接続され
た外部リード（25、26）は、絶縁性基板（21）の主面
（21a、21b）に対し略並行に溝部（37、38）から導出さ
れるので、外部リード（25、26）を回路基板（44）のス
ルーホール（44a）に固定したとき、発光表示装置を回
路基板（44）に対して直角に直立させて実装することが
できる。
実施例 以下、本考案の一実施例に係る発光表示装置を第１図
〜第４図について説明する。
〜第４図について説明する。
本実施例の発光表示装置は、中央側に一方の主面（21
a）から他方の主面（21b）側へと窪む凹部（29）が形成
された絶縁性基板（21）と、絶縁性基板（21）の一方の
主面（21b）に形成された光反射性の第１の配線導体（3
5）及び第２の配線導体（36）と、第１の配線導体（3
5）に下面の電極が固着された発光ダイオードチップ（2
2）と、発光ダイオードチップ（22）の上面の電極と第
２の配線導体（36）とを接続するリード細線（23）と、
凹部（29）内に充填された光透過性樹脂（24）と、第１
の配線導体（35）及び第２の配線導体（36）にそれぞれ
接続された外部リード（25）（26）から構成される。
a）から他方の主面（21b）側へと窪む凹部（29）が形成
された絶縁性基板（21）と、絶縁性基板（21）の一方の
主面（21b）に形成された光反射性の第１の配線導体（3
5）及び第２の配線導体（36）と、第１の配線導体（3
5）に下面の電極が固着された発光ダイオードチップ（2
2）と、発光ダイオードチップ（22）の上面の電極と第
２の配線導体（36）とを接続するリード細線（23）と、
凹部（29）内に充填された光透過性樹脂（24）と、第１
の配線導体（35）及び第２の配線導体（36）にそれぞれ
接続された外部リード（25）（26）から構成される。
絶縁性基板（21）は超高機能樹脂や液晶ポリマー等か
ら成り、四角形の平面形状を有する。絶縁性基板（21）
の第１の辺（A1）側には２つのスルーホール（27）（2
8）が孔として形成されている。凹部（29）の側壁面
は、絶縁性基板（21）の第１及び第２の辺（A1）（A2）
に対向する第１及び第２の側壁面（30）（31）と絶縁性
基板（21）の第３及び第４の辺（A3）（A4）に対向する
第３及び第４の側壁面（32）（33）から構成される。第
１〜第４の側壁面（30）（31）（32）（33）はそれぞれ
凹部（29）の底面（34）側に第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）を有し、凹部（29）の底面（34）か
ら離間した側に第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（3
3b）を有する。第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）（3
3a）は凹部（29）の底面（34）を含む平面に対して約45
°の角度で傾斜し、第２の傾斜面（30b）（31b）（32
b）（33b）は凹部（29）の底面（34）を含む平面に対し
て約60°の角度で傾斜する。本実施例では、絶縁性基板
（21）の厚さは約1.5mm、第１〜第４の側壁面（30）（3
1）（32）（33）の第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）
（33a）及び第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（33
b）の高さはそれぞれ約0.3mmと約0.7mmである。発光ダ
イオードチップ（22）の高さは0.27mmであり、発光ダイ
オードチップ（22）の側面は第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）に対向する。
ら成り、四角形の平面形状を有する。絶縁性基板（21）
の第１の辺（A1）側には２つのスルーホール（27）（2
8）が孔として形成されている。凹部（29）の側壁面
は、絶縁性基板（21）の第１及び第２の辺（A1）（A2）
に対向する第１及び第２の側壁面（30）（31）と絶縁性
基板（21）の第３及び第４の辺（A3）（A4）に対向する
第３及び第４の側壁面（32）（33）から構成される。第
１〜第４の側壁面（30）（31）（32）（33）はそれぞれ
凹部（29）の底面（34）側に第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）を有し、凹部（29）の底面（34）か
ら離間した側に第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（3
3b）を有する。第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）（3
3a）は凹部（29）の底面（34）を含む平面に対して約45
°の角度で傾斜し、第２の傾斜面（30b）（31b）（32
b）（33b）は凹部（29）の底面（34）を含む平面に対し
て約60°の角度で傾斜する。本実施例では、絶縁性基板
（21）の厚さは約1.5mm、第１〜第４の側壁面（30）（3
1）（32）（33）の第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）
（33a）及び第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（33
b）の高さはそれぞれ約0.3mmと約0.7mmである。発光ダ
イオードチップ（22）の高さは0.27mmであり、発光ダイ
オードチップ（22）の側面は第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）に対向する。
第２図に示すように、絶縁性基板（21）の一方の主面
（21b）には第３の辺（A3）側に第１の配線導体（35）
が形成され、第４の辺（A4）側に第２の配線導体（36）
が形成されている。また、第１図及び第３図に示すよう
に、絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）には、溝部
（37）（38）が形成され、スルーホール（27）及び（2
8）はそれぞれ溝部（37）及び（38）に通じるように配
設されている。スルーホール（27）（28）の内壁にはそ
れぞれ第１の配線導体（35）及び第２の配線導体（36）
に接続された第１の導体延長部（35a、36a）として導体
層（39）（40）が形成されている。また、溝部（37）
（38）にもそれぞれ第１の配線導体（35）及び第２の配
線導体（36）に接続された第１の導体延長部（35a、36
a）にそれぞれ接続された第２の導体延長部（35b、36
b）として導体層（41）（42）が形成されている。第１
の配線導体（35）はスルーホール（27）内の導体層（3
9）を介して溝部（37）の導体層（41）に電気的に接続
され、第２の配線導体（36）はスルーホール（28）内の
導体層（40）を介して溝部（38）の導体層（42）に電気
的に接続されている。第１及び第２の配線導体（35）
（36）及び導体層（39）（40）（41）（42）は絶縁性基
板（21）側から厚さ約10μｍの銅層と、厚さ約25μｍの
ニッケル層と、厚さ約５μｍの銀層が順次メッキされて
成る三層の金属層である。
（21b）には第３の辺（A3）側に第１の配線導体（35）
が形成され、第４の辺（A4）側に第２の配線導体（36）
が形成されている。また、第１図及び第３図に示すよう
に、絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）には、溝部
（37）（38）が形成され、スルーホール（27）及び（2
8）はそれぞれ溝部（37）及び（38）に通じるように配
設されている。スルーホール（27）（28）の内壁にはそ
れぞれ第１の配線導体（35）及び第２の配線導体（36）
に接続された第１の導体延長部（35a、36a）として導体
層（39）（40）が形成されている。また、溝部（37）
（38）にもそれぞれ第１の配線導体（35）及び第２の配
線導体（36）に接続された第１の導体延長部（35a、36
a）にそれぞれ接続された第２の導体延長部（35b、36
b）として導体層（41）（42）が形成されている。第１
の配線導体（35）はスルーホール（27）内の導体層（3
9）を介して溝部（37）の導体層（41）に電気的に接続
され、第２の配線導体（36）はスルーホール（28）内の
導体層（40）を介して溝部（38）の導体層（42）に電気
的に接続されている。第１及び第２の配線導体（35）
（36）及び導体層（39）（40）（41）（42）は絶縁性基
板（21）側から厚さ約10μｍの銅層と、厚さ約25μｍの
ニッケル層と、厚さ約５μｍの銀層が順次メッキされて
成る三層の金属層である。
発光ダイオードチップ（22）の下面に形成されたカソ
ード電極は、凹部（29）の底面（34）において第１の配
線導体（35）に固着され、発光ダイオードチップ（22）
の上面に形成されたアノード電極はリード細線（23）に
よって第２の配線導体（36）に電気的に接続されてい
る。発光ダイオードチップ（22）とリード細線（23）は
凹部（29）に充填された光透過性樹脂（24）によって被
覆されている。
ード電極は、凹部（29）の底面（34）において第１の配
線導体（35）に固着され、発光ダイオードチップ（22）
の上面に形成されたアノード電極はリード細線（23）に
よって第２の配線導体（36）に電気的に接続されてい
る。発光ダイオードチップ（22）とリード細線（23）は
凹部（29）に充填された光透過性樹脂（24）によって被
覆されている。
また、第１図及び第３図に示すように、外部リード
（25）（26）の一方の端部側は溝部（37）（38）に収容
され且つ導体層（41）（42）に対して半田（43）によっ
て固着される。溝部（37）（38）の深さは外部リード
（25）（26）の径よりも大きく、外部リード（25）（2
6）は絶縁性基板（21）の他方の主面から外側に突出し
ない。発光素子（22）に電気的に接続された外部リード
（25）（26）の一方の端部は、絶縁性基板（21）の主面
（21a）（21b）に対し略並行に溝部（37）（38）から導
出される。本実施例の発光表示装置は、発光素子（22）
に電気的に接続された外部リード（25）（26）は、絶縁
性基板（21）の主面（21a、21b）に対し略並行に溝部
（37、38）から導出されるので、例えば第２図に示すよ
うに絶縁性基板（21）から導出される外部リード（25）
（26）の他方の端部を回路基板（44）のスルーホール
（44a）内に固定したとき、発光表示装置を回路基板（4
4）に対して直角に直立させて実装することができる。
（25）（26）の一方の端部側は溝部（37）（38）に収容
され且つ導体層（41）（42）に対して半田（43）によっ
て固着される。溝部（37）（38）の深さは外部リード
（25）（26）の径よりも大きく、外部リード（25）（2
6）は絶縁性基板（21）の他方の主面から外側に突出し
ない。発光素子（22）に電気的に接続された外部リード
（25）（26）の一方の端部は、絶縁性基板（21）の主面
（21a）（21b）に対し略並行に溝部（37）（38）から導
出される。本実施例の発光表示装置は、発光素子（22）
に電気的に接続された外部リード（25）（26）は、絶縁
性基板（21）の主面（21a、21b）に対し略並行に溝部
（37、38）から導出されるので、例えば第２図に示すよ
うに絶縁性基板（21）から導出される外部リード（25）
（26）の他方の端部を回路基板（44）のスルーホール
（44a）内に固定したとき、発光表示装置を回路基板（4
4）に対して直角に直立させて実装することができる。
本実施例の発光表示装置において、発光ダイオードチ
ップ（22）から放射された光は、発光ダイオードチップ
（22）の上面から下方に向かって放射されて直接的に光
透過性樹脂（24）の外側に導き出される第１の成分と、
発光ダイオードチップ（22）の側面から側方に向かって
放射されて凹部（29）の側壁面（30）（31）（32）（3
3）で反射して光透過性樹脂（24）の外側に導き出され
る第２の成分から成る。発光ダイオードチップ（22）か
ら放射される波長領域の光に対する第１及び第２の配線
導体（35）（36）の反射率は絶縁性基板（21）の反射率
より大きく、凹部（29）の側壁面（30）（31）（32）
（33）は反射壁として良好に機能する。特に本実施例で
は、発光ダイオードチップ（22）の高さが第１の傾斜面
（30a）（31a）（32a）（33a）の高さよりも低く、発光
ダイオードチップ（22）の側面が約45°の傾斜角で第１
の傾斜面（30a）（31a）（32a）（33a）に対向する。こ
のため、発光ダイオードチップ（22）の側面から放射さ
れた光の第２の成分は、第１及び第２の配線導体（35）
（36）の表面で反射され、光透過性樹脂（24）の外側に
大きな光量で導出されるから、従来よりも高輝度の発光
表示装置を実現できる。
ップ（22）から放射された光は、発光ダイオードチップ
（22）の上面から下方に向かって放射されて直接的に光
透過性樹脂（24）の外側に導き出される第１の成分と、
発光ダイオードチップ（22）の側面から側方に向かって
放射されて凹部（29）の側壁面（30）（31）（32）（3
3）で反射して光透過性樹脂（24）の外側に導き出され
る第２の成分から成る。発光ダイオードチップ（22）か
ら放射される波長領域の光に対する第１及び第２の配線
導体（35）（36）の反射率は絶縁性基板（21）の反射率
より大きく、凹部（29）の側壁面（30）（31）（32）
（33）は反射壁として良好に機能する。特に本実施例で
は、発光ダイオードチップ（22）の高さが第１の傾斜面
（30a）（31a）（32a）（33a）の高さよりも低く、発光
ダイオードチップ（22）の側面が約45°の傾斜角で第１
の傾斜面（30a）（31a）（32a）（33a）に対向する。こ
のため、発光ダイオードチップ（22）の側面から放射さ
れた光の第２の成分は、第１及び第２の配線導体（35）
（36）の表面で反射され、光透過性樹脂（24）の外側に
大きな光量で導出されるから、従来よりも高輝度の発光
表示装置を実現できる。
また、本実施例の発光表示装置によれば外部リード
（25）（26）が絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）
に形成された溝部（37）（38）に収容されている。即
ち、溝部（37）（38）の底部からの半田（43）の厚さ及
び外部リード（25）（26）の径を加えた高さは溝部（3
7）（38）の深さよりも小さく、外部リード（25）（2
6）が絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）から突出し
ない。また、光透過性樹脂（24）は実質的に凹部（29）
の内側のみに形成されている。したがって、外部リード
（25）（26）の一方の端部は絶縁性基板（21）に形成さ
れた溝部（37）（38）に収容されるので、発光表示装置
の薄型化が可能となっている。
（25）（26）が絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）
に形成された溝部（37）（38）に収容されている。即
ち、溝部（37）（38）の底部からの半田（43）の厚さ及
び外部リード（25）（26）の径を加えた高さは溝部（3
7）（38）の深さよりも小さく、外部リード（25）（2
6）が絶縁性基板（21）の他方の主面（21b）から突出し
ない。また、光透過性樹脂（24）は実質的に凹部（29）
の内側のみに形成されている。したがって、外部リード
（25）（26）の一方の端部は絶縁性基板（21）に形成さ
れた溝部（37）（38）に収容されるので、発光表示装置
の薄型化が可能となっている。
更に、本実施例の発光表示装置によれば、凹部（29）
の側壁面（30）（31）（32）（33）の傾斜面が２段階に
変化しており、発光ダイオードチップ（22）よりも上方
に配設された第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（33
b）の傾斜角は第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）（33
a）の傾斜角より大きくなっている。第２の傾斜面（30
b）（31b）（32b）（33b）は第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）に比べて反射壁としての機能が要求
されないから、上記の第２の成分をあまり減衰させずに
平面形状の小さい発光表示装置を実現できる。
の側壁面（30）（31）（32）（33）の傾斜面が２段階に
変化しており、発光ダイオードチップ（22）よりも上方
に配設された第２の傾斜面（30b）（31b）（32b）（33
b）の傾斜角は第１の傾斜面（30a）（31a）（32a）（33
a）の傾斜角より大きくなっている。第２の傾斜面（30
b）（31b）（32b）（33b）は第１の傾斜面（30a）（31
a）（32a）（33a）に比べて反射壁としての機能が要求
されないから、上記の第２の成分をあまり減衰させずに
平面形状の小さい発光表示装置を実現できる。
変形例 本考案の上記実施例は種々の変更が可能である。
（１）スルーホール（27）（28）を絶縁性基板（21）の
端部に切欠部として形成しても良い。
端部に切欠部として形成しても良い。
（２）凹部（29）に形成される光透過性樹脂（24）はポ
ッティング法、即ち樹脂を一定量滴下してコーティング
するのが製法上容易で望ましいが、周知のトランスファ
ーモールドで形成しても良い。
ッティング法、即ち樹脂を一定量滴下してコーティング
するのが製法上容易で望ましいが、周知のトランスファ
ーモールドで形成しても良い。
（３）第１の配線導体（35）と第２の配線導体（36）の
両方が形成される側壁面（30）（31）（32）（33）の傾
斜角は70°以下にすると、第１の配線導体（35）と第２
の配線導体（36）をエッチングによって良好に分離する
ことができる。
両方が形成される側壁面（30）（31）（32）（33）の傾
斜角は70°以下にすると、第１の配線導体（35）と第２
の配線導体（36）をエッチングによって良好に分離する
ことができる。
（４）凹部（29）の側壁面（30）（31）（32）（33）の
うち、発光ダイオードチップ（22）の側面に対向する部
分の傾斜角は、発光ダイオードチップ（22）の側面から
放射された光を上方に向かって良好に反射するように40
〜50°に設定するのが良い。
うち、発光ダイオードチップ（22）の側面に対向する部
分の傾斜角は、発光ダイオードチップ（22）の側面から
放射された光を上方に向かって良好に反射するように40
〜50°に設定するのが良い。
（５）第１の配線導体（35）と第２の配線導体（36）の
一方のみが形成される凹部（29）の側壁面（30）（31）
（32）（33）は底面（34）に対して垂直な面としても良
い。例えば、実施例において、第２の傾斜面（32b）（3
3b）を底面（34）に対して垂直な面とすれば発光輝度の
減衰を制限して横幅の小さい発光表示装置を実現でき
る。
一方のみが形成される凹部（29）の側壁面（30）（31）
（32）（33）は底面（34）に対して垂直な面としても良
い。例えば、実施例において、第２の傾斜面（32b）（3
3b）を底面（34）に対して垂直な面とすれば発光輝度の
減衰を制限して横幅の小さい発光表示装置を実現でき
る。
（６）本考案は１つの絶縁性基板に複数の凹部を形成し
た複数の発光素子を備えた発光素子装置に適用すること
ができる。例えば、本考案を７セグメントディスプレイ
等に適用すれば高輝度でかつ薄型化したディスプレイが
実現できる。
た複数の発光素子を備えた発光素子装置に適用すること
ができる。例えば、本考案を７セグメントディスプレイ
等に適用すれば高輝度でかつ薄型化したディスプレイが
実現できる。
考案の効果 前記のように、本考案による発光表示装置では、薄型
化が可能であり、発光表示装置を回路基板に対して直角
に直立させて実装することができるので、目視が容易と
なる利点がある。
化が可能であり、発光表示装置を回路基板に対して直角
に直立させて実装することができるので、目視が容易と
なる利点がある。
【図面の簡単な説明】 第１図は本考案による発光表示装置の一実施例を示す第
２図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第２図は回路基板に実装
した発光表示装置の正面図、第３図はスルーホールの中
心に沿う断面図、第４図は第２図のII−II線に沿う断面
図である。 （21）……絶縁性基板、（21a）……一方の主面、（21
b）……他方の主面、（22）……発光素子、（23）……
リード細線、（25、26）……外部リード、（27、28）…
…スルーホール（孔又は切欠部）、（29）……凹部、
（30〜33）……側壁面、（35）……一方の配線導体、
（36）……他方の配線導体、（37、38）……溝部、（35
a、36a）……第１の導体延長部、（35b、36b）……第２
の導体延長部、
２図のＩ−Ｉ線に沿う断面図、第２図は回路基板に実装
した発光表示装置の正面図、第３図はスルーホールの中
心に沿う断面図、第４図は第２図のII−II線に沿う断面
図である。 （21）……絶縁性基板、（21a）……一方の主面、（21
b）……他方の主面、（22）……発光素子、（23）……
リード細線、（25、26）……外部リード、（27、28）…
…スルーホール（孔又は切欠部）、（29）……凹部、
（30〜33）……側壁面、（35）……一方の配線導体、
（36）……他方の配線導体、（37、38）……溝部、（35
a、36a）……第１の導体延長部、（35b、36b）……第２
の導体延長部、
Claims (1)
- 【請求項１】一方の主面に凹部を形成した絶縁性基板
と、該絶縁性基板の凹部の底面と側壁面に配設した光反
射性を有する一対の配線導体と、前記凹部内の一方の前
記配線導体に載置した発光素子と、該発光素子と他方の
前記配線導体とを接続するリード細線と、前記配線導体
の各々に接続した外部リードとを備えた発光表示装置に
おいて、 前記外部リードの一方の端部は前記絶縁性基板の他方の
主面に形成された溝部に収容され、前記外部リードの他
方の端部は前記絶縁性基板の外側に導出され、 前記絶縁性基板の前記一方の主面と前記溝部とを連絡す
る一対の孔又は切欠部を前記絶縁性基板に形成し、 一対の前記配線導体にそれぞれ接続された第１の導体延
長部を前記孔又は切欠部の壁面に形成し、 前記第１の導体延長部にそれぞれ接続された第２の導体
延長部を前記溝部に形成し、 前記発光素子に電気的に接続された前記外部リードは、
前記絶縁性基板の主面に対し略並行に前記溝部から導出
されることを特徴とする発光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990120299U JP2525554Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990120299U JP2525554Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0477269U JPH0477269U (ja) | 1992-07-06 |
| JP2525554Y2 true JP2525554Y2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=31868212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990120299U Expired - Lifetime JP2525554Y2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 発光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525554Y2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3973082B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2007-09-05 | シチズン電子株式会社 | 両面発光ｌｅｄパッケージ |
| JP4572312B2 (ja) * | 2004-02-23 | 2010-11-04 | スタンレー電気株式会社 | Ｌｅｄ及びその製造方法 |
| JP2008016593A (ja) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子搭載用配線基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5111340Y2 (ja) * | 1971-08-05 | 1976-03-26 | ||
| JPS58159583U (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオ−ド表示器 |
| JP2574388B2 (ja) * | 1988-05-10 | 1997-01-22 | 松下電器産業株式会社 | 発光ダイオードおよびその電極の形成方法 |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP1990120299U patent/JP2525554Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0477269U (ja) | 1992-07-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100708034B1 (ko) | 광 반도체장치 | |
| US6495861B1 (en) | Light-emitting semiconductor chip | |
| JP4174823B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP3973082B2 (ja) | 両面発光ｌｅｄパッケージ | |
| KR100735310B1 (ko) | 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 | |
| KR101389719B1 (ko) | 반도체 발광 장치 | |
| CN102194980B (zh) | 发光器件封装和包括发光器件封装的照明系统 | |
| JP5224802B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージ、発光装置ならびに発光素子収納用パッケージおよび発光装置の製造方法 | |
| US8395170B2 (en) | Light emitting device package and light unit having the same | |
| US20070200127A1 (en) | Power surface mount light emitting die package | |
| JP3930710B2 (ja) | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2007123777A (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR20060079214A (ko) | 반도체 발광 소자용 고상 금속 블록 장착 기판들과 이를형성하는 산화 방법들 | |
| JP2001053340A (ja) | チップ型発光装置 | |
| JP2004311467A (ja) | 発光装置用パッケージ、発光装置 | |
| KR100828174B1 (ko) | 표면 실장형 발광 다이오드 램프 및 그 제조 방법 | |
| JP2004288937A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP5153402B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP2525554Y2 (ja) | 発光表示装置 | |
| JP2535786Y2 (ja) | 発光表示装置 | |
| US7420216B2 (en) | Reflection type light-emitting diode device | |
| KR200403690Y1 (ko) | 전방위 발광 다이오드 구조 | |
| JP2005243738A (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP2508409Y2 (ja) | 発光表示装置 | |
| JPH04107861U (ja) | 発光表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Effective date: 20051021 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051024 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051021 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070514 |