JP2017037900A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置の製造過程における封止樹脂の形成において、温度ひずみの差異に起因した基板の反りを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子31と、主面11と、主面11から窪むように形成された半導体素子31を搭載する凹部14とを有する基板1と、半導体素子31に導通し、かつ基板1に形成された導電層20と、半導体素子31を覆う封止樹脂4と、を備え、基板1は、電気絶縁性を有した合成樹脂からなり、凹部14は、半導体素子31を搭載する底面141と、主面11および底面141につながる連絡面142とを有し、底面141は基板1の厚さ方向Zに対して直交し、連絡面142は底面141に対して傾斜している。【選択図】 図2
Description
本発明は、微細加工されたシリコン基板に、半導体素子として特にホール素子を搭載した半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、LSI製造技術を応用することで、シリコン基板を微細加工し、該シリコン基板に各種半導体素子を搭載した、いわゆるマイクロマシン(MEMS:Micro Electro Mechanical Systems)が普及しつつある。前記マイクロマシンの製造にあたっては、シリコン基板の微細加工手法として、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングによる異方性エッチングが適用されている。前記異方性エッチングにより、シリコン基板に微細な凹部を精度良く形成することができ、該凹部内に各種半導体素子が搭載される。
たとえば特許文献1に、前記マイクロマシンの製造技術に基づくLEDパッケージが開示されている。該LEDパッケージは、異方性エッチングによりシリコン基板にホーン(凹部)を形成し、該ホーンの底面にLEDチップが搭載されたものである。前記ホーンは、シリコン基板の(100)面から異方性エッチングにより形成されているため、(111)面からなる前記底面に対して傾斜した側面を有する。前記側面は、前記(100)萬および前記底面につながっている。前記底面および前記側面には、前記LEDチップおよび各種回路基板と導通するための電極(導電層)が形成されている。前記電極は、たとえばスパッタリング法などにより前記底面および前記傾斜面に成膜されたTi層(バリア層)およびCu層に対し、フォトリソグラフィによりマスクを形成し、エッチングによりパターニングを行うことで形成される。そして、前記底面に前記LEDチップを搭載した後、前記ホーンを充填する樹脂モールド(封止樹脂)が形成される。
前記樹脂モールドの形成において、前記樹脂モールドの硬化のために前記シリコン基板も加熱されると、前記シリコン基板および前記モールド樹脂のそれぞれに温度ひずみが発生する。このとき、前記樹脂モールドの材質であるエポキシ樹脂の熱膨張率の方が、前記シリコン基板の材質であるSiの熱膨張率よりも高いため、前記モールド樹脂に生じる温度ひずみの方が、前記シリコン基板に生じる温度ひずみよりも大きくなる。したがって、前記樹脂モールドの形成において、前記温度ひずみの差異に起因した反りが前記シリコン基板に発生し、反りの大きさによってはパッケージに不具合が生じることが懸念される。
本発明は上記事情に鑑み、半導体装置の製造過程における封止樹脂の形成において、温度ひずみの差異に起因した基板の反りを抑制することが可能な半導体装置を提供することをその課題とする。
本発明の第1の側面によって提供される半導体装置は、半導体素子と、主面と、前記主面から窪むように形成された前記半導体素子を搭載する凹部とを有する基板と、前記半導体素子に導通し、かつ前記基板に形成された導電層と、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、前記基板は、電気絶縁性を有した合成樹脂からなり、前記凹部は、前記半導体素子を搭載する底面と、前記主面および前記底面につながる連絡面とを有し、前記底面は前記基板の厚さ方向に対して直交し、前記連絡面は前記底面に対して傾斜していることを特徴としている。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記合成樹脂は、フィラーが含有されたエポキシ樹脂である。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記フィラーは、SiO2からなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記底面の平面視形状は、矩形状である。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記連絡面は、前記基板の厚さ方向に対して直角である第1方向に離間した一対の面からなり、前記凹部は、前記基板の厚さ方向および前記第1方向のいずれに対して直角である第2方向に離間した一対の開口部をさらに有し、前記一対の開口部から前記封止樹脂がともに露出している。
本発明の実施の形態において好ましくは、一対の前記連絡面の前記底面に対するそれぞれの傾斜角は、ともに同一である。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記連絡面は、前記底面の四辺に沿って形成された複数面からなり、複数の前記連絡面の前記底面に対する傾斜角はいずれも同一である。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層は、互いに積層されたシード層およびめっき層を有し、前記シード層は、前記基板と前記めっき層との間に介在している。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記めっき層の厚さは、前記シード層の厚さよりも厚い。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記シード層および前記めっき層は、ともにCuからなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層は、前記主面に形成された主面導電部と、前記連絡面に形成された連絡面導電部と、前記底面に形成された底面導電部と、を含み、前記底面導電部に前記半導体素子が搭載されている。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記主面導電部に導通し、かつ前記封止樹脂から露出している柱状部を有する複数の端子をさらに備える。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記柱状部は、Cuからなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記複数の端子は、前記封止樹脂から露出している前記柱状部の部位に接して形成されたパッド部をさらに有する。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド部は、互いに積層されたNi層、Pd層およびAu層からなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子は、ホール素子である。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子と前記底面導電部との間に介在する接合層をさらに備える。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記接合層は、互いに積層されたNi層およびSnを含む合金層からなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂は、前記基板と同一の材質からなる。
本発明の第2の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、主面と、底面を有し、かつ前記主面から窪む溝部と、を有した合成樹脂からなる基板を成形する工程と、前記溝部を含む前記基板に導電層を形成する工程と、前記溝部に収容されるように、半導体素子を前記底面に搭載する工程と、前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、前記溝部は、前記主面および前記底面につながり、かつ前記底面に対して傾斜した一対の連絡面を有し、前記基板を成形する工程では、前記一対の連絡面の前記底面に対する傾斜角がともに同一となるように、金型を用いた樹脂成形により前記基板が成形されることを特徴としている。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記金型は、単結晶の半導体材料からなる。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体材料は、Siである。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記金型は、異方性エッチングにより形成される。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記導電層を形成する工程では、スパッタリング法によりシード層を形成する工程と、前記シード層に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する工程と、電解めっきによりめっき層を形成する工程と、を含む。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記主面に形成された導電層に導通する複数の柱状導電体を形成する工程をさらに備える。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記複数の柱状導電体を形成する工程では、電解めっきにより前記複数の柱状導電体が形成される。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記複数の柱状導電体のそれぞれに接するパッド層を形成する工程をさらに備える。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記パッド層を形成する工程では、無電解めっきにより前記パッド層が形成される。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記半導体素子を搭載するための接合層を前記導電層に形成する工程をさらに備える。
本発明の実施の形態において好ましくは、前記接合層を形成する工程では、電解めっきにより前記接合層が形成される。
本発明によれば、前記半導体装置の前記基板は、電気絶縁性を有した合成樹脂からなり、前記凹部は、前記基板の厚さ方向に直交する前記底面と、前記主面および前記底面につながり、かつ前記底面に対して傾斜している一対の前記連絡面とを有する。このような構成をとることで、前記基板および前記封止樹脂のそれぞれの材質の熱膨張率が略同一となるため、前記半導体装置の厚さ方向における温度ひずみの分布が略一様となる。また、前記基板と前記封止樹脂との相互が前記第1方向において噛み合った構造となることから、前記半導体装置の製造過程における前記封止樹脂の形成において、前記基板も加熱されて熱膨張する際、前記基板および前記封止樹脂は、前記第1方向Xにおける相互の温度ひずみ差が略解消された状態で一体的に熱膨張する。したがって、前記半導体装置の製造過程における前記封止樹脂の形成において、温度ひずみの差異に起因した前記基板の反りを抑制することが可能となる。
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明にかかる半導体装置の実施の形態について、添付図面に基づいて説明する。
〔第1実施形態〕
図1〜図5に基づき、本発明の実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。説明の便宜上、平面図の左右方向を第1方向Xと、第1方向Xに対して直角である平面図の上下方向を第2方向Yとそれぞれ定義する。第1方向Xおよび第2方向Yは、ともに半導体装置A10(または後述する基板1)の厚さ方向Zに対して直角である。
図1〜図5に基づき、本発明の実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。説明の便宜上、平面図の左右方向を第1方向Xと、第1方向Xに対して直角である平面図の上下方向を第2方向Yとそれぞれ定義する。第1方向Xおよび第2方向Yは、ともに半導体装置A10(または後述する基板1)の厚さ方向Zに対して直角である。
図1は、半導体装置A10を示す要部平面図である。図2は、図1のII−II線(一点鎖線)に沿う断面図である。図3は、図1のIII−III線に沿う断面図である。図4は、図3に対して後述する半導体素子31および封止樹脂4を省略した断面図である。図5は、図2の部分拡大図である。なお、図1は、理解の便宜上、封止樹脂4を省略している。また、図4は、省略した半導体素子31および封止樹脂4を、ともに想像線(二点鎖線)で示している。
本実施形態の半導体装置A10は、基板1、導電層20、複数の端子24、半導体素子31、接合層32および封止樹脂4を備えている。本実施形態においては、半導体装置A10は、各種電子機器の回路基板に表面実装される形式のもので、特に半導体素子31としてホール素子を搭載した磁気センサである。本実施形態においては、半導体装置A10は平面視(基板1の厚さ方向Z視)矩形状である。
基板1は、半導体素子31を搭載し、半導体装置A10の基礎となる部材である。本実施形態においては、基板1は電気絶縁性を有した黒色の合成樹脂からなり、前記合成樹脂は、たとえばフィラーが含有されたエポキシ樹脂である。また、本実施形態においては、前記フィラーはSiO2からなり、前記エポキシ樹脂に対する前記フィラーの含有率は80〜90%である。図1に示すように、基板1の平面視形状は、第1方向Xを長辺とする矩形状である。基板1は、主面11、裏面12、側面13および凹部14を有する。
主面11は、図2および図4に示す基板1の上面である。主面11に複数の端子24が形成されているため、主面11は半導体装置A10を各種電子機器の回路基板に実装する際に利用される面である。裏面12は、図2および図4に示す基板1の下面である。半導体装置A10が実装された際、裏面12は上方を向く。図2および図4に示すように、主面11および裏面12は、ともに基板1の厚さ方向Zに対して直交している。主面11および裏面12は、基板1の厚さ方向Zにおいて互いに反対側を向いている。主面11および裏面12は、ともに平たんである。図1および図2に示すように、本実施形態においては、基板1には主面11から窪む凹部14が形成されている。凹部14が形成されていることにより、主面11は第1方向Xに離間した2つの平面視矩形状の部位から構成される。
図2および図4に示すように、側面13は、主面11と裏面12との間に挟まれた、第1方向X、または第2方向Yの外側を向く4つの面である。複数の側面13は、いずれも主面11および裏面12に対して直交し、かつ平たんである。本実施形態においては、複数の側面13のうち、第2方向Yに離間した一対の側面13のそれぞれにおいて、後述する凹部14の開口部143が形成されている。
図1〜図3に示すように、凹部14は、主面11から窪むように形成された、半導体素子31を搭載する部位である。凹部14は、基板1の厚さ方向Zにおいて基板1を貫通していない。本実施形態においては、凹部14は、底面141、連絡面142および開口部143を有する。底面141は、半導体素子31を搭載する面である。本実施形態においては、底面141は、基板1の厚さ方向Zに対して直交し、かつ平たんである。また、底面141の平面視形状は矩形状である。
図1および図2に示すように、連絡面142は、主面11および底面141につながる面である。基板1の厚さ方向Zにおいて、図2に示す連絡面142の上端が主面11につながり、図2に示す連絡面142の下端が底面141につながっている。連絡面142は、底面141に対して傾斜し、かつ平たんである。本実施形態においては、連絡面142は、第1方向Xに離間した一対の面からなる。一対の連絡面142の底面141に対するそれぞれの傾斜角はともに同一であり、その角度は54.74°である。
図1および図4に示すように、開口部143は、第2方向Yに離間した一対の側面13のそれぞれにおいて形成された領域である。したがって、開口部143は、第2方向Yに離間した一対の領域である。開口部143の形状は、側面13と、側面13に対して直交する底面141および一対の連絡面142との交線がなす、上底が下底(底面141の第2方向Yに離間した辺)よりも長い台形状である。本実施形態においては、一対の開口部143から封止樹脂4がともに露出している。
基板1が以上の構成をとることで、本実施形態においては、第2方向Yに対する凹部14の横断面形状は一様であり、該横断面形状は開口部143の形状と同一である。
導電層20は、複数の端子24とともに、半導体装置A10と各種電子機器の回路基板との導電経路を構成する部材である。図1に示すように、導電層20は、基板1の主面11、底面141および一対の連絡面142に形成されている。また、図2、図3および図5に示すように、導電層20は接合層32を介して半導体素子31に導通している。
図2〜図5に示すように、導電層20は、互いに積層されたシード層201およびめっき層202を有する。また、シード層201は、基板1とめっき層202との間に介在している。本実施形態においては、シード層201およびめっき層202は、ともにCuからなる。シード層201は、めっき層202の円滑な形成を図る目的で形成される。本実施形態においては、シード層201の厚さは200〜300nmであり、めっき層202の厚さは3〜10μmである。したがって、めっき層202の厚さは、シード層201の厚さよりも厚い。
導電層20は、主面導電部21、連絡面導電部22および底面導電部23を含む。
図1に示すように、主面導電部21は、主面11に形成された平面視矩形状の部位である。本実施形態においては、主面導電部21は、主面11と連絡面142との交線に沿って形成されている。主面導電部21は、前記交線において連絡面導電部22につながっている。また、図2および図4に示すように、主面導電部21に複数の端子24が形成されている。
図1および図4に示すように、連絡面導電部22は、一対の連絡面142に形成された平面視帯状の部位である。本実施形態においては、連絡面導電部22は、第1方向Xに平行となるように形成されている。また、基板1の厚さ方向Zにおいて、図2に示す連絡面導電部22の上端が主面導電部21につながり、図2に示す連絡面導電部22の下端が底面導電部23につながっている。
図1に示すように、底面導電部23は、底面141に形成された平面視L字状の部位である。本実施形態においては、底面導電部23は、底面141と連絡面142との交線において連絡面導電部22につながり、該交線から第1方向Xに沿って延出した後、第2方向Yに沿って延出している。図1〜図3に示すように、底面導電部23の第2方向Yに延出した部分に接合層32が形成され、かつ半導体素子31が搭載されている。
複数の端子24は、半導体装置A10を各種電子機器の回路基板に実装するために用いられる部材である。複数の端子24は、いずれも主面導電部21につながっている。複数の端子24は、導電層20および接合層32を介して半導体素子31に導通している。本実施形態においては、複数の端子24はそれぞれ、柱状部241およびパッド部242を有する。
図1、図2および図4に示すように、柱状部241は、主面導電部21に導通する部位である。基板1の厚さ方向Zにおいて、図2および図4に示す柱状部241の下端が主面導電部21につながり、図2および図4に示す柱状部241の上端が封止樹脂4から露出している。本実施形態においては、柱状部241の形状は円形状であるとともに、柱状部241は、たとえばCuからなる。
図1に示すように、パッド部242は、平面視矩形状の部位である。基板1の厚さ方向Zにおいて、パッド部242は、封止樹脂4から露出している柱状部241の部位(図2および図4に示す柱状部241の上端)に接して形成されている。また、パッド部242は、平面視において主面導電部21および柱状部241の全部と重なり、かつ封止樹脂4の一部と重なっている。本実施形態においては、パッド部242は、たとえば互いに積層されたNi層、Pd層およびAu層からなる。
なお、図1に示す導電層20および複数の端子24の配置形態は一例であり、実際の半導体装置A10における導電層20および複数の端子24の配置形態は、これに限定されない。
半導体素子31は、図1〜図3に示すように、底面141に形成された底面導電部23に接合層32を介して搭載されている。本実施形態においては、半導体素子31はホール素子である。ホール素子によって、半導体装置A10が磁気センサとしての機能を果たす。また、本実施形態においては、前記ホール素子はGaAs型ホール素子である。GaAs型ホール素子は、磁束の変化に対するホール電圧の直線性に優れるとともに、温度変化の影響を受けにくいという利点を有する。図2および図3に示す半導体素子31の下面に、半導体装置A10の外部に配置された磁石に起因した磁束変化を検出する感磁面(図示略)が形成されている。また、図5に示す半導体素子31の下面に、平面視矩形状(図示略)の電極バンプ311が形成されている。電極バンプ311は、たとえばCuからなる。電極バンプ311に接合層32が接している。
接合層32は、図2、図3および図5に示すように、半導体素子31の電極バンプ311と導電層20の底面導電部23との間に介在する、導電性を有した部材である。接合層32により、半導体素子31は底面導電部23に固着によって搭載され、かつ半導体素子31と底面導電部23との導通が確保される。本実施形態においては、接合層32は、たとえば互いに積層されたNi層およびSnを含む合金層からなる。該合金層として具体的には、Sn−Sb系合金、またはSn−Ag系合金などの鉛フリーはんだである。
封止樹脂4は、図2および図3に示すように、凹部14内に充填され、かつ平面視において柱状部241が形成された部分を除いた主面11を覆っている。あわせて、封止樹脂4は半導体素子31を覆っている。本実施形態においては、封止樹脂4は、基板1と同一の材質からなる。該材質として具体的には、電気絶縁性を有し、かつSiO2からなるフィラーが含有された黒色のエポキシ樹脂である。封止樹脂4は、樹脂主面41および樹脂側面43を有する。樹脂主面41および樹脂側面43は、半導体装置A10においていずれも露出した面である。
図2および図3に示すように、樹脂主面41は主面11と同方向を向く面である。樹脂主面41は平たんである。本実施形態においては、樹脂主面41は、図2および図4に示す複数の柱状部241のそれぞれの上端と面一である。また、樹脂側面43は、樹脂主面41と基板1との間に挟まれた、第1方向X、または第2方向Yの外側を向く4つの面である。複数の樹脂側面43は、いずれも平たんで、かつそれぞれが基板1の側面13と面一である。複数の樹脂側面43のうち、第2方向Yに離間した一対の樹脂側面43が、それぞれ開口部143からも露出している。
次に、図6〜図21に基づき、半導体装置A10の製造方法の一例について説明する。図6〜図21のうち、図9および図21を除く図は、半導体装置A10の製造方法にかかる工程を示す断面図である。該断面は、図2に示す断面と同一である。図9は、図8に示す工程を経たときの後述する基板81の状態を示す斜視図である。図21は、半導体装置A10の製造方法にかかる工程を示す平面図である。図6〜図21の説明にあたっては、便宜上、断面図の左右方向を第1方向Xと、第1方向Xに直角である断面図の上下方向を基板81の厚さ方向Zと、第1方向Xおよび基板81の厚さ方向Zのいずれに対して直角である断面図の奥行き方向を第2方向Yとそれぞれ定義する。
最初に、図6に示すように金型87を用意する。金型87は、上部金型871および下部金型872を含む。上部金型871には、頂面871aおよび一対の傾斜面871bを有した突出部が形成されている、前記突出部は、第1方向Xにおいて等間隔に離間して複数形成されている。また、前記突出部の第2方向Yに対する横断面形状は一様で、該横断面形状は台形状である。また、下部金型872は、第1方向Xおよび第2方向Yにわたって平たんである。金型87は、単結晶の半導体材料からなり、本実施形態においてはSiの単結晶材料である。金型87のうち上部金型871は、アルカリ溶液を用いた異方性エッチングにより形成される。前記アルカリ溶液は、たとえばKOH(水酸化カリウム)溶液、またはTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)溶液である。頂面871aが(100)面となるようにすれば、一対の傾斜面871bはともに(111)面となり、頂面871aと一対の傾斜面871bとのなす鋭角の角度は、ともに54.74°で同一である。
次いで、図7に示すように、金型87を用いた樹脂成形により、電気絶縁性を有した黒色の合成樹脂からなる基板81を成形する。本実施形態においては、前記樹脂成形は、たとえばトランスファ成形である。上部金型871および下部金型872に、たとえばフッ素系離型剤(図示略)をそれぞれ塗布した後、上部金型871と下部金型872との間に形成された隙間に溶融された前記合成樹脂を流し込み、加熱により前記合成樹脂を硬化させる。本実施形態においては、前記合成樹脂は、SiO2からなるフィラーが含有されたエポキシ樹脂である。
次いで、図8に示すように、金型87から成形された基板81を取り出す。基板81は、半導体装置A10の基板1の集合体である。基板81は、主面811、裏面812および溝部814を有する。本実施形態においては、溝部814は、主面811から窪んで形成される。溝部814は、底面814aおよび一対の連絡面814bを有する。底面814aは、基板81の厚さ方向Zに対して直交し、かつ平たんである。一対の連絡面814bは、第1方向Xに離間した一対の面であり、それぞれが主面811および底面814aにつながり、かつ底面814aに対して傾斜している。本実施形態においては、基板81の成形にあたって金型87を用いた樹脂成形を行うことで、一対の連絡面814bの底面814aに対する傾斜角がともに同一となり、その角度は54.74°である。
図9は、金型87から取り出したときの基板81の状態を斜視図として示したものである。図9に示すように、第1方向Xに等間隔に離間した複数の溝部814が、主面811が窪むように基板81に形成される。また、複数の溝部814は、いずれも第2方向Yに延出している。参考に、基板81における半導体装置A10の基板1に相当する範囲を、図9に二点鎖線で示す。
次いで、溝部814を含む基板81に導電層82を形成する。導電層82を形成する工程では、シード層821を形成する工程と、シード層821に対してマスクを形成する工程と、めっき層822を形成する工程とを含む。
まず、図10に示すように、基板81にシード層821を形成する。シード層821の形成範囲は、主面811および溝部814の全体である。シード層821は、スパッタリング法により形成される。本実施形態においては、シード層821はCuからなり、その厚さは200〜300nmである。
次いで、シード層821に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する。図11に示すように、基板81に第1レジスト層881を形成した後、第1レジスト層881に対して露光・現像を行うことで、シード層821に対してマスクが形成される。第1レジスト層881の形成範囲は、シード層821の形成範囲と同一である。第1レジスト層881は、レジストをたとえばスプレー塗布することにより形成される。本実施形態においては、該レジストはポジ型レジストであるため、露光された第1レジスト層881の部分が、現像に用いられる現像液によって除去される。
次いで、図12に示すように、基板81にめっき層822を形成した後、基板81に形成された第1レジスト層881を全て除去する。めっき層822は、第1レジスト層881が現像により除去された部分、すなわちシード層821が露出した部分に形成される。めっき層822は、電解めっきにより形成される。本実施形態においては、めっき層822はCuからなり、その厚さは3〜10μmである。該工程により、基板81に導電層82が形成される。
次いで、後述する半導体素子831を搭載するための接合層832を導電層82に形成する。接合層832が、半導体装置A10の接合層32に相当する。図13に示すように、導電層82に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する。基板81に第2レジスト層882を形成した後、第2レジスト層882に対して露光・現像を行うことで、導電層82に対してマスクが形成される。第2レジスト層882の形成範囲、材質および形成方法は、いずれも第1レジスト層881と同一である。このとき、第2レジスト層882に複数の貫通孔882aが形成される。貫通孔882aの形状は直方体状(図示略)である。
次いで、図14に示すように、導電層82に接合層832を形成した後、基板81に形成された第2レジスト層882を全て除去する。接合層832は、互いに積層されたNi層およびSnを含む合金層からなり、導電性を有する。本実施形態においては、基板81に形成されたシード層821を活用した電解めっきによって、貫通孔882aから露出しためっき層822にNi層を析出させた後、Snを含む合金層を析出させることで、貫通孔882a内を埋めるように接合層832が形成される。該合金として具体的には、Sn−Sb系合金、またはSn−Ag系合金などの鉛フリーはんだである。
次いで、主面811に形成された導電層82に導通する複数の柱状導電体823を形成する。柱状導電体823が、半導体装置A10の端子24の柱状部241に相当する。図15に示すように、導電層82に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する。基板81に第3レジスト層883を形成した後、第3レジスト層883に対して露光・現像を行うことで、導電層82に対してマスクが形成される。第3レジスト層883の形成範囲、材質および形成方法は、いずれも第1レジスト層881と同一である。このとき、第3レジスト層883に複数の貫通孔883aが形成される。貫通孔883aの形状は円柱状(図示略)である。
次いで、図16に示すように、複数の柱状導電体823を形成した後、基板81に形成された第3レジスト層883を全て除去する。本実施形態においては、基板81に形成されたシード層821を活用した電解めっきによって、貫通孔883aから露出しためっき層822に、たとえばCuを析出させることで、貫通孔883a内を埋めるように柱状導電体823が複数形成される。
次いで、図17に示すように、めっき層822に覆われていない不要なシード層821を全て除去する。シード層821は、たとえばウェットエッチングにより除去される。シード層821が除去された部分から基板81が露出する。このとき、めっき層822、複数の柱状導電体823および接合層832についても、シード層821の層厚に相当する厚さの分だけ該ウェットエッチングにより除去される。ここで、本実施形態を説明する図2〜図5および図17〜図20においては、理解の便宜上、該工程によって複数の柱状導電体823(柱状部241)および接合層832(接合層32)によって覆われためっき層822(めっき層202)の部位に生じる段差を、模式的に比率を拡大して示している。該工程を経た導電層82が、半導体装置A10の導電層20に相当する。
次いで、図18に示すように、溝部814に収容されるように半導体素子831を底面814aに搭載する。半導体素子831が、半導体装置A10の半導体素子31に相当する。半導体素子831の搭載は、FCB(Flip Chip Bonding)により行う。半導体素子831にフラックス(図示略)を塗布した後、たとえばフリップチップボンダ(図示略)を用いて半導体素子831を接合層832上に仮付けする。このとき、接合層832は、底面814aに形成された導電層82と、図18に示す半導体素子831の下面に形成された電極バンプ(図示略)との間に介在した状態となる。そして、リフローにより接合層832を溶融させた後に、冷却により接合層832を固化させることで、半導体素子831が底面814aに搭載される。
次いで、図19に示すように、基板81に半導体素子831を覆う封止樹脂84を形成する。封止樹脂84が、半導体装置A10の封止樹脂4に相当する。封止樹脂84は、基板81に形成された溝部814を充填し、かつ導電層82および半導体素子831を完全に覆うように形成する。本実施形態においては、封止樹脂84は、基板81と同一の材質からなる。該材質として具体的には、電気絶縁性を有し、かつSiO2からなるフィラーが含有された黒色のエポキシ樹脂である。
次いで、図20に示すように、封止樹脂84の上部を研削し、複数の柱状導電体823の上端を封止樹脂84から露出させる。このとき、図20に示す封止樹脂84の上面が樹脂主面841となり、複数の柱状導電体823の上端はそれぞれ、樹脂主面841と面一となる。その後、樹脂主面841から露出した複数の接合層832のそれぞれに接するパッド層824を形成する。パッド層824が、半導体装置A10の端子24のパッド部242に相当する。本実施形態においては、無電解めっきによりNi層、Pd層およびAu層の各層を析出させることで形成される。
次いで、図21に示すように、基板81を第1方向Xおよび第2方向Yに配置された切断線CLに沿って切断(ダイシング)することで、半導体素子831ごとの個片に分割する。切断にあたっては、たとえばダイシングブレード(図示略)を用いる。前記個片が半導体装置A10となる。以上の工程を経ることにより、半導体装置A10が製造される。
次に、半導体装置A10の作用効果について説明する。
本実施形態によれば、半導体装置A10の基板1は、電気絶縁性を有した合成樹脂からなり、凹部14は、基板1の厚さ方向Zに直交する底面141と、主面11および底面141につながり、かつ底面141に対して傾斜している一対の連絡面142とを有する。このような構成をとることで、基板1および封止樹脂4のそれぞれの材質の熱膨張率が略同一となり、半導体装置A10の厚さ方向Zにおける温度ひずみの分布が略一様となる。また、基板1と封止樹脂4との相互が第1方向Xにおいて噛み合った構造となることから、半導体装置A10の製造過程における封止樹脂84の形成において、基板81も加熱されて熱膨張する際、基板81および封止樹脂84は、第1方向Xにおける相互の温度ひずみ差が略解消された状態で一体的に熱膨張する。したがって、半導体装置A10の製造過程における封止樹脂84の形成において、温度ひずみの差異に起因した基板81の反りを抑制することが可能となる。
基板1の材質を、SiO2からなるフィラーが含有されたエポキシ樹脂とすることで、該材質の熱膨張率が低減される。これにより、半導体装置A10の製造過程において、加熱・冷却による基板81の温度ひずみ差が小さくなるため、基板81の寸法誤差をより小さくすることができる。このとき、封止樹脂4の材質も、基板1と同一の材質であるSiO2からなるフィラーが含有されたエポキシ樹脂とすることで、半導体装置A10の製造過程における封止樹脂84の形成において、温度ひずみに起因した基板81の反りを抑制することがあわせて可能となる。なお、SiO2からなるフィラーは、含有された合成樹脂の硬度増加や、樹脂成形時の溶融樹脂の流動改善にも寄与する。
基板1の材質を、電気絶縁性を有した合成樹脂とすることで、半導体装置A10の製造過程において、該材質をSiとした場合に対して基板81にSi3N4などからなる絶縁膜を形成する工程と、導電層20が前記絶縁膜へ拡散することを防ぐTiなどからなるバリア層を形成する工程とが、ともに不要となる。また、該材質をSiとした場合に対して半導体装置A10の製造コストの縮減を図ることが可能となる。
また、本実施形態によれば、柱状部241を有した端子24を形成することで、半導体装置A10は主面11に対して封止樹脂4が突出した構造となっている。ここで、本実施形態においては、半導体素子31はホール素子であり、図2に示す半導体素子31の下面に前記ホール素子の感磁面が形成されている。このような構成をとることで、半導体装置A10の外部に配置された磁石と、前記感磁面との間の距離を短く設定できるため、前記ホール素子の磁束変化に対する感度の向上を図ることが可能となる。
半導体装置A10の製造過程において、基板81を成形するために使用する金型87の材質を、Siからなる単結晶の半導体材料とすることで、金型87を異方性エッチングにより成形することができる。前記異方性エッチングにより金型87を成形することで、より微細加工が施された基板81を成形することが可能となる。また、連絡面142の底面141に対する傾斜角を、所望の角度に対してより正確に設定することができる。
〔第2実施形態〕
図22〜図24に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。なお、これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
図22〜図24に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。なお、これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略することとする。
図22は、半導体装置A20を示す要部平面図である。図23は、図22のXXIII−XXIII線(一点鎖線)に沿う断面図である。図24は、図22のXXIV−XXIV線に沿う断面図である。なお、図22は、理解の便宜上、封止樹脂4を省略している。
本実施形態の半導体装置A20は、基板1、主面導電部21および封止樹脂4の構成が、先述した半導体装置A10と異なる。
図22に示すように、本実施形態においては、基板1の平面投影面積は半導体装置A10よりも大であり、かつ平面視において主面11は凹部14を囲む枠状となっている。また、図23および図24に示すように、本実施形態においては、複数の側面13のうち、第2方向Yに離間した一対の側面13のそれぞれにおいて、開口部143が形成されていない。複数の側面13の形状はいずれも矩形状である。
図22〜図24に示すように、本実施形態においては、連絡面142は、底面141の四辺に沿って形成された複数面からなる。複数の連絡面142の底面141に対するそれぞれの傾斜角はいずれも同一であり、その角度は54.74°である。また、本実施形態においては、底面141の第2方向Yにおける長さは半導体装置A10よりも短く、かつ凹部14は一対の開口部143を有していない。したがって、このような構成をとることで、凹部14の形状は、上底の面積が下底(底面141)の面積よりも大である角錐台状である。なお、複数の連絡面142のうち、導電層20が形成されている面は第1方向Xに離間した一対の連絡面142であり、第2方向Yに離間した一対の連絡面142には導電層20が形成されていない。
図22に示すように、本実施形態においては、主面導電部21は、柱状部241が形成されている平面視矩形状の部分の第1方向Xにおける長さよりも短い、平面視帯状の部分をさらに有する。前記平面視帯状の部分は、主面11と連絡面142との交線に沿って形成され、かつ連絡面導電部22につながっている。
図23および図24に示すように、本実施形態においては、複数の樹脂側面43の形状はいずれも矩形状で、かつ複数の樹脂側面43の基板1の厚さ方向Zの長さはいずれも同一である。
本実施形態においても、半導体装置A20の製造過程における封止樹脂84の形成において、温度ひずみの差異に起因した基板81の反りを抑制することが可能となる。また、本実施形態においては、第1方向Xおよび第2方向Yにおいて基板1と封止樹脂4との相互が噛み合った構造となる。このような構成をとることで、半導体装置A20の製造過程における封止樹脂84の形成において、基板81も加熱されて熱膨張する際、基板81および封止樹脂84は、第1方向Xおよび第2方向Yにおける相互の温度ひずみ差が略解消された状態で一体的に熱膨張する。したがって、半導体装置A20の製造過程における封止樹脂84の形成において、基板81の反りを抑制する効果は半導体装置A10よりも大きくなる。
本発明にかかる半導体装置は、先述した実施の形態に限定されるものではない。本発明にかかる半導体装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
A10,A20:半導体装置
1:基板
11:主面
12:裏面
13:側面
14:凹部
141:底面
142:連絡面
143:開口部
20:導電層
201:シード層
202:めっき層
21:主面導電部
22:連絡面導電部
23:底面導電部
24:端子
241:柱状部
242:パッド部
31:半導体素子
311:電極バンプ
32:接合層
4:封止樹脂
41:樹脂主面
43:樹脂側面
81:基板
811:主面
812:裏面
814:溝部
814a:底面
814b:連絡面
82:導電層
821:シード層
822:めっき層
823:柱状導電体
824:パッド層
831:半導体素子
832:接合層
84:封止樹脂
841:樹脂主面
87:金型
871:上部金型
871a:頂面
871b:傾斜面
872:下部金型
881:第1レジスト層
882:第2レジスト層
882a:貫通孔
883:第3レジスト層
883a:貫通孔
X:第1方向
Y:第2方向
Z:厚さ方向
CL:切断線
1:基板
11:主面
12:裏面
13:側面
14:凹部
141:底面
142:連絡面
143:開口部
20:導電層
201:シード層
202:めっき層
21:主面導電部
22:連絡面導電部
23:底面導電部
24:端子
241:柱状部
242:パッド部
31:半導体素子
311:電極バンプ
32:接合層
4:封止樹脂
41:樹脂主面
43:樹脂側面
81:基板
811:主面
812:裏面
814:溝部
814a:底面
814b:連絡面
82:導電層
821:シード層
822:めっき層
823:柱状導電体
824:パッド層
831:半導体素子
832:接合層
84:封止樹脂
841:樹脂主面
87:金型
871:上部金型
871a:頂面
871b:傾斜面
872:下部金型
881:第1レジスト層
882:第2レジスト層
882a:貫通孔
883:第3レジスト層
883a:貫通孔
X:第1方向
Y:第2方向
Z:厚さ方向
CL:切断線
Claims (30)
- 半導体素子と、
主面と、前記主面から窪むように形成された前記半導体素子を搭載する凹部とを有する基板と、
前記半導体素子に導通し、かつ前記基板に形成された導電層と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂と、を備え、
前記基板は、電気絶縁性を有した合成樹脂からなり、
前記凹部は、前記半導体素子を搭載する底面と、前記主面および前記底面につながる連絡面とを有し、前記底面は前記基板の厚さ方向に対して直交し、前記連絡面は前記底面に対して傾斜していることを特徴とする、半導体装置。 - 前記合成樹脂は、フィラーが含有されたエポキシ樹脂である、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記フィラーは、SiO2からなる、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記底面の平面視形状は、矩形状である、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記連絡面は、前記基板の厚さ方向に対して直角である第1方向に離間した一対の面からなり、前記凹部は、前記基板の厚さ方向および前記第1方向のいずれに対して直角である第2方向に離間した一対の開口部をさらに有し、前記一対の開口部から前記封止樹脂がともに露出している、請求項4に記載の半導体装置。
- 一対の前記連絡面の前記底面に対するそれぞれの傾斜角は、ともに同一である、請求項5に記載の半導体装置。
- 前記連絡面は、前記底面の四辺に沿って形成された複数面からなり、複数の前記連絡面の前記底面に対する傾斜角はいずれも同一である、請求項4に記載の半導体装置。
- 前記導電層は、互いに積層されたシード層およびめっき層を有し、前記シード層は、前記基板と前記めっき層との間に介在している、請求項1ないし7のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記めっき層の厚さは、前記シード層の厚さよりも厚い、請求項8に記載の半導体装置。
- 前記シード層および前記めっき層は、ともにCuからなる、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記導電層は、前記主面に形成された主面導電部と、前記連絡面に形成された連絡面導電部と、前記底面に形成された底面導電部と、を含み、前記底面導電部に前記半導体素子が搭載されている、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記主面導電部に導通し、かつ前記封止樹脂から露出している柱状部を有する複数の端子をさらに備える、請求項11に記載の半導体装置。
- 前記柱状部は、Cuからなる、請求項12に記載の半導体装置。
- 前記複数の端子は、前記封止樹脂から露出している前記柱状部の部位に接して形成されたパッド部をさらに有する、請求項12または13に記載の半導体装置。
- 前記パッド部は、互いに積層されたNi層、Pd層およびAu層からなる、請求項14に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、ホール素子である、請求項12ないし15のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記半導体素子と前記底面導電部との間に介在する接合層をさらに備える、請求項11ないし16のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記接合層は、互いに積層されたNi層およびSnを含む合金層からなる、請求項17に記載の半導体装置。
- 前記封止樹脂は、前記基板と同一の材質からなる、請求項1ないし18のいずれかに記載の半導体装置。
- 主面と、底面を有し、かつ前記主面から窪む溝部と、を有した合成樹脂からなる基板を成形する工程と、
前記溝部を含む前記基板に導電層を形成する工程と、
前記溝部に収容されるように、半導体素子を前記底面に搭載する工程と、
前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備え、
前記溝部は、前記主面および前記底面につながり、かつ前記底面に対して傾斜した一対の連絡面を有し、
前記基板を成形する工程では、前記一対の連絡面の前記底面に対する傾斜角がともに同一となるように、金型を用いた樹脂成形により前記基板が成形されることを特徴とする、半導体装置の製造方法。 - 前記金型は、単結晶の半導体材料からなる、請求項20に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体材料は、Siである、請求項21に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金型は、異方性エッチングにより形成される、請求項22に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電層を形成する工程では、スパッタリング法によりシード層を形成する工程と、前記シード層に対してフォトリソグラフィによりマスクを形成する工程と、電解めっきによりめっき層を形成する工程と、を含む、請求項20ないし23のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記主面に形成された導電層に導通する複数の柱状導電体を形成する工程をさらに備える、請求項20ないし24のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記複数の柱状導電体を形成する工程では、電解めっきにより前記複数の柱状導電体が形成される、請求項25に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記封止樹脂を形成する工程の後に、前記複数の柱状導電体のそれぞれに接するパッド層を形成する工程をさらに備える、請求項25または26に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パッド層を形成する工程では、無電解めっきにより前記パッド層が形成される、請求項27に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体素子を搭載する工程の前に、前記半導体素子を搭載するための接合層を前記導電層に形成する工程をさらに備える、請求項20ないし28のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接合層を形成する工程では、電解めっきにより前記接合層が形成される、請求項29に記載の半導体装置の製造方法。
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