JP2005175070A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 消去電流を分散させて内部電源回路の負荷を軽減し、消去のためのドライバの数を削減する。
【解決手段】 不揮発性メモリセルがマトリクス配置され一括消去の指示単位とされる複数の消去ブロックに分割されたメモリアレイ(1)と、制御回路とを有し、前記制御回路は、一括消去が指示された消去ブロック(2)に対して不揮発性メモリセルに印加する2種類の消去電圧の双方を制御することによって消去ブロックの中から消去セクタ(3)を選択して消去セクタ毎の消去を行ない、消去セクタ毎の消去を時分割で行なう。時分割消去により、消去電流を分散させることができ、2種類の消去電圧を用いて消去セクタを選択するから、消去セクタ毎に固有の消去ドライバを設けなくてもよい。
【選択図】 図6
Description
2 消去ブロック
3 消去セクタ
10 コントロールゲート
11 電荷蓄積層
12 ソース
13 ドレイン
14 半導体基板
21 電荷蓄積領域
22 ソース
23 ドレイン
24 半導体基板
25 チャネル
26 コントロールゲート
27 メモリゲート
CG コントロールゲート線
30 メモリゲートドライバ
SL ソース線
31 ソースドライバ
32 コントロールゲートドライバ
MG メモリゲート線
40,40a,40b,40c 制御回路
41,41a,41b,41c 制御ロジック回路
42,42a、42b、42c カウンタ
51 CPU
53 フラッシュメモリモジュール
54 フラッシュメモリコントローラ
80 マイクロコンピュータ
82 RAM
85 バスステートコントローラ
86 入出力回路(I/O)、
87 その他周辺回路
89 ゲート酸化膜の薄いMOSトランジスタ領域
Claims (11)
- 不揮発性メモリセルがマトリクス配置され一括消去の指示単位とされる複数の消去ブロックに分割されたメモリアレイと、制御回路とを有し、
前記制御回路は、一括消去が指示された消去ブロックに対して不揮発性メモリセルに印加する2種類の消去電圧の双方を制御することによって消去ブロックの中から消去セクタを選択して消去セクタ毎の消去を行ない、前記消去セクタ毎の消去を時分割で行なうことを特徴とする半導体装置。 - 前記不揮発性メモリセルに2種類の消去電圧を印加する2種類の消去電圧駆動ドライバは夫々複数個のセクタを共通駆動することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリは、ソースと、ドレインと、チャネルと、前記ソース寄りのチャネル上に配置されたコントロールゲートと、前記ドレイン寄りのチャネル上に電気的に絶縁されて重ねられた電荷蓄積領域及びメモリゲートとを有し、前記コントロールゲートから見た絶縁耐圧は前記メモリゲートから見た絶縁耐圧よりも低いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記ドレインに接続するビット線をグローバルビット線に選択的に接続可能なスイッチMOSトランジスタを有し、
前記スイッチMOSトランジスタのゲート耐圧は前記不揮発性メモリセルの前記メモリゲートから見た耐圧よりも低いことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置。 - 前記コントロールゲートに接続するコントロールゲート制御線を駆動する第1ドライバ、前記メモリゲートに接続するメモリゲート制御線を駆動する第2ドライバ、前記スイッチMOSトランジスタをオン状態に駆動する第3ドライバ、前記ソースに接続するソース線を駆動する第4ドライバを有し、
前記第2ドライバ及び第4ドライバは消去において前記2種類の消去電圧駆動ドライバとされ、
前記第1ドライバ及び第3ドライバは第1電圧を動作電源とし、前記第2ドライバ及び第4ドライバは前記第1電圧よりも高い電圧を動作電源とすることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記制御回路は更に、書き込みによって前記メモリゲートから見た不揮発性メモリセルの閾値電圧を高くするとき、第1ドライバの動作電源を第1電圧、第4ドライバの動作電源を第1電圧よりも高い第2電圧、第2ドライバの動作電源を第2電圧よりも高い第3電圧として、ビット線電極側から電荷蓄積領域にホットエレクトロンを注入可能にすることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記制御回路は更に、消去によって前記メモリゲートから見た不揮発性メモリセルの閾値電圧を低くするとき、前記第2ドライバの動作電源を第3電圧よりも低い第4電圧とし、第4ドライバの動作電源を第2電圧よりも高い第5電圧として、電荷蓄積領域にホールを注入し電子を消滅させることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記制御回路は、前記不揮発性メモリセルの記憶情報を読み出すとき、第1ドライバの動作電源を第1電圧とすることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1ドライバ及び第3ドライバはアドレスデコード信号を入力して動作が選択され、前記第2ドライバ及び第4ドライバは第1ドライバの出力を入力して動作が選択されるものであることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記不揮発性メモリセルのアレイを挟んで一方側に前記第1ドライバ及び第3ドライバが配置され、他方側に前記第2ドライバ及び第4ドライバが配置されて成るものであることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記第1電圧を動作電源として論理動作を行う論理動作ユニットを有して成るものであることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
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Related Child Applications (1)
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---|---|---|---|
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---|---|
US (1) | US7110295B2 (ja) |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207418A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | プログラムセルの数によってプログラム電圧を調節する半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 |
JP2008226332A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009253228A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2010080031A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012181890A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
KR101262788B1 (ko) | 2012-03-07 | 2013-05-09 | (주)피델릭스 | 소거 신뢰성이 향상되는 플래시 메모리 장치 및 그의 소거방법 |
JP2016525764A (ja) * | 2013-06-10 | 2016-08-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリデバイスおよびメモリ動作方法 |
JP2020501292A (ja) * | 2016-12-08 | 2020-01-16 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | メモリゲート及びソース線スクランブリングを有する不揮発性メモリアレイ |
JP2022517810A (ja) * | 2019-01-18 | 2022-03-10 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリ用の電力管理 |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7162203B1 (en) * | 2002-08-01 | 2007-01-09 | Christopher Brunner | Method and system for adaptive modification of cell boundary |
CN100407336C (zh) * | 2005-11-22 | 2008-07-30 | 武汉国光通信有限公司 | 一种嵌入式系统中非易失性存储器的数据存取方法 |
US9892800B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-02-13 | Sunrise Memory Corporation | Multi-gate NOR flash thin-film transistor strings arranged in stacked horizontal active strips with vertical control gates |
US11120884B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-09-14 | Sunrise Memory Corporation | Implementing logic function and generating analog signals using NOR memory strings |
US9842651B2 (en) * | 2015-11-25 | 2017-12-12 | Sunrise Memory Corporation | Three-dimensional vertical NOR flash thin film transistor strings |
US10121553B2 (en) | 2015-09-30 | 2018-11-06 | Sunrise Memory Corporation | Capacitive-coupled non-volatile thin-film transistor NOR strings in three-dimensional arrays |
US10074438B2 (en) | 2016-06-10 | 2018-09-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Methods and devices for reducing program disturb in non-volatile memory cell arrays |
US10692874B2 (en) | 2017-06-20 | 2020-06-23 | Sunrise Memory Corporation | 3-dimensional NOR string arrays in segmented stacks |
US10608008B2 (en) | 2017-06-20 | 2020-03-31 | Sunrise Memory Corporation | 3-dimensional nor strings with segmented shared source regions |
JP7203054B2 (ja) | 2017-06-20 | 2023-01-12 | サンライズ メモリー コーポレイション | 3次元nor型メモリアレイアーキテクチャ及びその製造方法 |
US11180861B2 (en) | 2017-06-20 | 2021-11-23 | Sunrise Memory Corporation | 3-dimensional NOR string arrays in segmented stacks |
US10147734B1 (en) * | 2017-08-30 | 2018-12-04 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory gate driver technology for flash memory cells |
US10896916B2 (en) | 2017-11-17 | 2021-01-19 | Sunrise Memory Corporation | Reverse memory cell |
US10381378B1 (en) * | 2018-02-02 | 2019-08-13 | Sunrise Memory Corporation | Three-dimensional vertical NOR flash thin-film transistor strings |
US10475812B2 (en) * | 2018-02-02 | 2019-11-12 | Sunrise Memory Corporation | Three-dimensional vertical NOR flash thin-film transistor strings |
CN112567516A (zh) | 2018-07-12 | 2021-03-26 | 日升存储公司 | 三维nor存储器阵列的制造方法 |
US11751391B2 (en) | 2018-07-12 | 2023-09-05 | Sunrise Memory Corporation | Methods for fabricating a 3-dimensional memory structure of nor memory strings |
US11069696B2 (en) | 2018-07-12 | 2021-07-20 | Sunrise Memory Corporation | Device structure for a 3-dimensional NOR memory array and methods for improved erase operations applied thereto |
TWI713195B (zh) | 2018-09-24 | 2020-12-11 | 美商森恩萊斯記憶體公司 | 三維nor記憶電路製程中之晶圓接合及其形成之積體電路 |
CN113169041B (zh) | 2018-12-07 | 2024-04-09 | 日升存储公司 | 形成多层垂直nor型存储器串阵列的方法 |
JP7425069B2 (ja) | 2019-01-30 | 2024-01-30 | サンライズ メモリー コーポレイション | 基板接合を用いた高帯域幅・大容量メモリ組み込み型電子デバイス |
EP3925004A4 (en) | 2019-02-11 | 2023-03-08 | Sunrise Memory Corporation | VERTICAL THIN FILM TRANSISTOR AND USE AS BITLINE CONNECTOR FOR THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRANGEMENTS |
US11917821B2 (en) | 2019-07-09 | 2024-02-27 | Sunrise Memory Corporation | Process for a 3-dimensional array of horizontal nor-type memory strings |
US11217600B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-01-04 | Sunrise Memory Corporation | Process for a 3-dimensional array of horizontal NOR-type memory strings |
US11515309B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-11-29 | Sunrise Memory Corporation | Process for preparing a channel region of a thin-film transistor in a 3-dimensional thin-film transistor array |
CN115362436A (zh) | 2020-02-07 | 2022-11-18 | 日升存储公司 | 准易失性系统级存储器 |
CN115413367A (zh) | 2020-02-07 | 2022-11-29 | 日升存储公司 | 具有低有效延迟的高容量存储器电路 |
US11507301B2 (en) | 2020-02-24 | 2022-11-22 | Sunrise Memory Corporation | Memory module implementing memory centric architecture |
WO2021173572A1 (en) | 2020-02-24 | 2021-09-02 | Sunrise Memory Corporation | Channel controller for shared memory access |
US11508693B2 (en) | 2020-02-24 | 2022-11-22 | Sunrise Memory Corporation | High capacity memory module including wafer-section memory circuit |
WO2021207050A1 (en) | 2020-04-08 | 2021-10-14 | Sunrise Memory Corporation | Charge-trapping layer with optimized number of charge-trapping sites for fast program and erase of a memory cell in a 3-dimensional nor memory string array |
WO2022047067A1 (en) | 2020-08-31 | 2022-03-03 | Sunrise Memory Corporation | Thin-film storage transistors in a 3-dimensional array or nor memory strings and process for fabricating the same |
WO2022108848A1 (en) | 2020-11-17 | 2022-05-27 | Sunrise Memory Corporation | Methods for reducing disturb errors by refreshing data alongside programming or erase operations |
US11848056B2 (en) | 2020-12-08 | 2023-12-19 | Sunrise Memory Corporation | Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation |
TW202310429A (zh) | 2021-07-16 | 2023-03-01 | 美商日升存儲公司 | 薄膜鐵電電晶體的三維記憶體串陣列 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02276095A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-11-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JPH0729386A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリ及びマイクロコンピュータ |
WO2003012878A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02232899A (ja) | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JPH03105795A (ja) | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体不揮発性記憶装置 |
KR100204721B1 (ko) | 1989-08-18 | 1999-06-15 | 가나이 쓰도무 | 메모리블럭으로 분활된 메모리셀 어레이를 갖는 전기적 소거 가능한 반도체 불휘발성 기억장치 |
JP2709751B2 (ja) | 1990-06-15 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびそのデータ消去方法 |
US5712180A (en) * | 1992-01-14 | 1998-01-27 | Sundisk Corporation | EEPROM with split gate source side injection |
JPH06103790A (ja) | 1992-09-17 | 1994-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JPH06150677A (ja) | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5963479A (en) | 1996-12-28 | 1999-10-05 | Hyundai Electronics Industries, Co., Ltd. | Method of erasing a flash memory cell and device for erasing the same |
US6043530A (en) * | 1998-04-15 | 2000-03-28 | Chang; Ming-Bing | Flash EEPROM device employing polysilicon sidewall spacer as an erase gate |
KR19990088517A (ko) * | 1998-05-22 | 1999-12-27 | 마 유에 예일 | 비휘발성메모리셀구조및비휘발성메모리셀을작동시키는방법 |
US6563733B2 (en) * | 2001-05-24 | 2003-05-13 | Winbond Electronics Corporation | Memory array architectures based on a triple-polysilicon source-side injection non-volatile memory cell |
JP3840994B2 (ja) * | 2002-03-18 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004031448A (ja) * | 2002-06-21 | 2004-01-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
-
2003
- 2003-12-09 JP JP2003410391A patent/JP4545423B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-03 US US11/002,802 patent/US7110295B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02276095A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-11-09 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
JPH0729386A (ja) * | 1993-07-13 | 1995-01-31 | Hitachi Ltd | フラッシュメモリ及びマイクロコンピュータ |
WO2003012878A1 (en) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007207418A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | プログラムセルの数によってプログラム電圧を調節する半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 |
JP2008226332A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2009253228A (ja) * | 2008-04-10 | 2009-10-29 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2010080031A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2012181890A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8760935B2 (en) | 2011-03-01 | 2014-06-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonvolatile semiconductor memory device |
KR101262788B1 (ko) | 2012-03-07 | 2013-05-09 | (주)피델릭스 | 소거 신뢰성이 향상되는 플래시 메모리 장치 및 그의 소거방법 |
US10438661B2 (en) | 2013-06-10 | 2019-10-08 | Micron Technology, Inc. | Memory devices and methods of writing memory cells at different moments in time |
JP2016525764A (ja) * | 2013-06-10 | 2016-08-25 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリデバイスおよびメモリ動作方法 |
US11295812B2 (en) | 2013-06-10 | 2022-04-05 | Micron Technology, Inc. | Memory devices and memory operational methods |
JP2020501292A (ja) * | 2016-12-08 | 2020-01-16 | サイプレス セミコンダクター コーポレーション | メモリゲート及びソース線スクランブリングを有する不揮発性メモリアレイ |
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