JP2009253228A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】書き換え可能な不揮発性メモリトランジスタTrが行列状に配置されてメモリマットが構成され、ワード線LG1〜LG4とビット線LD1〜LD4とで各不揮発性メモリトランジスタTrの書き込み、読み出しおよび消去が行われる不揮発性半導体記憶装置100であって、ワード線LG1〜LG4に連結される不揮発性メモリトランジスタTrが、当該不揮発性半導体記憶装置100を制御するOSの使用するワードの単位に分けられて、該ワード単位毎に半導体基板30に分割形成されたウエルからなるワード領域W1〜W4内に配置されてなる不揮発性半導体記憶装置100とする。
【選択図】図1
Description
90,91,Tr 不揮発性メモリトランジスタ
LG1〜LG4 ワード線
LD1〜LD4 ビット線
W1〜W4,Wa〜Wd ワード領域
30,30a〜30d 半導体基板
Claims (9)
- 制御ゲート電極と浮遊ゲート電極の2つのゲート電極を有してなる書き換え可能な不揮発性メモリトランジスタが半導体基板に行列状に配置されてメモリマットが構成され、
前記メモリマットの行を構成する不揮発性メモリトランジスタの制御ゲート電極を連結するワード線と、前記メモリマットの列を構成する不揮発性メモリトランジスタのドレイン電極を連結するビット線とで、各不揮発性メモリトランジスタの書き込み、読み出しおよび消去が行われる不揮発性半導体記憶装置であって、
前記ワード線に連結される不揮発性メモリトランジスタが、
当該不揮発性半導体記憶装置を制御するOSの使用する標準的なビットサイズであるワードの単位に分けられて、
該ワード単位毎に前記半導体基板に分割形成されたウエルからなるワード領域内に配置されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリマットの一つの行に、前記ワード領域が複数個配置されてなり、
該複数個のワード領域に対して、それぞれに異なる一本のワード線が配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記メモリマットの一つの行に、前記ワード領域が複数個配置されてなり、
該複数個のワード領域に対して、同じ一本のワード線が配置されてなることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記ワード領域に所定電圧を印加して、該ワード領域内に配置された不揮発性メモリトランジスタのデータをまとめて消去することを特徴とする請求項1乃至Tのいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記不揮発性メモリトランジスタが、前記制御ゲート電極が前記浮遊ゲート電極の上方に配置されてなる、スタックゲート型の不揮発性メモリトランジスタであり、
該不揮発性メモリトランジスタの書き込みデータと消去データのしきい値電圧が、正電圧に設定されてなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記不揮発性メモリトランジスタが、前記制御ゲート電極の一部が前記浮遊ゲート電極と並んで当該不揮発性メモリトランジスタのチャネル形成領域の上方に配置されてなる、スプリットゲート型の不揮発性メモリトランジスタであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記半導体基板が、埋め込み酸化膜を有するSOI構造の半導体基板であり、
前記ワード領域が、前記埋め込み酸化膜に達する絶縁分離トレンチにより分割形成されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記半導体基板が、バルク単結晶シリコンからなる半導体基板であり、
前記ワード領域が、前記バルク単結晶シリコン中に形成された逆導電型領域との界面におけるPN接合分離で分割形成されてなることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記不揮発性半導体記憶装置が、車載用の電子装置に用いられることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113595A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000076875A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002251885A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005109236A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2005175070A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006093695A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ素子及びその形成方法 |
JP2006313644A (ja) * | 2006-08-24 | 2006-11-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
-
2008
- 2008-04-10 JP JP2008102847A patent/JP2009253228A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH113595A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2000076875A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Nec Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002251885A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Denso Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2005109236A (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2005175070A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2006093695A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ素子及びその形成方法 |
JP2006313644A (ja) * | 2006-08-24 | 2006-11-16 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ |
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