JP2007207418A - プログラムセルの数によってプログラム電圧を調節する半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- 230000005689 Fowler Nordheim tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- A63B71/00—Games or sports accessories not covered in groups A63B1/00 - A63B69/00
- A63B71/08—Body-protectors for players or sportsmen, i.e. body-protecting accessories affording protection of body parts against blows or collisions
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- A41D—OUTERWEAR; PROTECTIVE GARMENTS; ACCESSORIES
- A41D13/00—Professional, industrial or sporting protective garments, e.g. surgeons' gowns or garments protecting against blows or punches
- A41D13/05—Professional, industrial or sporting protective garments, e.g. surgeons' gowns or garments protecting against blows or punches protecting only a particular body part
- A41D13/11—Protective face masks, e.g. for surgical use, or for use in foul atmospheres
- A41D13/1161—Means for fastening to the user's head
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C44/00—Shaping by internal pressure generated in the material, e.g. swelling or foaming ; Producing porous or cellular expanded plastics articles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J9/00—Working-up of macromolecular substances to porous or cellular articles or materials; After-treatment thereof
- C08J9/22—After-treatment of expandable particles; Forming foamed products
- C08J9/228—Forming foamed products
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
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- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/30—Power supply circuits
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A63—SPORTS; GAMES; AMUSEMENTS
- A63B—APPARATUS FOR PHYSICAL TRAINING, GYMNASTICS, SWIMMING, CLIMBING, OR FENCING; BALL GAMES; TRAINING EQUIPMENT
- A63B2209/00—Characteristics of used materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体メモリ装置は、メモリセルアレイと、書き込みデータが所定単位で入力される書き込みデータバッファと、前記書き込みデータのうちの前記メモリセルアレイにプログラムされるデータの数を数えるプログラムセルカウンタと、前記プログラムされるデータの数によって、前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を異にするプログラム電圧発生回路とを含む。本発明に係る半導体メモリ装置によると、プログラムセルの数によってプログラム電圧のレベルを調節するため、プログラム特性を改善することができる。
【選択図】図3
Description
110、210 メモリセルアレイ
120,220 書き込みデータバッファ
130、230 プログラムセルカウンタ
140,240 プログラム電圧発生回路
215 ビットライン選択回路
245 ソースライン選択回路
Claims (20)
- メモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイに同時にプログラムされるメモリセルの数によって、前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を異にするプログラム電圧発生回路とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記プログラムされるメモリセルの数を数えるプログラムセルカウンタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルアレイはホットエレクトロン注入方式によってプログラムされることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルアレイはソースラインに接続された複数のNORフラッシュメモリセルを有することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のNORフラッシュメモリセルはスプリットゲート型であることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。
- 前記プログラム電圧は前記ソースラインに接続された複数のスプリットゲート型NORフラッシュメモリセルに印加されることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。
- 前記プログラム電圧発生回路は前記プログラムされるメモリセルの数に応じて前記プログラム電圧のレベルを調節するレギュレータを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記レギュレータは電圧分割方式によって前記プログラム電圧のレベルを調節することを特徴とする請求項7に記載の半導体メモリ装置。
- メモリセルアレイと、
書き込みデータが所定の単位で入力される書き込みデータバッファと、
前記書き込みデータのうちの前記メモリセルアレイにプログラムされるデータの数を数えるプログラムセルカウンタと、
前記プログラムされるデータの数によって、前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を異にするプログラム電圧発生回路とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記メモリセルアレイはホットエレクトロン注入方式によってプログラムされることを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリセルアレイはソースラインに接続された複数のNORフラッシュメモリセルを有することを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数のNORフラッシュメモリセルはスプリットゲート型であることを特徴とする請求項11に記載の半導体メモリ装置。
- 前記プログラム電圧は前記ソースラインに接続された複数のスプリットゲート型NORフラッシュメモリセルに印加されることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記プログラム電圧発生回路は、
前記プログラムされるデータの数によって、電荷ポンプの動作を制御するレギュレータと、
前記電荷ポンプの出力電圧が入力され、前記メモリセルアレイに前記プログラム電圧を提供するドライバとを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記レギュレータは、
電圧分割方式によって複数の電圧レベルを発生する電圧分割回路と、
前記プログラムされるデータの数によって複数の電圧レベルのうちのいずれか1つを選択する選択回路と、
基準電圧と前記選択された電圧レベルとを比較し、前記電荷ポンプを制御するための制御信号を発生する比較回路とを含むことを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 半導体メモリ装置のプログラム方法において、
書き込みデータが所定の単位で入力される段階と、
前記書き込みデータのうちのメモリセルアレイにプログラムされるデータの数を数える段階と、
前記プログラムされるデータの数によって前記メモリセルアレイに印加するプログラム電圧を調節する段階とを含むことを特徴とするプログラム方法。 - 前記メモリセルアレイはホットエレクトロン注入方式によってプログラムされることを特徴とする請求項16に記載のプログラム方法。
- 前記メモリセルアレイはソースラインに接続された複数のNORフラッシュメモリセルを有することを特徴とする請求項16に記載のプログラム方法。
- 前記複数のNORフラッシュメモリセルはスプリットゲート型であることを特徴とする請求項18に記載のプログラム方法。
- 前記プログラム電圧は前記ソースラインに印加されることを特徴とする請求項18に記載のプログラム方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060010838A KR101333503B1 (ko) | 2006-02-03 | 2006-02-03 | 프로그램 셀의 수에 따라 프로그램 전압을 조절하는 반도체메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007207418A true JP2007207418A (ja) | 2007-08-16 |
Family
ID=38310063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007018225A Pending JP2007207418A (ja) | 2006-02-03 | 2007-01-29 | プログラムセルの数によってプログラム電圧を調節する半導体メモリ装置及びそのプログラム方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7679964B2 (ja) |
JP (1) | JP2007207418A (ja) |
KR (1) | KR101333503B1 (ja) |
DE (1) | DE102007006292A1 (ja) |
FR (1) | FR2897191A1 (ja) |
TW (1) | TWI338303B (ja) |
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US20070183205A1 (en) | 2007-08-09 |
FR2897191A1 (fr) | 2007-08-10 |
KR20070079839A (ko) | 2007-08-08 |
TWI338303B (en) | 2011-03-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100129 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120813 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120814 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130104 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130117 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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