JP3775963B2 - 不揮発性半導体メモリ装置の消去方式 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性半導体メモリ装置の消去方式に関し、特にチャネルホットエレクトロンによる書き込み方式を用いる不揮発性半導体メモリ装置の消去方式に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、一般的に最も用いられている不揮発性半導体メモリ(フラッシュメモリ)として、ETOX(EPROM Thin Oxide、インテルの登録商標)型不揮発性半導体メモリがある。特公平6−82841号公報(先行技術1)にこのタイプの不揮発性半導体メモリが開示されている。図1を参照しながら、ETOX型不揮発性半導体メモリのセル構成を説明する。この不揮発性半導体メモリのセルは、基板10上にソース14aおよびドレイン14bが形成され、ソース14aとドレイン14bの間のチャネル領域14cの上には、トンネル酸化膜15を介してフローティングゲート(浮遊ゲート)16が設けられ、さらにその上に、層間絶縁膜17を介してコントロールゲート(制御ゲート)18が形成されている。
【0003】
ETOX型不揮発性半導体メモリの動作原理を以下に説明する。表1は、メモリセルの書き込み、消去および読み出しの各モードにおいて、コントロールゲート18、ソース・ドレイン14および基板10に印加する電圧を示す。
【0004】
【表1】
【0005】
書き込み(プログラム)時において、書き込みを行うメモリセルに対し、コントロールゲート18に例えば10Vの電圧を、ソース14aに例えば0Vの基準電圧を、ドレイン14bには例えば6Vの電圧を印加する。これにより、チャネル領域14cで1セル当たり500μAの大電流が流れ、ドレイン14bサイドにおける電界の高い部分で、チャネルホットエレクトロン(以下、CHEと呼ぶ)が発生する。CHEは、基本的にはチャネルを流れる電子で、高電界により発生するエネルギーの高い電子である。CHEがトンネル酸化膜のエネルギー障壁を飛び越えてフローティングゲート16に注入されることにより、メモリセルのしきい値が上昇する。なお、書き込みを行わないメモリセル(非選択メモリセル)のドレインは、基準電圧(例えば0V)にしておく。上記のように書き込まれたメモリセルは、図2におけるプログラム状態(a)のように5.5V以上のしきい値を有する。図2に示されるように、しきい値の電圧が3.5V以下のメモリセルが消去(イレース)状態となり、5.5V以上のメモリセルが書き込み(プログラム)状態となる。
【0006】
消去(イレース)時においては、コントロールゲート18に例えば−9Vの電圧、ソース14aに例えば6Vの電圧を印加することで、ソース14aサイドでフローティングゲート16から電子が引き抜かれ、しきい値が低下する。この場合のしきい値状態は図2のイレース状態(b)に当たり、消去が行われたメモリセルのしきい値は3.5V以下となる。
【0007】
上記のソースサイドで電子を引き抜く際の動作の状態を図3に示す。図3に示すように、イレース時には、BTBT(Band To Band Tunneling)電流が流れる。この電流の流れと同時にホットホールおよびホットエレクトロンが発生する。そのうち、ホットエレクトロンはドレインに流れてしまうが、ホットホールは、トンネル酸化膜側へ引かれ、トンネル酸化膜内にトラップされる。このトラップが信頼性を悪化させると一般的に言われている。
【0008】
上記のように書き込みまたは消去がなされたメモリセルの読み出し(リード)は、コントロールゲート18に5Vの電圧を、ドレイン14bに1Vの電圧を印加し、ソース14aを0Vの電位にすることで行う。このような電圧条件の下で、メモリセルに記憶されているデータが消去状態の場合、メモリセルのしきい値が3.5V以下であるためメモリセルに電流が流れ、図示していないがドレインに接続されたセンス回路にて電流を検出し、消去状態“1”と判定する。メモリセルに記憶されているデータが書き込み状態の場合、メモリセルのしきい値が5.5V以上であるためメモリセルには電流は流れず、上記のセンス回路にて書き込み状態“0”と判定される。
【0009】
このような動作原理により、書き込み、消去、読み出しが行われるが、実際のデバイスでは、消去はブロック単位、例えば64kBと比較的大きな単位で行われ、さらに、その消去されるべきブロック内のメモリセルのしきい値は、プログラム状態のものもあればイレース状態のものもあるため、図4に示すような複雑なアルゴリズムを用いて消去を行う必要がある(特開平9−320282号公報)。
【0010】
図4に示される消去方法について説明する。消去が開始されると、まず、1つのブロック内のすべてのメモリセルを、通常の書き込み動作(CHEによる書き込み方式)により書き込み状態にする(ステップS1)。
【0011】
次に、ステップS1により書き込まれたメモリセルのしきい値が5.5V以上であるかどうかを検証するプログラムベリファイを、8ビット単位で行う(ステップS2)。メモリセルのしきい値が5.5V以上でなければステップS1に戻り書き込みを続ける。一方、メモリセルのしきい値が5.5V以上となればステップS3に進む。
【0012】
ステップS3において、ブロック一括で消去パルスを印加する。ソースサイドから電子を引き抜きメモリセルのしきい値を下げることにより、消去が行われる。次に、ステップS4において、ブロック内の全メモリセルのしきい値が3.5V以下であるかどうかを検証するイレースベリファイを行う。メモリセルのしきい値が3.5V以下でなければステップS3に戻り消去を続ける。一方、メモリセルのしきい値が3.5V以下となれば消去を終了させる。
【0013】
図4の消去方法から分かるように、イレース後のしきい値の分布をできるだけタイトに、すなわち分布の幅を狭くし、かつオーバーイレースセル(しきい値が0V以下となるセル)をなくすために、まず全てのセルを書き込み状態にしている。この書き込みは、通常のプログラム動作により、8個のメモリセルに対して同時に行なうことができる。1つのメモリセルの書き込み時間が2μsとすると、この書き込み動作にかかる時間は以下の通りである。
【0014】
2μs×64kB÷8=131ms
この時間は、消去の総合時間を600msとすると、その約20%を占めることになる。131msという時間は5Vの電源を用いる場合の値であり、3Vの電源の場合になると、消去前書き込み時間は262msとなる。3Vの電源の場合、消去前書き込み用電圧、例えば、コントロールゲートの印加電圧を電源電圧から昇圧するチャージポンプの能力が低いため、消去前書き込みは4ビット単位でしか行えず、その結果、消去前書き込み時間がこのように長くなる。低電圧化が進行するにつれて、この消去前書き込み時間の長さの問題は非常に顕著となる。
【0015】
また、ステップS2のベリファイについて、1セル当り100nsで8ビット単位で行なうので、このベリファイに必要な時間は、
100ns×64kB÷8=6.6ms
程度になる。8ビット単位のベリファイなので消費電流も多い。さらに、ステップS3の消去パルス印加については、従来の方式によれば、前述したようにBTBT電流が発生し、比較的大きな電流が流れる。この消去パルス印加のトータル時間は300ms程度であり、消費電流は、1セル当り10nAで64kBでは
10nA×64KB=5.24mA
となる。なお、書き込みは、チャネルホットエレクトロンを用いるので、1セル当りの書き込み電流のピーク値が500uAとなり、非常に多くの電流を消費することになる。
【0016】
図4の消去方式について、パルス印加のトータル時間を短縮する方法として、イレースパルス印加時のソースに印加する電圧を高くすることが考えられる。しかしながら、ソースの電圧を高めるとBTBT電流が多くなり、トンネル酸化膜にトラップされるホールが増加し、信頼性が劣化する。したがって、ソースの電圧はこれ以上高めることができず、そのため消去速度もこれ以上高めることができない。
【0017】
以上に示したように、従来のETOX型のフラッシュメモリにおける主な問題点として、まず(1)消去速度が遅いということがある。消去パルス印加前に行なうブロック内の全ビットのプログラム(消去前の書き込み)に時間がかかり、消去パルス印加の時間を短縮することができない。その次に、(2)消費電流が多いということが挙げられる。消去パルス印加前に行なうブロック内全ビットの消去前書き込みにチャネルホットエレクトロンを用いるので、消費電流が多くなる。また、消去パルス印加時にBTBT電流が流れるため、消費電流がさらに多くなる。その他、消去前書き込みの後のベリファイにおいても、多くの電流が消費される。
【0018】
これらの問題を解決する1つの手段として、特開平6−96592号公報(先行技術2)に開示されている方式がある。この方式によれば、消去前の書き込みにファウラーノーデハイム(Fowler-NordheimまたはFN)トンネル現象を利用し、1回の書き込みで全メモリセルを書込むようになっている。この方式に用いられるメモりセルは、図1に示すものと同様である。メモリセルの書き込み、消去、消去前書き込みおよび読み出しの各モードにおいて、コントロールゲート18、ソース・ドレイン14および基板10に印加する電圧を表2に示す。
【0019】
【表2】
【0020】
表2から分かるように、消去前の書き込み時、コントロールゲートには高電圧(18V)を印加している。これにより、ソースサイドとフローティングゲートとの間に高電界が発生し、ソースサイドから電子がフローティングゲートへ注入される。この方式では、消去前書き込みにFNトンネル現象を用いることにより、1セル当たりに消費される電流は10pAと非常に小さい。したがって、チャージポンプの能力や1C内の配線の電流許容値などを考慮しても、1ブロック内の複数のメモリセルに対して同時に書き込みを行うことが可能であり、消去前書き込みに所要な時間を短縮できる。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、先行技術2の方式においては次のような問題点がある。コントロールゲートに接続されるワード線に印加される電圧が18Vと非常に高いことにより、ワード線の出力段のトランジスタとして高耐圧用のものを用いる必要がある。そのため、トランジスタが占める面積が大きくなり、結果としてそのレイアウト面積が増加してしまう。また、18Vという電圧は実際の通常動作で用いられる電圧より高いので、この高電圧を生成するために、デバイス内に設けられる昇圧用チャージポンプがより複雑な構成となり、その占める面積も大きくなる。このこともレイアウト面積を増加させる。さらに、高い電圧を用いることで、周辺回路のトランジスタが与えられるストレスが大きくなり、デバイスの信頼性が劣化するおそれがある。
【0022】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、消去前書き込みにおいてコントロールゲートに印加する電圧を低減できる、不揮発性半導体メモリ装置の消去方式を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
本発明による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式は、第1の導電型の基板上に形成された第2の導電型の第1のウェルと、該第1のウェルにより該基板から電気的に分離された状態で該第1のウェル上に形成された第1の導電型を有する第2のウェルと、該第2ウェルにマトリクス状に配列された状態で設けられた複数の電界効果トランジスタによって構成されてそれぞれが電気的に情報の書き込みおよび消去が可能になった複数のメモリセルのブロックとを備え、該ブロックの前記各メモリセルは、前記第2ウェル内に形成されたドレインおよびソースと、該ドレインおよびソース間の前記第2ウェルによって形成されたチャネル領域と、該チャネル領域上にトンネル酸化膜を介して設けられた浮遊ゲートおよび制御ゲートとをそれぞれ有し、前記メモリセルにデータの書き込みを行う場合に、該当メモリセルの前記制御ゲートに正の第1電圧を印加し、該当メモリセルの前記ドレインに前記第1電圧よりも低い第2電圧を印加し、該当メモリセルの前記ソースおよび前記第2のウェルにそれぞれ基準電圧を印加し、前記第1ウェルに前記第2電圧よりも低い正の第3電圧を印加して、チャネルホットエレクトロンを該当メモリセルの前記フローティングゲートに注入して該当メモリセルのしきい値を上昇させるようになった不揮発性半導体メモリ装置の消去方式であって、前記ブロック内におけるすべてのメモリセルの前記各制御ゲートに負の第4電圧を印加し、前記各ソースおよび前記第1のウェルおよび前記第2のウェルにそれぞれ前記第1電圧と同じ正の第5電圧を印加し、前記ドレインをオープンにして、ファウラ−ノーデハイムトンネル現象により、前記各チャネル領域から前記各浮遊ゲートの電子をそれぞれ引き抜くことによってしきい値を下げて、該ブロック内のすべてのメモリセルに対し一括消去を行う構成であり、該一括消去に先立って、前記ブロック内におけるすべてのメモリセルの前記各制御ゲートに前記第1電圧よりも高い正の第6電圧を印加し、前記各ソースおよび前記第2のウェルには前記第4電圧と同じ負の第7電圧を印加し、前記第1のウェルには前記第3電圧と同じ正の第8電圧を印加し、前記ドレインをオープンにして、ファウラ−ノーデハイムトンネル現象により前記ブロックにおける全てのメモリセルの前記各浮遊ゲートに前記各チャネル領域から電子を注入してしきい値を上げることで消去前書き込みを行うことを特徴とする。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、図面を参照しながら、本発明による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式について説明する。
【0029】
まず、本発明に用いられる不揮発性半導体メモリ装置を説明する。図5はそのメモリアレイ部の1例の平面構成を示す。
【0030】
このメモリアレイ部は、電気的に情報の書き込みおよび消去が可能な複数のメモリセルMCがマトリクス状に配列されているメモリセルアレイ50を備えている。メモリセルMCは、後で詳細に説明するように、ソース14a/ドレイン14b、フローティングゲート16(図5では不図示)およびコントロールゲート18を含む電界効果トランジスタによりそれぞれ構成されている。
【0031】
図5のメモリアレイ部は、さらに、ワード線WLを介してメモリセルMCのコントロールゲート18に電圧信号を与えるためのワードデコーダ52、およびビット線BLを介してメモリセルMCのドレイン14bに電圧信号を供給するためのコラムデコーダ54を備えている。この例において、ワード線WL1、WL2、......、WLmはm本(例えば、m=2048)となり、このワード線1本当たりにn個(例えば、n=512)のメモリセルMCのコントロールゲート18がつながっている。
【0032】
複数のメモリセルMCは1以上のブロック1、......、ブロックk(k=1、2、3、......)に分割されており、各ブロックは、ワード線WL1、......、WLmに接続されている複数個(i×m個)のメモリセルMCにより構成される。ブロック1のメモリセルMCについて、メモリセルMCx1(ここではx=1〜m)のドレイン14bはビット線BL11に接続され、メモリセルMCx2のドレイン14bはビット線BL12に接続される。同様に、メモリセルMCxiのドレイン14bはビット線BL1iに接続される。他のブロックのメモリセルMCも、ブロック1と同じ形でワード線WLおよびビット線BLに接続されている。なお、図5の例ではビット線BL毎にメモリセルMCをまとめてブロック分割を行っているが、ワード線WL毎にメモリセルMCをまとめてブロック分割をしてもよく、さらにこの2種類の分割を組み合わせてもよい。
【0033】
各ブロック内のメモリセルMCのソース14aは、互いに電気的に接続されるように共通ソース線SL1、......、SLkに繋がっている。共通ソース線SLは、それぞれの各ブロックに設けられている消去回路56(1)、......56(k)に接続されている。消去すべきブロックは入力される消去信号Eにより選択され、それに対応する消去回路56によりブロック内のメモリセルMCのソースに所定の消去電圧が印加され、ブロック内で一括して消去が行われる。なお、消去は1つのブロックに対して行ってもよく、複数またはすべてのブロックに対して行ってもよい。
【0034】
ワードデコーダ52には上位アドレス信号Ay+1〜Az(例えば、z=16)が入力される。アドレス信号がワードデコーダ52によりデコードされることで、所望の一本のワード線WLが選択される。一方、コラムデコーダ54にはデータ(例えば、8ビットであればD0〜D7)と下位アドレス信号A0〜Ay(例えば、y=5)が入力される。コラムデコーダ54は、下位アドレス信号をデコードすることで所望のビットBLを選択し、書き込み時はデータを選択されたビット線BLに出力し、読み出し時には選択されたビット線BLに1Vの電圧を印加する。それと共に、コラムデコーダ54内に設けられているセンス回路(不図示)にてビット線BLの電位を検出し、データが読み出される。また、消去動作時には、コラムデコーダ54の出力をハイインピーダンスにすることで、ビット線BLをオープン状態にする。
【0035】
以下に、図6を参照しながら、本発明におけるメモリセルMCの構成を説明する。図6は図5における線VI-VIに沿った断面図である。
【0036】
メモリセルMCは電界効果トランジスタにより構成されている。より詳細には図6に示されるように、メモリセルMCは、基板10上にソース14aおよびドレイン14bが形成され、ソース14aとドレイン14bの間のチャネル領域14cの上には、トンネル酸化膜15を介してフローティングゲート(浮遊ゲート)16が設けられ、さらにその上に、層間絶縁膜17を介してコントロールゲート(制御ゲート)18が形成されている。複数の上記のようなメモリセルMCが1つのブロックを構成し、それらのソースは互いに電気的に接続されるように共通に繋がっている。
【0037】
1つのブロック内の複数のメモリセルMCは、基板10上に形成されたp-ウェル12(第2のウェル)に形成され、p-ウェル12は、n−ウェル11(第1のウェル)により基板10と電気的に分離されている。このような構造を、以下ではトリプルウェル構造と称する。トリプルウェル構造はブロック毎に形成され、異なるブロックの間は互いに電気的に絶縁されている。なお、消去を一括に行う1ブロックが第1のウェル11で取り囲まれた構成となっているが、第1のウェル11を形成することによるレイアウト面積の増加はそれほど大きくなく、不揮発性半導体メモリ装置全体にとっては特に問題にはならない。
【0038】
本発明は、このような、メモリセルMCが形成されているp-ウェル12(第2のウェル)がn−ウェル11(第1のウェル)によりp-基板10から電気的に分離されている構成を利用し、消去前書き込みにおいて、消去すべきブロック内のメモリセルの制御ゲートに第1の電圧(例えば正の電圧)を印加し、第2のウェルには第1の電圧と反対の極性の第2の電圧(例えば負の電圧)を印加するようにしている。本発明によれば、p−基板10を基準電圧に維持したまま、第2のウェルの電位を下げることができる。このことにより、消去前書き込み時に制御ゲートに印加される電圧を、従来の方式に比べて大幅に低減することができる。
【0039】
以下に、本発明による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式を詳細に説明する。
【0040】
(第1の実施形態)
表3を参照しながら、図6のメモリセルMCによる書き込み、消去および読み込みの各モードのセル動作原理を説明する。表3は、メモリセルの書き込み、消去、消去前書き込みおよび読み出しの各モードにおいて、メモリセルMCの各部分に印加する電圧を示す。
【0041】
【表3】
【0042】
書き込み(プログラム)時において、書き込みを行うメモリセルに対し、コントロールゲート18に例えば10Vの電圧を、n-ウェル11には例えば3Vの電圧を、ドレイン14bには例えば6Vの電圧を印加し、一方、ソース14a、p-ウェル12およびp-基板10には例えば0Vの基準電圧を印加する。なお、書き込みを行わないメモリセル(非選択メモリセル)のドレインは、基準電圧(例えば0V)にしておく。
【0043】
このような電圧印加により、チャネル領域14cで1セル当たり500μAの大電流が流れ、ドレイン14bサイドにおける電界の高い部分で、チャネルホットエレクトロン(CHE)が発生する。CHEがトンネル酸化膜15のエネルギー障壁を飛び越えてフローティングゲート16に注入されることにより、メモリセルのしきい値が上昇する。上記のように書き込まれたメモリセルは、図2におけるプログラム状態(a)のように5.5V以上のしきい値を有し、書き込み状態となる。
【0044】
消去(イレース)時においては、コントロールゲート18に例えば−9Vの電圧、ソース14aに例えば6Vの電圧を印加し、ドレインはオープン状態にする。一方、n−ウェル11には例えば3Vの電圧を印加し、p−ウェル12およびp−基板10は例えば0Vの基準電圧にする。これにより、ソース14aサイドでファウラーノーデハイム(Fowler-NordheimまたはFN)トンネル現象によりフローティングゲート16から電子が引き抜かれ、しきい値が3.5V以下まで低下し、メモリセルが消去状態(図2のイレース状態(b))となる。電子が引き抜かれる状態を図12に示す。
【0045】
上記のように書き込みまたは消去がなされたメモリセルの読み出し(リード)においては、コントロールゲート18に5Vの電圧、ドレイン14bに1Vの電圧を印加し、ソース14aを0Vの電位にし、さらにn−ウェル11には例えば3Vの電圧を印加し、p−ウェル12およびp−基板10は例えば0Vの基準電圧にする。このような電圧条件の下で、メモリセルに記憶されているデータが消去状態の場合、メモリセルのしきい値が3.5V以下であるためメモリセルに電流が流れ、図示していないがドレインに接続されたセンス回路にて電流を検出し、消去状態“1”と判定する。メモリセルに記憶されているデータが書き込み状態の場合、メモリセルのしきい値が5.5V以上であるためメモリセルには電流は流れず、上記のセンス回路にて書き込み状態“0”と判定される。
【0046】
次に、上記の消去動作の前に行う消去前書き込みについて、図7を参照しながら説明する。図7は図6における1メモリセルに対応する部分を示している。
【0047】
消去前書き込みが開始されると、コントロールゲート18に例えば12Vの電圧を、ソース14aおよびp−ウェル12には例えば−9Vの電圧を印加し、ドレイン14bはオープン状態とする。一方、n−ウェル11は例えば3Vの電位にすることでp−ウェル12とp−基板10間を電気的に分離し、p−基板10を基準電圧に維持する。このような電圧条件により、ソースサイドではなく、図7に示されるように、チャネル領域14cにおいてFNトンネル現象により、電子がフローティングゲート16に注入され、メモリセルのしきい値が上昇し書き込み状態となる。FNトンネル現象による消去前書き込みを実現するためには、厚さ80〜110Åのトンネル酸化膜15を用いる場合、コントロールゲート18と第2のウェル12との電位差は16〜21Vにすることが好ましい。例えば、トンネル酸化膜15の厚さが110Åのとき、コントロールゲート18の電圧は12Vにし、第2のウェル12の電圧は−9Vにすればよい。
【0048】
このように、本発明においては、メモリセルにトリプルウェル構造を用い、p−ウェル12とp−基板10とを電気的に分離することにより、p−基板10を基準電圧に維持したまま、p−ウェル10の電位を下げるようにしている。その結果、消去前書き込み時にコントロールゲート18に印加される電圧を、先行技術2の場合の18Vから12Vに低減することができる。このため、使用されるトランジスタに要求される耐圧レベルを低減でき、素子信頼性を向上することができる。また、高い印加電圧を使わないことにより、チャージポンプ回路などの周辺回路の負担が低く、消費電力の低減にもつながる。
【0049】
また、コントロールゲート18に印加される電圧の低減は、その電圧を生成するための高電圧発生用チャージポンプのレイアウト面積の低減にもつながる。コントロールゲート18に印加されるような高電圧は、通常、不揮発性半導体メモリの内部のチャージポンプ回路により電源電圧から昇圧して作られている。チャージポンプ回路は一般的に効率が悪く、レイアウト面積が大きくなる傾向がある。コントロールゲート18に印加される電圧が低減されれば、高電圧発生用チャージポンプの必要なレイアウト面積が小さくなり、そのため、不揮発性半導体メモリチップ全体の面積も縮小できる。
【0050】
また、n-ウェル11(第1のウェル)によりp-ウェル12(第2のウェル)と基板10とを絶縁することにより、基板10を基準電位にすることができるため、チャージポンプ回路による各種電圧を安定して作り出すことができる。
【0051】
さらに、複数のメモリセル(例えば、64kB)により構成されるブロックに対して、消去すべきブロックのみについて消去前の書き込みを行うため、全ブロックのメモリセルを一旦消去して再度書き込む必要はなく効率的である。
【0052】
以上に説明した消去前書き込みを包含する消去方式について、図8を参照しながら説明する。図8は、消去動作のアルゴリズムを示す。
【0053】
消去が開始されると、まず、ステップS81として、消去すべきブロック内のすべてのメモリセルを、上述したFNトンネル現象を利用する書き込み動作により、一括して書き込み状態にする。このステップにおいて、消去すべきブロックのメモリセルのコントロールゲート18につながる全ワード線WLに例えば12Vの電圧を、ソース14aおよびメモリセルが形成されているp−ウェル12には例えば−9Vの電圧を、n−ウェル11には例えば3Vの電圧を印加し、一方、ドレイン14bはオープン状態とする。この−9Vの電圧は、消去すべきブロック内のメモリセルのソース14aおよびp−ウェル12にのみ印加されており、消去されないブロック内のメモリセルのソースおよびp−ウェルには基準電圧(例えば、0V)が印加されている。なお、消去前の書き込みにおける電圧の印加時間は、表3に記載の電圧印加条件では2ms程度である。
【0054】
このような電圧印加により、消去すベきブロック内のメモリセルにおいて、ドレインサイドではなく、チャネル領域から、FNトンネル現象により電子がフローティングゲート16に注入される。それにより、メモリセルのしきい値が上昇し、書き込み状態となる。
【0055】
次に、ステップS81により書き込まれたメモリセルのしきい値が5.5V以上であるかどうかを検証するプログラムベリファイとを、8ビット単位で行う(ステップS82)。全てのメモリセルのしきい値が5.5V以上であれば、消去前書き込みを終了しステップS83に進む。もし1ビットでも5.5V以下のセルが発見されたらその時点で、再度書き込みパルスを印加し書き込みを行う。このパルス印加の時間は一般的に2ms程度でよい。状況に応じて2ms以外の他の時間に設定してもよい。なお、通常は、1回のパルス印加でこの消去前書き込みを終了するように設定されている。
【0056】
消去前書き込みが終了すると、ステップS83において、ブロック一括で消去パルスを印加する。パルス幅は約10ms程度で、パルスの印加回数は約30回とする。この消去パルスの印加で、FNトンネル現象によりソースサイドから電子が引き抜かれ、消去すべきブロックのメモリセルのしきい値が3.5V以下となる。なお、ここで、パルス幅を小さく刻む理由は、そのつどベリファイを行い、オーバーイレースが生じないようにするためである。
【0057】
次に、ステップS84において、消去すべきブロック内の全メモリセルのしきい値が3.5V以下であるかどうかを検証するイレースベリファイを行う。メモリセルのしきい値が3.5V以下でなければステップS83に戻り消去を続ける。一方、メモリセルのしきい値が3.5V以下となれば消去を終了させる。
【0058】
本発明によれば、上述したコントロールゲート18に印加する電圧の低減(従来の18Vから12Vまで)という効果以外に、消去前書き込みにおける書き込み電圧の印加時間の短縮にも顕著な効果が得られる。本実施形態において、消去前書き込みにおける書き込み電圧の印加時間は2ms程度である。これに対し、ホットエレクトロンを利用する先行技術1の場合は131msである(消去すベきブロックが64kBであり、バイト単位で消去前書き込みが行われる)。先行技術1に比べて、本発明によれば、消去前書き込みにおける書き込み電圧の印加時間が約98%、大幅に短縮される。
【0059】
2msという短い時間でも、図9に示されるように、消去すべきブロック内のメモリセルのしきい値の分布を所望の範囲内にすることができる。図9は、消去前書き込みにおける、書き込み電圧印加時間に対するメモリセルのしきい値の変化を示す。消去前書き込みを行う前には、ブロック内には当然、書き込み状態のメモリセル(しきい値が5.5V以上)および消去状態のメモリセル(しきい値が3.5V以下)がランダムに存在している。図9から分かるように、消去状態(四角の印)であったメモリセルは、2ms程度の消去前書き込みによりしきい値が5.5V以上に上昇し書き込み状態となっている。一方、書き込み状態(丸の印)のメモリセルは、2ms程度の消去前書き込みにより6V程度までの上昇に止まって初期の状態とはほとんど変化していない。図9の結果から、書き込み状態のメモリセルと消去状態のメモリセルがランダムに存在していても、消去前の書き込みを上記の電圧印加条件下で2ms程度行うことで、消去すべきブロック内のメモリセルのしきい値の分布は5.5V〜6.5Vの範囲に収まることが分かる。
【0060】
本実施形態はFNトンネル現象を用いているため、消去前書き込みに費やす1セル当たりの消費電流は約10pA程度であり、ホットエレクトロンを用いた先行技術1の場合の500μAと比較して、10万倍以上減少している。これにより、大幅な低消費電力化が達成できる。
【0061】
総括的に言えば、本発明によると、消去前の書き込み時に必要な最大電圧を低減でき、それによりトランジスタに要求される耐圧レベルを低減することが可能となり、その結果、周辺トランジスタ部の信頼性が向上する。また、消去前書き込み時間を大幅に短縮することにより、消去時間の短縮および消費電流の低減が図れる。
【0062】
(第2の実施形態)
以下に、本発明による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式の第2の実施形態を説明する。
【0063】
第1の実施形態では、ソース14aサイドでファウラーノーデハイム(FN)トンネル現象を利用し、フローティングゲート16から電子を引き抜くことにより消去を行っている(図12参照)。これに対し、本実施形態においては、消去動作は、チャネル領域14cサイドにおいて、FNトンネル現象を利用し、フローティングゲート16から電子を引き抜くようにしている。このことは、ソース14aとp−ウェル12を同電位にすることで実現される。本実施形態によれば、消去時間をさらに短縮できるという効果が得られる。
【0064】
本実施形態に用いられるメモリアレイ部およびメモリセルの構成はそれぞれ図5および図6に示すものと同様である。表4は、本実施形態の、メモリセルの書き込み、消去、消去前書き込みおよび読み出しの各モードにおいて、コントロールゲート18、ソース・ドレイン14、p−ウェル12、n-ウェル11および基板10に印加する電圧を示す。
【0065】
【表4】
【0066】
本実施形態と第1の実施形態との差異は消去動作にのみあり、それ以外のモード(書き込み、消去前書き込みおよび読み出し)の動作は第1の実施形態の場合と同様である。以下に、消去動作について説明する。
【0067】
消去時において、ソース14a、p−ウェル12およびn−ウェル11には例えば10Vの正の高電圧を印加する。また、コントロールゲート18に例えば−9Vの電圧を印加し、ドレイン14bはオープン状態にし、p−基板10は例えば0Vの基準電圧にする。これにより、チャネル領域14cにおいて、FNトンネル現象によりフローティングゲート16から電子が引き抜かれ、メモリセルのしきい値が3.5V以下まで低下し、消去状態となる。電子が引き抜かれる状態を図10に示す。
【0068】
以下に、図11を参照しながら、本実施形態の消去方式を説明する。図11は、消去動作のアルゴリズムを示す。
【0069】
消去が開始されると、まず、ステップS111として、消去すべきブロック内のすべてのメモリセルを、FNトンネル現象を利用する書き込み動作により、一括して書き込み状態にする。このステップにおいて、消去すべきブロックのメモリセルのコントロールゲート18につながる全ワード線WLに例えば12Vの電圧を、ソース14aおよびメモリセルが形成されているp−ウェル12には例えば−9Vの電圧を、n−ウェル11には例えば3Vの電圧を印加し、一方、ドレイン14bはオープン状態とする。この−9Vの電圧は、消去すべきブロック内のメモリセルのソース14aおよびp−ウェル12にのみ印加されるもので、消去されないブロック内のメモリセルのソースおよびp−ウェルには基準電圧(例えば、0V)が印加されている。このような電圧条件により、消去すベきブロック内のメモリセルにおいて、チャネル領域14cから、FNトンネル現象により電子がフローティングゲート16に注入される。それにより、メモリセルのしきい値が上昇し、書き込み状態となる。
【0070】
次に、ステップS111により書き込まれたメモリセルのしきい値が5.5V以上であるかどうかを検証するプログラムベリファイを、8ビット単位で行う(ステップS112)。全てのメモリセルのしきい値が5.5V以上であれば、消去前書き込みを終了しステップS113に進む。もし1ビットでも5.5V以下のセルが発見されたらその時点で、再度書き込みパルスを印加し書き込みを行う。
【0071】
消去前書き込みが終了すると、ステップS113において、ブロック一括で消去パルスを印加する。パルスは約100μs程度で、パルスの印加回数は約30回とするので、トータルでの消去パルス幅は3ms程度となる。この消去パルスの印加で、FNトンネル現象によりチャネル領域14cで電子がフローティングゲート16から引き抜かれ、消去すべきブロックのメモリセルのしきい値が3.5V以下となる。
【0072】
次に、ステップS114において、消去すべきブロック内の全メモリセルのしきい値が3.5V以下であるかどうかを検証するイレースベリファイを行う。メモリセルのしきい値が3.5V以下でなければステップS113に戻り消去を続ける。一方、メモリセルのしきい値が3.5V以下となれば消去を終了させる。
【0073】
本実施形態において、チャネル領域14cを使ってフローティングゲート16から電子を引き抜くので、ソースサイドで電子を引き抜く場合(第1の実施形態)におけるBTBT電流の発生(図3を参照)はない。したがって、本実施形態によれば、比較的に大きな消去電圧の印加が可能となり、より高速な消去が実現できる。本実施形態によれば、第1の実施形態の場合の300ms(10ms×30回)という長い消去パルス印加時間を短縮でき、10ms以下のトータルの消去時間を実現できる。また、BTBT電流が発生しないことにより、1セル当たりで消費される電流は10pA程度となり、BTBT電流が流れる従来方式での1セル当たりに消費される電流10nAと比較して、消費電力が大幅に低減できる。
【0074】
本実施形態では、消去前の書き込みにおいて、特にしきい値の低い消去状態のメモリセルに対して、チャネル領域を用いてFNトンネル現象による書き込みを行っている。その後の消去動作においても、同様のチャネル領域を用いた消去がなされている。このように、フローテイングゲートにおいて、電子の注入と引き抜きという双方向のやり取りが行うようになっている。この双方向の電子のやり取りはメモリセルの信頼性を向上させるのに役立つといわれている(IElCE Trans.Electron.VolE79-C1996,pp832、“A Novel Programming Method Using a Reverse Polarity Pulse in Flash EEPROMs”を参照)。このため、第2の実施形態によれば、従来方式や第1の実施形態の方式に比較して、さらにメモリセルの信頼性が向上する可能性が大きい。
【0075】
以上のように、本実施形態によると、消去時間が短縮し、消費電流が低減し、メモリセルの信頼性が向上する。さらに、第1の実施形態と同様に、消去前の書き込み時に必要な最大電圧を低減することで、トランジスタに要求される耐圧レベルを低減でき、周辺トランジスタ部における素子信頼性の向上が実現できる。
【0076】
【発明の効果】
本発明によれば、メモリセルをトリプルウェル構造の第2のウェル12上に形成し、かつ第2のウェル12を第1のウェル11により基板10から絶縁することにより、コントロールゲートに印加する電圧を低減する。例えば、第2のウェルを負の電圧にすることで、メモリセルのコントロールゲート18に印加する正の電圧を実質的に下げるようにしている。この構成により、ワード線の出力段のトランジスタとして高耐圧用のものを使用する必要がなく、出力段トランジスタのレイアウト面積を縮小できる。このレイアウト面積の縮小は、規則性を持った配列でアレイ化されているメモリセルアレイ部をもつ不揮発性半導体メモリ全体の設計を容易にする。素子動作に用いる印加電圧の低減により、外部からの電圧を昇圧して高電圧を作るための内蔵のチャージポンプ回路のレイアウト面積の縮小も可能となる。効率が悪いチャージポンプ回路の占める面積の縮小は、不揮発性半導体メモリ全体のチップ面積の縮小に大きく寄与する。なお、素子動作に用いる印加電圧の低減は、不揮発性半導体メモリの信頼性の向上にもつながる。
【0077】
また、消去前の書き込みに、1セルあたりの消費電流の低い、FNトンネル現象による書き込みを採用するため、消去前書き込みの高速化および消費電力の低減が期待できる。なお、1セルあたりの消費電流が低くなると、書き込みに用いる印加電圧を作るチヤージポンプの負担が軽くなり、ICチップ内の配線の電流許容値などにも余裕を与えることができる。これにより、不揮発性半導体メモリ全体の設計が容易になる。
【0078】
また、消去前の書き込みにおいて、チャネル領域でのFNトンネル現象を用いるため、チャネルホットエレクトロンの発生を行うための電流消費がなく、より低い消費電力および、一括書き込みによる消去動作の高速化が図れる。
【0079】
また、第1のウェル11により第2のウェル12と基板10とを絶縁することにより基板を基準電位に維持することができるため、チャージポンプによる各種電圧を安定して作り出すことができる。なお、基板をp−基板に、第1のウェルをn−ウェルに、第2のウェルをp−ウェルにすることで、一般的に市場に出回っているp−基板(ウェハ)を使用することができ、従来通りのプロセスにて素子を製造でき、製造コストがアップすることはない。
【0080】
なお、消去時において、ソースサイドの限られた領域でFNトンネル現象を発生させる場合は、ソース電圧は比較的低い値にすることができる。一方、消去を、チャネル領域におけるFNトンネル現象によりフローティングゲートから電子を引き抜くことで行う場合は、BTBT電流が発生する問題がなく、消費電力の低減と、高電圧印加による高速化が図れる。さらに、上述した消去前の書き込みの場合と同様に、電子のやり取りをフローティングゲートとチャネル領域の間で行うことで、メモリセルの信頼性の向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の不揮発性半導体メモリ装置のセル構造の断面図。
【図2】不揮発性半導体メモリ装置のメモリセルのしきい値状態を示す図。
【図3】不揮発性半導体メモリ装置の消去動作を示す図。
【図4】従来の不揮発性半導体メモリ装置の消去方式の消去アルゴリズムを示す図。
【図5】本発明に用いられる不揮発性半導体メモリ装置のメモリアレイ部の平面構成を示す図。
【図6】本発明に用いられる不揮発性半導体メモリ装置のセル構造の断面図。
【図7】本発明の不揮発性半導体メモリ装置の消去方式による消去前書き込み動作を示す図。
【図8】本発明の第1の実施形態による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式の消去アルゴリズムを示す図。
【図9】本発明における、消去前書き込みの書き込み電圧印加時間に対するメモリセルのしきい値の変化を示す図。
【図10】本発明の第2の実施形態による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式の消去動作を示す図。
【図11】その消去アルゴリズムを示す図。
【図12】本発明の第1の実施形態による不揮発性半導体メモリ装置の消去方式の消去動作を示す図。
【符号の説明】
10 基板
11 n-ウェル(第1のウェル)
12 p-ウェル(第2のウェル)
14a ソース
14b ドレイン
14c チャネル領域
15 トンネル酸化膜
16 フローティングゲート(浮遊ゲート)
17 層間絶縁膜
18 コントロールゲート(制御ゲート)
Claims (1)
- 第1の導電型の基板上に形成された第2の導電型の第1のウェルと、該第1のウェルにより該基板から電気的に分離された状態で該第1のウェル上に形成された第1の導電型を有する第2のウェルと、該第2ウェルにマトリクス状に配列された状態で設けられた複数の電界効果トランジスタによって構成されてそれぞれが電気的に情報の書き込みおよび消去が可能になった複数のメモリセルのブロックとを備え、該ブロックの前記各メモリセルは、前記第2ウェル内に形成されたドレインおよびソースと、該ドレインおよびソース間の前記第2ウェルによって形成されたチャネル領域と、該チャネル領域上にトンネル酸化膜を介して設けられた浮遊ゲートおよび制御ゲートとをそれぞれ有し、
前記メモリセルにデータの書き込みを行う場合に、該当メモリセルの前記制御ゲートに正の第1電圧を印加し、該当メモリセルの前記ドレインに前記第1電圧よりも低い第2電圧を印加し、該当メモリセルの前記ソースおよび前記第2のウェルにそれぞれ基準電圧を印加し、前記第1ウェルに前記第2電圧よりも低い正の第3電圧を印加して、チャネルホットエレクトロンを該当メモリセルの前記フローティングゲートに注入して該当メモリセルのしきい値を上昇させるようになった不揮発性半導体メモリ装置の消去方式であって、
前記ブロック内におけるすべてのメモリセルの前記各制御ゲートに負の第4電圧を印加し、前記各ソースおよび前記第1のウェルおよび前記第2のウェルにそれぞれ前記第1電圧と同じ正の第5電圧を印加し、前記ドレインをオープンにして、ファウラ−ノーデハイムトンネル現象により、前記各チャネル領域から前記各浮遊ゲートの電子をそれぞれ引き抜くことによってしきい値を下げて、該ブロック内のすべてのメモリセルに対し一括消去を行う構成であり、
該一括消去に先立って、前記ブロック内におけるすべてのメモリセルの前記各制御ゲートに前記第1電圧よりも高い正の第6電圧を印加し、前記各ソースおよび前記第2のウェルには前記第4電圧と同じ負の第7電圧を印加し、前記第1のウェルには前記第3電圧と同じ正の第8電圧を印加し、前記ドレインをオープンにして、ファウラ−ノーデハイムトンネル現象により前記ブロックにおける全てのメモリセルの前記各浮遊ゲートに前記各チャネル領域から電子を注入してしきい値を上げることで消去前書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置の消去方式。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000025779A JP3775963B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 不揮発性半導体メモリ装置の消去方式 |
US09/703,516 US6404681B1 (en) | 2000-02-02 | 2000-10-31 | Method for erasing data from a non-volatile semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000025779A JP3775963B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 不揮発性半導体メモリ装置の消去方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001216788A JP2001216788A (ja) | 2001-08-10 |
JP3775963B2 true JP3775963B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=18551591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000025779A Expired - Fee Related JP3775963B2 (ja) | 2000-02-02 | 2000-02-02 | 不揮発性半導体メモリ装置の消去方式 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6404681B1 (ja) |
JP (1) | JP3775963B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100379553B1 (ko) * | 2001-01-11 | 2003-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 셀의 어레이 및 이를 이용한 데이터프로그램방법 및 소거방법 |
US6556481B1 (en) * | 2001-02-21 | 2003-04-29 | Aplus Flash Technology, Inc. | 3-step write operation nonvolatile semiconductor one-transistor, nor-type flash EEPROM memory cell |
JP2002261172A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sharp Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US7476925B2 (en) * | 2001-08-30 | 2009-01-13 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interploy insulators |
KR100525921B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2005-11-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자 |
JP3974778B2 (ja) | 2001-12-26 | 2007-09-12 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置およびそのデータ消去方法 |
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US6888739B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-05-03 | Micron Technology Inc. | Nanocrystal write once read only memory for archival storage |
US6862223B1 (en) | 2002-07-05 | 2005-03-01 | Aplus Flash Technology, Inc. | Monolithic, combo nonvolatile memory allowing byte, page and block write with no disturb and divided-well in the cell array using a unified cell structure and technology with a new scheme of decoder and layout |
US7075140B2 (en) * | 2003-11-26 | 2006-07-11 | Gregorio Spadea | Low voltage EEPROM memory arrays |
JP4486434B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-06-23 | 富士通株式会社 | 命令リトライ検証機能付き情報処理装置および命令リトライ検証方法 |
US8330202B2 (en) * | 2005-02-23 | 2012-12-11 | Micron Technology, Inc. | Germanium-silicon-carbide floating gates in memories |
US7321145B2 (en) * | 2005-10-13 | 2008-01-22 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for operating nonvolatile memory cells with modified band structure |
US20080147082A1 (en) * | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Joel Pynson | Injector apparatus for use with intraocular lenses and methods of use |
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FR2975813B1 (fr) * | 2011-05-24 | 2014-04-11 | St Microelectronics Rousset | Reduction du courant de programmation des matrices memoires |
TWI595487B (zh) * | 2015-09-30 | 2017-08-11 | Egalax_Empia Tech Inc | Method to prevent the loss of memory cell data |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0570597B1 (en) * | 1991-12-09 | 2001-03-21 | Fujitsu Limited | Flash memory improved in erasing characteristic, and circuit therefor |
DE4311358C2 (de) * | 1992-04-07 | 1999-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | Nicht-flüchtige Halbleiterspeichereinrichtung und Betriebsverfahren für eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichereinrichtung und Verfahren zum Programmieren von Information in eine nicht-flüchtige Halbleiterspeichereinrichtung |
JPH0696592A (ja) | 1992-09-11 | 1994-04-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US6043123A (en) * | 1996-05-30 | 2000-03-28 | Hyundai Electronics America, Inc. | Triple well flash memory fabrication process |
KR100485356B1 (ko) * | 1997-06-26 | 2005-07-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시메모리셀 |
US6160739A (en) * | 1999-04-16 | 2000-12-12 | Sandisk Corporation | Non-volatile memories with improved endurance and extended lifetime |
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-
2000
- 2000-02-02 JP JP2000025779A patent/JP3775963B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-31 US US09/703,516 patent/US6404681B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001216788A (ja) | 2001-08-10 |
US6404681B1 (en) | 2002-06-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041110 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050128 |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051021 |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051221 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20051227 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3775963 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110303 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120303 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130303 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140303 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |