JP2002524872A - 拡散バリアー層及びその製造方法 - Google Patents

拡散バリアー層及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 表面（１３）を有する基材アセンブリ（１２）を提供し、この表面の少なくとも一部の上にバリアー層（１４）を提供することを含む、集積回路の製造で使用する方法を提供する。このバリアー層（１４）は、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできており、ここでｘは約０．６０〜約０．９９５、好ましくはｘは約０．９０〜０．９８である。バリアー層（１４）は、化学気相堆積によって作ることができ、バリアー層を形成する表面の少なくとも一部は、ケイ素含有表面でよい。この方法は、キャパシター、蓄積セル、接触ライニング等の製造で使用する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 ［発明の分野］ 本発明は、半導体デバイス及びその製造に関する。より特に本発明は、拡散バ
リアー層に関する。
【０００２】 ［発明の背景］ 集積回路の製造では、様々な導電性層を使用する。例えば、ダイナミックラン
ダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲ
ＡＭ）、強誘電性（ＦＥ）メモリのような半導体デバイスの製造の間には、蓄積
セルキャパシターの製造において導電性材料を使用し、また接触ホール、バイア
等の導電性層のような相互接続構造においても導電性材料を使用する。多くの用
途では、使用する材料が効果的な拡散バリアー性を提供することが好ましい。
【０００３】 例えば、効果的な拡散バリアー特性は、ＤＲＡＭのようなメモリーデバイスの
蓄積セルキャパシターの製造において使用される導電性材料で必要とされる。メ
モリーデバイスはより密になってきているので、そのようなデバイスを形成する
回路部品の大きさを小さくすることが必要である。メモリーデバイスの蓄積セル
キャパシターの蓄電容量を維持しながら、同時にメモリーデバイスの大きさを小
さくする１つの方法は、蓄積セルキャパシターの誘電体層の誘電率を大きくする
ことである。従ってそのような用途では、誘電率が大きい材料を２つの電極の間
で使用する。様々な誘電性材料の１又は複数の層を、電極材料として使用するこ
とができる。しかしながら一般に、電極（特にセルキャパシターの底部電極）の
ために使用する導電性材料の１又は複数の層は、ある種の拡散バリアー性及び耐
酸化性を持たなければならない。そのような性質は、蓄積セルキャパシターの誘
電体層のために、誘電率が大きい材料を使用する場合に特に必要とされる。これ
はそのような高誘電率材料の製造のために使用する方法、例えば高誘電率材料の
堆積は通常、酸素含有雰囲気において高温（一般的に約５００℃を超える温度）
で行うことによる。
【０００４】 一般に、様々な金属及び金属化合物、典型的に白金のような貴金属及び酸化ル
テニウムのような導電性酸化物を、高誘電率の材料と共に使用する電極の少なく
とも１つの層又は電極として使用することが提案されている。しかしながら、信
頼可能な電気的な接触は一般に、高誘電率材料の有益な性質を減少させないよう
に作るべきである。底部電極として白金をうまく機能させるためには、これが、
酸素の拡散に対して効果的なバリアーでなければならない。キャパシターの下に
あるシリコンの酸化はキャパシタンスを有意に低下させ、セルキャパシターの蓄
積キャパシタンスを減少させるので、このことが必要とされている。電極層とし
て単独で使用する白金は、酸素を透過させすぎるので、蓄積セルキャパシターの
底部電極としては使用することができない。
【０００５】 白金の酸素透過性のために、典型的に白金は、ケイ素上に直接に作られたキャ
パシター集合体のための拡散バリアー及び電極として作用する電極積層体中の１
つの層として使用する。例えば、文献「Ｎｏｖｅｌ Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａ
ｔｕｒｅ Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ−Ｂａｒｒｉｅｒ Ｓｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ Ｍｅｍｏｒｉｅｓ」、Ｈ．Ｄ．Ｂｈａｔｔ等、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅ
ｔｔｅｒ、７１（５）、１９９７年８月４日で示されているように、電極バリア
ー構造は、白金：ロジウム酸化物層に加えて、白金：ロジウム合金の層を有して
、拡散バリアー性を有する電極を形成する。そのような合金層は、物理気相堆積
（ＰＶＤ）プロセス、例えば反応性高周波スパッタリングプロセスを使用して製
造する。
【０００６】 多くの蓄積セルキャパシターが、高アスペクト比の開口を使用して製造されて
いる。例えば、Ｆａｚａｎ等の米国特許第５，３９２，１８９号明細書「Ｃａｐ
ａｃｉｔｏｒ Ｃｏｍｐａｔｉｂｌｅ ｗｉｔｈ Ｈｉｇｈ Ｄｉｅｌｅｃｔｒ
ｉｃ Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｈａｖｉｎｇ Ｔｗｏ Ｉｎｄ
ｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｉｎｓｕｌａｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒｓ ａｎｄ ｔｈｅ Ｍ
ｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ Ｓａｍｅ」（１９９５年２月２１日発行
）では、蓄積セルキャパシターが、小さい高アスペクト比の開口内への導電性材
料の堆積によって作られた下側電極を有する。典型的にスパッタリングは、その
ような小さい高アスペクト比の開口内の電極の形成のために十分に適合した（コ
ンフォーマルな）層を提供しない。
【０００７】 キャパシター電極の製造に加えて、相互接続の用途のような他の用途で使用す
るバリアー層の製造も望まれている。例えば、接触口での望ましくない反応を防
ぐために、拡散バリアーが一般に使用されている。
【０００８】 ［発明の概略］ 電極材料としての単独の白金の使用に関する上述の問題及び以下の説明から明
らかになる他の問題を解決するために、白金：ルテニウム拡散バリアー層、その
ような層を有する構造体、及びそれらに関連する方法を開示する。
【０００９】 本発明の集積回路の製造で使用する方法は、表面を有する基材アセンブリを提
供すること、及びこの表面の少なくとも１部の上にバリアー層を形成することを
含む。このバリアー層は、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできており
、ここでｘは約０．６０〜約０．９９５である。
【００１０】 本発明の方法の他の態様では、ｘが約０．９０〜約０．９８、より好ましくは
ｘは約０．９５である。本発明の方法のもう１つの態様では、化学気相堆積によ
ってバリアー層を作る。本発明の方法の更に他の態様では、バリアー層を提供さ
れる前記表面の少なくとも一部がケイ素含有表面である。
【００１１】 本発明のキャパシターの製造で使用するもう１つの方法は、基材アセンブリの
一部の上に第１の電極を作ることを含む。高誘電率材料を、この第１の電極の少
なくとも１部の上に提供し、第２の電極をこの高誘電率材料上に提供する。ここ
で、第１と第２の電極のうちの少なくとも一方は、白金：ルテニウム合金の層を
含む。
【００１２】 この方法の１つの態様では、第１と第２の電極のうちの少なくとも一方は、白
金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金の層、及び１又は複数の追加の導電性層を
含む。
【００１３】 本発明のキャパシターを含む蓄積セルの製造で使用するもう１つの方法を説明
する。この方法は、少なくとも１つの活性デバイスを有する基材アセンブリを提
供すること、及び前記少なくとも１つの活性デバイスに関してキャパシターを製
造することを含む。前記キャパシターは、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合
金のバリアー層を含む少なくとも１つの電極を有する。
【００１４】 本発明の半導体デバイス構造体は、表面を有する基材アセンブリ及びこの表面
の少なくとも一部の上のバリアー層を含む。このバリアー層は、白金（ｘ）：ル
テニウム（１−ｘ）合金でできており、ｘは約０．６０〜約０．９９５である。
【００１５】 本発明のキャパシター構造体は、第１の電極、この第１の電極の少なくとも１
部の上の誘電体材料、及びこの誘電体材料上の第２の電極を含む。ここで、第１
と第２の電極の少なくとも一方が、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金のバ
リアー層を含む。
【００１６】 本発明のメモリーセル構造体は、少なくとも１つの活性デバイスを有する基材
アセンブリ；及び前記少なくとも１つの活性デバイスに関して形成されたキャパ
シターを含む。ここで前記キャパシターは、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）
合金でできたバリアー層を含む少なくとも１つの電極を有する。
【００１７】 もう１つの集積回路構造体は、少なくとも１つの活性デバイスを有する基材ア
センブリと、この少なくとも１つの活性デバイスに関して作られた相互接続を含
む。ここでこの相互接続は、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできたバ
リアー層を有する。
【００１８】 本発明は、添付の図面を参照して、以下の例示の態様を読むことによってより
良く理解される。
【００１９】 ［本発明の態様の詳細な説明］ 図１を参照して、本発明を以下で一般的に説明する。その後で、図２〜５を参
照して本発明の態様及び用途を説明する。
【００２０】 図１は、構造体１０を示しており、この構造体１０は、基材アセンブリ１２と
、この基材アセンブリ１２の表面１３、例えばケイ素含有表面上に作られた本発
明の白金：ルテニウム合金層１４とを含む。構造体１０は、効果的なバリアー層
を必要とする任意の用途のための白金：ルテニウム合金層の使用を例示している
。言い換えると、１つの材料が隣接する他の材料に拡散するのを防ぐことが必要
なときは常に、白金：ルテニウム合金層１４を半導体デバイスの製造で使用する
ことができる。例えば、基材アセンブリ１２は、ケイ素含有表面に向かって延び
る開口を有する接触構造を示すものでよい。そのような構造では、拡散バリアー
を一般にそのような開口内において使用して、望ましくない反応、例えばアルミ
ニウムのような接触材料とケイ素含有表面との反応を防ぐ。
【００２１】 更に例えば、白金：ルテニウム合金バリアー層１４を、メモリーデバイスのよ
うな半導体デバイスに使用する蓄積セルキャパシターの製造で使用することがで
きる。ここで更に説明するように、白金：白金：ルテニウム合金バリアー層１４
は、キャパシターの電極を作る積層体で、又はそのような蓄積セルキャパシター
の電極において単独で使用することができる。ＣＭＯＳデバイス、メモリーデバ
イス等のような様々なデバイスのための様々な半導体プロセス及び構造体が、本
発明のバリアー層のバリアー特性で利益を受け、また本発明はここで説明される
態様に制限されないことを、当業者は理解する。
【００２２】 ここで使用する場合、「基材アセンブリ」という用語は、ベース半導体層のよ
うな半導体基材、例えばウェハーのケイ素材料の最も下側の層、又はシリコンオ
ンサファイアのような他の材料に堆積したケイ素層、又は半導体基材上に作られ
た１若しくは複数の層若しくは構造又は半導体基材に作られた領域を有する半導
体基材に言及している。以下の説明の基材アセンブリに関しては、領域、接合、
様々な構造又は特徴、及び開口、例えばバイア、接触口、高アスペクト比開口等
を作る又は定めるために、様々な処理工程が先に使用されていてもよい。
【００２３】 本発明の白金：ルテニウム合金層１４は好ましくは、原子組成が白金（ｘ）：
ルテニウム（１−ｘ）（ｘは約０．６〜約０．９９５）である。言い換えると、
半導体デバイスのためのバリアー特性を達成するのに必要な白金層中のルテニウ
ムの量は最少量、すなわち約４０％〜０．５％である。より好ましくはｘは、約
０．９０〜約０．９８、更により好ましくはｘは約０．９５、すなわち層中のル
テニウムが約５％であることが、バリアー特性を提供するのに適当である。言い
換えると、好ましくは白金：ルテニウム合金層１４の原子組成は、おおよそ９５
％の白金と５％のルテニウムである。
【００２４】 白金：ルテニウム合金層１４の厚さは、使用する用途に依存している。好まし
くはこの厚さは、約１０Å〜約１０，０００Åである。より好ましくは白金：ル
テニウム合金層１４の厚さは、約１００Å〜約５００Åである。例えば、約１０
０Å〜約５００Åのこの好ましい厚さは、キャパシターの電極を作るための単一
の白金：ルテニウム合金層に適用可能である。
【００２５】 基材アセンブリ１２の表面１３上に作られた白金：ルテニウム合金層１４は、
１又は複数の様々なプロセスによって製造することができる。例えば、白金：ル
テニウム合金層１４の製造は、それぞれの供給源からの金属の同時の蒸発、すな
わち同時蒸発によって行うこと、白金：ルテニウム合金の単一の堆積ターゲット
からのスパッタリングによって堆積させること、２つのターゲットからの同時ス
パッタリングによって堆積させること（すなわち、１つのターゲットが白金を含
み、他方のターゲットがルテニウムを含む）；又は化学気相堆積（ＣＶＤ）、例
えば大気圧化学気相堆積、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ促進化学
気相堆積（ＰＥＣＶＤ）、若しくは任意の他の化学気相堆積技術による堆積によ
って行うことができる。好ましくは、白金：ルテニウム合金層１４の形成は、Ｃ
ＶＤによって達成する。
【００２６】 そのようなプロセスは、化学気相堆積反応器、例えばＧｅｎｕｓ社（カリフォ
ルニア州サニーバレー）から商品名７０００で入手可能な反応容器、Ａｐｐｌｉ
ｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社（カリフォルニア州サンタカレラ）から商品名５０
００で入手可能な反応容器、又はＮｏｖｅｌｕｓ社（カリフォルニア州サンジョ
ーズ）から商品名Ｐｒｉｓｍで入手可能な反応容器で行うことができる。しかし
ながら、ＣＶＤを行うのに適当な任意の反応容器を使用することができる。
【００２７】 化学気相堆積（ＣＶＤ）は、蒸気相反応体の反応、すなわち所望の成分を含有
する反応体ガスの反応によって、基材上に不揮発性固体のフィルムを形成するも
のとして定義される。反応体ガスは、反応容器に導入する。ガスは、加熱された
ウェハー表面において分解及び反応して、所望の層を形成する。化学気相堆積は
、半導体ウェハー上の薄い層、例えば白金：ルテニウム合金層のような元素の金
属又は化合物のフィルムを提供するための１つの方法である。化学気相堆積プロ
セスは多くの点で好ましい。これは、このプロセスが、深い接触又は他の開口内
にさえ、高度に適合した層を提供する能力を有することによる。従って、図４及
び５に関して以下で更に説明するように、好ましくはＣＶＤ処理を使用して、例
えば蓄積セルキャパシターの下側電極のために、深い接触及び他の開口内に高度
に適合した層を提供する。ＣＶＤは好ましいプロセスであるが、プラズマ促進、
光促進、レーザー促進、及び他の技術のような関連する様々な技術によって、Ｃ
ＶＤプロセスを促進できることは、当業者に明らかである。
【００２８】 本発明では好ましくは、化学気相堆積プロセスを使用して、白金及びルテニウ
ムの同時堆積を行わせる。このＣＶＤプロセスでは、白金先駆物質と共に、ルテ
ニウム先駆物質を反応容器に供給する。好ましくはこの方法は、Ｏ2、ＮＯ、Ｎ
Ｏ2、Ｏ3、過酸化水素、ｔ−ブチルペルオキシドのような有機ペルオキシド、又
は任意の他の酸化剤等の酸化性反応体ガスの存在下で行う。
【００２９】 一般に、液体先駆物質は、バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ）貯蔵容器に保持されて
おり、このバブラー貯蔵容器に、ヘリウム又は他の不活性ガスのようなキャリア
ーガス、すなわち非反応性のガス（例えば窒素、アルゴン、ネオン、及びキセノ
ン）を通して、先駆物質を反応容器に送る。例えば、流量が約１ｓｃｃｍ〜約１
００ｓｃｃｍの不活性ガス、すなわちプロセスの他のガスと反応しないガスであ
るキャリアーガス流れを、約３０℃〜約７０℃の温度及び約０．５〜約５０Ｔｏ
ｒｒの圧力のバブラーにおいて使用して、白金先駆物質を反応容器に供給するこ
とができる。同様に、流量が約１ｓｃｃｍ〜約１０ｓｃｃｍのキャリアーガス、
すなわち不活性ガスを、約２０℃〜約５０℃の温度及び約０．５Ｔｏｒｒ〜約１
００Ｔｏｒｒの条件のルテニウム先駆物質保持バブラーにおいて使用して、ルテ
ニウム先駆物質を反応容器に供給することができる。好ましくは、反応性酸化ガ
スを、約０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍの流量で反応容器に供給する。
【００３０】 当業者は、反応容器に気体を導入する様式が様々な技術のいずれかを含めるこ
とを認識する。例えば、バブラー技術の提供に加えて、室温において気体である
化合物の使用によって、又は揮発性の化合物を加熱して気化させ、そしてキャリ
アーガスを使用してこの揮発性の化合物を反応容器に供給することによって、導
入を達成することができる。更に、固体先駆物質及びそのような固体先駆物質を
気化させる様々な方法を使用して、反応性化合物を容器に導入することができる
。このように、本発明は任意の特定の技術に限定されない。更に典型的に、反応
体ガスは別々の入口から導入する。反応体ガスに加えて、希釈ガス（すなわち、
反応体ガスに対して非反応性のガス）を、容器に導入することもできる。例えば
、様々な流量でアルゴンガスを容器に導入することができる。
【００３１】 従って本発明では、反応容器中の反応体ガス混合物は少なくとも、ルテニウム
先駆物質ガス、白金先駆物質ガス、及び随意に酸素反応体ガス及び／又は希釈ガ
スを含む。好ましくは反応容器内において、ルテニウム先駆物質ガスの分圧を十
分に低く維持して、ルテニウムの堆積が、上述の合金層１４の好ましい白金：ル
テニウム組成を提供するようにする。この分圧は、ルテニウム先駆物質を保持す
るバブラーに通すヘリウムのような不活性ガスの流量を制御することによって、
又はバブラーの温度及び圧力のようなプロセスの他のパラメータを制御すること
によって調節できる。
【００３２】 好ましいＣＶＤプロセスでは、堆積圧力が約０．５ｔｏｒｒ〜約５ｔｏｒｒに
なるように、反応容器圧力を維持する。白金：ルテニウム合金層１４を堆積させ
るウェハー表面の温度は、約２００℃〜約４００℃の温度に維持する。
【００３３】 任意のルテニウム含有先駆物質及び白金含有先駆物質を、本発明で使用するこ
とができる。好ましくは白金含有先駆物質としては、ＭｅＣｐＰｔＭｅ3（Ｃｐ
＝シクロペンタジエニル）、白金ヘキサフルオロアセチルアセトネート、ＣｐＰ
ｔＭｅ3、Ｐｔ（アセチルアセトネート）2、Ｐｔ（ＰＦ3）4、Ｐｔ（ＣＯ）2Ｃ
ｌ2、シス−ＰｔＭｅ2［ＭｅＮＣ］2、（ＣＯＤ）Ｐｔ（ＣＨ3）2、（ＣＯＤ）
Ｐｔ（ＣＨ3）Ｃｌ、（Ｃ3Ｈ5）Ｐｔ（ＣＨ3）（ＣＯ）、（ａｃａｃ）（Ｐｔ）
（ＣＨ3）3（ここで、ＣＯＤ＝１，５シクロオクタジエンであり、ａｃａｃ＝ア
セチルアセトネート）を挙げることができる。更に、好ましくはルテニウム先駆
物質は、（ジエン）Ｒｕ（ＣＯ）3の式（式Ｉ）の液体ルテニウム錯体である。
ここで、「ジエン」とは、直鎖の、枝分かれした又は環状ジエン、二環式ジエン
、三環式ジエン、それらのフッ素化誘導体、それらの組み合わせ、及びハロゲン
化物、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｐ、Ａｓ又はＮのようなヘテロ原子を更に有するそれら
の誘導体に言及している。これらの先駆物質錯体及び他のものは、本出願人の「
Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｉｅｓ ｆｏｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖ
ａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ａｎｄ Ｒｕｔ
ｈｅｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ」、米国特許出願第 号明細書（Ｍｉｃｒ
ｏｎ社参照番号Ｎｏ．９７−０６７５）、及び本出願人の「Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆ
ｏｒ Ｐｒｅｐａｒｉｎｇ Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ ａｎｄ Ｏｓｍｉｕｍ Ｃｏ
ｍｐｏｕｎｄｓ」、米国特許出願第 号明細書（Ｍｉｃｒｏｎ
社参照番号Ｎｏ．９７−０８６１）で説明されている。更に例えば、更なる先駆
物質がＭｃＣｏｒｍｉｃｋ等の米国特許第５，３７２，８４９号明細書で開示さ
れている。より好ましくは、本発明で使用するルテニウム先駆物質は、Ｃ6Ｈ8Ｒ
ｕ（ＣＯ）3、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム（ＩＩ）、トリルテニ
ウムドデカカルボニル、及びシクロペンタジエニルジカルボニルルテニウム（Ｉ
Ｉ）二量体のうちの１つを含む。
【００３４】 同時堆積白金：ルテニウム合金層１４を製造する方法は、本出願人の「Ｍｅｔ
ｈｏｄ ｆｏｒ Ｐｒｏｄｕｃｉｎｇ Ｌｏｗ Ｃａｒｂｏｎ／Ｏｘｙｇｅｎ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒｓ」（参照番号１５０．００７３０１０１（
Ｍｉｃｒｏｎ社参照番号９７−０９９６））で説明されている。当業者は、これ
らの方法及び様々な他の方法を使用して、本発明の白金：ルテニウム合金層１４
を形成できることを認識する。
【００３５】 図２は、基材アセンブリ２２及び積層体２４を含む構造体２０を示している。
この積層体２４は、導電性層３１〜３４を含む。これらの導電性層３１〜３４の
うちの１又は複数は、本発明の白金：ルテニウム合金層である。
【００３６】 この１又は複数の導電性層は、１又は複数の白金：ルテニウム合金層を含むの
に加えて、様々な導電性材料でできた導電性層を含むことができる。例えばこの
導電性層としては、当然に限定するわけではないが、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、オスミウム、及びイリジウムのような金属、白金：ロジウム、
白金：ルテニウム、及び白金：イリジウムのような金属合金、酸化ルテニウム、
酸化ロジウム、及び酸化イリジウムのような金属酸化物、白金：ロジウム酸化物
、白金：ルテニウム酸化物、及び白金：イリジウム酸化物のような金属合金酸化
物、窒素化チタン、窒素化タングステン、及び窒素化タンタルのような金属窒素
化物、ケイ素化チタン、ケイ素化ルテニウム、ケイ素化ロジウム、及びケイ素化
イリジウムのような金属ケイ素化物を挙げることができる。
【００３７】 積層体２４は、１又は多数の用途、例えば相互接続の用途、キャパシターの用
途等で使用することができる。例えば積層体２４は、ケイ素含有表面２３を有す
る基材アセンブリ２２で、貯蔵セルキャパシターのための電極として使用するこ
とができる。そのような場合には、積層体２４のバリアー性質は、ケイ素含有表
面２３からのケイ素の拡散を防がなければならない。本発明では、層３１を白金
：ルテニウム合金層として作って、ケイ素含有表面２３からケイ素が、積層体２
４を通って隣接する１又は複数の層２９に達するのを防ぐことができる。更に例
えば、層２９が高誘電率材料であり、積層体２４を通る酸素の拡散を防ぐ拡散バ
リアー性を必要とする場合、層３４又は他の層のうちの１つも本発明の白金：ル
テニウム合金バリアー層として作ることができる。当業者は、本発明の白金：ル
テニウム合金層を様々な用途のための積層体で使用できること、及び積層体が１
又は複数の白金：ルテニウム合金層を含めることを認識する。更に、同じ積層体
で使用するそのような白金：ルテニウム合金層の組成は異なっていてもよい。
【００３８】 図３は、基材アセンブリ５２とキャパシター構造体５４とを含む構造体５０を
示している。キャパシター構造体５４は、第１の電極５６、第２の電極６０、及
びこれらの電極の間の高誘電率層５８を含む。例えば誘電体層は、所望の誘電率
の任意の適当な材料でよい。この誘電体材料としては、Ｔａ2Ｏ5、ＢａxＳｒ(1- x) ＴｉＯ3［ＢＳＴ］、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，
Ｔｉ）Ｏ3［ＰＺＴ］、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3［ＰＬＺＴ］、（Ｐｂ
，Ｌａ）ＴｉＯ3［ＰＬＴ］、ＫＮＯ3、及びＬｉＮｂＯ3を挙げることができる
。高誘電率層５８を使用する場合、電極の拡散バリアー性は特に重要である。例
えば、キャパシター構造体の底部電極をうまく機能させるためには、電極層又は
電極積層体は、酸素の拡散に対する効果的なバリアーとして機能しなければなら
ない。これは特に、高誘電率材料を作るために使用する処理のためである。基材
アセンブリ５２が、ケイ素含有表面５３、例えばポリシリコン、ケイ素基材材料
、Ｎでドープしたケイ素、Ｐでドープしたケイ素等の表面を有し、この表面上に
キャパシターを形成する場合に、そのよう拡散バリアー性が特に必要とされる。
これは、拡散したケイ素の酸化が、キャパシタンスの低下、例えばメモリーデバ
イスのためのキャパシタンスの低下をもたらすことがあるためである。ルテニウ
ムと白金の同時堆積は、作られる層のバリアー性を促進させ、従って電極の用途
のための純粋な白金を超える有意の利点を提供する。
【００３９】 当業者は、電極５６，６０のいずれかが、白金：ルテニウム合金材料の単一の
層として作られていてよいことを認識する。更にそのような電極５６，６０は、
１又は複数の白金：ルテニウム合金材料の層及び１又は複数の追加の導電性の層
を含む図２を参照して説明されるような積層体として作ることもできる。
【００４０】 図４及び５に関連して、上述の白金：ルテニウム合金の１又は複数の層を使用
する２つの例を示し以下で説明する。本発明の１又は複数の白金：ルテニウム層
の使用を、図４に関して説明する。この図４においては、蓄積セルの高誘電率キ
ャパシターの底部電極が、上述のような白金：ルテニウム合金材料の１又は複数
の層を含む。更に本発明の１又は複数の白金：ルテニウム合金層の使用を図５に
関して説明する。この図５では、拡散バリアー特性を必要とする接触ライニング
が示されている。簡単にするために、例示の説明は、これら２つの例示の構造で
説明される白金：ルテニウム合金材料の使用に限定する。本発明の利益を受ける
ＣＭＯＳデバイス、メモリーデバイス、ロジックデバイス等のような様々なデバ
イスのための他の半導体プロセス及び構造が存在し、本発明は、接触ライニング
及び電極構造のようなここで説明する例示の態様に限定されない。白金：ルテニ
ウム合金バリアー層は、拡散バリアー性を必要とする任意の用途、特に隣接する
層へのケイ素及び酸素の拡散を妨げる用途のために使用することができる。
【００４１】 図４で示すように、開口１８４を作る表面１８５，１８６上に底部電極構造体
を堆積させる前に、開口１８４を形成することによって、従来の処理技術でデバ
イス構造体１００を作る。そして白金：ルテニウム合金底部電極を開口１８４内
につくる。このように、及びＦａｚａｎ等の米国特許第５，３９２，１８９号明
細書で示されているように、デバイス構造体１００は、電界酸化物（ｆｉｅｌｄ
ｏｘｉｄｅ）領域１０５及び活性領域、すなわち電界酸化物に覆われていない
基材１０７の領域を含む。ワードライン１２１及び活性デバイス、すなわち電界
効果トランジスタ（ＦＥＴ）１２２は、電界酸化物領域１０５に関して作られる
。適当なソース／ドレイン領域１２５，１３０をシリコン基材１０７に作る。酸
化物材料１４０の絶縁層は、ＦＥＴ１２２及びワードライン１２１の領域上に作
る。ポリシリコンプラグ１６５を作って、基材１０７と基材上に作られる貯蔵セ
ルキャパシターとの間の電気的接触を提供する。ポリシリコンプラグ１６５上に
様々な層、例えば層１６７及び１７５を作る。そのような層は例えば、窒素化チ
タン、窒素化タングステン、又はバリアーとして機能する任意の他の金属窒素化
物でよく、これは上述のような１又は複数の白金：ルテニウム合金バリアー層を
含むこともできる。その後で、もう１つの絶縁層１８３を作って、開口１８４を
与えるようにする。
【００４２】 開口１８４は、小さい高アスペクト比の開口である。上述のように、小さい高
アスペクト比の開口は、特徴寸法又は臨界寸法が約１μｍ未満（例えば、開口の
直径又は幅が約１μｍ未満）で、アスペクト比が約１よりも大きい。そのような
アスペクト比は、接触ホール、バイア、トレンチ、及び任意の他の設計開口に適
用可能である。例えば、開口が１μｍで深さが３μｍのトレンチは、アスペクト
比が３である。本発明は小さいアスペクト比の構造物に拡散バリアー層を作るの
に特に有益である。これは、ステップ構造上の適合した白金：ルテニウム合金材
料の層を製造するために、ＣＶＤプロセスを使用することによる。
【００４３】 図４に示されるように、白金：ルテニウム合金バリアー層１８７は、開口１８
４を作る底部表面１８５及び１又は複数の側壁１８６上に作る。初めに白金：ル
テニウム合金材料の層を、底部表面１８５及び側壁１８６を含む構造体全体の上
に同時堆積させ、そして下側電極１８７を層を作る。例えば層は、エッチング又
は平滑化して、底部電極１８７を作るために所望の領域を除去することができる
。その後で誘電体層１９１を、白金：ルテニウム合金拡散バリアー層１８７に関
して製造する。更にその後で、第２の電極１９２を、誘電体材料１９１に関して
製造する。例えばそのような電極は、ここで説明されるような白金：ルテニウム
合金バリアー材料、窒素化タングステン、窒素化チタン、窒素化タンタル、ルテ
ニウム、ロジウム、イリジウム、酸化ルテニウム、酸化イリジウム、任意のそれ
らの組み合わせ、又は蓄積セルキャパシターの電極として典型的に使用される他
の導電性材料のような任意の導電性材料であってよい。本発明を使用する場合、
白金：ルテニウム合金材料でできた底部電極は、ＣＶＤを使用して、開口１８４
内に均一な厚さで適合して作られており、これは所望の抵抗性及びバリアー性を
提供する。
【００４４】 拡散バリアー層を必要とする及び／又は適合して作られた導電性層を必要とす
るケイ素含有表面のような表面に関して作られる任意のキャパシターが、本発明
の利益を受けることを当業者は認識する。例えば、コンテナ（ｃｏｎｔａｉｎｅ
ｒ）キャパシターは典型的に表面上に作られた電極を含み、これは底部電極を適
合させて作ることを必要とする。そのようなコンテナキャパシター蓄積セルは、
Ｄｅｎｎｉｓｏｎ等の米国特許第５，２７０，２４１号明細書「Ｏｐｔｉｍｉｚ
ｅｄ Ｃｏｎｔａｉｎｅｒ Ｓｔａｃｋ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ ＤＲＡＭ Ｃｅ
ｌｌ Ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ Ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ」（１９９３年１２月１４日）で説明されている。当業者は、底部電極１８
７が、ここで説明されたような白金：ルテニウム合金バリアーの１又は複数の層
を伴う積層体を含めることを認識する。
【００４５】 図５で示されているように、デバイス構造体２００は、接触開口部２５９の製
造、そして基材２０７の接触領域２５５の金属化によって、従来の処理技術で作
られている。そのように、金属化の前では、デバイス構造体２００は、電界酸化
物領域２０５、及び活性領域、すなわち電界酸化物によって覆われていない基材
２０７の領域を含む。活性領域の電界酸化物領域２０５に関して作られているも
のは、ワードライン（ワード線）２２１とＦＥＴ２２２である。適当にドープさ
れたソース／ドレイン領域２２５，２３０は、当業者に既知のようにして作られ
ている。その上に酸化物材料の適合層２４０を作り、接触開口部２５９を提供し
て、ケイ素基材２０７のドープされた領域２３０に接触領域２５５を与える。そ
の後で、１又は複数の金属化又は導電性層を、接触開口部２５９に作り、基材領
域２３０に電気的な接触を提供する。例えば、窒素化チタン又は他の拡散バリア
ー材料のような様々な材料を、接触開口部２５９に提供することができる。好ま
しくは、本発明の白金：ルテニウム合金材料でできた接触ライニング２８５を、
開口部２５９を作る底部表面２６０及び１又は複数の側壁２６１に提供する。白
金：ルテニウム合金層は一般に、基材アセンブリ全体に堆積させ、平滑化して、
接触ライニング２８５を作る。その後、導電性材料２７６を接触開口部内に提供
して、基材２０７のドープされた領域２３０への接触を与える。
【００４６】 ［例１］ 図６Ａ及び６Ｂはそれぞれ、酸素焼きなまし処理の前後での、同時堆積させた
白金：ルテニウム層の深さでの分布を示している。小さい研究室規模の反応性Ｃ
ＶＤ容器は、ＭＤＣ Ｖａｃｃｕｕｍ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社（カリフォルニア州
ハイワード）が製造するものであり、ガラス製研究用バブラー（ｂｕｂｂｌｅｒ
）は、Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｇｌａｓｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ（アイダホ州、ボイズ
）から入手した。白金：ルテニウム層を得るために使用した同時堆積条件は、以
下の条件を含む。 白金先駆物質：ＭｅＣｐＰｔ（Ｍｅ）3 ルテニウム先駆物質：Ｃ6Ｈ8Ｒｕ（ＣＯ）3 バブラーに通して使用する白金キャリアーガス：ヘリウム５ｓｃｃｍ バブラーに通して使用するルテニウムキャリアーガス：ヘリウム１０ｓｃｃｍ 白金バブラー条件：圧力１０Ｔｏｒｒ、温度３３℃ ルテニウムバブラー条件：圧力４０Ｔｏｒｒ、温度２５℃ 反応容器条件：圧力５Ｔｏｒｒ、ウェハー表面での堆積温度３００℃ 堆積時間：４分間 酸素反応ガス：１０ｓｃｃｍ
【００４７】 深さ分布は、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ミネソタ州、エデ
ンプレーリー）から商標名ＰｈＩ（Φ）５６００で入手可能なＸＰＳ装置を使用
して得た。分布を得るための操作条件は、３５０Ｗで単色のＡｌｋα（ｈＶ＝１
４８６．６ｅＶ）のｘ線源、４５°での抽出、８００μｍの抽出開口を含む。ス
パッタリングは、３ｍｍの領域にされた４ｋｅＶのアルゴンイオンビームによっ
て行った。図６Ａの深さ分布のためのスパッタリング時間は１３分間、図６Ｂの
深さ分布のためのスパッタリング時間は１４．３分間であった。 であった。
【００４８】 図６Ａに示されているように、上述の条件で同時堆積させた白金：ルテニウム
層は、２００Åの深さで、白金が約７０％でルテニウムが約１５％である。図６
Ｂは、７５０℃で３０秒間の迅速な熱酸化焼きなまし処理を行った後の、同時堆
積させた白金：ルテニウム層を示している。図６Ｃは、ＸＰＳモンタージュを示
しており、これは、酸素中での焼きなまし処理を行った後の白金：ルテニウム層
を通る分布での、Ｓｉシグナルを示している。このピークの形状は、界面におい
てＳｉがないこと、及び表面においてわずかなＳｉのみが存在することを示して
いる。バリアー層を通るケイ素及び酸素の拡散がないこと、従って二酸化ケイ素
が形成されないことが分かる。
【００４９】 ここで挙げられた全ての特許明細書及び参考文献は、それぞれが独立に本明細
書の記載に含まれているようにして、その全体を本明細書の記載に含める。本発
明を例示の態様に関して説明してきたが、これらの態様に限定されることを意味
していない。上述のように当業者は、様々な他の用途で、ここで説明された白金
：ルテニウム合金層を使用して、その有益なバリアー特性の利益を得られること
を認識する。例示の態様の様々な変更及び本発明の追加の態様が、この説明を参
照して当業者に明らかである。従って、特許請求の範囲の記載は、特許請求の範
囲に示される本発明の範囲に含まれる全てのそのような変更及び態様を包含する
ことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、本発明の白金：ルテニウム合金拡散バリアー層を含むデバイス構造体
を示している。
【図２】 図２は、複数導電性層積層体の一部として、本発明の白金：ルテニウム合金層
を有する構造体を示している。
【図３】 図３は本発明の白金：ルテニウム合金層を含む電極を有する高誘電率キャパシ
ターを含む構造体を示している。
【図４】 図４は、蓄積セルキャパシターの用途での、白金：ルテニウム合金層の使用を
示している。
【図５】 図５は、相互接続の用途での白金：ルテニウム合金層の使用を示している。
【図６Ａ】 図６Ａは、酸素焼きなまし処理を行う前の、堆積させた白金：ルテニウムの層
の深さでの分布を示す図である。
【図６Ｂ】 図６Ｂは、酸素焼きなまし処理の後の、堆積させた白金：ルテニウムの層の深
さでの分布を示す図である。
【図６Ｃ】 図６Ｃは、酸素中での焼きなまし処理の後の、白金：ルテニウム層にわたる分
布についてのＳｉシグナルを示すＸＰＳモンタージュである。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年９月７日（２０００．９．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１９】 少なくとも１つの活性デバイスを有する基材アセンブリ、
及び 前記少なくとも１つの活性デバイスに関して作られた相互接続、 を含み、前記相互接続が、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金（ｘは０．９
０〜０．９８）でできているバリアー層を含む、集積回路構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成１３年３月６日（２００１．３．６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４７】 深さ分布は、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ミネソタ州、エデ
ンプレーリー）から商標名ＰｈＩ（Φ）５６００で入手可能なＸＰＳ装置を使用
して得た。分布を得るための操作条件は、３５０Ｗで単色のＡｌｋα（ｈＶ＝１
４８６．６ｅＶ）のｘ線源、４５°での抽出、８００μｍの抽出開口を含む。ス
パッタリングは、３ｍｍの領域にされた４ｋｅＶのアルゴンイオンビームによっ
て行った。図６Ａの深さ分布のためのスパッタリング時間は１３分間、図６Ｂの
深さ分布のためのスパッタリング時間は１４．３分間であった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，Ｅ Ａ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ， ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，Ｇ Ｅ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ， ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，Ｍ Ｎ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ， ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，Ｚ Ｗ Ｆターム(参考） 4K030 AA11 AA16 BA01 CA04 EA01 FA10 JA01 JA06 LA15 4M104 AA01 AA09 BB01 BB04 BB19 BB25 BB30 BB32 BB33 BB36 BB38 BB40 CC01 DD04 DD06 DD34 DD37 DD43 DD45 DD64 DD65 FF18 HH00 HH05 HH13 5F033 GG04 HH07 HH08 HH25 HH27 HH32 HH33 HH34 HH35 JJ01 JJ04 JJ07 JJ08 JJ25 JJ27 JJ32 JJ33 JJ34 JJ35 KK01 LL04 LL10 MM05 MM12 MM13 NN03 NN06 NN07 NN37 NN40 PP06 PP09 PP12 PP15 PP19 QQ09 QQ37 QQ59 QQ65 TT08 VV10 VV15 VV16 VV17 WW00 WW02 XX02 XX04 XX28 XX30 5F083 AD24 HA02 JA06 JA13 JA14 JA15 JA38 JA40 JA43 MA06 MA17

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面を有する基材アセンブリを提供すること、及び 前記表面の少なくとも一部上に、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金（ｘ
    は約０．６０〜約０．９９５）でできている拡散バリアー層を形成すること、 を含む、集積回路の製造で使用する方法。
  2. 【請求項２】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項１に記載の
    方法。
  3. 【請求項３】 前記ｘが約０．９５である、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記バリアー層の形成が、化学気相堆積によるバリアー層の
    形成を含む、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記表面の一部がケイ素含有表面である、請求項１に記載の
    方法。
  6. 【請求項６】 基材アセンブリの一部上に第１の電極を形成すること、 前記第１の電極の少なくとも一部上に高誘電率材料を提供すること、及び 前記高誘電率材料上に第２の電極を形成すること、 を含み、前記第１と第２の電極のうちの少なくとも１つが、白金：ルテニウム合
    金層を含む、キャパシターの製造で使用する方法。
  7. 【請求項７】 前記白金：ルテニウム合金層が、白金（ｘ）：ルテニウム（
    １−ｘ）合金（ｘは約０．６０〜約０．９９５）の層である、請求項６に記載の
    方法。
  8. 【請求項８】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項７に記載の
    方法。
  9. 【請求項９】 前記ｘが約０．９５である、請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金の層を含む前
    記第１及び第２の電極のうちの少なくとも１つの形成が、化学気相堆積によって
    前記白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金の層を形成することを含む、請求項
    １に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 基材アセンブリのケイ素含有表面を提供すること、 前記基材アセンブリのケイ素含有表面の少なくとも１部に、白金（ｘ）：ルテ
    ニウム（１−ｘ）合金の層を含む第１の電極を形成すること、 前記第１の電極の少なくとも１部の上に高誘電率材料を提供すること、及び 前記高誘電率材料上に第２の電極を提供すること、 を含む、キャパシターの製造で使用する方法。
  12. 【請求項１２】 前記第１電極が白金（ｘ）及びルテニウム（１−ｘ）の合
    金の単一の層である、請求項１１に記載の方法。
  13. 【請求項１３】 前記層の厚さが約１００Å〜約５００Åである、請求項１
    ２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記第１の電極の形成工程が、化学気相堆積によって白金
    （ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金の層を堆積させることを含む、請求項１１に
    記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記ｘが約０．６０〜約０．９９５である、請求項１１に
    記載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項１５に記
    載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記第１の電極が、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合
    金の層と１又は複数の追加の導電性層を含む、請求項１１に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記１又は複数の追加の導電性層が、金属及び金属合金；
    金属及び金属合金の酸化物；金属窒素化物；並びに金属ケイ素化物の群より選択
    される材料でできている、請求項１７に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 少なくとも１つの活性デバイスを有する基材アセンブリを
    提供すること；及び 前記少なくとも１つの活性デバイスに関して、白金（ｘ）：ルテニウム（１−
    ｘ）合金のバリアー層を含む少なくとも１つの電極を有するキャパシターを製造
    すること、 を含む、キャパシターを有する蓄積セルの製造で使用する方法。
  20. 【請求項２０】 前記少なくとも１つの電極の形成が、化学気相堆積によっ
    て白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金のバリアー層を堆積させることを含む
    、請求項１９に記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記ｘが約０．６０〜約０．９９５である、請求項１９に
    記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項２１に記
    載の方法。
  23. 【請求項２３】 表面を有する基材アセンブリ；及び 前記表面の少なくとも１部上の、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金（ｘ
    は約０．６０〜約０．９９５）でできたバリアー層、 を含む、半導体デバイス構造体。
  24. 【請求項２４】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項２３に記
    載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記ｘが約０．９５である、請求項２４に記載の方法。
  26. 【請求項２６】 前記表面の一部がケイ素含有表面である、請求項２３に記
    載の方法。
  27. 【請求項２７】 第１の電極； 前記第１の電極の少なくとも１部の上の誘電体材料； 前記誘電体材料上の第２の電極； を含み、前記第１と第２の電極の少なくとも一方が白金（ｘ）：ルテニウム（１
    −ｘ）合金のバリアー層を含む、キャパシター構造体。
  28. 【請求項２８】 前記ｘが約０．６０〜約０．９９５である、請求項２７に
    記載の方法。
  29. 【請求項２９】 前記ｘが約０．９０〜約０．９８である、請求項２８に記
    載の方法。
  30. 【請求項３０】 前記第１と第２の電極の少なくとも一方が、白金（ｘ）：
    ルテニウム（１−ｘ）合金のバリアー層と１又は複数の追加の導電性層とを含む
    、請求項２７に記載の構造体。
  31. 【請求項３１】 前記１又は複数の追加の導電性層が、金属及び金属合金；
    金属及び金属合金の酸化物；金属窒素化物；並びに金属ケイ素化物の群より選択
    される材料でできている、請求項３０に記載の構造体。
  32. 【請求項３２】 少なくとも１つの活性デバイスを有する基材アセンブリ；
    及び 前記少なくとも１つの活性デバイスに関して形成されたキャパシターであって
    、白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできたバリアー層を含む少なくとも
    １つの電極を有するキャパシター、 を含む、メモリーセル構造体。
  33. 【請求項３３】 前記少なくとも１つの活性デバイスのケイ素含有領域に関
    して形成された第１の電極； 前記第１の電極の少なくとも１部の上の誘電体材料；及び 前記誘電体材料上の第２の電極； を含み、前記第１の電極が白金（ｘ）：ルテニウム（１−ｘ）合金でできたバリ
    アー層を有する、請求項３２に記載の構造体。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004266252A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Samsung Electronics Co Ltd 磁気トンネル接合構造体及びその製造方法
JP2012527751A (ja) * 2009-05-19 2012-11-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体構造体及びその形成方法
JP2021521324A (ja) * 2018-02-14 2021-08-26 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法

Families Citing this family (293)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6271131B1 (en) 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US6197628B1 (en) 1998-08-27 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same
US6323081B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
US6717201B2 (en) * 1998-11-23 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Capacitor structure
US6303956B1 (en) * 1999-02-26 2001-10-16 Micron Technology, Inc. Conductive container structures having a dielectric cap
JP2001144263A (ja) * 1999-11-11 2001-05-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 誘電体素子および誘電体素子の製造方法
US6660631B1 (en) * 2000-08-31 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices containing platinum-iridium films and methods of preparing such films and devices
US6617248B1 (en) * 2000-11-10 2003-09-09 Micron Technology, Inc. Method for forming a ruthenium metal layer
US7037730B2 (en) * 2001-07-11 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Capacitor with high dielectric constant materials and method of making
JP2003068882A (ja) * 2001-08-08 2003-03-07 Huabang Electronic Co Ltd 記憶装置のストレージノード及びその製造方法
US20030036242A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Haining Yang Methods of forming metal-comprising materials and capacitor electrodes; and capacitor constructions
KR20030025671A (ko) * 2001-09-22 2003-03-29 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 제조방법
US20040036129A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions
US7494894B2 (en) * 2002-08-29 2009-02-24 Micron Technology, Inc. Protection in integrated circuits
US6830983B2 (en) * 2002-08-29 2004-12-14 Micron Technology, Inc. Method of making an oxygen diffusion barrier for semiconductor devices using platinum, rhodium, or iridium stuffed with silicon oxide
US7423304B2 (en) * 2003-12-05 2008-09-09 Sandisck 3D Llc Optimization of critical dimensions and pitch of patterned features in and above a substrate
US7081421B2 (en) 2004-08-26 2006-07-25 Micron Technology, Inc. Lanthanide oxide dielectric layer
US7494939B2 (en) 2004-08-31 2009-02-24 Micron Technology, Inc. Methods for forming a lanthanum-metal oxide dielectric layer
US7375027B2 (en) 2004-10-12 2008-05-20 Promos Technologies Inc. Method of providing contact via to a surface
US7235501B2 (en) 2004-12-13 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Lanthanum hafnium oxide dielectrics
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7473637B2 (en) 2005-07-20 2009-01-06 Micron Technology, Inc. ALD formed titanium nitride films
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7989290B2 (en) 2005-08-04 2011-08-02 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-based charge traps and apparatus including rhodium-based charge traps
US7575978B2 (en) 2005-08-04 2009-08-18 Micron Technology, Inc. Method for making conductive nanoparticle charge storage element
US7931090B2 (en) * 2005-11-15 2011-04-26 Schlumberger Technology Corporation System and method for controlling subsea wells
US7709402B2 (en) 2006-02-16 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films
US8772939B2 (en) * 2008-08-04 2014-07-08 Micron Technology, Inc. Polishing systems and methods for removing conductive material from microelectronic substrates
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8003521B2 (en) 2009-04-07 2011-08-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
KR101583516B1 (ko) * 2010-02-25 2016-01-11 삼성전자주식회사 전극 구조체를 구비하는 캐패시터, 이의 제조 방법 및 전극 구조체를 포함하는 반도체 장치
KR101087846B1 (ko) * 2010-11-04 2011-11-30 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
TWI473275B (zh) * 2012-01-04 2015-02-11 Inotera Memories Inc 具有強健型環溝結構的記憶體電容之製造方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08176177A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Mitsubishi Materials Corp Ｐｔ膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ膜及びＰｔ膜パターン
JPH08293581A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Matsushita Electron Corp 強誘電体薄膜キャパシタ
JPH08306886A (ja) 1995-04-24 1996-11-22 Siemens Ag コンデンサおよび半導体メモリデバイスの製造方法
JPH08330538A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Sony Corp 半導体メモリ
JPH0936062A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Mitsubishi Materials Corp Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン
JPH0982666A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
JPH09199687A (ja) * 1995-11-30 1997-07-31 Hyundai Electron Ind Co Ltd 半導体素子のキャパシタおよびその製造方法
JPH09246214A (ja) * 1996-03-05 1997-09-19 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
WO1998000432A1 (en) * 1996-06-28 1998-01-08 Advanced Technology Materials, Inc. Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum
JPH10189886A (ja) 1996-12-26 1998-07-21 Sony Corp 誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ
JPH10200072A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
JPH10214943A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Toshiba Corp 薄膜誘電体素子

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2138339B1 (ja) 1971-05-24 1974-08-19 Radiotechnique Compelec
US4830982A (en) 1986-12-16 1989-05-16 American Telephone And Telegraph Company Method of forming III-V semi-insulating films using organo-metallic titanium dopant precursors
GB8717566D0 (en) 1987-07-24 1987-09-03 Thorn Emi Ltd Organic compounds
US4992305A (en) 1988-06-22 1991-02-12 Georgia Tech Research Corporation Chemical vapor deposition of transistion metals
US5130172A (en) 1988-10-21 1992-07-14 The Regents Of The University Of California Low temperature organometallic deposition of metals
JP2528719B2 (ja) 1989-12-01 1996-08-28 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5149596A (en) 1990-10-05 1992-09-22 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Vapor deposition of thin films
US5096737A (en) 1990-10-24 1992-03-17 International Business Machines Corporation Ligand stabilized +1 metal beta-diketonate coordination complexes and their use in chemical vapor deposition of metal thin films
KR930011538B1 (ko) 1991-07-16 1993-12-10 한국과학기술연구원 실리콘 반도체소자의 금속배선 형성용 텅스텐 질화박막 증착방법
US5252518A (en) 1992-03-03 1993-10-12 Micron Technology, Inc. Method for forming a mixed phase TiN/TiSi film for semiconductor manufacture using metal organometallic precursors and organic silane
US5270241A (en) 1992-03-13 1993-12-14 Micron Technology, Inc. Optimized container stacked capacitor DRAM cell utilizing sacrificial oxide deposition and chemical mechanical polishing
KR100325967B1 (ko) 1992-04-20 2002-06-20 윌리엄 비. 켐플러 유전체 물질에의 전기 접속부
US5198386A (en) 1992-06-08 1993-03-30 Micron Technology, Inc. Method of making stacked capacitors for DRAM cell
JP3407204B2 (ja) 1992-07-23 2003-05-19 オリンパス光学工業株式会社 強誘電体集積回路及びその製造方法
US5187638A (en) 1992-07-27 1993-02-16 Micron Technology, Inc. Barrier layers for ferroelectric and pzt dielectric on silicon
US5314727A (en) 1992-07-28 1994-05-24 Minnesota Mining & Mfg. Co./Regents Of The University Of Minnesota Chemical vapor deposition of iron, ruthenium, and osmium
US5403620A (en) 1992-10-13 1995-04-04 Regents Of The University Of California Catalysis in organometallic CVD of thin metal films
US5232873A (en) 1992-10-13 1993-08-03 At&T Bell Laboratories Method of fabricating contacts for semiconductor devices
US5354712A (en) 1992-11-12 1994-10-11 Northern Telecom Limited Method for forming interconnect structures for integrated circuits
US5335138A (en) * 1993-02-12 1994-08-02 Micron Semiconductor, Inc. High dielectric constant capacitor and method of manufacture
US5605857A (en) 1993-02-12 1997-02-25 Micron Technology, Inc. Method of forming a bit line over capacitor array of memory cells and an array of bit line over capacitor array of memory cells
US5639698A (en) 1993-02-15 1997-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor, semiconductor device, and method for fabricating the same
US5392189A (en) 1993-04-02 1995-02-21 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having two independent insulative layers and the method for forming same
US5478772A (en) 1993-04-02 1995-12-26 Micron Technology, Inc. Method for forming a storage cell capacitor compatible with high dielectric constant materials
US5381302A (en) 1993-04-02 1995-01-10 Micron Semiconductor, Inc. Capacitor compatible with high dielectric constant materials having a low contact resistance layer and the method for forming same
US5498562A (en) 1993-04-07 1996-03-12 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming stacked capacitors
US5407855A (en) 1993-06-07 1995-04-18 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device having a reducing/oxidizing conductive material
US5341016A (en) 1993-06-16 1994-08-23 Micron Semiconductor, Inc. Low resistance device element and interconnection structure
JP3724592B2 (ja) 1993-07-26 2005-12-07 ハイニックス セミコンダクター アメリカ インコーポレイテッド 半導体基板の平坦化方法
US6127257A (en) 1993-11-18 2000-10-03 Motorola Inc. Method of making a contact structure
US5362632A (en) 1994-02-08 1994-11-08 Micron Semiconductor, Inc. Barrier process for Ta2 O5 capacitor
JP3460347B2 (ja) 1994-03-30 2003-10-27 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
US5504041A (en) 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US5566045A (en) 1994-08-01 1996-10-15 Texas Instruments, Inc. High-dielectric-constant material electrodes comprising thin platinum layers
US6093615A (en) 1994-08-15 2000-07-25 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a contact structure having a composite barrier layer between a platinum layer and a polysilicon plug
US5480684A (en) 1994-09-01 1996-01-02 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organometallic precursor compounds
TW374247B (en) 1994-09-15 1999-11-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Method of fabricating semiconductor device
US5691219A (en) * 1994-09-17 1997-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor memory device
CA2178091A1 (en) * 1994-10-04 1996-04-11 Robertus Adrianus Maria Wolters Semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier
IT1270649B (it) 1994-10-11 1997-05-07 Solvay Elettrodo per un procedimento elettrochimico e impiego di detto elettrodo
US5464786A (en) 1994-10-24 1995-11-07 Micron Technology, Inc. Method for forming a capacitor having recessed lateral reaction barrier layer edges
US5661115A (en) 1994-11-08 1997-08-26 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
US5576071A (en) 1994-11-08 1996-11-19 Micron Technology, Inc. Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
JPH0920980A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Mitsubishi Materials Corp 白金膜の製造方法
KR100277569B1 (ko) 1994-12-27 2001-03-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 전극패턴 형성용 조성물 및 전극패턴 형성방법
US5555486A (en) 1994-12-29 1996-09-10 North Carolina State University Hybrid metal/metal oxide electrodes for ferroelectric capacitors
JP2953974B2 (ja) 1995-02-03 1999-09-27 松下電子工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3683972B2 (ja) * 1995-03-22 2005-08-17 三菱電機株式会社 半導体装置
KR100199346B1 (ko) 1995-04-04 1999-06-15 김영환 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법
WO1996035932A1 (fr) 1995-05-11 1996-11-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Element de capteur de temperature, capteur de temperature comportant cet element et procede de fabrication dudit element de capteur de temperature
US5654222A (en) 1995-05-17 1997-08-05 Micron Technology, Inc. Method for forming a capacitor with electrically interconnected construction
US5663088A (en) 1995-05-19 1997-09-02 Micron Technology, Inc. Method of forming a Ta2 O5 dielectric layer with amorphous diffusion barrier layer and method of forming a capacitor having a Ta2 O5 dielectric layer and amorphous diffusion barrier layer
KR0147640B1 (ko) 1995-05-30 1998-08-01 김광호 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조방법
JPH09162372A (ja) 1995-12-13 1997-06-20 Ricoh Co Ltd 電極材料及びこれを用いた容量素子
US5695815A (en) 1996-05-29 1997-12-09 Micron Technology, Inc. Metal carboxylate complexes for formation of metal-containing films on semiconductor devices
US5760474A (en) 1996-07-09 1998-06-02 Micron Technology, Inc. Capacitor, integrated circuitry, diffusion barriers, and method for forming an electrically conductive diffusion barrier
US5970378A (en) 1996-09-03 1999-10-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Multi-step plasma treatment process for forming low resistance titanium nitride layer
JP3676004B2 (ja) * 1996-11-28 2005-07-27 富士通株式会社 酸化ルテニウム膜の形成方法および半導体装置の製造方法
DE19737323A1 (de) 1997-08-28 1999-03-11 Philips Patentverwaltung Dünnschichtkondensator mit Schichtelektrode
US6140228A (en) * 1997-11-13 2000-10-31 Cypress Semiconductor Corporation Low temperature metallization process
US6284654B1 (en) * 1998-04-16 2001-09-04 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical vapor deposition process for fabrication of hybrid electrodes
US6541812B2 (en) * 1998-06-19 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Capacitor and method for forming the same
US6177696B1 (en) * 1998-08-13 2001-01-23 International Business Machines Corporation Integration scheme enhancing deep trench capacitance in semiconductor integrated circuit devices
US6063705A (en) 1998-08-27 2000-05-16 Micron Technology, Inc. Precursor chemistries for chemical vapor deposition of ruthenium and ruthenium oxide
US6074945A (en) 1998-08-27 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Methods for preparing ruthenium metal films
US6197628B1 (en) * 1998-08-27 2001-03-06 Micron Technology, Inc. Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same
US6583022B1 (en) 1998-08-27 2003-06-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming roughened layers of platinum and methods of forming capacitors
US6133159A (en) 1998-08-27 2000-10-17 Micron Technology, Inc. Methods for preparing ruthenium oxide films
US5962716A (en) * 1998-08-27 1999-10-05 Micron Technology, Inc. Methods for preparing ruthenium and osmium compounds
US6284655B1 (en) * 1998-09-03 2001-09-04 Micron Technology, Inc. Method for producing low carbon/oxygen conductive layers
US6204172B1 (en) 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Low temperature deposition of barrier layers
US6261850B1 (en) * 1998-09-03 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Direct writing of low carbon conductive material
US6323081B1 (en) * 1998-09-03 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Diffusion barrier layers and methods of forming same
US6429127B1 (en) * 2000-06-08 2002-08-06 Micron Technology, Inc. Methods for forming rough ruthenium-containing layers and structures/methods using same

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08176177A (ja) * 1994-12-27 1996-07-09 Mitsubishi Materials Corp Ｐｔ膜形成用組成物、並びに、この組成物より形成したＰｔ膜及びＰｔ膜パターン
JPH08306886A (ja) 1995-04-24 1996-11-22 Siemens Ag コンデンサおよび半導体メモリデバイスの製造方法
JPH08293581A (ja) * 1995-04-25 1996-11-05 Matsushita Electron Corp 強誘電体薄膜キャパシタ
JPH08330538A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Sony Corp 半導体メモリ
JPH0936062A (ja) * 1995-07-18 1997-02-07 Mitsubishi Materials Corp Ｐｔ合金電極形成用組成物、Ｐｔ合金電極及びＰｔ合金電極パターン
JPH0982666A (ja) * 1995-09-19 1997-03-28 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
JPH09199687A (ja) * 1995-11-30 1997-07-31 Hyundai Electron Ind Co Ltd 半導体素子のキャパシタおよびその製造方法
JPH09246214A (ja) * 1996-03-05 1997-09-19 Fujitsu Ltd 薄膜形成方法、半導体装置及びその製造方法
WO1998000432A1 (en) * 1996-06-28 1998-01-08 Advanced Technology Materials, Inc. Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum
JP2001504159A (ja) * 1996-06-28 2001-03-27 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インク． 白金の化学蒸着のための白金ソース組成物
JPH10189886A (ja) 1996-12-26 1998-07-21 Sony Corp 誘電体キャパシタおよび強誘電体メモリ
JPH10200072A (ja) * 1997-01-10 1998-07-31 Sony Corp 半導体メモリセルのキャパシタ構造及びその作製方法
JPH10214943A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Toshiba Corp 薄膜誘電体素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012035896; 前田和夫: ＶＬＳＩとＣＶＤ , 19970731, 第１１〜１５頁, 槇書店

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004266252A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Samsung Electronics Co Ltd 磁気トンネル接合構造体及びその製造方法
JP2012527751A (ja) * 2009-05-19 2012-11-08 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体構造体及びその形成方法
JP2021521324A (ja) * 2018-02-14 2021-08-26 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法

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