JP2001504159A - 白金の化学蒸着のための白金ソース組成物 - Google Patents

白金の化学蒸着のための白金ソース組成物

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Abstract

(57)【要約】 白金ソース試薬液体溶液であって、(i)(A)(I)式のRCpPt(IV)R'3化合物において、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルからなる群より選択され、R'は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルからなる群より選択されるRCpPt(IV)R'3化合物、並びに(B)(II)式のPt(β−ジケトネート)2において、R"は各々独立にメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択されるPt(β−ジケトネート)2という、上記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の白金ソース試薬液体溶液と、(ii)そのための溶媒とを備える、白金ソース試薬液体溶液。本発明による白金ソース試薬液体溶液は、ソース試薬液体溶液を揮発させて得られた蒸気をCVD反応器に輸送し白金をCVD反応器中に置いた基板上に堆積するようにした液体デリバリー装置を含む化学蒸着プロセス方式に容易に採用される。

Description

【発明の詳細な説明】 白金の化学蒸着のための白金ソース組成物 発明の分野 この発明は、白金含有ソース化合物及び鎖体のソース試薬溶液組成物を用いる 白金及び白金含有膜の化学蒸着による形成に関する。 関連技術の説明 ストロンチウムビスマスタンタル酸塩(SrBi2TaxOy)のような酸化物組成物によ り形成された強誘電性薄膜は、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）デバイスのよう なマイクロエレクトロニクスデバイスの製造のためのコンデンサー材料として有 用である可能性を有する。 そのような強誘電性膜の堆積形成のための種々の手段及び方法、例えばゾルー ゲル、スプレー熱分解、エアゾール、及び液体デリバリー(liquid delivery)化 学蒸着（ＣＶＤ）技術が、当該分野において実用化されており、また提案されて いる。ＣＶＤによるアプローチは、高いアスペクト比の性質を効率的にコーティ ングでき、非平面の表面形状に追従する膜を堆積できるため、特に有利である。 ＤＲＡＭ（並びにＦＲＡＭ）デバイスの製造においては、デバイスの電極とし て金属白金（ｐｔ）を用いることが多い。ＣＶＤによる白金膜を形成すること、 並びに製造工程を効率的に統合することが望ましいであろう。 白金膜の小規模の局所化された領域への化学蒸着は、種々の固体プリカーサー 、例えばテトラキス（トリフルオロホスフィン）白金、ビス（β−ジケトネート ）白金、（シクロペンタジエニル）白金トリメチル及び（アルキルシクロペンタ ジエニル）白金トリメチルを用いて、焦点を合わせたイオンビーム、電子ビーム またはレーザーによる白金プリカーサーの分解により局所化された領域への白金 の堆積を誘導することにより、有効に行われてきた。この技術は、例えば白金配 線の形成、サブサーフェース(subsurface)チップ欠陥を正すためのマイクロサー ジェリー(microsurgery)、Tao及びMclngailisによる米国特許第5,104,684号の「 イオンビーム誘導金属堆積」に記載されているようなＸ線マスクの修理に使用さ れうる。通常、そのようなプリカーサー化合物は、揮発性に優れており、続いて 行われる蒸着反応器中での化学蒸着のために、慣用のバブラーベースの輸送シス テム 中、固相から昇華により容易に蒸発させることができる。従って、白金のための これらの固体プリカーサーの蒸気を生じさせるためのそのような慣用のバブラー ベースの輸送システムの使用は、白金ソース蒸気の下流のＣＶＤ反応器への輸送 速度の点で充分に有利であることが証明されており、別の輸送技術を積極的に求 めることは行われていなかった。 しかしながら、種々の形状の表面を連続的に被覆する広い面積での白金膜が必 要とされる時、これらの白金試薬の蒸着反応器への大量輸送は不適当となりうる ことが示唆されている。例えば、"Chemical Vapor Deposition of Platinum，Pa lladium and Nickel"，Alfred A．Zinn，et al.，in the Chemistry of Metal C VD，Toivo T．Kodas and Mark．J．Hampden-Smith，VCH Verlagsgesellshaft mb H，Weinheim，Germany and VCH Publishers Inc.，New York，p.337に報告され ているように、白金の成長速度が遅いことが報告され、反応器へのプリカーサー の不適当な供給となりうる。 従来のＣＶＤベースの白金蒸着方法の技術の例として、1992年７月14日に発行 されたRobert F．Hicks等による来国特許第5,130,172号及び1995年４月４日に発 行されたHerbert D.Kraesz等による米国特許第5,403,620号に開示されている組 成物及びコーティング形成技術が挙げられ、これは、（トリメチル）(シクロペ ンタジエニル)白金のような有機金属化合物から、水素ガスのような還元性流体 の存在下で、基板に白金コーティングを形成することを教示するものである。 通常、ＣＶＤプロセスシステムにおけるＣＶＤ反応器へのソース試薬蒸気の輸 送速度は、そのようなシステムの操作の容易性及び経済性にかなりの影響を及ぼ す。そして、ＣＶＤ反応器への試薬ソース材料の輸送速度を著しく増加させる手 段及び方法は、化学蒸着の分野において著しい進歩を意味する。 従って、本発明の目的は、白金ソース材料を化学蒸着プロセスシステムの反応 器に輸送するための改良された組成物、手段及び方法を提供することにある。 本発明の別の目的は、液体デリバリーを介してのより速い膜成長を可能とし、 白金電極または他の白金薄膜構造を酸化物基板上に形成する際に高温で（即ち50 0℃以上）コンデンサー“酸化物”に接触する水素の悪影響をなくす、改良され た白金ＣＶＤ方法を提供することにある。これについては、下記においてより完 全に開示する。 本発明の他の目的、特徴及び効果は、下記の開示及び添付の請求の範囲により 、より充分に明確となるであろう。 発明の概略 本発明は、組成物の観点において、広くは下記の白金ソース試薬液体溶液に関 する。即ち、 (i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の白金 ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物：及び (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)； (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液である。 該溶液における溶媒には、例えば炭化水素、エーテル類、アルコール類及びエ ステル類からなる群より選択される１またはそれ以上の溶媒種が含まれる。 方法の観点においては、本発明は下記の工程を含む化学蒸着において基板に白 金膜を形成するための方法に関する： (a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の白 金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供すること； (b)該白金ソース試薬液体溶液を蒸発させて、白金ソース試薬蒸気を生じさせる こと； (c)該白金ソース試薬蒸気を化学蒸着反応器に輸送すること；並びに (d)該化学蒸着反応器中、それに有効な化学蒸着条件下で、白金ソース試薬蒸気 からの白金を基板上に堆積させること。 そのような化学蒸着条件は、有利には、また特に基板が酸化ペロブスカイトを 含む場合には、酸化性ガス、例えば酸素(Ｏ2)、オゾン(Ｏ3)、酸化窒素（Ｎ2Ｏ ）またはその混合物が存在することを含む。さもなければ、化学蒸着条件は、還 元性ガスが白金堆積プロセスに有利であるか、または所期の目的のための方法及 び蒸着された白金膜の有効性が損なわれない場合には、還元性ガス、例えばＨ2 またはＮＨ3が存在することを含むのが有利である。 好ましい観点において、白金ソース試薬の蒸発及び輸送は、下記文献に種々開 示されている型の液体デリバリーシステムにより行い得る：米国特許第5,204,31 4号、及び1994年７月25日に出願された継続中の米国特許出願第08/280,143号、 及び1996年７月16日に発行された米国特許第5,536,323号、及びPeter S.Kirlin, Robin L.Binder,Robin A.Gardiner,Peter Van Buskirk,Jiming Zhang,and Grego ry Staufの名で、「ソース試薬液体デリバリー装置、及びこれを含むＣＶＤシス テム」についての継続中の1995年６月７日に出願された米国特許出願第08/484,0 25号。これらの開示は全て参考文献として本明細書に含まれる。 以下、本発明の他の観点及び実施態様は、下記の開示及び添付の請求の範囲に より、より充分に明確となるであろう。 発明の詳細な説明及びこれを実施するための好ましい態様 本発明は、蒸発して、次段階の白金のＣＶＤ反応器中における蒸気相からの堆 積のための蒸気相白金ソース材料を提供するソース試薬液体溶液を用いて、白金 ソース試薬のＣＶＤ反応器への輸送に対して液体デリバリーのアプローチを行う ことにより、高レベル、例えば従来のバブラーベースによるＣＶＤ反応器への試 薬デリバリーに対して、膜成長速度が速い、蒸着基板処理能力及びＣＶＤ製品生 産能力が高いという点で、１０〜１００倍の改良が得られるという驚くべき予想 外の発見に基づく。 好ましい観点において、本発明の液体デリバリー法は、白金のＣＶＤを行う分 野において普及しているアプローチとは逆の方法で行われる。本明細書の発明の 背景の欄で既に論じたように、Hicks等の米国特許第5,130,172号及びKraesz等の 米国特許第5,403,620号は、水素ガスのような還元性流体の存在下で、（トリメ チル）(シクロペンタジエニル)白金のような有機金属化合物から、白金コーティ ングを基板上に形成することを教示している。 Hicks等の'172特許及びKraesz等の'620特許は、白金膜形成技術の分野の刊行 物と共に、高純度白金膜の成長には、水素ガス（Ｈ2）及び形成ガス（ヘリウム 、窒素及びアルゴンのような不活性ガス中のＨ2）のような還元性ガスが必要で あるという“慣用の知識”の合意を提供する。実際には、出願人は、例えば、ペ ロブスカイト“酸化物”コンデンサー上に白金電極を導くＣＶＤ形成における、 Hicks等の'172特許及びKraesz等の'620特許の教示による水素の存在とそのベロ ブスカイトとの反応性が、蒸着されたコンデンサーまたは強誘電性薄膜に実際に 有害であり得ることを確認している。 従って、本発明は、液体デリバリーを介してのより速い膜成長を可能とし、従 来技術のＰｔ膜形成方法に関する高温で（即ち500℃以上）コンデンサー“酸化 物”に接触する水素の悪影響を排除する改良された白金ＣＶＤ方法を意図するも のである。化学蒸着チャンバにおける還元性ガスの存在が、基板及び全工程に有 利であるか、少なくとも過度に不利な影響を与えない場合には、還元性ガスを使 用してもよい。従って、本発明は、化学蒸着工程における蒸気相組成物が、潜在 的に、他の蒸気または気相成分、例えば還元性及び酸化性ガス／蒸気種、及び／ またはＣＶＤ工程において有利に存在するか、または少なくともPt含有膜材料の 堆積における該工程の有効性を排除しない他の種を含んでいてもよいことを意図 する。 しかしながら、本発明の好ましい観点においては、ペロブスカイト酸化物成分 を含有する基板、またはＣＶＤ反応器中の還元性ガスの存在により悪影響を受け る他の基板材料上に白金を堆積させる場合には、ＣＶＤ工程において酸化性ガス を使用する。 そのような観点において、本発明は、ＰｔＣＶＤ方法において酸素(Ｏ2)、オ ゾン(Ｏ3)、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）またはその混合物等の酸化性ガスを使用すること により、Hicks等の特許及びKraesz等の特許による現行のＰｔＣＶＤ方法並びに そのような慣用の知識による従来のアプローチを改良する。ＰｔＣＶＤ及び電極 薄膜形成の間の酸化性ガスの使用は、下記の利点を有するが、これらに限定され ることはない。 １．炭素含有リガンドの酸化及びプリカーサーの副生成物及び溶媒の分解により 、高い純度のニアバルク抵抗(near-bulk resistivities)を提供すること。 ２．核の凝集及び定常状態の膜成長の間のＰｔ−ペロブスカイト界面領域の酸化 。これにより、複合体酸化物コンデンサー膜の表面は、膜化学量論、静電容量、 誘電率、単位面積当たりの静電容量及びデバイスの性能に関して不利になるよう に損なわれないことが保証される。 ３．Ｐｔ薄膜は高温で金属層中に容易に酸素を拡散でき、これにより膜中の炭素 除去を確実に行うことができ、界面において、下記のパラグラフで述べる問題を 未然に防止することができる。 ４．酸素/窒素酸化物の使用により、ペロブスカイトベースの薄膜コンデンサー に液体デリバリー法を介してＰｔ電極の薄膜を成長させる有用な製造スキームが 提供される。そのような方法は、ＤＲＡＭデバイスの製造に非常に適する。 本発明の広範なプラクティスにおいて白金の液体デリバリーＣＶＤに非常に適 することが見いだされた白金ソース試薬化合物は、広範にわたる有機白金化合物 及び鎖体を含むが、白金(II)ビス（β−ジケトネート）及び白金(IV)（シクロペ ンタジエニル）テトラキスが特に好ましい。本発明においては、これらの白金ソ ース化合物を適当な濃度で適当な溶媒に溶解させ、ソース試薬化合物溶液を生じ させる。本発明のPtソース化合物の例には、下記のものが含まれる： (i)Pt(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト); (ii)Pt(II)ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト); (iii)Pt(IV)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル； (iv)Pt(CO)2Cl2; (v)Pt(acac)2; (vi)Pt(PF3)4; (vii)Pt(CH3)2[(CH3)NC]; (viii)(COD)Pt(CH3)2; (iX)(COD)Pt(CH3)(η1-C5H5); (x)(COD)Pt(CH3)Cl; (xi)(C5H5)Pt(CH3)(CO); (xii)(C5H5)Pt(アリル); (xiii)(acac)Pt(CH3)3; (xiv)(C5H5)Pt(CH3)3； (xv)(CH3C5H4)Pt(CH3)3 (式中、acacはアセチルアセトンを表し、C5H5はη5−シクロペンタジエニルを表 し、CH3C5H4はη5−メチルシクロペンタジエニルを表し、CODは1,5-シクロオク タジエンを表し、η1-C5H5はη1−シクロペンタジエニルを表す)。 本発明の広範にわたるプラクティスにおいて有用に使用される可能性のある白 金化合物の例には、下記に記載されているものが含まれる：Rand，M.J.，J．Ele ctrochem．Soc．1973，120，686;Kumar，R.，et al,.，Polyhedron 1989，8，55 1;Dryden，N.H.，et al.，Chem．Mater．1991，3，677;Xue，Z.，et al.，Chem. ，Mater.，1992，4，162;Chen，Y．J.，et al.，Appln．Phys．Lett．1988，53 ，1591;Xue，Z.，et al.，J．Am．Chem．Soc.，1989，111，8779。 上記の白金ソース試薬化合物は、炭化水素、エーテル、アルコール及びエステ ル溶媒に非常によく溶解し、本発明の溶液に高濃度で使用され得る。本発明の実 施において単独でまたは混合物として有用に使用される可能性のある溶媒種の例 には、n-ブチルアセテート、テトラグリム、イソプロパノール、テトラヒドロフ ラン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等が含まれる。具体的な溶媒組成物種の例 をいくつか示す： (i) ｎ-ブチルアセテート及びテトラグリムの混合物 (ii) テトラヒドロフラン及びテトラグリムの混合物 (iii) n-ブチルアセテート及びイソプロパノールの混合物 (iv) テトラヒドロフラン、イソプロパノール及びテトラグリムの混合物並びに (v) n-オクタン。 本発明の白金ソース試薬化合物溶液を、高純度白金膜及び導電層の蒸着に対す る有用性について調べた。このソース試薬組成物の物理的及び化学的性質並びに 本発明の広範にわたる実施において達成される膜は該ソース試薬化合物の分子構 造の小さな変化によって劇的に変化し得る。 例えば、(MeCp)PtMe3の融点は２９〜３０℃であるのに対し、非メチル化同族 体(Cp)PtMe3は１０８℃で溶融する。別の例としては、(MeCp)PtMe3におけるメチ ル基をエチル基に変えると、対応する液体鎖体が得られる。同様に、白金(II)ビ ス(β ージケトネート)のフッ素置換により、非常に高められた揮発性を有する低融点 鎖体が得られる。これらの誘導体の溶解性は、同族の非フッ素置換白金ソース試 薬材料よりも高い。従って、本発明の組成物は、揮発性及び有機媒体中への白金 プリカーサーの溶解性を高めることにより白金膜の成長速度が速くなるように容 易に調整し得ることが明らかである。 本発明による液体ソース試薬溶液に有用に使用される白金ソース試薬化合物は 、下記式で表されるソース化合物を含む： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 （式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)。 上記本発明の液体溶液組成物は、化学蒸着反応器中、白金ソース試薬液体溶液 を蒸発させて、白金ソース試薬蒸気を生じさせ、得られた白金ソース試薬蒸気を 化学蒸着反応器へ輸送することにより、基板上への白金コーティングの形成に有 利に使用され得る。ＣＶＤ反応器中、適当な化学蒸着条件下で、白金は、白金ソ ース試薬蒸気から基板上に堆積する。この条件は、当該分野の技術者により過度 な実験を行うことなく容易に決定され得る。そのような化学蒸着条件は、例えば 、酸化性ガスの存在、及び（これは、Hicks等の'172特許及びKraesz等の'620特 許の教示とは逆であるが）水素または他の還元性ガスの不存在であり得る。また は、上記で論じたように、化学蒸着条件には、還元性ガス、例えば水素、アンモ ニアなどの存在が含まれ得る。 基板は適当なタイプ及び組成のものでよく、例えば、絶縁性、誘電性、導電性 、半導電性等の材料またはそれらの組み合わせであり得る。基板は、例えばその 上にデバイスまたは他の構造を有する半導体基板であって、これについて本発明 の方法により形成されるPt材料が構成部品または作動部品を形成するものである 。基板は、例えばペロブスカイト酸化物または他の成分を含んでいてもよく、拡 散バリアを含んでいても良い。拡散バリアは、窒化チタン、窒化タンタル及び窒 化チタンアルミニウムからなる群より選択される材料を含む。 白金ソース試薬の蒸発及び輸送は、任意のタイプの液体デリバリーシステム、 例えば上記米国特許第5,204,314号、及び1994年７月25日に出願された継続中の 米国特許出願第08/280,143号、及び1996年７月16日に発行された米国特許第5,53 6,323号、及びPeter S.Kirlin,Robin L.Binder,Robin A.Gardiner,Peter Van Bu skirk,Jiming Zhang,and Gregory Staufの名で、「ソース試薬液体デリバリー装 置、及びこれを含むＣＶＤシステム」についての継続中の1995年６月７日に出願 された米国特許出願第08/484,025号により完全に開示された液体デリバリーシス テム及び対応する液体デリバリーシステム操作により行い得る。これらの開示は 全て参考文献として本明細書に含まれる。 本発明の特徴及び効果を、下記の非制限的実施例により、より完全に説明する 。全ての部及びパーセントは、特記しない限り重量基準である。 実施例１ 白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)からな る溶液を有機溶媒（炭化水素、アルコール、エーテル、エステル）に溶解した。 この溶液を壁を暖めた反応器に液体デリバリーシステムを用いて輸送し、O2/N2O 混合物中で熱分解して、Pt膜を堆積させた。この膜は、ＤＲＡＭ用途の電極とし てまたは続いての反応の触媒表面として使用されうる。 実施例２ 白金（II）ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)をn-酢酸ブ チル及びテトラグリム（２５：１）の溶液中に溶解した。この溶液を、O2/N2O混 合物中で、壁を暖めたＣＶＤ反応器に市販の液体デリバリーシステムを用いて輸 送し、導電性Ｐｔ膜を堆積させた。この膜は、マイクロエレクトロニクスの種々 の用途において回路または電極として使用されうる。 実施例３ 実施例１及び２の変法において、白金（II）ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3, 5−ヘプタンジオナト)からなる溶液を、テトラヒドロフラン及びテトラグリム（ ２５：１）の溶液中に溶解した。この溶液を（市販の液体デリバリーシステムを 用いて）ＣＶＤ反応器に輸送して高品質のＰｔ膜を形成した。分解は、Ｐｔソー スのきれいな分解を促進するために、O3またはO2/N2Oの存在下で行った。 実施例４ 実施例３の変法において、白金（II）ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘ プタンジオナト)を、n-ブチルアセテート及びイソプロパノールの溶液に溶解し た。アルコール共反応物の存在がプロトン化された2,2,6,6−テトラメチル−3,5 −ヘプタンジオンの分解及び遊離を促進する。O3またはO2/N2Oの混合物の必要性 は、炭素を含まない膜を提供し、製造のためのコンデンサーの薄膜の性質を確保 する。 実施例５ 白金(IV)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチルからなる溶液を、有機溶媒 （炭化水素、エーテル、エステル）中に溶解した。この溶液を壁を暖めた反応器 に市販の液体デリバリーシステムを用いて輸送し、熱分解して、Ｐｔ膜を堆積さ せた。このアプローチによると、加熱された基板表面への反応物の大量輸送が増 加することにより、膜成長速度をより速くすることができた。従って、慣用のバ ブラーシステムを用いた場合よりも有用性が大きくなる。堆積した白金膜は、Ｄ ＲＡＭの電極として、導電性物質として、または続いての反応（即ち、ヒドロシ リル化、重合または水素化）の触媒表面として使用されうる。 実施例６ 実施例５の変法において、白金(IV)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル からなる溶液を、n-オクタン（０．２５Ｍ）のような炭化水素溶媒に溶解し、壁 を暖めた反応器に市販の液体デリバリーシステムを用いて輸送した。熱分解によ るPt膜の蒸着は、２００〜３００℃の基板温度で、O2/N2Oの混合物の存在下で行 われた。このアプローチによると、加熱された基板表面への反応物の大量輸送が 増加することにより、膜成長速度を速くすることができ、堆積した白金膜は、Ｄ ＲＡＭの電極として、または続いての反応（即ち、ヒドロシリル化、重合または 水素化）の触媒表面として使用されうる。 実施例７ 実施例４及び５の変法において、白金(IV)(シクロペンタジエニル)トリメチル を、炭化水素溶媒（０．２５Ｍ）に溶解し、壁を暖めた反応器に市販の液体デリ バリーシステムを用いて輸送した。熱分解によるPt膜電極の蒸着は、５００〜７ ００℃の基板温度で、O2/N2Oの混合物の存在下で行われた。このアプローチによ ると、加熱された基板表面への反応物の大量輸送が増加することにより、膜成長 速度をより早くすることができ、堆積した白金膜は、ＤＲＡＭの電極としての使 用において優れた性能を発揮する。ＤＲＡＭペロブスカイトコンデンサー膜の完 全性は、ＰｔＣＶＤ中の酸化性共反応物（O2/N2O混合物）の存在下で維持された 。 実施例８ 白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)からな る溶液をテトラヒドロフラン、i-プロパノール及びテトラグリム（８：２：１） を含む有機溶媒中に溶解した。この溶液を壁を暖めた反応器に液体デリバリーシ ステムを用いて輸送し、O2/N2O混合物と反応させて導電性Ｐｔ膜を形成した。こ の方法の変法において、共反応物（即ちO3）を用いて、分解反応及び純粋なＰｔ 膜の形成を促進した。このアプローチは、マイクロエレクトロニクスの用途（即 ち、ＤＲＡＭ）の導電性回路及び電極を製造するのに使用し得る。 実施例９ 白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)からな る溶液をテトラヒドロフラン及びテトラグリム（１０：１）を含む有機溶媒に溶 解した。この溶液を壁を暖めた反応器に市販の液体デリバリーシステムを用いて 輸送し、H2と反応させて純粋な白金膜を形成した。金属表面へのＰｔの選択的な 堆 積を、化学前処理またはプラズマ処理を用いて基板表面の性質を変えた後に行っ た。観察された選択性は、基板の前処理の後に高められた。この方法において、 ＤＲＡＭ及びＦＲＡＭの用途のための導電性回路及び電極の選択的形成を行い得 る。 実施例１０ 実施例４，５，６の変法において、白金(IV)(シクロペンタジエニル)トリメチ ルを、低濃度（０．０５〜０．１５Ｍ）の炭化水素溶媒（n-オクタン）に溶解し 、壁を暖めた反応器に市販の液体デリバリーシステムを用いて輸送した。熱分解 によるＰｔ膜電極の堆積は、５００〜７００℃の基板温度で、O2/N2Oの混合物の 存在下で行われた。このアプローチによると、膜成長速度をより遅くすることが でき、薄膜（≦２００ｎｍ）における制御された膜の配向が得られる。堆積した 白金膜は、ＤＲＡＭの電極としての使用において優れた性能を発揮する。ＤＲＡ Ｍペロブスカィトコンデンサー膜の完全性は、ＰｔＣＶＤ中の酸化性共反応物(O2 /N2O混合物)の存在下で維持された。 本発明の産業上の利用性 本発明の組成物及び方法は、白金または白金含有薄膜の形成、例えばＤＲＡＭ デバイスのようなマイクロエレクトロニクスデバイスの製造のための強誘電薄膜 基板上の電極を形成するために使用されうる。白金プリカーサーのＣＶＤ反応器 への液体デリバリー輸送を用いることにより、薄膜構造の高速生産を行い得る。
【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項 【提出日】平成１０年９月１４日（１９９８．９．１４） 【補正内容】 請求の範囲 １．(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の 白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含み、 (iii)Ｒ及び全てのＲ’がメチルであるとき、溶媒はＣＤＣｌ3ではなく；全ての Ｒ”がメチルであるとき、溶媒はメタノールでなく、そして全てのＲ”がトリフ ルオロメチルであるとき、溶媒は1,2-ジクロロメタンではない 白金ソース試薬液体溶液。 ２．前記溶媒が、炭化水素、エーテル類、アルコール類及びエステル類からなる 群より選択される１またはそれ以上の溶媒種を含む請求項１の白金ソース試薬液 体溶 液。 ３．前記白金ソース化合物が、白金(II)ビス（β−ジケトネート）及び白金(IV) （シクロペンタジエニル）テトラキスからなる群より選択される請求項１の白金 ソース試薬液体溶液。 ４．(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の 白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)n-ブチルアセテート、テトラグリム、イソプロパノール、テトラヒドロフラ ン、ヘキサン、ヘプタン、及びオクタンからなる群より選択される溶媒を含む溶 媒を含む白金ソース試薬液体溶液。 ５．(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の 白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)n-ブチルアセテート、テトラグリム、イソプロパノール、テトラヒドロフラ ン、ヘキサン、ヘプタン、及びオクタンからなる群より選択される溶媒を含む溶 媒を含む白金ソース試薬液体溶液。 ６．次式：（式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる 群より選択される）で表されるRCpPt(IV)R'3化合物から選択される白金ソース化 合物；及び 前記化合物の溶媒を含み、Ｒ及び全てのＲ’がメチルであるとき、溶媒はＣＤＣ ｌ3ではない白金ソース試薬液体溶液。 ７．前記白金ソース化合物が、次式： （式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される）で表されるPt(β −ジケトネート)2から選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ８．前記白金ソース化合物が、 (i)白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト); (ii)白金(II)ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト);及び (iii)白金(IV)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル からなる群より選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ９．白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト)及び テトラグリム、テトラヒドロフラン及びイソプロパノールからなる群より選択さ れる少なくとも１種類の溶媒種を含む溶媒を含む白金ソース試薬液体溶液。 １０．白金(II)ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)及びｎ− ブチルアセテート、テトラグリム、テトラヒドロフラン及びイソプロパノールか らなる群より選択される少なくとも１種類の溶媒種を含む溶媒を含む白金ソース 試薬液体溶液。 １１．白金(II)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル)及びｎ−オクタンを 含む白金ソース試薬液体溶液。 １２．次式： （式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される）で表されるRCpPt(IV)R'3化合物から選択される白 金ソース化合物及びその溶媒を含み、溶媒がオクタンである場合は、Ｒ及びＲ’ 基の全てがメチル基ではない請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 １３．酸化性ガスの存在下及び還元性ガスの不存在下での白金の化学蒸着により 白金電極が形成された強誘電薄膜コンデンサー構造を含むＲＡＭデバイス。 １４．前記強誘電薄膜コンデンサー構造が、ストロンチウムビスマスタンタル酸 塩薄膜を含む請求項１３のＤＲＡＭデバイス。 １５．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物：(式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含み、Ｒ及び全てのＲ’がメチルであるとき、溶媒はＣＤＣｌ3を含まない白 金ソース試薬液体溶液を提供すること； (b)該白金ソース試薬液体溶液を蒸発させて、白金ソース試薬蒸気を生じさせる こと； (c)該白金ソース試薬蒸気を化学蒸着反応器に輸送すること；並びに (d)該化学蒸着反応器中、それに有効な化学蒸着条件下で、白金ソース試薬蒸気 からの白金を基板上に堆積させること を含む化学蒸着反応器中で基板に白金コーティングを形成するための方法。 １６．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供する工程を含み、化学蒸着条件が酸化性ガ スの存在を含む、化学蒸着反応器中で基板上に白金コーティングを形成するため の方法。 １７．前記酸化性ガスが、酸素(Ｏ2)、オゾン(Ｏ3)、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）または その混合物からなる群より選択される請求項１６記載の方法。 １８．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物：(式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供する工程を含み、化学蒸着条件が、還元性 ガスの不存在を含む、化学蒸着反応器中で基板上に白金コーティングを形成する ための方法。 １９．前記化学蒸着条件が、水素ガスの不存在を含む請求項１５記載の方法。 ２０．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供する工程を含み、基板がペロブスカイト酸 化 物を含み、化学蒸着条件が、酸化性ガスの存在と水素ガスの不存在を含む、化学 蒸着反応器中で基板上に白金コーティングを形成するための方法。 ２１．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供する工程を含み、化学蒸着条件が、還元性 ガスの存在を含む、化学蒸着反応器中で基板上に白金コーティングを形成するた めの方法。 ２２．前記還元性ガスが水素である請求項２１記載の方法。 ２３．前記還元性ガスがアンモニアである請求項２１記載の方法。 ２４．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供する工程を含み、基板が拡散バリアを含む 、化学蒸着反応器中で基板上に白金コーティングを形成するための方法。 ２５．前記拡散バリアが、窒化チタン、窒化タンタル、及び窒化タンタルアルミ ニウムからなる群より選択される材料を含む請求項２４記載の方法。 ２６．白金ソース試薬蒸気からの化学蒸着により基板上に白金または白金含有膜 を形成するための方法であって、該化学蒸着が、酸化性ガスの存在下及び水素の 不存在下で行われる方法。 ２７．前記白金ソース試薬蒸気が、有機白金化合物を含む白金ソース試薬液体溶 液の蒸発により形成される請求項２６記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/8242 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４５１ 27/10 ４５１ Ｃ０７Ｆ 15/00 Ｆ 27/108 Ｈ０１Ｌ 27/10 ６５１ // Ｃ０７Ｆ 15/00 (72)発明者 キルリン，ピーター，エス. アメリカ合衆国，コネティカット州 06801，ベセル，キングスウッド ドライ ブ ＃72 11 (72)発明者 ポンブリック，ソフィア. アメリカ合衆国，コネティカット州 06810，ベセル，トップストン ドライブ ２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １．(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種類の 白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCPPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液。 ２．前記溶媒が、炭化水素、エーテル類、アルコール類及びエステル類からなる 群より選択される１またはそれ以上の溶媒種を含む請求項１の白金ソース試薬液 体溶液。 ３．前記白金ソース化合物が、白金(II)ビス（β−ジケトネート）及び白金(IV) （シクロペンタジエニル）テトラキスからなる群より選択される請求項１の白金 ソース試薬液体溶液。 ４．前記溶媒が、n-ブチルアセテート、テトラグリム、イソプロパノール、テト ラ ヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、及びオクタンからなる群より選択される請 求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ５．前記溶媒が、 (i) n-ブチルアセテート及びテトラグリムの混合物 (ii) テトラヒドロフラン及びテトラグリムの混合物 (iii) n-ブチルアセテート及びイソプロパノールの混合物 (iv) テトラヒドロフラン、イソプロパノール及びテトラグリムの混合物並びに (v) n-オクタン。 からなる群より選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ６．前記白金ソース化合物が、次式： （式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される） で表されるRCpPt(IV)R'3化合物から選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶 液。 ７．前記白金ソース化合物が、次式： （式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びペルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される）で表されるPt(β −ジケトネート)2から選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ８．前記白金ソース化合物が、 (i)白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト); (ii)白金(II)ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト);及び (iii)白金(IV)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチル からなる群より選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 ９．前記白金ソース化合物が、白金(II)ビス(1,1,1,5,5,5-ヘキサフルオロ−2,4 −ペンタンジオナト)であり、前記溶媒が、ｎ−ブチルアセテート、テトラグリ ム、テトラヒドロフラン及びイソプロパノールからなる群より選択される請求項 １の白金ソース試薬液体溶液。 １０．前記白金ソース化合物が、白金（II）ビス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5 −ヘプタンジオナト)であり、前記溶媒が、ｎ−オクタンである請求項１の白金 ソース試薬液体溶液。 １１．前記白金ソース化合物が、Pt(Iv)(メチルシクロペンタジエニル)トリメチ ル)であり、前記溶媒が、テトラグリム、テトラヒドロフラン及びイソプロパノ ールからなる群より選択される請求項１の白金ソース試薬液体溶液。 １２．前記白金ソース化合物が、次式： （式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される）で表されるRCpPt(IV)R'3化合物から選択され、た だし、溶媒がオクタンである場合は、Ｒ及びＲ’基の全てがメチル基ではない請 求項１の白金ソース試薬液体溶液。 １３．酸化性ガスの存在下及び還元性ガスの不存在下での白金の化学蒸着により 白金電極が形成された強誘電薄膜コンデンサー構造を含むＲＡＭデバイス。 １４．前記強誘電薄膜コンデンサー構造が、ストロンチウムビスマスタンタル酸 塩薄膜を含む請求項１３のＤＲＡＭデバイス。 １５．(a)(i)下記式で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種 類の白金ソース化合物： (A)次式で表されるRCpPt(IV)R'3化合物： (式中、Ｒは水素、メチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル 、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチルを 表し、Ｒ’は各々独立にメチル、エチル、ｉ−プロピル、ｎ−プロピル、ｎ−ブ チル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリメチルシリル、及びトリメチルシリルメチ ルからなる群より選択される)；及び (B)次式で表されるPt(β−ジケトネート)2 (式中、Ｒ”は各々独立してメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ −ブチル、ｉ−ブチル、第三ブチル、トリフルオロメチル、ペルフルオロエチル 、及びベルフルオロｎ−プロピルからなる群より選択される)、並びに (ii)そのための溶媒 を含む白金ソース試薬液体溶液を提供すること； (b)該白金ソース試薬液体溶液を蒸発させて、白金ソース試薬蒸気を生じさせる こと； (c)該白金ソース試薬蒸気を化学蒸着反応器に輸送すること；並びに (d)該化学蒸着反応器中、それに有効な化学蒸着条件下で、白金ソース試薬蒸気 からの白金を基板上に堆積させること を含む化学蒸着反応器中で基板に白金コーティングを形成するための方法。 １６．前記化学蒸着条件が、酸化性ガスの存在を含む請求項１５記載の方法。 １７．前記酸化性ガスが、酸素(Ｏ2)、オゾン(Ｏ3)、酸化窒素（Ｎ2Ｏ）または その混合物からなる群より選択される請求項１６記載の方法。 １８．前記化学蒸着条件が、還元性ガスの不存在を含む請求項１５記載の方法。 １９．前記化学蒸着条件が、水素ガスの不存在を含む請求項１５記載の方法。 ２０．前記基板がペロブスカイト酸化物を含み、前記化学蒸着条件が、酸化性ガ スの存在と還元性ガスの不存在を含む請求項１５記載の方法。 ２１．前記化学蒸着条件が、還元性ガスの存在を含む請求項１５記載の方法。 ２２．前記還元性ガスが水素である請求項２１記載の方法。 ２３．前記還元性ガスがアンモニアである請求項２１記載の方法。 ２４．前記基板が拡散バリアを含む請求項１５記載の方法。 ２５．前記拡散バリアが、窒化チタン、窒化タンタル、及び窒化タンタルアルミ ニウムからなる群より選択される材料を含む請求項２４記載の方法。 ２６．白金ソース試薬蒸気からの化学蒸着により基板上に白金または白金含有膜 を形成するための方法であって、該化学蒸着が、酸化性ガスの存在下及び水素の 不存在下で行われる方法。 ２７．前記白金ソース試薬蒸気が、有機白金化合物を含む白金ソース試薬液体溶 液の蒸発により形成される請求項２６記載の方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002524872A (ja) * 1998-09-03 2002-08-06 マイクロン テクノロジー，インコーポレイティド 拡散バリアー層及びその製造方法
WO2012144455A1 (ja) 2011-04-20 2012-10-26 田中貴金属工業株式会社 化学蒸着用の有機白金化合物及び該有機白金化合物を用いた化学蒸着方法
WO2013054863A1 (ja) 2011-10-14 2013-04-18 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
KR20170122822A (ko) 2015-05-12 2017-11-06 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 그 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
KR20170127499A (ko) 2015-05-12 2017-11-21 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 그 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
JP6407370B1 (ja) * 2017-07-25 2018-10-17 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
JP2022539827A (ja) * 2020-03-20 2022-09-13 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト ヨードトリメチル白金（ｉｖ）

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3769711B2 (ja) 1997-11-28 2006-04-26 ローム株式会社 キャパシタの製法
JP3321729B2 (ja) * 1998-04-03 2002-09-09 株式会社高純度化学研究所 トリメチル（エチルシクロペンタジエニル）白金とそ の製造方法及びそれを用いた白金含有薄膜の製造方法
US6284654B1 (en) * 1998-04-16 2001-09-04 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical vapor deposition process for fabrication of hybrid electrodes
US6750110B1 (en) * 1998-07-23 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Continuous good step coverage CVD platinum metal deposition
US6271131B1 (en) 1998-08-26 2001-08-07 Micron Technology, Inc. Methods for forming rhodium-containing layers such as platinum-rhodium barrier layers
US7098503B1 (en) 1998-08-27 2006-08-29 Micron Technology, Inc. Circuitry and capacitors comprising roughened platinum layers
US6583022B1 (en) * 1998-08-27 2003-06-24 Micron Technology, Inc. Methods of forming roughened layers of platinum and methods of forming capacitors
US6261850B1 (en) 1998-09-03 2001-07-17 Micron Technology, Inc. Direct writing of low carbon conductive material
EP1130628A4 (en) * 1998-10-14 2007-07-04 Hitachi Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US6218293B1 (en) 1998-11-13 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Batch processing for semiconductor wafers to form aluminum nitride and titanium aluminum nitride
US7012292B1 (en) 1998-11-25 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc Oxidative top electrode deposition process, and microelectronic device structure
US6204178B1 (en) * 1998-12-29 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Nucleation and deposition of PT films using ultraviolet irradiation
US6352944B1 (en) 1999-02-10 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Method of depositing an aluminum nitride comprising layer over a semiconductor substrate
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
US6503314B1 (en) * 2000-08-28 2003-01-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. MOCVD ferroelectric and dielectric thin films depositions using mixed solvents
US7217615B1 (en) * 2000-08-31 2007-05-15 Micron Technology, Inc. Capacitor fabrication methods including forming a conductive layer
US6660631B1 (en) * 2000-08-31 2003-12-09 Micron Technology, Inc. Devices containing platinum-iridium films and methods of preparing such films and devices
JP3598068B2 (ja) 2001-02-06 2004-12-08 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
GB2372404B (en) 2001-02-16 2003-04-09 Ericsson Telefon Ab L M Telecommunications system
US20030036242A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-20 Haining Yang Methods of forming metal-comprising materials and capacitor electrodes; and capacitor constructions
US6573199B2 (en) * 2001-08-30 2003-06-03 Micron Technology, Inc. Methods of treating dielectric materials with oxygen, and methods of forming capacitor constructions
US6576538B2 (en) * 2001-08-30 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition
US6918960B2 (en) 2001-11-28 2005-07-19 Micron Technology, Inc. CVD of PtRh with good adhesion and morphology
US7105065B2 (en) * 2002-04-25 2006-09-12 Micron Technology, Inc. Metal layer forming methods and capacitor electrode forming methods
US7160577B2 (en) 2002-05-02 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits
FR2839982B1 (fr) 2002-05-22 2005-04-15 Centre Nat Rech Scient Composition de precurseur pour le depot de cuivre sur un support
WO2003106011A2 (en) * 2002-06-12 2003-12-24 Praxair Technology, Inc. A method for producing organometallic compounds
JP2004067601A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｃｖｄ原料用の有機化合物及び該有機化合物を用いた金属又は金属化合物薄膜の製造方法
US7084078B2 (en) 2002-08-29 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposited lanthanide doped TiOx dielectric films
EP1599613B1 (de) * 2003-03-03 2006-06-28 DECHEMA Gesellschaft für Chemische Technologie und Biotechnologie e.V. Verfahren zur beschichtung eines substrates
US20050081907A1 (en) * 2003-10-20 2005-04-21 Lewis Larry N. Electro-active device having metal-containing layer
JP2005158842A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7166732B2 (en) * 2004-06-16 2007-01-23 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films
US7588988B2 (en) 2004-08-31 2009-09-15 Micron Technology, Inc. Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition
US7662729B2 (en) 2005-04-28 2010-02-16 Micron Technology, Inc. Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer
US7572695B2 (en) 2005-05-27 2009-08-11 Micron Technology, Inc. Hafnium titanium oxide films
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
US7575978B2 (en) * 2005-08-04 2009-08-18 Micron Technology, Inc. Method for making conductive nanoparticle charge storage element
US7410910B2 (en) 2005-08-31 2008-08-12 Micron Technology, Inc. Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films
FR2897070B1 (fr) * 2006-02-03 2008-12-19 Commissariat Energie Atomique Procede dli-mocvd pour la fabrication d'electrodes pour reacteurs electrochimiques, electrodes obtenues par ce procede et pile a combustible et accumulateur mettant en oeuvre de telles electrodes
DE102006050863A1 (de) * 2006-10-27 2008-04-30 Wacker Chemie Ag Platinkatalysator
TW200825200A (en) * 2006-12-05 2008-06-16 Advanced Tech Materials Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates
US7763511B2 (en) * 2006-12-29 2010-07-27 Intel Corporation Dielectric barrier for nanocrystals
US7750173B2 (en) 2007-01-18 2010-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films
US8367506B2 (en) 2007-06-04 2013-02-05 Micron Technology, Inc. High-k dielectrics with gold nano-particles
US20090275164A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors
CA2801823C (en) 2010-06-15 2019-07-30 Metabolic Explorer Use of inducible promoters in the production of glycolic acid

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4510094A (en) * 1983-12-06 1985-04-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Platinum complex
GB8526613D0 (en) * 1985-10-29 1985-12-04 Shell Int Research Aldehydes
JPH0254704A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 貴金属粒子の製造方法
US5130172A (en) * 1988-10-21 1992-07-14 The Regents Of The University Of California Low temperature organometallic deposition of metals
US4912072A (en) * 1988-10-21 1990-03-27 Gas Research Institute Method for selective internal platinization of porous aluminosilicates
CA1340871C (en) * 1988-12-28 2000-01-04 Robert W. Epperly Method for reducing emissions from or increasing the utilizable energy of fuel for powering internal combustion engines
US5104684A (en) * 1990-05-25 1992-04-14 Massachusetts Institute Of Technology Ion beam induced deposition of metals
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5280012A (en) * 1990-07-06 1994-01-18 Advanced Technology Materials Inc. Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD
US5840897A (en) * 1990-07-06 1998-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
US5276226A (en) * 1992-10-05 1994-01-04 Exxon Research & Engineering Company Low temperature halogenation of alkanes
US5403620A (en) * 1992-10-13 1995-04-04 Regents Of The University Of California Catalysis in organometallic CVD of thin metal films
US5502227A (en) * 1993-07-27 1996-03-26 Cvd, Incorporated Liquid indium source
SG55063A1 (en) * 1993-08-19 1998-12-21 Shell Int Research Hydroformylation process
WO1997005994A1 (en) * 1995-08-04 1997-02-20 Microcoating Technologies Inc Chemical vapor deposition and powder formation using thermal spray with near supercritical and supercritical fluid solutions
WO1997008124A1 (en) * 1995-08-25 1997-03-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Hydroformylation process

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002524872A (ja) * 1998-09-03 2002-08-06 マイクロン テクノロジー，インコーポレイティド 拡散バリアー層及びその製造方法
WO2012144455A1 (ja) 2011-04-20 2012-10-26 田中貴金属工業株式会社 化学蒸着用の有機白金化合物及び該有機白金化合物を用いた化学蒸着方法
US8911827B2 (en) 2011-04-20 2014-12-16 Tanka Kikinzoku Kogyo K.K. Chemical vapor deposition method using an organoplatinum compound
WO2013054863A1 (ja) 2011-10-14 2013-04-18 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
KR20140070591A (ko) 2011-10-14 2014-06-10 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 상기 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
US9382616B2 (en) 2011-10-14 2016-07-05 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Chemical vapor deposition raw material comprising organoplatinum compound, and chemical vapor deposition method using the chemical vapor deposition raw material
US10077282B2 (en) 2015-05-12 2018-09-18 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Raw material for chemical deposition composed of organoplatinum compound, and chemical deposition method using the raw material for chemical deposition
KR20170127499A (ko) 2015-05-12 2017-11-21 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 그 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
KR20170122822A (ko) 2015-05-12 2017-11-06 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 유기 백금 화합물을 포함하는 화학 증착용 원료 및 그 화학 증착용 원료를 사용한 화학 증착법
US10465283B2 (en) 2015-05-12 2019-11-05 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Organoplatinum compound for use in the chemical deposition of platinum compound thin films
JP6407370B1 (ja) * 2017-07-25 2018-10-17 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
WO2019021836A1 (ja) * 2017-07-25 2019-01-31 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
JP2019023336A (ja) * 2017-07-25 2019-02-14 田中貴金属工業株式会社 有機白金化合物からなる気相蒸着用原料及び該気相蒸着用原料を用いた気相蒸着法
US11149045B2 (en) 2017-07-25 2021-10-19 Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. Raw material for vapor deposition including organoplatinum compound and vapor deposition method using the raw material for vapor deposition
JP2022539827A (ja) * 2020-03-20 2022-09-13 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト ヨードトリメチル白金（ｉｖ）
JP7342236B2 (ja) 2020-03-20 2023-09-11 ユミコア・アクチエンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト ヨードトリメチル白金（ｉｖ）

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