JPH1018036A - 高純度白金薄膜の形成方法 - Google Patents
高純度白金薄膜の形成方法Info
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- JPH1018036A JPH1018036A JP16933196A JP16933196A JPH1018036A JP H1018036 A JPH1018036 A JP H1018036A JP 16933196 A JP16933196 A JP 16933196A JP 16933196 A JP16933196 A JP 16933196A JP H1018036 A JPH1018036 A JP H1018036A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体装置のコンタクトや配線等に用いる白金
薄膜を有機金属化学蒸発法により形成する高純度かつ高
速の成膜方法。 【解決手段】 （上記式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子又は炭素数１〜３の
アルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも１つ
の置換基はアルキル基である。Ｒ５，Ｒ６は炭素数２〜
４のアルキル基を示す。）の式（１）で表される有機白
金化合物を有機溶媒に溶解した溶液を定量的に気化室に
導入し、加熱、気化させた後、キャリアーガスと共に成
膜室に導入し、有機金属化学蒸着を行う高純度白金薄膜
の形成方法。
薄膜を有機金属化学蒸発法により形成する高純度かつ高
速の成膜方法。 【解決手段】 （上記式中、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子又は炭素数１〜３の
アルキル基を示し、Ｒ１〜Ｒ４のうちの少なくとも１つ
の置換基はアルキル基である。Ｒ５，Ｒ６は炭素数２〜
４のアルキル基を示す。）の式（１）で表される有機白
金化合物を有機溶媒に溶解した溶液を定量的に気化室に
導入し、加熱、気化させた後、キャリアーガスと共に成
膜室に導入し、有機金属化学蒸着を行う高純度白金薄膜
の形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機白金化合物を用
いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形成
する白金薄膜形成方法に係り、特に、半導体装置のコン
タクトや配線等に用いる白金薄膜を有機金属化学蒸着法
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成する高純度かつ
高速の成膜方法に関する。
いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形成
する白金薄膜形成方法に係り、特に、半導体装置のコン
タクトや配線等に用いる白金薄膜を有機金属化学蒸着法
（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：以下
「ＭＯＣＶＤ法」と称す。）により形成する高純度かつ
高速の成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置のコンタクトや配線等
の各種白金薄膜をＭＯＣＶＤ法により形成するに際して
用いられる蒸着原料としては、次のような化合物を用い
た例が知られていた。 （イ）ジアセチルアセトナト白金（以下「Ｐｔ（ａｃａ
ｃ）2」と略記する。）や、（ロ）ビス（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオナ
ト）白金（以下「Ｐｔ（ｈｆａｃ）2」と略記する）。
の各種白金薄膜をＭＯＣＶＤ法により形成するに際して
用いられる蒸着原料としては、次のような化合物を用い
た例が知られていた。 （イ）ジアセチルアセトナト白金（以下「Ｐｔ（ａｃａ
ｃ）2」と略記する。）や、（ロ）ビス（１，１，１，
５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオナ
ト）白金（以下「Ｐｔ（ｈｆａｃ）2」と略記する）。
【０００３】上記の（イ）および（ロ）の化合物を用い
たＭＯＣＶＤ法では、２０％を越える炭素がＰｔ膜中に
残留してしまうため品質上問題であった、そのため本発
明者らは、次のような有機白金化合物を有機溶媒に溶解
して気化させＭＯＣＶＤ法を行う改良法を見出し、特許
出願した（特開平8-020870）。対象の有機白金化合物は
下記の、（ハ）シクロペンタジエニル白金トリメチル
（以下「ＣｐＰｔＭｅ3」と略記する。）、（ニ）メチ
ルシクロペンタジエニル白金トリメチル（以下「（Ｃｐ
Ｍｅ）ＰｔＭｅ3」と略記する。）、（ホ）トリメチル
シリル−２，４シクロペンタジエニル白金トリメチル
（以下「（ＣｐＳｉＭｅ3）ＰｔＭｅ3」と略記する。）
である。
たＭＯＣＶＤ法では、２０％を越える炭素がＰｔ膜中に
残留してしまうため品質上問題であった、そのため本発
明者らは、次のような有機白金化合物を有機溶媒に溶解
して気化させＭＯＣＶＤ法を行う改良法を見出し、特許
出願した（特開平8-020870）。対象の有機白金化合物は
下記の、（ハ）シクロペンタジエニル白金トリメチル
（以下「ＣｐＰｔＭｅ3」と略記する。）、（ニ）メチ
ルシクロペンタジエニル白金トリメチル（以下「（Ｃｐ
Ｍｅ）ＰｔＭｅ3」と略記する。）、（ホ）トリメチル
シリル−２，４シクロペンタジエニル白金トリメチル
（以下「（ＣｐＳｉＭｅ3）ＰｔＭｅ3」と略記する。）
である。
【０００４】またその他にも、次のような有機白金化合
物を有機溶媒に溶解して気化させ光分解ＭＯＣＶＤ法を
行う改良法も知られている。（ヘ）（１，５−ジメチル
−１，５−シクロオクタジエニル）白金ジメチル（以下
「（ＤＭＣＯＤ）ＰｔＭｅ2」と略記する。）、また次
に示す有機白金化合物も知られている。（ト）（１，５
−シクロオクタジエニル）白金ジエチル（以下「（ＣＯ
Ｄ）ＰｔＥｔ2」と略記する。）。
物を有機溶媒に溶解して気化させ光分解ＭＯＣＶＤ法を
行う改良法も知られている。（ヘ）（１，５−ジメチル
−１，５−シクロオクタジエニル）白金ジメチル（以下
「（ＤＭＣＯＤ）ＰｔＭｅ2」と略記する。）、また次
に示す有機白金化合物も知られている。（ト）（１，５
−シクロオクタジエニル）白金ジエチル（以下「（ＣＯ
Ｄ）ＰｔＥｔ2」と略記する。）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記（イ）〜（ト）の
有機白金化合物を用いた改良されたＭＯＣＶＤ法により
Ｐｔ膜中のＣ濃度を１％以下に低減することができた
が、基板表面上に形成される白金膜の基板との密着性
や、生成した白金膜の粒径制御に問題があり、さらに改
良が望まれており、一層多様な蒸着原料用有機白金化合
物が求められている。
有機白金化合物を用いた改良されたＭＯＣＶＤ法により
Ｐｔ膜中のＣ濃度を１％以下に低減することができた
が、基板表面上に形成される白金膜の基板との密着性
や、生成した白金膜の粒径制御に問題があり、さらに改
良が望まれており、一層多様な蒸着原料用有機白金化合
物が求められている。
【０００６】本発明者らは、近年の半導体装置の高集積
化に基づく白金膜の一層の薄膜化の要求や、均一かつ緻
密な結晶粒径を持った基板との密着性の高い白金膜の要
求に応じるため研究を進めた結果、上記従来の蒸着原料
用有機白金化合物よりも有利な新規な白金薄膜形成用有
機白金化合物を見いだし特許出願した（特願平６-３０
６２０３）。
化に基づく白金膜の一層の薄膜化の要求や、均一かつ緻
密な結晶粒径を持った基板との密着性の高い白金膜の要
求に応じるため研究を進めた結果、上記従来の蒸着原料
用有機白金化合物よりも有利な新規な白金薄膜形成用有
機白金化合物を見いだし特許出願した（特願平６-３０
６２０３）。
【０００７】本発明は、前記の新規な白金薄膜形成用有
機白金化合物を用いて熱分解ＭＯＣＶＤ法により白金薄
膜を形成する際、該有機白金化合物をある種の有機溶媒
に溶解し、この溶液を定量的に気化室に導入して気化さ
せ、キャリアーガスと共に成膜室に導入することによ
り、単独で気化させる場合に比べ気化時に分解する有機
白金化合物の量が激減し、原料供給の定量性と原料利用
率の著しい向上を達成し得ると共に、基板との密着性に
優れ、かつ微細な結晶粒径を持った白金膜の形成が可能
であるとの知見を得た。用いる有機溶媒によって基板と
の密着性や、結晶粒径の微細化に効果が見られことは従
来知られていないことである。
機白金化合物を用いて熱分解ＭＯＣＶＤ法により白金薄
膜を形成する際、該有機白金化合物をある種の有機溶媒
に溶解し、この溶液を定量的に気化室に導入して気化さ
せ、キャリアーガスと共に成膜室に導入することによ
り、単独で気化させる場合に比べ気化時に分解する有機
白金化合物の量が激減し、原料供給の定量性と原料利用
率の著しい向上を達成し得ると共に、基板との密着性に
優れ、かつ微細な結晶粒径を持った白金膜の形成が可能
であるとの知見を得た。用いる有機溶媒によって基板と
の密着性や、結晶粒径の微細化に効果が見られことは従
来知られていないことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記知見に基
づいて得られたものであって、（１）有機白金化合物を
用いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形
成する白金薄膜形成方法において、下記一般式（１）で
表される前記有機白金化合物を有機溶媒に溶解した溶液
を定量的に気化室に導入し、加熱、気化させた後、キャ
リアーガスと共に成膜室に導入し、有機金属化学蒸着を
行う高純度白金薄膜の形成方法、
づいて得られたものであって、（１）有機白金化合物を
用いて有機金属化学蒸着法により基板上に白金薄膜を形
成する白金薄膜形成方法において、下記一般式（１）で
表される前記有機白金化合物を有機溶媒に溶解した溶液
を定量的に気化室に導入し、加熱、気化させた後、キャ
リアーガスと共に成膜室に導入し、有機金属化学蒸着を
行う高純度白金薄膜の形成方法、
【化２】 （上記一般式中、Ｒ１ 〜Ｒ４ は水素原子又は炭素数１
〜３のアルキル基を示し、Ｒ１ 〜Ｒ４ のうちの少なく
とも１つの置換基はアルキル基である。Ｒ５ ，Ｒ６ は
炭素数２〜４のアルキル基を示す。） （２）上記有機溶媒がアルキルアミンまたはトリメチル
シリルオレフィンまたは環状オレフィンのいずれかであ
る（１）記載の高純度白金薄膜の形成方法、（３）上記
アルキルアミン物が、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミン、エチレンジアミンまたはジエチレ
ントリアミンのいずれかである（２）記載の高純度白金
薄膜の形成方法、（４）上記トリメチルシリルオレフィ
ンが、トリメチルシリルプロペンまたはトリメチルシリ
ルエチレンのいずれかである（２）記載の高純度白金薄
膜の形成方法、（５）上記環状オレフィンが、ジメチル
シクロオクタジエンである（２）記載の高純度白金薄膜
の形成方法、（６）成膜室の温度が１００℃以上１５０
℃以下である（１）〜（５）のいずれかに記載の高純度
白金薄膜の形成方法、に特徴を有する。
〜３のアルキル基を示し、Ｒ１ 〜Ｒ４ のうちの少なく
とも１つの置換基はアルキル基である。Ｒ５ ，Ｒ６ は
炭素数２〜４のアルキル基を示す。） （２）上記有機溶媒がアルキルアミンまたはトリメチル
シリルオレフィンまたは環状オレフィンのいずれかであ
る（１）記載の高純度白金薄膜の形成方法、（３）上記
アルキルアミン物が、トリエチレンテトラミン、テトラ
エチレンペンタミン、エチレンジアミンまたはジエチレ
ントリアミンのいずれかである（２）記載の高純度白金
薄膜の形成方法、（４）上記トリメチルシリルオレフィ
ンが、トリメチルシリルプロペンまたはトリメチルシリ
ルエチレンのいずれかである（２）記載の高純度白金薄
膜の形成方法、（５）上記環状オレフィンが、ジメチル
シクロオクタジエンである（２）記載の高純度白金薄膜
の形成方法、（６）成膜室の温度が１００℃以上１５０
℃以下である（１）〜（５）のいずれかに記載の高純度
白金薄膜の形成方法、に特徴を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は本発明の高純度Ｐｔ
薄膜形成方法の実施に好適な装置の一例を示す構成図で
ある。図１中、１はチャンバー（成膜室）であり、内部
にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が載置され
る。また、チャンバー１の上部には石英窓４が設けられ
ており、内部の観測や、場合によっては光５を内部の基
板３に向けて照射できるように構成されている。このチ
ャンバー１内は圧力計６及びニードルバルブ７を備える
配管８により真空引きされる。９は原料容器であり、有
機Ｐｔ化合物を有機溶媒に溶解した液が内蔵されてい
る。１０は気化室である。
施の形態について説明する。図１は本発明の高純度Ｐｔ
薄膜形成方法の実施に好適な装置の一例を示す構成図で
ある。図１中、１はチャンバー（成膜室）であり、内部
にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が載置され
る。また、チャンバー１の上部には石英窓４が設けられ
ており、内部の観測や、場合によっては光５を内部の基
板３に向けて照射できるように構成されている。このチ
ャンバー１内は圧力計６及びニードルバルブ７を備える
配管８により真空引きされる。９は原料容器であり、有
機Ｐｔ化合物を有機溶媒に溶解した液が内蔵されてい
る。１０は気化室である。
【００１０】１１，１２はキャリアーガスの導入管であ
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ｐｔ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内の加熱された基板３上において、原料有機Ｐｔ化合物
の蒸気が熱分解し、これにより生成したＰｔが、基板３
上に堆積してＰｔ薄膜を形成する。なお、１５，１６は
ガス流量調節装置、１７は溶液流量調節装置であり、１
８，１９はニードルバルブである。原料容器９、気化室
１０及び配管１３，１４等の蒸気発生設備は、恒温槽２
０内に設置されている。
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ｐｔ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内の加熱された基板３上において、原料有機Ｐｔ化合物
の蒸気が熱分解し、これにより生成したＰｔが、基板３
上に堆積してＰｔ薄膜を形成する。なお、１５，１６は
ガス流量調節装置、１７は溶液流量調節装置であり、１
８，１９はニードルバルブである。原料容器９、気化室
１０及び配管１３，１４等の蒸気発生設備は、恒温槽２
０内に設置されている。
【００１１】本発明に用いる有機白金化合物としては、
１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエニル）白
金ジエチル（（１，５−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2）、或
いは、このジメチルシクロオクタジエニル基が、１，５
−ジメチル−１，５−シクロオクタジエニル基の異性体
構造である１，６−ジメチル−１，５−シクロオクタジ
エニル白金ジエチル（（１，６−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ
2）、更に、これら異性体の混合物が好適である。
１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエニル）白
金ジエチル（（１，５−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2）、或
いは、このジメチルシクロオクタジエニル基が、１，５
−ジメチル−１，５−シクロオクタジエニル基の異性体
構造である１，６−ジメチル−１，５−シクロオクタジ
エニル白金ジエチル（（１，６−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ
2）、更に、これら異性体の混合物が好適である。
【００１２】このような有機白金化合物は、先願（特願
平６-３０６２０３）に示されるように、ジメチルシク
ロオクタジエン（ＤＭＣＯＤ）と塩化白金（II）カリウ
ムとを出発原料として、例えば、次のような反応に従っ
て合成される。 K2PtCl4 + DMCOD +SnCl2 +2NaI →PtI2(DMCOD) +
2KCl + SnCl2 + 2NaCl PtI2(DMCOD) + 2EtMgI → (DMCOD)PtEt2 + 2MgI2 上記合成において、ＤＭＣＯＤとして１，５−ジメチル
−１，５−シクロオクタジエンを用いることにより
（１，５−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2を、また、１，６−
ジメチル−１，５−シクロオクタジエンを用いることに
より（１，６−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2を合成すること
ができる。
平６-３０６２０３）に示されるように、ジメチルシク
ロオクタジエン（ＤＭＣＯＤ）と塩化白金（II）カリウ
ムとを出発原料として、例えば、次のような反応に従っ
て合成される。 K2PtCl4 + DMCOD +SnCl2 +2NaI →PtI2(DMCOD) +
2KCl + SnCl2 + 2NaCl PtI2(DMCOD) + 2EtMgI → (DMCOD)PtEt2 + 2MgI2 上記合成において、ＤＭＣＯＤとして１，５−ジメチル
−１，５−シクロオクタジエンを用いることにより
（１，５−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2を、また、１，６−
ジメチル−１，５−シクロオクタジエンを用いることに
より（１，６−ＤＭＣＯＤ）ＰｔＥｔ2を合成すること
ができる。
【００１３】前記の本発明に用いる白金薄膜形成用有機
白金化合物は、従来の有機白金化合物と同様の操作で熱
分解型ＭＯＣＶＤ法等による白金薄膜蒸着原料として用
いることができるが、以下に述べる有機溶媒に溶解して
用いることにより原料供給の定量性と原料利用率が著し
く向上する。これらの有機白金化合物は、多くの有機溶
媒に溶解するが、用いる有機溶媒によっては、有機白金
化合物の蒸発や分解を妨げたり、膜中に不純物として残
りやすい物もあり、適切な有機溶媒の選択が重要であ
る。
白金化合物は、従来の有機白金化合物と同様の操作で熱
分解型ＭＯＣＶＤ法等による白金薄膜蒸着原料として用
いることができるが、以下に述べる有機溶媒に溶解して
用いることにより原料供給の定量性と原料利用率が著し
く向上する。これらの有機白金化合物は、多くの有機溶
媒に溶解するが、用いる有機溶媒によっては、有機白金
化合物の蒸発や分解を妨げたり、膜中に不純物として残
りやすい物もあり、適切な有機溶媒の選択が重要であ
る。
【００１４】本発明に用いる有機溶媒は、アルキルアミ
ン類が好適で、特にトリエチレンテトラミン（TETE
T）、テトラエチレンペンタミン（TTEP）、エチレンジ
アミン（EDA）またはジエチレントリアミン（DETA）が
好ましい。 これらはエチレントリアミンのいずれかで
あることを特徴とする。
ン類が好適で、特にトリエチレンテトラミン（TETE
T）、テトラエチレンペンタミン（TTEP）、エチレンジ
アミン（EDA）またはジエチレントリアミン（DETA）が
好ましい。 これらはエチレントリアミンのいずれかで
あることを特徴とする。
【００１５】また本発明に用いる有機溶媒は、トリメチ
ルシリル化されたオレフィンが好適で、特にトリメチル
シリルプロペン（TMSPE）またはトリメチルシリルエチ
レン（TMSEE）が好ましい。
ルシリル化されたオレフィンが好適で、特にトリメチル
シリルプロペン（TMSPE）またはトリメチルシリルエチ
レン（TMSEE）が好ましい。
【００１６】また本発明に用いる有機溶媒は、炭素数４
〜８の環状オレフィン類が好適で、特にジメチルシクロ
オクタジエン（DMCOD）が好ましい。
〜８の環状オレフィン類が好適で、特にジメチルシクロ
オクタジエン（DMCOD）が好ましい。
【００１７】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。表１に示す有機白金化合物を同じく表１に示
す有機溶媒に溶解してＭＯＣＶＤ法による成膜試験を行
い、本発明高純度白金薄膜の形成方法による本発明白金
薄膜１〜８（以下、単に本発明薄膜１〜８という）を作
製した。
説明する。表１に示す有機白金化合物を同じく表１に示
す有機溶媒に溶解してＭＯＣＶＤ法による成膜試験を行
い、本発明高純度白金薄膜の形成方法による本発明白金
薄膜１〜８（以下、単に本発明薄膜１〜８という）を作
製した。
【００１８】また、比較のため、表２で示される従来の
有機白金化合物を用いて、それぞれの化合物の最適成膜
条件でＭＯＣＶＤ法による成膜試験を行い、従来白金薄
膜形成方法による従来白金薄膜１〜９（以下、単に従来
薄膜１〜９という）を作製した。
有機白金化合物を用いて、それぞれの化合物の最適成膜
条件でＭＯＣＶＤ法による成膜試験を行い、従来白金薄
膜形成方法による従来白金薄膜１〜９（以下、単に従来
薄膜１〜９という）を作製した。
【００１９】上記本発明の有機白金化合物溶液及び従来
有機白金化合物溶液を各々用いて、図１に示す装置によ
り、熱分解型ＭＯＣＶＤ法に従って、下記条件にて白金
薄膜の作製を行い、１０分毎の膜厚を測定して成膜速度
を求めた。膜厚は、膜の断面ＳＥＭ像から測定した。ま
たＸＰＳで膜純度を測定し、膜の粒径はＳＥＭ像より求
めた。この測定結果を表１〜２に示した。
有機白金化合物溶液を各々用いて、図１に示す装置によ
り、熱分解型ＭＯＣＶＤ法に従って、下記条件にて白金
薄膜の作製を行い、１０分毎の膜厚を測定して成膜速度
を求めた。膜厚は、膜の断面ＳＥＭ像から測定した。ま
たＸＰＳで膜純度を測定し、膜の粒径はＳＥＭ像より求
めた。この測定結果を表１〜２に示した。
【００２０】 基板；２５ｍｍ角のＳｉ（１１０）基板上にＴｉＮを１
００ｎｍの厚さにスパッタ法により蒸着した基板 基板温度；１００〜１５０℃ 気化温度；５０〜１００℃ 圧力 ；０.１〜０.２ｔｏｒｒ キャリアガスの流量；５０〜８０ｃｃ/ｍｉｎのＨ2
００ｎｍの厚さにスパッタ法により蒸着した基板 基板温度；１００〜１５０℃ 気化温度；５０〜１００℃ 圧力 ；０.１〜０.２ｔｏｒｒ キャリアガスの流量；５０〜８０ｃｃ/ｍｉｎのＨ2
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】表１〜２に示される結果から次のことが明
らかである。即ち、本発明の有機溶媒に溶解した有機白
金化合物を用いた場合は、室温から約１５０℃までの温
度で完全に気化させることが可能で、図１に示す装置の
気化容器内には分解白金の生成が見られなかったのに対
し、従来有機白金化合物を用いた場合は、気化終了の
際、分解白金の生成が見られ、約３０〜４０％の残留物
が生成している。このことから、本発明の有機溶媒に溶
解した有機白金化合物は、気化容器内で分解することな
しに高速度で気化し、従来有機白金化合物より気化の際
の熱安定性に優れることが明らかである。
らかである。即ち、本発明の有機溶媒に溶解した有機白
金化合物を用いた場合は、室温から約１５０℃までの温
度で完全に気化させることが可能で、図１に示す装置の
気化容器内には分解白金の生成が見られなかったのに対
し、従来有機白金化合物を用いた場合は、気化終了の
際、分解白金の生成が見られ、約３０〜４０％の残留物
が生成している。このことから、本発明の有機溶媒に溶
解した有機白金化合物は、気化容器内で分解することな
しに高速度で気化し、従来有機白金化合物より気化の際
の熱安定性に優れることが明らかである。
【００２４】また、表１〜２より、次のことが明らかで
ある。即ち、本発明有機白金化合物は、基板温度が同等
であれば従来のどの有機白金化合物の場合に比べても、
成膜速度が大であり、かつ従来の有機白金化合物の場合
に比べ膜純度が極めて高いことがわかる。
ある。即ち、本発明有機白金化合物は、基板温度が同等
であれば従来のどの有機白金化合物の場合に比べても、
成膜速度が大であり、かつ従来の有機白金化合物の場合
に比べ膜純度が極めて高いことがわかる。
【００２５】また、表１〜２より、得られた白金薄膜の
結晶粒径（走査型電子顕微鏡写真二より測定）が、従来
の有機白金化合物の場合に比べ微細化していることがわ
かる。
結晶粒径（走査型電子顕微鏡写真二より測定）が、従来
の有機白金化合物の場合に比べ微細化していることがわ
かる。
【００２６】また、以下に説明する付着力評価試験を行
い、その結果を表１〜２に示した。この結果より、得ら
れた白金薄膜の基板との付着力が向上し、密着性に優れ
た膜形成がなされたことがわかる。 付着力評価試験（クロスカット試験） １方向に幅１ｍｍの溝を切ったクロスカットガイド（全
幅１ｃｍ）を用いて、基板上に成膜した白金膜の表面を
垂直に２回溝切りをすることにより１ｃｍ画の正方形を
形成する。クロスカットガイドには幅１ｍｍの溝がある
ため、この正方形内には、さらに１ｍｍ画四方の正方形
が１０ｍｍ×１０ｍｍ＝１００個存在する。このような
１００個の正方形の溝を切った白金膜の表面に、セロハ
ンテ−プ等を付着させ、これを剥がした時に付着体に付
着せずに、基板上に残った正方形の数Ｎを数え、（Ｎ／
１００）という表記の仕方で付着力評価を行う。Ｎが小
さい程付着力は弱い。
い、その結果を表１〜２に示した。この結果より、得ら
れた白金薄膜の基板との付着力が向上し、密着性に優れ
た膜形成がなされたことがわかる。 付着力評価試験（クロスカット試験） １方向に幅１ｍｍの溝を切ったクロスカットガイド（全
幅１ｃｍ）を用いて、基板上に成膜した白金膜の表面を
垂直に２回溝切りをすることにより１ｃｍ画の正方形を
形成する。クロスカットガイドには幅１ｍｍの溝がある
ため、この正方形内には、さらに１ｍｍ画四方の正方形
が１０ｍｍ×１０ｍｍ＝１００個存在する。このような
１００個の正方形の溝を切った白金膜の表面に、セロハ
ンテ−プ等を付着させ、これを剥がした時に付着体に付
着せずに、基板上に残った正方形の数Ｎを数え、（Ｎ／
１００）という表記の仕方で付着力評価を行う。Ｎが小
さい程付着力は弱い。
【００２７】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の有機溶媒に
溶解した白金薄膜形成用有機白金化合物は、５０〜１０
０℃の加熱で、安定な気化速度を有し、かつ気化の際の
熱安定性に優れていることから、本発明方法は、均一か
つ微細な結晶粒径を持ち、基板との密着性に優れた白金
薄膜を得る熱分解型ＭＯＣＶＤ成膜方法として極めて有
用であり、白金膜中の不純物を著しく低下させ、しかも
有機白金化合物の利用率を向上させると言う効果をもた
らし、半導体装置のコンタクトや配線用等として有用な
白金薄膜の製造に有効に利用することができる。
溶解した白金薄膜形成用有機白金化合物は、５０〜１０
０℃の加熱で、安定な気化速度を有し、かつ気化の際の
熱安定性に優れていることから、本発明方法は、均一か
つ微細な結晶粒径を持ち、基板との密着性に優れた白金
薄膜を得る熱分解型ＭＯＣＶＤ成膜方法として極めて有
用であり、白金膜中の不純物を著しく低下させ、しかも
有機白金化合物の利用率を向上させると言う効果をもた
らし、半導体装置のコンタクトや配線用等として有用な
白金薄膜の製造に有効に利用することができる。
【図１】 本発明の高純度Ｐｔ薄膜の形成方法の実施に
好適な装置の一例を示す構成図である。
好適な装置の一例を示す構成図である。
１ チャンバー（成膜室） ２ ヒーター ３ 基板 ４ 石英窓 ５ 光 ６ 圧力計 ７ ニードルバルブ ９ 原料容器 １０ 気化室 ２０ 恒温槽
Claims (6)
- 【請求項１】 有機白金化合物を用いて有機金属化学蒸
着法により基板上に白金薄膜を形成する白金薄膜形成方
法において、下記一般構造式（１）で表される有機白金
化合物を有機溶媒に溶解した溶液を定量的に気化室に導
入し、加熱、気化させた後、キャリアーガスと共に成膜
室に導入し、有機金属化学蒸着を行うことを特徴とする
高純度白金薄膜の形成方法。 【化１】 （上記一般式中、Ｒ１ 〜Ｒ４ は水素原子又は炭素数１
〜３のアルキル基を示し、Ｒ１ 〜Ｒ４ のうちの少なく
とも１つの置換基はアルキル基である。Ｒ５ ，Ｒ６ は
炭素数２〜４のアルキル基を示す。） - 【請求項２】上記有機溶媒がアルキルアミンまたはトリ
メチルシリルオレフィンまたは環状オレフィンのいずれ
かである請求項１記載の高純度白金薄膜の形成方法。 - 【請求項３】上記アルキルアミンが、トリエチレンテト
ラミン、テトラエチレンペンタミン、エチレンジアミン
またはジエチレントリアミンのいずれかである請求項２
記載の高純度白金薄膜の形成方法。 - 【請求項４】上記トリメチルシリルオレフィンが、トリ
メチルシリルプロペンまたはトリメチルシリルエチレン
のいずれかである請求項２記載の高純度白金薄膜の形成
方法。 - 【請求項５】上記環状オレフィンが、ジメチルシクロオ
クタジエンである請求項２記載の高純度白金薄膜の形成
方法。 - 【請求項６】請求項１の方法において、成膜室の温度が
１００℃以上１５０℃以下であることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の高純度白金薄膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16933196A JPH1018036A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 高純度白金薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16933196A JPH1018036A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 高純度白金薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018036A true JPH1018036A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15884578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16933196A Withdrawn JPH1018036A (ja) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 高純度白金薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1018036A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014060864A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-04-24 | Basf Se | Precursors for metal organic chemical vapor deposition process (mocvd) and use thereof |
| WO2021089203A1 (de) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Zubereitungen von platinkomplexen |
-
1996
- 1996-06-28 JP JP16933196A patent/JPH1018036A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014060864A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-04-24 | Basf Se | Precursors for metal organic chemical vapor deposition process (mocvd) and use thereof |
| WO2021089203A1 (de) * | 2019-11-06 | 2021-05-14 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Zubereitungen von platinkomplexen |
| CN114599817A (zh) * | 2019-11-06 | 2022-06-07 | 贺利氏德国有限两合公司 | 铂络合物的制剂 |
| US11629410B2 (en) | 2019-11-06 | 2023-04-18 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Preparations of platinum complexes |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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