JP3844292B2 - 金属窒化物基板上に高密着性銅薄膜を堆積する方法および銅金属前駆体混合物 - Google Patents
金属窒化物基板上に高密着性銅薄膜を堆積する方法および銅金属前駆体混合物 Download PDFInfo
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- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 120
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 73
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 72
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims description 72
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims description 60
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 42
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims description 18
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 24
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 10
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 6
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 claims description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000012691 Cu precursor Substances 0.000 description 5
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012707 chemical precursor Substances 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- AGIFICBLANTEOD-UHFFFAOYSA-N copper(1+) 1,5-dimethylcycloocta-1,5-diene Chemical compound [Cu+].CC1=CCCC(C)=CCC1 AGIFICBLANTEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFGMJBLQMLKUKN-UHFFFAOYSA-N copper(1+) 1,6-dimethylcycloocta-1,5-diene Chemical compound [Cu+].CC1=CCCC=C(C)CC1 PFGMJBLQMLKUKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUYKGFREZGMJSE-UHFFFAOYSA-N copper(1+);hex-1-yne Chemical compound [Cu+].CCCCC#C MUYKGFREZGMJSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical compound [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76876—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for deposition from the gas phase, e.g. CVD
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅薄膜の形成に関し、より詳細には、揮発性前駆体およびＣＶＤを用いた窒化物ベースの基板上の銅薄膜の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低電気抵抗率（〜１．７μΩ−ｃｍ）およびエレクトロマイグレーションに対する高い抵抗のために、銅薄膜を形成するためのＣＶＤの使用は、多くの注目を集めている。銅薄膜は、ＩＣデバイスにおける金属相互接続材料として使用されるのに理想的と考えられている。
【０００３】
銅薄膜のＣＶＤ技術は、安定で、かつ、揮発性の前駆体（好ましくは、液体の形態）を使用することが必要である。商業的な観点から、前駆体の費用はリーズナブルである必要がある。それによって生成される薄膜は、金属−窒化物でコーティングされた基板に対する良好な密着性、低抵抗率（すなわち、１．８μΩ−ｃｍより小さい）、表面構造および不規則性への優れた適合性ならびに良好な電気移動抵抗を有する必要がある。ＣＶＤ加工において、銅前駆体は、妥当な堆積速度を保持するために十分に高い気圧を有するだけでなく、ＣＶＤ液体輸送ラインまたは気化器において分解されることなく、堆積温度で安定である必要がある。
【０００４】
ＢｅａｃｈらのＣｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．、Ｖｏｌ．２，ｐｐ．２１６−２１９（１９９０）に開示されるように、銅金属薄膜は、任意の多くの銅前駆体（例えば、Ｃｕ（Ｃ5Ｈ5）（ＰＲ3）、ここで、Ｒ＝メチル、エチルまたはブチル）を用いて、ＣＶＤによって、調製され得る。Ｈａｍｐｄｅｎ−Ｓｍｉｔｈらは、（ｔｅｒｔ−ＢｕＯ）Ｃｕ（ＰＭｅ3）を用いて、同様な結果を得た（Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．２，ｐ６３６（１９９０））。しかし、上述した薄膜は、多くの量の不純物（炭素およびリン）を含み、マイクロプロセッサにおいて相互接続する場合に、得られた薄膜が使用できなくなる。
【０００５】
銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体の一連の調査に集中した１９９０年代初期の銅前駆体の研究により、これが銅金属薄膜のＣＶＤにおいて使用される許容可能なソースであると後に示されてきている。銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体は、Ｄｏｙｌｅに１９８３年５月２４日に与えられた米国特許第４，３８５，００５号「Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ｓｅｐａｒａｔｉｎｇｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｓ ｕｓｉｎｇ ｃｏｐｐｅｒ ｏｒ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅｓ」、および、１９８４年１月１０日に与えられた米国特許第４，４２５，２８１号「Ｃｏｐｐｅｒ ｏｒ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｄｉｋｅｔｏｎｅｓ ａｎｄ ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｌｉｇａｎｄｓ」によって始めに合成された。これらは、不飽和有機炭化水素の分離における合成方法および応用を記載する（Ｄｏｙｌｅら．， Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，Ｖｏｌ．４，ｐ．８３０（１９８５））。
【０００６】
Ｂａｕｍらに１９９２年３月１７日に与えられた米国特許第５，０９６，７３７号「Ｌｉｇａｎｄ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ＋１ ｍｅｔａｌ β−ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｕｓｅ ｉｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆ ｍｅｔａｌ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ」は、ＣＶＤ銅薄膜調製のための銅前駆体として銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体の使用を記載する。ＢａｕｍらのＣｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．４，ｐ３６５（１９９２）、および、ＢａｕｍらのＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ；Ｓｏｃ．，１９９３，Ｖｏｌ．１４０，Ｎｏ．１．，１５４−１５８（１９９３）によって開示されるように、後の研究として、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＣＨ3Ｃ≡ＣＣＨ3）（ここで、ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）の使用を記載した。銅薄膜は、これらの前駆体を用いたＣＶＤによって調製されている。
【０００７】
１，６−ジメチル１，５−シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））とヘキシン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））とを混合した１，５−ジメチル１，５−シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネートを含む他の潜在的な前駆体は、広範囲に調べらている。（ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）を用いて堆積された銅薄膜は、金属および金属窒化物基板に対して良好な密着性を示すが、２．５μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率および低い堆積速度を有する。（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）は、ＴｉＮ基板との乏しい密着性を受け、許容不可能な２．１μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率を有する。
【０００８】
他の化合物、ブチン銅（Ｉ）（ｈｆａｃ）（（ＢＵＹ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、約１．９３μΩ−ｃｍの低い抵抗率を有する銅薄膜を提供するが、その薄膜の密着性は乏しく、前駆体は比較的高価であり、かつ、室温で固体である。
【０００９】
Ｎｏｒｍａｎらによって、Ｊｏｕｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ ＩＶ，Ｖｏｌ．１．，Ｃ２−２７１−２７８，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９１，および、１９９２年２月４日に与えられた米国特許第５，０８５，７３１号「Ｖｏｌａｔｉｌｅ ｌｉｑｕｉｄ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｃｏｐｐｅｒ」に開示されるように、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＴＭＶＳ）前駆体（ここで、ＴＭＶＳ＝トリメチルビニルシラン）を提供した結果、改良された特性を有する銅薄膜を生じた。液体Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＴＭＶＳ）を用いて堆積された銅薄膜は、低い抵抗率および基板に対する妥当な密着性を有する。この特定の前駆体は、ある期間、ＣＶＤによる銅薄膜形成のために使用されてきたが、その前駆体は複数の欠点を有している。その欠点は、例えば、安定性がないこと、所望な密着性より劣ること、ＴＭＶＳ安定剤が高価な化合物であるので費用が高価であることである。上記は、研究室プロセスにおいて純粋な銅薄膜の堆積を報告している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、周囲温度において安定で、液体であり、比較的安価な銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１１】
本発明の別の目的は、下の基板、特に、窒化物成分を有する基板に対して良好な密着性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１２】
本発明のさらなる目的は、所望な電気特性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケンまたはトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である、工程と、該気化した前駆体混合物を該加熱された金属窒化物基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程とを包含する方法であり、これにより目的が達成される。
【００１４】
本発明の一つの実施形態は、前記気化する工程は、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から前記Ｌを選択する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１５】
本発明の一つの実施形態は、前記気化する工程は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌを混合して前駆体混合物を調製する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１６】
本発明の一つの実施形態は、前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１７】
さらに、本発明は、金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物であり、該前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、工程と、該気化した前駆体混合物を該加熱された基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程とを包含する方法であり、これにより上記目的が達成される。
【００１８】
本発明の一つの実施形態は、前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１９】
さらに、本発明は、銅金属薄膜の化学蒸着に使用される銅金属前駆体混合物であって、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる、銅金属前駆体混合物であり、これにより上記目的が達成される。
【００２０】
本発明の一つの実施形態は、前記銅金属前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、上記に記載の銅金属前駆体混合物である。
【００２２】
金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法は、化学蒸着チャンバ内で銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、その前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケンまたはトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である、工程と、気化した前駆体混合物を加熱された金属窒化物基板に近接する化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、金属窒化物基板に気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、金属窒化物基板上に銅金属を堆積させる工程とを包含する。
【００２３】
銅金属薄膜の化学蒸着に使用する銅金属前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である。
【００２４】
本発明の要旨および目的は、本発明の本質の速やかな理解を可能にするように提供される。図面に関連して本発明の好適な実施形態の以下の詳細な説明を参照することによって、本発明のより完全な理解が得られ得る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の方法において使用される前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）と、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、例えば、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランなどのアルケンである）との混合物である。（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）を他の極めて揮発性銅前駆体へ付加することにより、金属窒化物基板に対して極めて高い密着性を有する銅薄膜が生成される。この混合物は、以下の２〜３のウェハチャンバ条件で、クリーンＣＶＤ気化器、シャワーヘッドおよび反応器に付与され得る。
【００２６】
本発明の前駆体の一例は、１０％（ｗ／ｗ）の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と、９０％（ｗ／ｗ）の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）ＴＭＶＳとの混合物である。本発明の前駆体の別の例は、１０％（ｗ／ｗ）の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と、９０％（ｗ／ｗ）の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）１−ペンテンとの混合物である。
【００２７】
ＣＶＤチャンバの条件は、気化器温度６５℃、シャワーヘッド温度６５℃、堆積温度１９０℃、堆積チャンバの圧力０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速１００ｓｃｃｍ、ウエット（ｗｅｔ）ヘリウムバブリングガス流速２．５ｓｃｃｍ、シャーワーヘッドとウェハとの間の距離２０ｍｍである。
【００２８】
本発明の前駆体を用いて、上記の方法によって形成される銅薄膜は、特に、金属窒化物基板（例えば、窒化チタン、窒化タンタル）に対して高い密着性を示し、１．９μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率を示す。その前駆体材料は安定であり、比較的安価である。その前駆体は、ＩＣの金属化および相互接続のための銅シード層と銅薄膜層のＣＶＤとの両方の商業的製造に適している。
【００２９】
このように、金属窒化物基板上の高い密着性の銅薄膜を堆積するための方法および化学的前駆体が開示された。本発明のさらなる変更および改変が特許請求の範囲において規定される本発明の範囲内にあることが理解される。
【００３０】
基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法は、化学蒸着チャンバ内で銅金属薄膜が上に堆積される基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体を気化する工程であって、その前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケン）の化合物である、工程と、気化した前駆体を加熱された基板に近接する化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、基板上に気化した前駆体を凝結させ、それにより、基板上に銅金属を堆積させる工程とを包含する。銅金属薄膜の化学蒸着に使用する銅金属前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなるアルケンの群から選択されるアルケン）の化合物である。
【００３１】
【発明の効果】
本発明により、周囲温度において安定で、液体であり、比較的安価な銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。また、本発明により、下の基板、特に、窒化物成分を有する基板に対して良好な密着性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。さらに、本発明により、所望な電気特性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。
【発明の属する技術分野】
本発明は、銅薄膜の形成に関し、より詳細には、揮発性前駆体およびＣＶＤを用いた窒化物ベースの基板上の銅薄膜の形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
低電気抵抗率（〜１．７μΩ−ｃｍ）およびエレクトロマイグレーションに対する高い抵抗のために、銅薄膜を形成するためのＣＶＤの使用は、多くの注目を集めている。銅薄膜は、ＩＣデバイスにおける金属相互接続材料として使用されるのに理想的と考えられている。
【０００３】
銅薄膜のＣＶＤ技術は、安定で、かつ、揮発性の前駆体（好ましくは、液体の形態）を使用することが必要である。商業的な観点から、前駆体の費用はリーズナブルである必要がある。それによって生成される薄膜は、金属−窒化物でコーティングされた基板に対する良好な密着性、低抵抗率（すなわち、１．８μΩ−ｃｍより小さい）、表面構造および不規則性への優れた適合性ならびに良好な電気移動抵抗を有する必要がある。ＣＶＤ加工において、銅前駆体は、妥当な堆積速度を保持するために十分に高い気圧を有するだけでなく、ＣＶＤ液体輸送ラインまたは気化器において分解されることなく、堆積温度で安定である必要がある。
【０００４】
ＢｅａｃｈらのＣｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．、Ｖｏｌ．２，ｐｐ．２１６−２１９（１９９０）に開示されるように、銅金属薄膜は、任意の多くの銅前駆体（例えば、Ｃｕ（Ｃ5Ｈ5）（ＰＲ3）、ここで、Ｒ＝メチル、エチルまたはブチル）を用いて、ＣＶＤによって、調製され得る。Ｈａｍｐｄｅｎ−Ｓｍｉｔｈらは、（ｔｅｒｔ−ＢｕＯ）Ｃｕ（ＰＭｅ3）を用いて、同様な結果を得た（Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．２，ｐ６３６（１９９０））。しかし、上述した薄膜は、多くの量の不純物（炭素およびリン）を含み、マイクロプロセッサにおいて相互接続する場合に、得られた薄膜が使用できなくなる。
【０００５】
銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体の一連の調査に集中した１９９０年代初期の銅前駆体の研究により、これが銅金属薄膜のＣＶＤにおいて使用される許容可能なソースであると後に示されてきている。銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体は、Ｄｏｙｌｅに１９８３年５月２４日に与えられた米国特許第４，３８５，００５号「Ｐｒｏｃｅｓｓ ｆｏｒ ｓｅｐａｒａｔｉｎｇｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｓ ｕｓｉｎｇ ｃｏｐｐｅｒ ｏｒ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅｓ」、および、１９８４年１月１０日に与えられた米国特許第４，４２５，２８１号「Ｃｏｐｐｅｒ ｏｒ ｓｉｌｖｅｒ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ｗｉｔｈ ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ ｄｉｋｅｔｏｎｅｓ ａｎｄ ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｌｉｇａｎｄｓ」によって始めに合成された。これらは、不飽和有機炭化水素の分離における合成方法および応用を記載する（Ｄｏｙｌｅら．， Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，Ｖｏｌ．４，ｐ．８３０（１９８５））。
【０００６】
Ｂａｕｍらに１９９２年３月１７日に与えられた米国特許第５，０９６，７３７号「Ｌｉｇａｎｄ ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ＋１ ｍｅｔａｌ β−ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅ ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ ｃｏｍｐｌｅｘｅｓ ａｎｄ ｔｈｅｉｒ ｕｓｅ ｉｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆ ｍｅｔａｌ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ」は、ＣＶＤ銅薄膜調製のための銅前駆体として銅（Ｉ）フルオリネートβ−ジケトネート錯体の使用を記載する。ＢａｕｍらのＣｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．４，ｐ３６５（１９９２）、および、ＢａｕｍらのＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ；Ｓｏｃ．，１９９３，Ｖｏｌ．１４０，Ｎｏ．１．，１５４−１５８（１９９３）によって開示されるように、後の研究として、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＣＨ3Ｃ≡ＣＣＨ3）（ここで、ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）の使用を記載した。銅薄膜は、これらの前駆体を用いたＣＶＤによって調製されている。
【０００７】
１，６−ジメチル１，５−シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））とヘキシン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネート（（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））とを混合した１，５−ジメチル１，５−シクロオクタジエン銅（Ｉ）ヘキサフルオロアセチルアセトネートを含む他の潜在的な前駆体は、広範囲に調べらている。（ＤＭＣＯＤ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）を用いて堆積された銅薄膜は、金属および金属窒化物基板に対して良好な密着性を示すが、２．５μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率および低い堆積速度を有する。（ＨＹＮ）Ｃｕ（ｈｆａｃ）は、ＴｉＮ基板との乏しい密着性を受け、許容不可能な２．１μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率を有する。
【０００８】
他の化合物、ブチン銅（Ｉ）（ｈｆａｃ）（（ＢＵＹ）Ｃｕ（ｈｆａｃ））は、約１．９３μΩ−ｃｍの低い抵抗率を有する銅薄膜を提供するが、その薄膜の密着性は乏しく、前駆体は比較的高価であり、かつ、室温で固体である。
【０００９】
Ｎｏｒｍａｎらによって、Ｊｏｕｒｎａｌ ｄｅ Ｐｈｙｓｉｑｕｅ ＩＶ，Ｖｏｌ．１．，Ｃ２−２７１−２７８，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ １９９１，および、１９９２年２月４日に与えられた米国特許第５，０８５，７３１号「Ｖｏｌａｔｉｌｅ ｌｉｑｕｉｄ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ ｃｏｐｐｅｒ」に開示されるように、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＴＭＶＳ）前駆体（ここで、ＴＭＶＳ＝トリメチルビニルシラン）を提供した結果、改良された特性を有する銅薄膜を生じた。液体Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＴＭＶＳ）を用いて堆積された銅薄膜は、低い抵抗率および基板に対する妥当な密着性を有する。この特定の前駆体は、ある期間、ＣＶＤによる銅薄膜形成のために使用されてきたが、その前駆体は複数の欠点を有している。その欠点は、例えば、安定性がないこと、所望な密着性より劣ること、ＴＭＶＳ安定剤が高価な化合物であるので費用が高価であることである。上記は、研究室プロセスにおいて純粋な銅薄膜の堆積を報告している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、周囲温度において安定で、液体であり、比較的安価な銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１１】
本発明の別の目的は、下の基板、特に、窒化物成分を有する基板に対して良好な密着性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１２】
本発明のさらなる目的は、所望な電気特性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケンまたはトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である、工程と、該気化した前駆体混合物を該加熱された金属窒化物基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程とを包含する方法であり、これにより目的が達成される。
【００１４】
本発明の一つの実施形態は、前記気化する工程は、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から前記Ｌを選択する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１５】
本発明の一つの実施形態は、前記気化する工程は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌを混合して前駆体混合物を調製する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１６】
本発明の一つの実施形態は、前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１７】
さらに、本発明は、金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物であり、該前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、工程と、該気化した前駆体混合物を該加熱された基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程とを包含する方法であり、これにより上記目的が達成される。
【００１８】
本発明の一つの実施形態は、前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、上記に記載の方法である。
【００１９】
さらに、本発明は、銅金属薄膜の化学蒸着に使用される銅金属前駆体混合物であって、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる、銅金属前駆体混合物であり、これにより上記目的が達成される。
【００２０】
本発明の一つの実施形態は、前記銅金属前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、上記に記載の銅金属前駆体混合物である。
【００２２】
金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法は、化学蒸着チャンバ内で銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、その前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケンまたはトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である、工程と、気化した前駆体混合物を加熱された金属窒化物基板に近接する化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、金属窒化物基板に気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、金属窒化物基板上に銅金属を堆積させる工程とを包含する。
【００２３】
銅金属薄膜の化学蒸着に使用する銅金属前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である。
【００２４】
本発明の要旨および目的は、本発明の本質の速やかな理解を可能にするように提供される。図面に関連して本発明の好適な実施形態の以下の詳細な説明を参照することによって、本発明のより完全な理解が得られ得る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の方法において使用される前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）と、（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、例えば、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランなどのアルケンである）との混合物である。（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）を他の極めて揮発性銅前駆体へ付加することにより、金属窒化物基板に対して極めて高い密着性を有する銅薄膜が生成される。この混合物は、以下の２〜３のウェハチャンバ条件で、クリーンＣＶＤ気化器、シャワーヘッドおよび反応器に付与され得る。
【００２６】
本発明の前駆体の一例は、１０％（ｗ／ｗ）の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と、９０％（ｗ／ｗ）の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）ＴＭＶＳとの混合物である。本発明の前駆体の別の例は、１０％（ｗ／ｗ）の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と、９０％（ｗ／ｗ）の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）１−ペンテンとの混合物である。
【００２７】
ＣＶＤチャンバの条件は、気化器温度６５℃、シャワーヘッド温度６５℃、堆積温度１９０℃、堆積チャンバの圧力０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速１００ｓｃｃｍ、ウエット（ｗｅｔ）ヘリウムバブリングガス流速２．５ｓｃｃｍ、シャーワーヘッドとウェハとの間の距離２０ｍｍである。
【００２８】
本発明の前駆体を用いて、上記の方法によって形成される銅薄膜は、特に、金属窒化物基板（例えば、窒化チタン、窒化タンタル）に対して高い密着性を示し、１．９μΩ−ｃｍのオーダの抵抗率を示す。その前駆体材料は安定であり、比較的安価である。その前駆体は、ＩＣの金属化および相互接続のための銅シード層と銅薄膜層のＣＶＤとの両方の商業的製造に適している。
【００２９】
このように、金属窒化物基板上の高い密着性の銅薄膜を堆積するための方法および化学的前駆体が開示された。本発明のさらなる変更および改変が特許請求の範囲において規定される本発明の範囲内にあることが理解される。
【００３０】
基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法は、化学蒸着チャンバ内で銅金属薄膜が上に堆積される基板を加熱する工程と、銅金属を含む前駆体を気化する工程であって、その前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケン）の化合物である、工程と、気化した前駆体を加熱された基板に近接する化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、基板上に気化した前駆体を凝結させ、それにより、基板上に銅金属を堆積させる工程とを包含する。銅金属薄膜の化学蒸着に使用する銅金属前駆体は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなるアルケンの群から選択されるアルケン）の化合物である。
【００３１】
【発明の効果】
本発明により、周囲温度において安定で、液体であり、比較的安価な銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。また、本発明により、下の基板、特に、窒化物成分を有する基板に対して良好な密着性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。さらに、本発明により、所望な電気特性を有する銅薄膜を生じる銅薄膜ＣＶＤ前駆体を提供することが可能となった。
Claims (8)
- 金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、
化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、
銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌはアルケンまたはトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物である、工程と、
該気化した前駆体混合物を該加熱された金属窒化物基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、
該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程と
を包含する方法。 - 前記気化する工程は、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から前記Ｌを選択する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
- 前記気化する工程は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌを混合して前駆体混合物を調製する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
- 前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
- 金属窒化物基板へ銅金属薄膜を化学蒸着させるための方法であって、
化学蒸着チャンバ内で該銅金属薄膜が上に堆積される金属窒化物基板を加熱する工程と、
銅金属を含む前駆体混合物を気化する工程であって、該前駆体混合物は、（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる混合物であり、該前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、工程と、
該気化した前駆体混合物を該加熱された金属窒化物基板に近接する該化学蒸着チャンバ内に導入する工程と、
該金属窒化物基板に該気化した前駆体混合物を凝結させ、それにより、該金属窒化物基板に銅金属を堆積させる工程と
を包含する方法。 - 前記導入する工程は、気化器温度約６５℃、シャワーヘッド温度約６５℃、雰囲気堆積温度約１９０℃、前記チャンバの圧力約０．５Ｔｏｒｒ、ヘリウムキャリアガスの流速約１００ｓｃｃｍ、ウエットヘリウムバブリングガス流速約２．５ｓｃｃｍ、該シャーワーヘッドとウェハとの間の距離約２０ｍｍである、チャンバ条件を保持する工程を包含する、請求項５に記載の方法。
- 銅金属薄膜の化学蒸着に使用される銅金属前駆体混合物であって、
（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）（ｈｆａｃは、ヘキサフルオロアセチルアセトネート）および（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌ（Ｌは、１−ペンテン、１−ヘキセンおよびトリメチルビニルシランからなる群から選択される）からなる、
銅金属前駆体混合物。 - 前記銅金属前駆体混合物は、約１０重量％の（α−メチルスチレン）Ｃｕ（Ｉ）（ｈｆａｃ）と約９０重量％の（ｈｆａｃ）Ｃｕ（Ｉ）Ｌからなる、請求項７に記載の銅金属前駆体混合物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/820,227 | 2001-03-27 | ||
| US09/820,227 US6596344B2 (en) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | Method of depositing a high-adhesive copper thin film on a metal nitride substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002356774A JP2002356774A (ja) | 2002-12-13 |
| JP3844292B2 true JP3844292B2 (ja) | 2006-11-08 |
Family
ID=25230239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002079635A Expired - Fee Related JP3844292B2 (ja) | 2001-03-27 | 2002-03-20 | 金属窒化物基板上に高密着性銅薄膜を堆積する方法および銅金属前駆体混合物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6596344B2 (ja) |
| EP (1) | EP1245695A3 (ja) |
| JP (1) | JP3844292B2 (ja) |
| KR (1) | KR100479519B1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002053962A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 気相成長方法及び気相成長装置並びに気相成長装置用の気化器 |
| WO2004068576A2 (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming a catalyst containing layer over a patterned dielectric |
| US6838573B1 (en) * | 2004-01-30 | 2005-01-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Copper CVD precursors with enhanced adhesion properties |
| KR20060073189A (ko) * | 2004-12-24 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 구리배선 형성방법 |
| EP1813981A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-01 | Ecole Polytechnique Federale De Lausanne | Optical parametric oscillator having a semiconductor microcavity |
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-
2001
- 2001-03-27 US US09/820,227 patent/US6596344B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-20 JP JP2002079635A patent/JP3844292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-03-26 EP EP02006897A patent/EP1245695A3/en not_active Withdrawn
- 2002-03-27 KR KR10-2002-0016620A patent/KR100479519B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-06-02 US US10/453,829 patent/US6764537B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1245695A3 (en) | 2004-01-07 |
| US6596344B2 (en) | 2003-07-22 |
| KR20020076184A (ko) | 2002-10-09 |
| KR100479519B1 (ko) | 2005-03-30 |
| JP2002356774A (ja) | 2002-12-13 |
| US20020143202A1 (en) | 2002-10-03 |
| US6764537B2 (en) | 2004-07-20 |
| EP1245695A2 (en) | 2002-10-02 |
| US20030203111A1 (en) | 2003-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040728 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060518 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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|
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