JP2003335740A - タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 - Google Patents
タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度
で高純度の所望のタンタル含有薄膜が得られる有機金属
化学蒸着用の溶液原料を提供する。銅薄膜の下地として
そのバリア性に優れた高純度のタンタル含有薄膜を提供
する。 【解決手段】 次の式（１）で示されるタンタル錯体で
ある。 【化３】 但し、Ｒはエチル基であって、Ｒ’は炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基である。
で高純度の所望のタンタル含有薄膜が得られる有機金属
化学蒸着用の溶液原料を提供する。銅薄膜の下地として
そのバリア性に優れた高純度のタンタル含有薄膜を提供
する。 【解決手段】 次の式（１）で示されるタンタル錯体で
ある。 【化３】 但し、Ｒはエチル基であって、Ｒ’は炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の配線
に用いられる銅（Ｃｕ）薄膜を形成加工する際の下地バ
リアとしてのタンタル含有薄膜を形成するためのタンタ
ル錯体及びこの錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原
料に関する。更に詳しくは有機金属化学蒸着（Metal Or
ganic Chemical Vapor Deposition、以下、ＭＯＣＶＤ
という。）法によりタンタル含有薄膜を形成するための
タンタル錯体及びこの錯体を含む溶液原料及びこれから
作られたタンタル含有薄膜に関するものである。
に用いられる銅（Ｃｕ）薄膜を形成加工する際の下地バ
リアとしてのタンタル含有薄膜を形成するためのタンタ
ル錯体及びこの錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原
料に関する。更に詳しくは有機金属化学蒸着（Metal Or
ganic Chemical Vapor Deposition、以下、ＭＯＣＶＤ
という。）法によりタンタル含有薄膜を形成するための
タンタル錯体及びこの錯体を含む溶液原料及びこれから
作られたタンタル含有薄膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅及び銅系合金は、高い導電性、エレク
トロマイグレーション耐性からＬＳＩの配線材料として
応用されている。銅はシリコン酸化膜を通じて基板内に
簡単に拡散してしまう問題があるため、銅により配線を
行う際には、銅薄膜とシリコン酸化膜の間に下地バリア
メタル薄膜を形成し、銅の拡散を防止している。
トロマイグレーション耐性からＬＳＩの配線材料として
応用されている。銅はシリコン酸化膜を通じて基板内に
簡単に拡散してしまう問題があるため、銅により配線を
行う際には、銅薄膜とシリコン酸化膜の間に下地バリア
メタル薄膜を形成し、銅の拡散を防止している。
【０００３】この種の下地バリアメタル薄膜として窒化
チタン膜よりバリア性が高い窒化タンタル膜が知られて
いる。これまでＭＯＣＶＤ法で窒化タンタル膜を作製す
る報告例は少なく、最近になって固体のペンタジメチル
アミノタンタル（Ｔａ(Ｎ(ＣＨ3)2)5；以下、ＰＤＭＡ
Ｔという。）やペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ
(Ｎ(Ｃ2Ｈ5)2)5；以下、ＰＤＥＡＴという。）をアルコ
ールに溶解した溶液原料を用いて窒化タンタル膜を作製
する試みがなされている。
チタン膜よりバリア性が高い窒化タンタル膜が知られて
いる。これまでＭＯＣＶＤ法で窒化タンタル膜を作製す
る報告例は少なく、最近になって固体のペンタジメチル
アミノタンタル（Ｔａ(Ｎ(ＣＨ3)2)5；以下、ＰＤＭＡ
Ｔという。）やペンタジエチルアミノタンタル（Ｔａ
(Ｎ(Ｃ2Ｈ5)2)5；以下、ＰＤＥＡＴという。）をアルコ
ールに溶解した溶液原料を用いて窒化タンタル膜を作製
する試みがなされている。
【０００４】しかし、上記溶液原料で窒化タンタル膜を
ＭＯＣＶＤ法で作製すると、原料に含まれる化合物が熱
的安定性に乏しく、成膜が進行するに従って、気化器内
部で分解が加速度的に起こり、膜を堆積するはずの成膜
室では分解した配位子に起因する有機物のみが気化して
他の有機物の気化を妨げ、不均一で安定しない原料の供
給が行われていた。このため従来の窒化タンタル膜形成
用の溶液原料では、成膜速度が小さく、また堆積状態
（as deposited）で膜中に炭素や酸素がそれぞれ３０ａ
ｔｍ％以上残留し、所望の窒化タンタル膜を高純度で作
製することが困難であった。また、この形成した窒化タ
ンタル膜の上に銅薄膜を施した場合、窒化タンタル膜と
銅との密着性が悪く、極めて剥離し易い問題もあった。
また、所望の窒化タンタル膜を作製するためには６００
℃程度の高い成膜温度が必要であり、後工程で半導体デ
バイスを作製するためには、低温での成膜による低抵抗
率の窒化タンタル膜を形成することが望まれていた。
ＭＯＣＶＤ法で作製すると、原料に含まれる化合物が熱
的安定性に乏しく、成膜が進行するに従って、気化器内
部で分解が加速度的に起こり、膜を堆積するはずの成膜
室では分解した配位子に起因する有機物のみが気化して
他の有機物の気化を妨げ、不均一で安定しない原料の供
給が行われていた。このため従来の窒化タンタル膜形成
用の溶液原料では、成膜速度が小さく、また堆積状態
（as deposited）で膜中に炭素や酸素がそれぞれ３０ａ
ｔｍ％以上残留し、所望の窒化タンタル膜を高純度で作
製することが困難であった。また、この形成した窒化タ
ンタル膜の上に銅薄膜を施した場合、窒化タンタル膜と
銅との密着性が悪く、極めて剥離し易い問題もあった。
また、所望の窒化タンタル膜を作製するためには６００
℃程度の高い成膜温度が必要であり、後工程で半導体デ
バイスを作製するためには、低温での成膜による低抵抗
率の窒化タンタル膜を形成することが望まれていた。
【０００５】これら上記諸問題を解決する方策の一つと
して、Ｔａ＝Ｎを含む前駆体とＴａ＝Ｎを含まない前駆
体とからなる複数のＴａ含有有機金属前駆体、アンモニ
アガス及びキャリアガスを反応容器中に導入して、有機
金属前駆体とアンモニアとを反応させ、ＴａＮｘからな
る膜をウェハー上に形成させる金属膜の形成方法が開示
されている（特開２００１−１１６３１）。この公報で
は、この複数の前駆体として、ＲＮ＝Ｔａ(Ｎ(Ｒ')2)3
及びＴａ(Ｎ(Ｒ'')2)n（但し、Ｒ，Ｒ'及びＲ''はそれ
ぞれＣ1〜Ｃ5アルキル基であって、お互いに同じであっ
ても異なっていてもよく、ｎは４又は５である。）から
選ばれる前駆体が挙げられている。そして、それぞれの
前駆体とアンモニアとの反応性が異なることを利用し
て、それぞれ異なる化学量論比のＴａＮｘを形成し、低
温プロセスで抵抗率の低減を実現することができる金属
膜を形成している。
して、Ｔａ＝Ｎを含む前駆体とＴａ＝Ｎを含まない前駆
体とからなる複数のＴａ含有有機金属前駆体、アンモニ
アガス及びキャリアガスを反応容器中に導入して、有機
金属前駆体とアンモニアとを反応させ、ＴａＮｘからな
る膜をウェハー上に形成させる金属膜の形成方法が開示
されている（特開２００１−１１６３１）。この公報で
は、この複数の前駆体として、ＲＮ＝Ｔａ(Ｎ(Ｒ')2)3
及びＴａ(Ｎ(Ｒ'')2)n（但し、Ｒ，Ｒ'及びＲ''はそれ
ぞれＣ1〜Ｃ5アルキル基であって、お互いに同じであっ
ても異なっていてもよく、ｎは４又は５である。）から
選ばれる前駆体が挙げられている。そして、それぞれの
前駆体とアンモニアとの反応性が異なることを利用し
て、それぞれ異なる化学量論比のＴａＮｘを形成し、低
温プロセスで抵抗率の低減を実現することができる金属
膜を形成している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記特開２０
０１−１１６３１号公報に示されたＴａ含有有機金属前
駆体、特にＲ及びＲ'がそれぞれＣ1〜Ｃ5アルキル基で
あるＴａ＝Ｎを含む前駆体を用いてタンタル含有薄膜を
形成した場合、この前駆体は化学的に不安定となり、部
分的に多量化物を形成し易いため、気化安定性や成膜再
現性が得られにくい問題があった。
０１−１１６３１号公報に示されたＴａ含有有機金属前
駆体、特にＲ及びＲ'がそれぞれＣ1〜Ｃ5アルキル基で
あるＴａ＝Ｎを含む前駆体を用いてタンタル含有薄膜を
形成した場合、この前駆体は化学的に不安定となり、部
分的に多量化物を形成し易いため、気化安定性や成膜再
現性が得られにくい問題があった。
【０００７】本発明の目的は、均一で安定した気化が行
われ、高い成膜速度で高純度の所望のタンタル含有薄膜
が得られるタンタル錯体及びこの錯体を含む有機金属化
学蒸着用の溶液原料を提供することにある。本発明の別
の目的は、銅薄膜の下地としてそのバリア性に優れた高
純度のタンタル含有薄膜を提供することにある。
われ、高い成膜速度で高純度の所望のタンタル含有薄膜
が得られるタンタル錯体及びこの錯体を含む有機金属化
学蒸着用の溶液原料を提供することにある。本発明の別
の目的は、銅薄膜の下地としてそのバリア性に優れた高
純度のタンタル含有薄膜を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
次の式（１）で示されるタンタル錯体である。
次の式（１）で示されるタンタル錯体である。
【０００９】
【化２】
但し、Ｒはエチル基であって、Ｒ’は炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基である。
直鎖又は分岐状アルキル基である。
【００１０】請求項１に係る発明では、上記式（１）で
示される一般式のＲ’を炭素数６〜１１の直鎖又は分岐
状アルキル基にすることにより、化学的に安定になるた
め、本発明の目的が達成される。具体的には、従来の炭
素数１〜５のＲ’の低級分子によって多量化物が形成し
易い問題を解消し、タンタル錯体の分子の大きさを均一
に揃え、更にその構造に立体障害を持たせることによ
り、タンタル錯体同士の多量化を抑制し、分子レベルで
気化安定性を大きく改善した。Ｒ’の炭素数が６未満で
あると、低級分子によって低分解性物質が形成される不
具合を生じる。炭素数が１１を越えると分子量の増大し
て分解温度が低くなり、気化中に分解する不具合を生じ
る。Ｒ’の炭素数は６〜８が好ましい。
示される一般式のＲ’を炭素数６〜１１の直鎖又は分岐
状アルキル基にすることにより、化学的に安定になるた
め、本発明の目的が達成される。具体的には、従来の炭
素数１〜５のＲ’の低級分子によって多量化物が形成し
易い問題を解消し、タンタル錯体の分子の大きさを均一
に揃え、更にその構造に立体障害を持たせることによ
り、タンタル錯体同士の多量化を抑制し、分子レベルで
気化安定性を大きく改善した。Ｒ’の炭素数が６未満で
あると、低級分子によって低分解性物質が形成される不
具合を生じる。炭素数が１１を越えると分子量の増大し
て分解温度が低くなり、気化中に分解する不具合を生じ
る。Ｒ’の炭素数は６〜８が好ましい。
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１記載のタ
ンタル錯体を有機溶媒に溶解したことを特徴とする有機
金属化学蒸着法用溶液原料である。請求項２に係る溶液
原料をＭＯＣＶＤ法により気相成長させると、均一で安
定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のタ
ンタル含有薄膜が得られる。
ンタル錯体を有機溶媒に溶解したことを特徴とする有機
金属化学蒸着法用溶液原料である。請求項２に係る溶液
原料をＭＯＣＶＤ法により気相成長させると、均一で安
定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のタ
ンタル含有薄膜が得られる。
【００１２】請求項３に係る発明は、請求項２に係る発
明であって、有機溶媒が飽和炭化水素及びエステル化合
物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物で
ある溶液原料である。請求項４に係る発明は、請求項３
に係る発明であって、飽和炭化水素が、炭素数６〜１０
の直鎖状又は分岐状炭化水素である溶液原料である。請
求項５に係る発明は、請求項３又は４に係る発明であっ
て、飽和炭化水素が、ヘキサン、シクロヘキサン、メチ
ルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシ
クロヘキサン、ブチルシクロヘキサン、n-オクタン、イ
ソオクタン、n-デカン及びn-ドデカンからなる群より選
ばれた１種又は２種以上の化合物である溶液原料であ
る。請求項６に係る発明は、請求項３に係る発明であっ
て、エステル化合物が、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル及び酢酸ペンチルからなる群より選ばれた１種又
は２種以上の化合物である溶液原料である。
明であって、有機溶媒が飽和炭化水素及びエステル化合
物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物で
ある溶液原料である。請求項４に係る発明は、請求項３
に係る発明であって、飽和炭化水素が、炭素数６〜１０
の直鎖状又は分岐状炭化水素である溶液原料である。請
求項５に係る発明は、請求項３又は４に係る発明であっ
て、飽和炭化水素が、ヘキサン、シクロヘキサン、メチ
ルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシ
クロヘキサン、ブチルシクロヘキサン、n-オクタン、イ
ソオクタン、n-デカン及びn-ドデカンからなる群より選
ばれた１種又は２種以上の化合物である溶液原料であ
る。請求項６に係る発明は、請求項３に係る発明であっ
て、エステル化合物が、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸
ブチル及び酢酸ペンチルからなる群より選ばれた１種又
は２種以上の化合物である溶液原料である。
【００１３】請求項７に係る発明は、請求項２ないし６
いずれか記載の溶液原料を用いて有機金属化学蒸着法に
より作製されたタンタル含有薄膜である。請求項２ない
し６いずれか記載の溶液原料を用いて作製された窒化タ
ンタル薄膜は、銅薄膜の下地としてそのバリア性に優
れ、高純度である特長を有する。
いずれか記載の溶液原料を用いて有機金属化学蒸着法に
より作製されたタンタル含有薄膜である。請求項２ない
し６いずれか記載の溶液原料を用いて作製された窒化タ
ンタル薄膜は、銅薄膜の下地としてそのバリア性に優
れ、高純度である特長を有する。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。本発明のタンタル錯体は、上記式
（１）で示される一般式のＲがエチル基であって、Ｒ’
が炭素数６〜１１の直鎖又は分岐状アルキル基であるタ
ンタル錯体である。従来のＲ’を炭素数１〜５のアルキ
ル基としたタンタル錯体を用いてＭＯＣＶＤ法によりタ
ンタル含有薄膜を形成した場合、化学的に不安定となる
問題を生じるため、部分的に多量化物ができ、気化速
度、熱安定性がばらつく結果、成膜速度が悪化し、反応
ガスとの反応性も低下する不具合があった。これに対し
て本発明のタンタル錯体は、Ｒ’を炭素数６〜１１の直
鎖又は分岐状アルキル基としたため、熱的安定性のばら
つきを生じる問題を解消することができ、その構造に立
体障害を持たせ、多量化を抑制し、分子レベルで気化安
定性を大きく改善することができる。
基づいて説明する。本発明のタンタル錯体は、上記式
（１）で示される一般式のＲがエチル基であって、Ｒ’
が炭素数６〜１１の直鎖又は分岐状アルキル基であるタ
ンタル錯体である。従来のＲ’を炭素数１〜５のアルキ
ル基としたタンタル錯体を用いてＭＯＣＶＤ法によりタ
ンタル含有薄膜を形成した場合、化学的に不安定となる
問題を生じるため、部分的に多量化物ができ、気化速
度、熱安定性がばらつく結果、成膜速度が悪化し、反応
ガスとの反応性も低下する不具合があった。これに対し
て本発明のタンタル錯体は、Ｒ’を炭素数６〜１１の直
鎖又は分岐状アルキル基としたため、熱的安定性のばら
つきを生じる問題を解消することができ、その構造に立
体障害を持たせ、多量化を抑制し、分子レベルで気化安
定性を大きく改善することができる。
【００１５】本発明の溶液原料は、上記式（１）で示さ
れるタンタル錯体を有機溶媒に溶解したことを特徴とす
る有機金属化学蒸着法用溶液原料である。このタンタル
錯体と有機溶媒の配合比は任意であり、その使用用途
や、有機溶媒の種類によって適宜調製することが好まし
い。本発明の有機溶媒は、飽和炭化水素及びエステル化
合物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物
が使用される。飽和炭化水素は、炭素数６〜１０の直鎖
状又は分岐状炭化水素である。具体的には、ヘキサン、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキ
サン、n-オクタン、イソオクタン、n-デカン及びn-ドデ
カンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物
が挙げられる。また、エステル化合物は、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸ペンチルからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の化合物が挙げられる。
れるタンタル錯体を有機溶媒に溶解したことを特徴とす
る有機金属化学蒸着法用溶液原料である。このタンタル
錯体と有機溶媒の配合比は任意であり、その使用用途
や、有機溶媒の種類によって適宜調製することが好まし
い。本発明の有機溶媒は、飽和炭化水素及びエステル化
合物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物
が使用される。飽和炭化水素は、炭素数６〜１０の直鎖
状又は分岐状炭化水素である。具体的には、ヘキサン、
シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロ
ヘキサン、プロピルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキ
サン、n-オクタン、イソオクタン、n-デカン及びn-ドデ
カンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物
が挙げられる。また、エステル化合物は、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル及び酢酸ペンチルからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の化合物が挙げられる。
【００１６】本実施の形態では、ＭＯＣＶＤ法には、各
溶液を加熱された気化器に供給し、ここで各溶液原料を
瞬時に気化させ、成膜室に送る溶液気化ＣＶＤ法を用い
る。図１に示すように、ＭＯＣＶＤ装置は、成膜室１０
と蒸気発生装置１１を備える。成膜室１０の内部にはヒ
ータ１２が設けられ、ヒータ１２上には基板１３が保持
される。この成膜室１０の内部は圧力センサー１４、コ
ールドトラップ１５及びニードルバルブ１６を備える配
管１７により真空引きされる。成膜室１０にはニードル
バルブ３６、ガス流量調節装置３４を介してＮＨ3ガス
導入管３７が接続される。蒸気発生装置１１は原料容器
１８を備え、この原料容器１８は溶液原料を貯蔵する。
原料容器１８にはガス流量調節装置１９を介してキャリ
アガス導入管２１が接続され、また原料容器１８には供
給管２２が接続される。供給管２２にはニードルバルブ
２３及び溶液流量調節装置２４が設けられ、供給管２２
は気化器２６に接続される。気化器２６にはニードルバ
ルブ３１、ガス流量調節装置２８を介してキャリアガス
導入管２９が接続される。気化器２６は更に配管２７に
より成膜室１０に接続される。また気化器２６には、ガ
スドレイン３２及びドレイン３３がそれぞれ接続され
る。この装置では、Ｎ2、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスか
らなるキャリアガスがキャリアガス導入管２１から原料
容器１８内に導入され、原料容器１８に貯蔵されている
溶液原料を供給管２２により気化器２６に搬送する。気
化器２６で気化されて蒸気となったタンタル錯体は、更
にキャリアガス導入管２８から気化器２６へ導入された
キャリアガスにより配管２７を経て成膜室１０内に供給
される。成膜室１０内において、タンタル錯体の蒸気を
熱分解させ、ＮＨ3ガス導入管３７より成膜室１０内に
導入されるＮＨ3ガスと反応させることにより、生成し
た窒化タンタルを加熱された基板１３上に堆積させて窒
化タンタル薄膜を形成する。
溶液を加熱された気化器に供給し、ここで各溶液原料を
瞬時に気化させ、成膜室に送る溶液気化ＣＶＤ法を用い
る。図１に示すように、ＭＯＣＶＤ装置は、成膜室１０
と蒸気発生装置１１を備える。成膜室１０の内部にはヒ
ータ１２が設けられ、ヒータ１２上には基板１３が保持
される。この成膜室１０の内部は圧力センサー１４、コ
ールドトラップ１５及びニードルバルブ１６を備える配
管１７により真空引きされる。成膜室１０にはニードル
バルブ３６、ガス流量調節装置３４を介してＮＨ3ガス
導入管３７が接続される。蒸気発生装置１１は原料容器
１８を備え、この原料容器１８は溶液原料を貯蔵する。
原料容器１８にはガス流量調節装置１９を介してキャリ
アガス導入管２１が接続され、また原料容器１８には供
給管２２が接続される。供給管２２にはニードルバルブ
２３及び溶液流量調節装置２４が設けられ、供給管２２
は気化器２６に接続される。気化器２６にはニードルバ
ルブ３１、ガス流量調節装置２８を介してキャリアガス
導入管２９が接続される。気化器２６は更に配管２７に
より成膜室１０に接続される。また気化器２６には、ガ
スドレイン３２及びドレイン３３がそれぞれ接続され
る。この装置では、Ｎ2、Ｈｅ、Ａｒ等の不活性ガスか
らなるキャリアガスがキャリアガス導入管２１から原料
容器１８内に導入され、原料容器１８に貯蔵されている
溶液原料を供給管２２により気化器２６に搬送する。気
化器２６で気化されて蒸気となったタンタル錯体は、更
にキャリアガス導入管２８から気化器２６へ導入された
キャリアガスにより配管２７を経て成膜室１０内に供給
される。成膜室１０内において、タンタル錯体の蒸気を
熱分解させ、ＮＨ3ガス導入管３７より成膜室１０内に
導入されるＮＨ3ガスと反応させることにより、生成し
た窒化タンタルを加熱された基板１３上に堆積させて窒
化タンタル薄膜を形成する。
【００１７】本発明のタンタル錯体を含む溶液原料を用
いて作製された窒化タンタル薄膜は、銅薄膜の下地とし
てそのバリア性に優れ、高純度である特長を有する。こ
の窒化タンタル薄膜は、例えばシリコン基板表面のＳｉ
Ｏ2膜上にＭＯＣＶＤ法により形成され、この窒化タン
タル薄膜の上に銅薄膜がＭＯＣＶＤ法により形成され
る。なお、本発明の基板はその種類を特に限定されるも
のではない。
いて作製された窒化タンタル薄膜は、銅薄膜の下地とし
てそのバリア性に優れ、高純度である特長を有する。こ
の窒化タンタル薄膜は、例えばシリコン基板表面のＳｉ
Ｏ2膜上にＭＯＣＶＤ法により形成され、この窒化タン
タル薄膜の上に銅薄膜がＭＯＣＶＤ法により形成され
る。なお、本発明の基板はその種類を特に限定されるも
のではない。
【００１８】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞先ず、五塩化タンタル２０ｇのヘキサン溶
液に所望のアミノアルカリ金属塩（ヘプチルアミノナト
リウム５０ｇ）を氷冷下、３０分間反応させた。次い
で、この反応物をゆっくり室温まで戻した後にろ過し
た。次に、ろ液を５０℃、５０ｍｍＨｇ、２時間の条件
で濃縮し、目的とするジアミノタンタル化合物を２０ｇ
得た。得られたタンタル錯体を1Ｈ-ＮＭＲで測定したと
ころ、６．４ｐｐｍ及び３．８ｐｐｍの結果を得た。ま
たこのタンタル錯体の赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、２６００ｃｍ-1及び１６００ｃｍ-1の位置にそれ
ぞれ吸収ピークを得た。これらの測定結果から((Ｈ
5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ7Ｈ15)に示されるタンタル錯体の
構造であることを同定した。この((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=
Ｎ(Ｃ7Ｈ15)錯体の濃度がそれぞれ０．１モル濃度とな
るように有機溶媒であるｎ-オクタンに溶解してＭＯＣ
ＶＤ法用溶液原料を調製した。
説明する。 ＜実施例１＞先ず、五塩化タンタル２０ｇのヘキサン溶
液に所望のアミノアルカリ金属塩（ヘプチルアミノナト
リウム５０ｇ）を氷冷下、３０分間反応させた。次い
で、この反応物をゆっくり室温まで戻した後にろ過し
た。次に、ろ液を５０℃、５０ｍｍＨｇ、２時間の条件
で濃縮し、目的とするジアミノタンタル化合物を２０ｇ
得た。得られたタンタル錯体を1Ｈ-ＮＭＲで測定したと
ころ、６．４ｐｐｍ及び３．８ｐｐｍの結果を得た。ま
たこのタンタル錯体の赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、２６００ｃｍ-1及び１６００ｃｍ-1の位置にそれ
ぞれ吸収ピークを得た。これらの測定結果から((Ｈ
5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ7Ｈ15)に示されるタンタル錯体の
構造であることを同定した。この((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=
Ｎ(Ｃ7Ｈ15)錯体の濃度がそれぞれ０．１モル濃度とな
るように有機溶媒であるｎ-オクタンに溶解してＭＯＣ
ＶＤ法用溶液原料を調製した。
【００１９】＜実施例２＞有機溶媒をイソオクタンにし
た以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を
調製した。 ＜実施例３＞有機溶媒をドデカンにした以外は実施例１
と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例４＞有機溶媒をシクロヘキサンにした以外は実
施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例５＞有機溶媒をメチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。 ＜実施例６＞有機溶媒をエチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。
た以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を
調製した。 ＜実施例３＞有機溶媒をドデカンにした以外は実施例１
と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例４＞有機溶媒をシクロヘキサンにした以外は実
施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例５＞有機溶媒をメチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。 ＜実施例６＞有機溶媒をエチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。
【００２０】＜実施例７＞有機溶媒をプロピルシクロヘ
キサンにした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用
溶液原料を調製した。 ＜実施例８＞有機溶媒をブチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。 ＜実施例９＞有機溶媒をヘキサンにした以外は実施例１
と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１０＞有機溶媒をn-デカンにした以外は実施例
１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
キサンにした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用
溶液原料を調製した。 ＜実施例８＞有機溶媒をブチルシクロヘキサンにした以
外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製
した。 ＜実施例９＞有機溶媒をヘキサンにした以外は実施例１
と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１０＞有機溶媒をn-デカンにした以外は実施例
１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
【００２１】＜実施例１１＞有機溶媒を酢酸メチルにし
た以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を
調製した。 ＜実施例１２＞有機溶媒を酢酸エチルにした以外は実施
例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１３＞有機溶媒を酢酸ブチルにした以外は実施
例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１４＞有機溶媒を酢酸ペンチルにした以外は実
施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
た以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を
調製した。 ＜実施例１２＞有機溶媒を酢酸エチルにした以外は実施
例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１３＞有機溶媒を酢酸ブチルにした以外は実施
例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例１４＞有機溶媒を酢酸ペンチルにした以外は実
施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
【００２２】＜実施例１５〜２８＞タンタル錯体を((Ｈ
5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ6Ｈ13)錯体にした以外は実施例１
〜１４と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例２９〜４２＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ8Ｈ17)錯体にした以外は実施例１〜１４と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例４３〜５６＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ9Ｈ19)錯体にした以外は実施例１〜１４と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例５７〜７０＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ10Ｈ21)錯体にした以外は実施例１〜１４と同
様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例７１〜８４＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ11Ｈ23)錯体にした以外は実施例１〜１４と同
様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ6Ｈ13)錯体にした以外は実施例１
〜１４と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例２９〜４２＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ8Ｈ17)錯体にした以外は実施例１〜１４と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例４３〜５６＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ9Ｈ19)錯体にした以外は実施例１〜１４と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例５７〜７０＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ10Ｈ21)錯体にした以外は実施例１〜１４と同
様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜実施例７１〜８４＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔ
ａ=Ｎ(Ｃ11Ｈ23)錯体にした以外は実施例１〜１４と同
様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。
【００２３】＜比較例１＞タンタル錯体としてＰＤＭＡ
Ｔ錯体を用意し、この錯体の濃度がそれぞれ０．１モル
濃度となるように有機溶媒であるヘキサンに溶解してＭ
ＯＣＶＤ法用溶液原料を調製した。 ＜比較例２＞タンタル錯体をＰＤＥＡＴ錯体にした以外
は比較例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製し
た。 ＜比較例３＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
5Ｈ11)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。 ＜比較例４＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
4Ｈ9)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。
Ｔ錯体を用意し、この錯体の濃度がそれぞれ０．１モル
濃度となるように有機溶媒であるヘキサンに溶解してＭ
ＯＣＶＤ法用溶液原料を調製した。 ＜比較例２＞タンタル錯体をＰＤＥＡＴ錯体にした以外
は比較例１と同様にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製し
た。 ＜比較例３＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
5Ｈ11)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。 ＜比較例４＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
4Ｈ9)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。
【００２４】＜比較例５＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)
2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ3Ｈ7)錯体にした以外は実施例１と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜比較例６＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
2Ｈ5)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。 ＜比較例７＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
Ｈ3)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ
用溶液原料を調製した。
2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ3Ｈ7)錯体にした以外は実施例１と同様
にしてＭＯＣＶＤ用溶液原料を調製した。 ＜比較例６＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
2Ｈ5)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶ
Ｄ用溶液原料を調製した。 ＜比較例７＞タンタル錯体を((Ｈ5Ｃ2)2Ｎ)3Ｔａ=Ｎ(Ｃ
Ｈ3)錯体にした以外は実施例１と同様にしてＭＯＣＶＤ
用溶液原料を調製した。
【００２５】＜比較試験＞実施例１〜８４及び比較例１
〜７で得られた溶液原料をそれぞれ５種類用意した。基
板として、基板表面にＳｉＯ2膜（厚さ５０００Å）が
熱酸化により形成されたシリコン基板を用意した。用意
した基板を図１に示すＭＯＣＶＤ装置の成膜室に設置
し、基板温度を４５０℃とした。気化温度を７０℃、圧
力を２Ｔｏｒｒ即ち約２６６Ｐａにそれぞれ設定した。
キャリアガスとしてＡｒガスを用い、その流量を１００
ｃｃｍとした。また反応ガスとしてＮＨ3ガスを用い、
その流量を１００ｃｃｍとした。溶液原料を０．０１ｃ
ｃ／分の割合で供給し、１、５、１０、２０及び３０分
となったときにそれぞれ１種類ごとに成膜室より取り出
し、基板上に成膜されたタンタル含有薄膜である窒化タ
ンタル薄膜について以下に示す試験を行った。
〜７で得られた溶液原料をそれぞれ５種類用意した。基
板として、基板表面にＳｉＯ2膜（厚さ５０００Å）が
熱酸化により形成されたシリコン基板を用意した。用意
した基板を図１に示すＭＯＣＶＤ装置の成膜室に設置
し、基板温度を４５０℃とした。気化温度を７０℃、圧
力を２Ｔｏｒｒ即ち約２６６Ｐａにそれぞれ設定した。
キャリアガスとしてＡｒガスを用い、その流量を１００
ｃｃｍとした。また反応ガスとしてＮＨ3ガスを用い、
その流量を１００ｃｃｍとした。溶液原料を０．０１ｃ
ｃ／分の割合で供給し、１、５、１０、２０及び３０分
となったときにそれぞれ１種類ごとに成膜室より取り出
し、基板上に成膜されたタンタル含有薄膜である窒化タ
ンタル薄膜について以下に示す試験を行った。
【００２６】 膜厚測定
成膜を終えた基板上の窒化タンタル薄膜を断面ＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）像から膜厚を測定した。
（走査型電子顕微鏡）像から膜厚を測定した。
【００２７】 剥離試験
各成膜時間で取り出した窒化タンタル薄膜の上に銅薄膜
をスパッタリング法により成膜し、この銅薄膜を形成し
た基板に対して剥離試験（ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−
６）を行った。具体的には、先ず、基板上の銅薄膜にこ
の膜を貫通するように縦横それぞれ６本づつ等間隔に切
込みを入れて格子パターンを基板に形成した。次に、形
成した格子パターンの双方の対角線に沿って柔らかいは
けを用いて前後にブラッシングした。
をスパッタリング法により成膜し、この銅薄膜を形成し
た基板に対して剥離試験（ＪＩＳ Ｋ ５６００−５−
６）を行った。具体的には、先ず、基板上の銅薄膜にこ
の膜を貫通するように縦横それぞれ６本づつ等間隔に切
込みを入れて格子パターンを基板に形成した。次に、形
成した格子パターンの双方の対角線に沿って柔らかいは
けを用いて前後にブラッシングした。
【００２８】 熱安定性評価試験
図２に示す試験装置を用いて以下の試験を行った。この
図２に示す装置は、図１に示すＭＯＣＶＤ装置の成膜室
を取り除いた構成を有する。先ず、室温で７０℃に加熱
した気化器２６まで溶液原料を搬送し、２Ｔｏｒｒの減
圧下で７０℃に加熱して溶液原料を気化させ、その後に
気化器２６下段のポンプ側に設けられたコールドトラッ
プ１５にて気化後の化合物を捕獲した。装置内に投入し
た原料に対する捕獲量からトラップ回収率を算出した。
また、圧力センサーにより気化器内部における圧力上昇
を測定した。例えば、表中の数値が６０％閉塞ならば、
２Ｔｏｒｒの１．６０倍の圧力が気化器内で生じている
ことを表す。
図２に示す装置は、図１に示すＭＯＣＶＤ装置の成膜室
を取り除いた構成を有する。先ず、室温で７０℃に加熱
した気化器２６まで溶液原料を搬送し、２Ｔｏｒｒの減
圧下で７０℃に加熱して溶液原料を気化させ、その後に
気化器２６下段のポンプ側に設けられたコールドトラッ
プ１５にて気化後の化合物を捕獲した。装置内に投入し
た原料に対する捕獲量からトラップ回収率を算出した。
また、圧力センサーにより気化器内部における圧力上昇
を測定した。例えば、表中の数値が６０％閉塞ならば、
２Ｔｏｒｒの１．６０倍の圧力が気化器内で生じている
ことを表す。
【００２９】実施例１〜８４及び比較例１〜７で得られ
た溶液原料を用いた試験結果を表１〜１２にそれぞれ示
す。
た溶液原料を用いた試験結果を表１〜１２にそれぞれ示
す。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【表４】
【００３４】
【表５】
【００３５】
【表６】
【００３６】
【表７】
【００３７】
【表８】
【００３８】
【表９】
【００３９】
【表１０】
【００４０】
【表１１】
【００４１】
【表１２】
【００４２】表１１及び表１２より明らかなように、比
較例１〜７の溶液原料を用いて成膜されたタンタル含有
薄膜は成膜時間当たりの膜厚にばらつきがあり、成膜再
現性が悪いことが判る。また成膜速度も非常に遅い。ま
た密着性評価試験では、殆どのサンプルにおいて基板表
面から銅薄膜が剥離してしまっていた。熱安定性評価試
験では、トラップ回収率が低く、大部分が装置内部に付
着してしまったと考えられる。また気化器内部の圧力上
昇値も成膜時間が長くなるにつれて上昇しており、分解
物が気化器内部や配管内部に付着して圧力上昇したと考
えられる。これに対して表１〜１１より明らかなよう
に、実施例１〜８４の溶液原料を用いて作製されたタン
タル含有薄膜は、成膜時間が進むに従って膜厚も厚くな
っており、成膜安定性が高いことが判る。密着性評価試
験では、銅薄膜が剥離する割合が低く、非常に密着性が
高いことが判る。熱安定性評価試験では、高いトラップ
回収率を示し、気化器内部の圧力上昇値も１％程度と殆
ど閉塞するおそれがない。
較例１〜７の溶液原料を用いて成膜されたタンタル含有
薄膜は成膜時間当たりの膜厚にばらつきがあり、成膜再
現性が悪いことが判る。また成膜速度も非常に遅い。ま
た密着性評価試験では、殆どのサンプルにおいて基板表
面から銅薄膜が剥離してしまっていた。熱安定性評価試
験では、トラップ回収率が低く、大部分が装置内部に付
着してしまったと考えられる。また気化器内部の圧力上
昇値も成膜時間が長くなるにつれて上昇しており、分解
物が気化器内部や配管内部に付着して圧力上昇したと考
えられる。これに対して表１〜１１より明らかなよう
に、実施例１〜８４の溶液原料を用いて作製されたタン
タル含有薄膜は、成膜時間が進むに従って膜厚も厚くな
っており、成膜安定性が高いことが判る。密着性評価試
験では、銅薄膜が剥離する割合が低く、非常に密着性が
高いことが判る。熱安定性評価試験では、高いトラップ
回収率を示し、気化器内部の圧力上昇値も１％程度と殆
ど閉塞するおそれがない。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように、上記式（１）に示す
タンタル錯体は、この一般式のＲ’を炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基にすることにより、化学的に
安定になるため、従来の炭素数１〜５のＲ’での熱的不
安定による多量化形成を解消し、タンタル錯体の分子の
大きさを均一に揃え、更にその構造に立体障害を持たせ
ることにより、タンタル錯体同士の多量化を抑制し、分
子レベルで気化安定性を大きく改善した化合物である。
このタンタル錯体を有機溶媒、飽和炭化水素及びエステ
ル化合物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化
合物に溶解した本発明のＭＯＣＶＤ用溶液原料は、銅薄
膜の下地としてそのバリア性に優れ、高純度である特長
を有する。本発明の溶液原料を用いてＳｉＯ2膜上にタ
ンタル含有薄膜を気相成長させる際、高い成膜速度で安
定な成膜が可能となる。得られたタンタル含有薄膜上へ
銅薄膜を作製する際に、成膜法を問わず、密着性に優れ
た銅薄膜が作製可能となる。
タンタル錯体は、この一般式のＲ’を炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基にすることにより、化学的に
安定になるため、従来の炭素数１〜５のＲ’での熱的不
安定による多量化形成を解消し、タンタル錯体の分子の
大きさを均一に揃え、更にその構造に立体障害を持たせ
ることにより、タンタル錯体同士の多量化を抑制し、分
子レベルで気化安定性を大きく改善した化合物である。
このタンタル錯体を有機溶媒、飽和炭化水素及びエステ
ル化合物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化
合物に溶解した本発明のＭＯＣＶＤ用溶液原料は、銅薄
膜の下地としてそのバリア性に優れ、高純度である特長
を有する。本発明の溶液原料を用いてＳｉＯ2膜上にタ
ンタル含有薄膜を気相成長させる際、高い成膜速度で安
定な成膜が可能となる。得られたタンタル含有薄膜上へ
銅薄膜を作製する際に、成膜法を問わず、密着性に優れ
た銅薄膜が作製可能となる。
【図１】ＭＯＣＶＤ装置の概略図。
【図２】本発明の実施例に使用される装置を示す概略
図。
図。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小木 勝実
茨城県那珂郡那珂町向山1002番地14 三菱
マテリアル株式会社総合研究所那珂研究セ
ンター内
Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA03 AB99
4H050 AA01 AA03 AB99 WB14
4K030 AA11 AA13 BA17 BA38
4M104 BB32 DD45
Claims (7)
- 【請求項１】 次の式（１）で示されるタンタル錯体。 【化１】 但し、Ｒはエチル基であって、Ｒ’は炭素数６〜１１の
直鎖又は分岐状アルキル基である。 - 【請求項２】 請求項１記載のタンタル錯体を有機溶媒
に溶解したことを特徴とする有機金属化学蒸着法用溶液
原料。 - 【請求項３】 有機溶媒が飽和炭化水素及びエステル化
合物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の化合物
である請求項２記載の溶液原料。 - 【請求項４】 飽和炭化水素が、炭素数６〜１０の直鎖
状又は分岐状炭化水素である請求項３記載の溶液原料。 - 【請求項５】 飽和炭化水素が、ヘキサン、シクロヘキ
サン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、
プロピルシクロヘキサン、ブチルシクロヘキサン、n-オ
クタン、イソオクタン、n-デカン及びn-ドデカンからな
る群より選ばれた１種又は２種以上の化合物である請求
項３又は４記載の溶液原料。 - 【請求項６】 エステル化合物が、酢酸メチル、酢酸エ
チル、酢酸ブチル及び酢酸ペンチルからなる群より選ば
れた１種又は２種以上の化合物である請求項３記載の溶
液原料。 - 【請求項７】 請求項２ないし６いずれか記載の溶液原
料を用いて有機金属化学蒸着法により作製されたタンタ
ル含有薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139710A JP2003335740A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002139710A JP2003335740A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003335740A true JP2003335740A (ja) | 2003-11-28 |
Family
ID=29700773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002139710A Pending JP2003335740A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003335740A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007537357A (ja) * | 2004-05-10 | 2007-12-20 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
| EP1884518A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal-imino complexes suitable for use as vapor deposition precursors |
| WO2008026470A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Tosoh Corporation | Complexe imide, procédé de fabrication de celui-ci, couche mince contenant des métaux et procédé de fabrication de celle-ci |
| JP2014157123A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 試料、試料作成装置および試料観察方法 |
| WO2015072589A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films |
-
2002
- 2002-05-15 JP JP2002139710A patent/JP2003335740A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007537357A (ja) * | 2004-05-10 | 2007-12-20 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 有機金属前駆体化合物 |
| EP1884518A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-06 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Metal-imino complexes suitable for use as vapor deposition precursors |
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| US7906668B2 (en) | 2006-08-28 | 2011-03-15 | Tosoh Corporation | Imide complex, method for producing the same, metal-containing thin film and method for producing the same |
| JP2014157123A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Toshiba Corp | 試料、試料作成装置および試料観察方法 |
| US9151702B2 (en) | 2013-02-18 | 2015-10-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sample, sample fabrication apparatus, and sample observation method |
| WO2015072589A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films |
| US10106887B2 (en) | 2013-11-13 | 2018-10-23 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Group 5 transition metal-containing compounds for vapor deposition of group 5 transition metal-containing films |
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