JP4289141B2 - 有機シリコン化合物及びその溶液原料並びに該化合物を用いたシリコン含有膜の形成方法 - Google Patents
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Description
そのためシリコン酸化膜に代わるゲート絶縁膜が要望されており、候補としてシリコン含有薄膜、具体的にはSi3N4薄膜やHf-Si-O薄膜等が注目されている。これら薄膜の製造方法としては、スパッタリング、イオンプレーティング、塗布熱分解、ゾルゲル等のMODが挙げられるが、組成制御性、段差被覆性に優れること、半導体製造プロセスとの整合性等からMOCVD法が最適な薄膜製造プロセスとして検討されている。
請求項2に係る溶液原料では、式(1)で表される有機シリコン化合物は室温で液体として存在するため、これらの化合物単体でシリコン含有膜形成用溶液原料として使用できる。
請求項4に係る発明は、請求項3に係る発明であって、有機溶媒がテトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチル及び酢酸エチルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の溶媒である溶液原料である。
請求項3又は4に係る溶液原料では、本発明の有機シリコン化合物を上記列挙した有機溶媒に溶解した溶液原料は、有機シリコン化合物をより安定して気化室や成膜室まで送込むことができるため、結果としてMOCVDにおける薄膜の成長速度が促進される。
請求項5に係る形成方法では、上記式(1)に示される本発明の有機シリコン化合物又はこの化合物を含む溶液原料を用いてシリコン含有膜を形成することで、従来の有機シリコン化合物を用いた場合に比べて段差被覆性に優れ、また高い密着性を有するシリコン含有膜を形成することができる。
請求項6に係る発明は、請求項5に係る発明であって、MOCVD法により成膜するシリコン含有膜の形成方法である。
本発明の有機シリコン化合物は、次の式(1)に示される化合物である。
先ず、出発原料としてSiCl4を10g用意する。次いで、n-ヘキサン500mlにSiCl4を添加して懸濁させ、更にシクロペンタジエン20gを加えて、100℃で加熱しながら30分攪拌する。この攪拌液に亜鉛粉0.1gを加えたのち、更に5分間攪拌する。攪拌した懸濁液を室温にまで戻したのち、ろ別して固形分を取除く。このろ別した溶液を−40℃にまで冷却して約24時間放置する。次に、この溶液に水素ガスを2cc/分の割合で2分間流しながら0.1モル濃度のt-ブチルアミノカルシウムのヘキサン溶液200mlを加え、氷冷下にまで冷却しながら5時間かけてゆっくり反応させる。反応後の溶液を更に氷冷下にまで冷却して溶液中の沈殿物を除去する。沈殿物除去後の上澄み液を40℃、266Pa(2Torr)の条件下で濃縮することにより、本発明の有機シリコン化合物であるSi(Cp)[NH(t-Bu)]H2を2g得ることができる。
また本発明の有機シリコン化合物を有機溶媒に溶解して本発明の溶液原料としてもよい。本発明の有機シリコン化合物を有機溶媒に溶解した溶液原料は、有機シリコン化合物をより安定して気化室や成膜室まで送込むことができるため、結果としてMOCVDにおける薄膜の成長速度が促進される。有機溶媒としてはテトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチル及び酢酸エチルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の溶媒が挙げられる。
このようにして得られた有機シリコン化合物は、MOCVD法を用いて基体上、例えばシリコン基板上にシリコン含有膜を形成する。
図1に示すように、MOCVD装置は、成膜室10と蒸気発生装置11を備える。成膜室10の内部にはヒータ12が設けられ、ヒータ12上には基板13が保持される。この成膜室10の内部は圧力センサー14、コールドトラップ15及びニードルバルブ16を備える配管17により真空引きされる。成膜室10にはニードルバルブ36、ガス流量調節装置34を介してNH3ガス導入管37が接続される。ここで成膜される膜がSiO2膜のような酸素を含有する薄膜である場合、ガス導入管37からはO2ガスが導入される。蒸気発生装置11には、本発明の有機シリコン化合物を含む溶液原料を貯留する原料容器18が備えられる。原料容器18にはガス流量調節装置19を介して加圧用不活性ガス導入管21が接続され、また原料容器18には供給管22が接続される。供給管22にはニードルバルブ23及び流量調節装置24が設けられ、供給管22は気化室26に接続される。気化室26にはニードルバルブ31、ガス流量調節装置28を介してキャリアガス導入管29が接続される。気化室26は更に配管27により成膜室10に接続される。また気化室26には、ガスドレイン32及びドレイン33がそれぞれ接続される。
この装置では、加圧用不活性ガスが導入管21から原料容器18内に導入され、原料容器18に貯蔵されている原料液を供給管22により気化室26に搬送する。気化室26で気化されて蒸気となった有機シリコン化合物は、更にキャリアガス導入管29から気化室26へ導入されたキャリアガスにより配管27を経て成膜室10内に供給される。加圧用不活性ガス、キャリアガスには、アルゴン、ヘリウム、窒素等が使用される。成膜室10内において、有機シリコン化合物の蒸気を熱分解させ、NH3ガス導入管37より導入されたNH3ガスと反応させることにより、生成したSi-Nを加熱された基板13上に堆積させてSi-N膜を形成する。本発明の有機シリコン化合物は従来の有機シリコン化合物よりも低温で熱分解するため、低温での膜成長が可能である。また本発明の有機シリコン化合物は、気化安定性に優れており、高い成膜速度を有する。なお、本発明の有機シリコン化合物はN源を化合物内に有するため、反応ガスを用いなくてもSi-N膜を成膜することもできる。
図2に示すように、図1のMOCVD装置の蒸気発生装置11内に、本発明の有機シリコン化合物とは異なる、例えば有機ハフニウム化合物を含む溶液原料を貯留する原料容器38が備えられ、原料容器38にはガス流量調節装置39を介して加圧用不活性ガス導入管41が接続され、また原料容器38には供給管42が接続される。供給管42にはニードルバルブ43及び流量調節装置44が設けられ、供給管42は気化室26に接続される。このように有機シリコン化合物を貯留する原料容器18に接続された配管と同様の配置で接続され、ガス導入管37からはO2ガスが導入される。
この装置では、原料容器18,38からそれぞれ気化室に搬送されて蒸気となった有機シリコン化合物と有機ハフニウム化合物とが成膜室10内に供給され、成膜室10内において、有機シリコン化合物及び有機ハフニウム化合物の蒸気を熱分解させ、O2ガス導入管37より導入されたO2と反応させることにより、生成したHf-Si-Oを加熱された基板13上に堆積させてHf-Si-O薄膜を形成する。
<実施例1>
先ず、出発原料としてSiCl4を用意し、n-ヘキサン500mlにSiCl4を添加して懸濁させ、更にシクロペンタジエン20gを加えて、100℃で加熱しながら30分攪拌した。次いで、この攪拌液に亜鉛粉0.1gを加えたのち、更に5分間攪拌した。攪拌した懸濁液を室温にまで戻したのち、ろ別して固形分を取除いた。このろ別した溶液を−40℃にまで冷却して約24時間放置した。次に、この溶液に水素ガスを2cc/分の割合で2分間流しながら0.1モル濃度のt-ブチルアミノカルシウムのヘキサン溶液200mlを加え、氷冷下にまで冷却しながら5時間かけてゆっくり反応させた。反応後の溶液を更に氷冷下にまで冷却して溶液中の沈殿物を除去した。沈殿物除去後の上澄み液を40℃、266Pa(2Torr)の条件下で濃縮することにより、粗生成物を得た。更に、粗生成物を展開溶媒に溶解して溶解液を調製し、この溶解液をアルミナカラム等に通過させることにより精製物を得た。得られた精製物を1H-NMR(C6D6)により測定した結果では、δ=4.2ppm(N−H)、δ=3.8ppm(N−H)、δ=1.1ppm(C−H)、δ=1.3ppm(C−H)、δ=1.7ppm(C−H)及びδ=5.6ppm(C−H)であった。上記分析結果より得られた化合物はSi(Cp)[NH(t-Bu)]H2であると同定された。
シクロペンタジエンに代えてメチルシクロペンタジエンを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(MeCp)[NH(t-Bu)]H2を得た。
<実施例3>
シクロペンタジエンに代えてエチルシクロペンタジエンを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(EtCp)[NH(t-Bu)]H2を得た。
<実施例4>
シクロペンタジエンに代えてn-プロピルシクロペンタジエンを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(n-PrCp)[NH(t-Bu)]H2を得た。
<実施例5>
シクロペンタジエンに代えてt-ブチルシクロペンタジエンを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(t-BuCp)[NH(t-Bu)]H2を得た。
水素ガスに代えてメタン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(Cp)[NH(t-Bu)]MeHを得た。
<実施例7>
シクロペンタジエンに代えてメチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてメタン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(MeCp)[NH(t-Bu)]MeHを得た。
<実施例8>
シクロペンタジエンに代えてエチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてメタン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(EtCp)[NH(t-Bu)]MeHを得た。
<実施例9>
シクロペンタジエンに代えてn-プロピルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてメタン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(n-PrCp)[NH(t-Bu)]MeHを得た。
<実施例10>
シクロペンタジエンに代えてt-ブチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてメタン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(t-BuCp)[NH(t-Bu)]MeHを得た。
水素ガスに代えてエチレン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(Cp)[NH(t-Bu)]EtHを得た。
<実施例12>
シクロペンタジエンに代えてメチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてエチレン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(MeCp)[NH(t-Bu)]EtHを得た。
<実施例13>
シクロペンタジエンに代えてエチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてエチレン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(EtCp)[NH(t-Bu)]EtHを得た。
<実施例14>
シクロペンタジエンに代えてn-プロピルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてエチレン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(n-PrCp)[NH(t-Bu)]EtHを得た。
<実施例15>
シクロペンタジエンに代えてt-ブチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてエチレン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(t-BuCp)[NH(t-Bu)]EtHを得た。
水素ガスに代えてn-プロパン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(Cp)[NH(t-Bu)](i-Pr)Hを得た。
<実施例17>
シクロペンタジエンに代えてメチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてn-プロパン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(MeCp)[NH(t-Bu)](i-Pr)Hを得た。
<実施例18>
シクロペンタジエンに代えてエチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてn-プロパン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(EtCp)[NH(t-Bu)](i-Pr)Hを得た。
<実施例19>
シクロペンタジエンに代えてn-プロピルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてn-プロパン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(n-PrCp)[NH(t-Bu)](i-Pr)Hを得た。
<実施例20>
シクロペンタジエンに代えてt-ブチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてn-プロパン及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(t-BuCp)[NH(t-Bu)](i-Pr)Hを得た。
水素ガスに代えてt-ブチル及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(Cp)[NH(t-Bu)](t-Bu)Hを得た。
<実施例22>
シクロペンタジエンに代えてメチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてt-ブチル及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(MeCp)[NH(t-Bu)](t-Bu)Hを得た。
<実施例23>
シクロペンタジエンに代えてエチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてt-ブチル及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(EtCp)[NH(t-Bu)](t-Bu)Hを得た。
<実施例24>
シクロペンタジエンに代えてn-プロピルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてt-ブチル及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(n-PrCp)[NH(t-Bu)](t-Bu)Hを得た。
<実施例25>
シクロペンタジエンに代えてt-ブチルシクロペンタジエンを用い、水素ガスに代えてt-ブチル及び水素を1:1の割合で含む混合ガスを用いた以外は実施例1と同様にして反応を行い、Si(t-BuCp)[NH(t-Bu)](t-Bu)Hを得た。
(Cl3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例2>
(Cl3Si)2N-N(SiCl3)2を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例3>
(Cl3Si)N=N(SiCl3)を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例4>
(Me3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例5>
(Me2SiCl)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例6>
(MeSiCl2)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
(H3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例8>
(H3Si)2N-N(SiH3)2を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例9>
(H3Si)N=N(SiH3)を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例10>
(Et3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例11>
(Et2SiCl)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例12>
(EtSiCl2)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
(Ph3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例14>
(Ph2SiCl)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例15>
(PhSiCl2)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例16>
(t-Bu3Si)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例17>
(t-Bu2SiCl)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例18>
(t-BuSiCl2)3Nを用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
Si(NMe2)4を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例20>
Si(NEt2)4を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
<比較例21>
Si(NMeEt)4を用意し、この化合物を有機シリコン化合物として用いた。
実施例1〜25及び比較例1〜18の有機シリコン化合物を次の表1及び表2に示す有機溶媒にそれぞれ溶解して0.1mol/Lの溶液原料を調製した。これらの溶液原料を用いて段差被覆性試験と密着性を調べるピール試験を行った。
先ず、基板としてシリコン基板を5枚ずつ用意し、基板を図1に示すMOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を450℃、気化温度を100℃、圧力を約266Pa(2Torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとしてNH3ガスを用い、その分圧を100ccmとした。次に、キャリアガスとしてArガスを用い、溶液原料を0.05cc/分の割合でそれぞれ供給し、成膜時間が1分、5分、10分、20分及び30分となったときにそれぞれ1枚ずつ成膜室より取出した。
成膜を終えた基板上のSi-N薄膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から段差被覆性を測定した。段差被覆性とは図2に示される溝等の段差のある基板41に薄膜42を成膜したときのa/bの数値で表現される。a/bが1.0であれば、基板の平坦部分と同様に溝の奥まで均一に成膜されているため、段差被覆性は良好であるといえる。逆にa/bが1.0未満の数値であれば、溝の奥まで成膜し難く、a/bが1.0を越える数値であれば、基板の平坦部分よりも溝の奥の方が成膜度合いが大きく、それぞれ段差被覆性は悪いとされる。
(2)ピール試験
5枚の基板のうち、成膜時間が30分の基板の平坦部分に成膜されたSi-N薄膜について次のようなピール試験を行った。先ず、成膜を終えたSi-N薄膜をカッターナイフを用いて所定の大きさに切断して100の切断マス目を作成した。次にマス目を作成したSi-N薄膜の上に粘着性セロハンテープを密着させた。続いてこのセロハンテープを薄膜から剥がし、100のマス目に切断されたSi-N薄膜のうち、セロハンテープにより剥離した数と、基板上に残留した数とをそれぞれ調べた。
<評価>
得られた成膜時間あたりの段差被覆性及びピール試験の結果を表1及び表2にそれぞれ示す。なお、ピール試験は、切断マス目100枚当たりの基板残留数を示す。
実施例1〜25及び比較例19〜21の有機シリコン化合物を次の表3及び表4に示す有機溶媒にそれぞれ溶解して0.1mol/Lの溶液原料を調製した。これらの溶液原料を用いて段差被覆性試験と密着性を調べるピール試験を行った。
先ず、基板としてシリコン基板を5枚ずつ用意し、基板を図2に示すMOCVD装置の成膜室に設置した。次いで、基板温度を450℃、気化温度を140℃、圧力を約266Pa(2Torr)にそれぞれ設定した。反応ガスとしてO2ガスを用い、その分圧を100ccmとした。次に、キャリアガスとしてArガスを用い、溶液原料を0.05cc/分の割合で、有機ハフニウム化合物としてHf(Et2N)4を0.05cc/分の割合でそれぞれ供給し、成膜時間が1分、5分、10分、20分及び30分となったときにそれぞれ1枚ずつ成膜室より取出した。
成膜を終えた基板上のHf-Si-O薄膜を断面SEM(走査型電子顕微鏡)像から膜厚を測定した。
(2)ピール試験
5枚の基板のうち、成膜時間が30分の基板の平坦部分に成膜されたSi-N薄膜について上記比較評価1と同様にしてピール試験を行った。
<評価>
得られた成膜時間あたりの段差被覆性及びピール試験の結果を表3及び表4にそれぞれ示す。
Claims (6)
- 請求項1記載の有機シリコン化合物単体からなるシリコン含有膜形成用溶液原料。
- 請求項1記載の有機シリコン化合物を有機溶媒に溶解したことを特徴とするシリコン含有膜形成用溶液原料。
- 有機溶媒がテトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、n-オクタン、イソオクタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ピリジン、ルチジン、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸メチル及び酢酸エチルからなる群より選ばれた1種又は2種以上の溶媒である請求項3記載の溶液原料。
- 請求項1記載の有機シリコン化合物、又は請求項2ないし4いずれか1項に記載の溶液原料を用いて成膜することを特徴とするシリコン含有膜の形成方法。
- 有機金属化学気相成長法により成膜する請求項5記載のシリコン含有膜の形成方法。
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