JP2800686B2 - 高純度プラチナ膜の形成方法 - Google Patents
高純度プラチナ膜の形成方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高純度プラチナ膜の形成
方法に係り、特に、半導体装置のコンタクトや配線等と
して用いられる高純度Ｐｔ薄膜を低い反応温度で形成す
る方法に関する。
方法に係り、特に、半導体装置のコンタクトや配線等と
して用いられる高純度Ｐｔ薄膜を低い反応温度で形成す
る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置のコンタクトや配線等
として用いられるＰｔ薄膜は、真空蒸着法、スパッター
法、熱分解による有機金属化学蒸着法(Metalorganic Ch
emicalVapor Deposition:以下「ＭＯＣＶＤ法」と称
す。）により形成されていた。
として用いられるＰｔ薄膜は、真空蒸着法、スパッター
法、熱分解による有機金属化学蒸着法(Metalorganic Ch
emicalVapor Deposition:以下「ＭＯＣＶＤ法」と称
す。）により形成されていた。
【０００３】また、光分解ＭＯＣＶＤ法によるＰｔの成
膜も試みられており、原料有機Ｐｔ化合物としては、下
記構造式で表されるＰｔ（ｈｆａｃ）2化合物が用いら
れている(Dan Rooney,D.Negrotti,T.Byassee,D.Macero,
abd J.Chaiken,J.Electrochem.Soc.,137,1162-1166(199
0))。
膜も試みられており、原料有機Ｐｔ化合物としては、下
記構造式で表されるＰｔ（ｈｆａｃ）2化合物が用いら
れている(Dan Rooney,D.Negrotti,T.Byassee,D.Macero,
abd J.Chaiken,J.Electrochem.Soc.,137,1162-1166(199
0))。
【０００４】
【化２】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｐｔ
（ｈｆａｃ）2を用いる光分解ＭＯＣＶＤ法では、Ｘｅ
Ｃｌ（３０８ｎｍ）、１０Ｈｚ、２０ｍＪ／ｃｍ2を用
いたレーザー照射では、２４％程度の炭素が膜中に残留
してしまうことが問題となっていた。
（ｈｆａｃ）2を用いる光分解ＭＯＣＶＤ法では、Ｘｅ
Ｃｌ（３０８ｎｍ）、１０Ｈｚ、２０ｍＪ／ｃｍ2を用
いたレーザー照射では、２４％程度の炭素が膜中に残留
してしまうことが問題となっていた。
【０００６】一方、有機金化合物の蒸気を波長３０８ｎ
ｍの光で励起分解して金を析出させる試みはあるが、下
記表１に示す如く、有機金化合物の化学形態、並びに、
有機金化合物の化学形態と光の波長及び強度との組み合
わせにより、得られる膜中不純物量は大きく変化するこ
とが報告されている(David Wexler,Jeffrey I.Zink,Lee
W.Tutt and Sharon R.Lunt,J.Phys Chem.,97,13563-13
567(1993))。
ｍの光で励起分解して金を析出させる試みはあるが、下
記表１に示す如く、有機金化合物の化学形態、並びに、
有機金化合物の化学形態と光の波長及び強度との組み合
わせにより、得られる膜中不純物量は大きく変化するこ
とが報告されている(David Wexler,Jeffrey I.Zink,Lee
W.Tutt and Sharon R.Lunt,J.Phys Chem.,97,13563-13
567(1993))。
【０００７】
【表１】
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、有機
Ｐｔ化合物の蒸気を光分解させてＰｔを基板上に堆積さ
せるＰｔ−ＭＯＣＶＤ法により、高純度Ｐｔ膜を容易か
つ効率的に形成する方法を提供することを目的とする。
Ｐｔ化合物の蒸気を光分解させてＰｔを基板上に堆積さ
せるＰｔ−ＭＯＣＶＤ法により、高純度Ｐｔ膜を容易か
つ効率的に形成する方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の高純度Ｐｔ膜
の形成方法は、有機Ｐｔ化合物の蒸気の分解により生じ
たＰｔを基板上に堆積させてＰｔ膜を形成する方法にお
いて、該有機Ｐｔ化合物として、下記構造式で表される
化合物を用いると共に、該有機Ｐｔ化合物の蒸気に波長
２４０ｎｍ以上の光を照射して該有機Ｐｔ化合物を分解
させることを特徴とする。
の形成方法は、有機Ｐｔ化合物の蒸気の分解により生じ
たＰｔを基板上に堆積させてＰｔ膜を形成する方法にお
いて、該有機Ｐｔ化合物として、下記構造式で表される
化合物を用いると共に、該有機Ｐｔ化合物の蒸気に波長
２４０ｎｍ以上の光を照射して該有機Ｐｔ化合物を分解
させることを特徴とする。
【００１０】
【化３】
【００１１】請求項２の高純度Ｐｔ膜の形成方法は、請
求項１の方法において、有機Ｐｔ化合物を有機溶媒に溶
解した溶液をキャリアーガスと共に加熱することにより
該有機Ｐｔ化合物を気化させ、これにより得られた有機
Ｐｔ化合物の蒸気を、内部に基板を載置した成膜室に導
入すると共に、該有機Ｐｔ化合物の蒸気に光を照射する
ことを特徴とする。
求項１の方法において、有機Ｐｔ化合物を有機溶媒に溶
解した溶液をキャリアーガスと共に加熱することにより
該有機Ｐｔ化合物を気化させ、これにより得られた有機
Ｐｔ化合物の蒸気を、内部に基板を載置した成膜室に導
入すると共に、該有機Ｐｔ化合物の蒸気に光を照射する
ことを特徴とする。
【００１２】請求項３の高純度Ｐｔ膜の形成方法は、請
求項２の方法において、該有機溶媒がエーテル、脂肪族
炭化水素或いはこれらの混合溶媒であることを特徴とす
る。
求項２の方法において、該有機溶媒がエーテル、脂肪族
炭化水素或いはこれらの混合溶媒であることを特徴とす
る。
【００１３】請求項４の高純度Ｐｔ膜の形成方法は、請
求項３の方法において、該有機溶媒がテトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジグリム、ペンタン、ヘキサン及びヘ
プタンよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合
溶媒であることを特徴とする。
求項３の方法において、該有機溶媒がテトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、ジグリム、ペンタン、ヘキサン及びヘ
プタンよりなる群から選ばれる１種又は２種以上の混合
溶媒であることを特徴とする。
【００１４】請求項５の高純度Ｐｔ膜の形成方法は、請
求項２ないし４のいずれか１項の方法において、成膜室
及び基板の温度が１５０℃以下であることを特徴とす
る。
求項２ないし４のいずれか１項の方法において、成膜室
及び基板の温度が１５０℃以下であることを特徴とす
る。
【００１５】以下に図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１６】図１は本発明の高純度Ｐｔ膜の形成方法の
実施に好適な装置の一例を示す構成図である。
実施に好適な装置の一例を示す構成図である。
【００１７】図１中、１はチャンバー（成膜室）であ
り、内部にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が
載置される。また、チャンバー１の上部には石英窓４が
設けられており、光５を内部の基板３に向けて照射でき
るように構成されている。このチャンバー１内は圧力計
６及びニードルバルブ７を備える配管８により真空引き
される。
り、内部にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が
載置される。また、チャンバー１の上部には石英窓４が
設けられており、光５を内部の基板３に向けて照射でき
るように構成されている。このチャンバー１内は圧力計
６及びニードルバルブ７を備える配管８により真空引き
される。
【００１８】９は原料容器であり、有機Ｐｔ化合物を有
機溶媒に溶解した液が内蔵されている。１０は気化室で
ある。
機溶媒に溶解した液が内蔵されている。１０は気化室で
ある。
【００１９】１１，１２はキャリアーガスの導入管であ
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ｐｔ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内において、光５を照射されることにより、原料有機Ｐ
ｔ化合物の蒸気が光分解し、これにより発生したＰｔ
が、加熱された基板３上に堆積してＰｔ膜を形成する。
なお、１５，１６はガス流量調節装置、１７は溶液流量
調節装置であり、１８，１９はニードルバルブである。
原料容器９、気化室１０及び配管１３，１４等の蒸気発
生設備は、恒温槽２０内に設置されている。
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ｐｔ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内において、光５を照射されることにより、原料有機Ｐ
ｔ化合物の蒸気が光分解し、これにより発生したＰｔ
が、加熱された基板３上に堆積してＰｔ膜を形成する。
なお、１５，１６はガス流量調節装置、１７は溶液流量
調節装置であり、１８，１９はニードルバルブである。
原料容器９、気化室１０及び配管１３，１４等の蒸気発
生設備は、恒温槽２０内に設置されている。
【００２０】このような本発明の方法において、用いる
波長２４０ｎｍ以上の紫外光の光源としては特に制限は
ないが、通常の場合、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等を光
源とする２４０〜３６０ｎｍ，１０〜１００Ｈｚ，１〜
５０ｍＪ／ｃｍ2の光が好適に使用される。
波長２４０ｎｍ以上の紫外光の光源としては特に制限は
ないが、通常の場合、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等を光
源とする２４０〜３６０ｎｍ，１０〜１００Ｈｚ，１〜
５０ｍＪ／ｃｍ2の光が好適に使用される。
【００２１】本発明において、光分解に用いる原料有機
Ｐｔ化合物としては、紫外光照射により配位子を分解さ
せることなく低温で、Ｐｔと配位子との結合が切断さ
れ、高速にＰｔを析出させることができ、低温で高純度
なＰｔを得ることができることから、下記構造式で表さ
れるものを用いる。
Ｐｔ化合物としては、紫外光照射により配位子を分解さ
せることなく低温で、Ｐｔと配位子との結合が切断さ
れ、高速にＰｔを析出させることができ、低温で高純度
なＰｔを得ることができることから、下記構造式で表さ
れるものを用いる。
【００２２】
【化４】
【００２３】また、このような有機Ｐｔ化合物を溶解す
る有機溶媒としては、波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域
に大きな吸収をもたず、不活性な溶媒であることから、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジグリム
等のエーテル、或いは、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン
等の脂肪族炭化水素が好ましく、これらの溶媒を適宜混
合して用いることにより、蒸発速度やＰｔ錯体の安定性
の調整を図ることも可能である。
る有機溶媒としては、波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域
に大きな吸収をもたず、不活性な溶媒であることから、
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジグリム
等のエーテル、或いは、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン
等の脂肪族炭化水素が好ましく、これらの溶媒を適宜混
合して用いることにより、蒸発速度やＰｔ錯体の安定性
の調整を図ることも可能である。
【００２４】本発明に係る有機Ｐｔ化合物は、このよう
な有機溶媒に、５〜５０重量％程度の濃度で溶解して原
料溶液とするのが好ましく、気化温度３０〜１００℃程
度で容易に気化させることができる。
な有機溶媒に、５〜５０重量％程度の濃度で溶解して原
料溶液とするのが好ましく、気化温度３０〜１００℃程
度で容易に気化させることができる。
【００２５】一方、キャリアーガスとしてはＨ2，Ａ
ｒ，Ｈｅ，Ｎ2またはこれらの混合ガス等を用いること
ができる。
ｒ，Ｈｅ，Ｎ2またはこれらの混合ガス等を用いること
ができる。
【００２６】原料溶液やキャリアーガスの流量は、その
他の温度や波長等の条件との組み合せで、必要とされる
成膜速度等に応じて適宜決定される。
他の温度や波長等の条件との組み合せで、必要とされる
成膜速度等に応じて適宜決定される。
【００２７】Ｐｔ膜を形成させる基板は、用途に応じて
適宜選定され、通常の場合、半導体デバイス用途であれ
ばＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板等を、また、フ
ォトマスク用途であれば、石英ガラス基板、液晶ディス
プレー用途であれば、バイコールガラス基板、無アルカ
リガラス基板等を用いることができる。
適宜選定され、通常の場合、半導体デバイス用途であれ
ばＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板等を、また、フ
ォトマスク用途であれば、石英ガラス基板、液晶ディス
プレー用途であれば、バイコールガラス基板、無アルカ
リガラス基板等を用いることができる。
【００２８】本発明においては、基板及び成膜室内の温
度は、有機Ｐｔ化合物の配位子の分解によるＰｔ膜純度
の低下を防止するために１５０℃以下とするのが好まし
い。この成膜温度は過度に低いと成膜速度が低下して成
膜効率が悪くなることから、特に１００〜１５０℃とす
るのが好ましい。
度は、有機Ｐｔ化合物の配位子の分解によるＰｔ膜純度
の低下を防止するために１５０℃以下とするのが好まし
い。この成膜温度は過度に低いと成膜速度が低下して成
膜効率が悪くなることから、特に１００〜１５０℃とす
るのが好ましい。
【００２９】なお、成膜圧力は１０ｔｏｒｒ以下とす
る。
る。
【００３０】このような本発明の方法によれば、通常の
場合、１５０℃以下の温度で１００〜５００ｎｍ／ｍｉ
ｎの成膜速度にて、不純物としての炭素含有量１重量％
以下の高純度Ｐｔ膜を形成することができる。
場合、１５０℃以下の温度で１００〜５００ｎｍ／ｍｉ
ｎの成膜速度にて、不純物としての炭素含有量１重量％
以下の高純度Ｐｔ膜を形成することができる。
【００３１】
【作用】本発明に係る有機Ｐｔ化合物であれば、従来の
光分解ＭＯＣＶＤ法に用いられている前記Ｐｔ（ｈｆａ
ｃ）2に比べて、波長２４０ｎｍの光照射により配位子
を分解させることなく低温で、Ｐｔと配位子間の結合が
切断され、高速にＰｔを析出することができる。
光分解ＭＯＣＶＤ法に用いられている前記Ｐｔ（ｈｆａ
ｃ）2に比べて、波長２４０ｎｍの光照射により配位子
を分解させることなく低温で、Ｐｔと配位子間の結合が
切断され、高速にＰｔを析出することができる。
【００３２】従って、波長２４０ｎｍ以上の光により前
記特定の有機Ｐｔ化合物を分解する本発明の光分解ＭＯ
ＣＶＤ法によれば、１５０℃以下の低温で高速成膜が可
能となり、配位子の分解による膜純度の悪化を防止し
て、高純度のＰｔ膜を効率的に成膜することができる。
記特定の有機Ｐｔ化合物を分解する本発明の光分解ＭＯ
ＣＶＤ法によれば、１５０℃以下の低温で高速成膜が可
能となり、配位子の分解による膜純度の悪化を防止し
て、高純度のＰｔ膜を効率的に成膜することができる。
【００３３】因みに、波長２４０ｎｍ未満の短波長光で
は、有機Ｐｔ化合物の配位子の分解を生起させ、得られ
るＰｔ膜中の炭素不純物量が増え、好ましくない。
は、有機Ｐｔ化合物の配位子の分解を生起させ、得られ
るＰｔ膜中の炭素不純物量が増え、好ましくない。
【００３４】請求項２の方法によれば、有機Ｐｔ化合物
の有効利用効率を上げて、Ｐｔ膜を効率的に成膜するこ
とができる。
の有効利用効率を上げて、Ｐｔ膜を効率的に成膜するこ
とができる。
【００３５】即ち、有機金属化合物ガスの成膜室への供
給方法としては、有機金属化合物を気化容器に入れ、こ
れを加熱気化しキャリアーガスと共に成膜室に導入する
方法と、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、
定量的に気化室に導入し、キャリアーガスと共に加熱、
気化させた後、成膜室に導入する液体供給法が知られて
いるが、後者の方法は、前者に比べ、気化時に分解する
有機金属化合物の量を減らし、有機金属化合物の利用率
を向上させることができ、その上、有機金属化合物ガス
の成膜室への供給量の定量性においても優れている。
給方法としては、有機金属化合物を気化容器に入れ、こ
れを加熱気化しキャリアーガスと共に成膜室に導入する
方法と、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、
定量的に気化室に導入し、キャリアーガスと共に加熱、
気化させた後、成膜室に導入する液体供給法が知られて
いるが、後者の方法は、前者に比べ、気化時に分解する
有機金属化合物の量を減らし、有機金属化合物の利用率
を向上させることができ、その上、有機金属化合物ガス
の成膜室への供給量の定量性においても優れている。
【００３６】しかしながら用いる有機溶媒によっては、
有機金属化合物の蒸発特性を妨げる溶媒、有機金属化合
物の光励起分解を妨げる溶媒、膜中に不純物として残り
やすい溶媒も有ることから、適切な有機金属化合物と溶
媒、成膜方法の組み合わせを選ぶことが必要となる。
有機金属化合物の蒸発特性を妨げる溶媒、有機金属化合
物の光励起分解を妨げる溶媒、膜中に不純物として残り
やすい溶媒も有ることから、適切な有機金属化合物と溶
媒、成膜方法の組み合わせを選ぶことが必要となる。
【００３７】請求項３、特に請求項４の方法によれば、
波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域に大きな吸収をもた
ず、不活性な溶媒を用いて、Ｐｔ膜中の不純物量を増や
すことなく安定かつ効率的な成膜を行え、また、これら
の溶媒を混合使用することにより、有機Ｐｔ化合物の蒸
発速度、Ｐｔ錯体の安定性を最適に調整することができ
る。
波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域に大きな吸収をもた
ず、不活性な溶媒を用いて、Ｐｔ膜中の不純物量を増や
すことなく安定かつ効率的な成膜を行え、また、これら
の溶媒を混合使用することにより、有機Ｐｔ化合物の蒸
発速度、Ｐｔ錯体の安定性を最適に調整することができ
る。
【００３８】請求項５の方法によれば、１５０℃以下の
反応温度で、高い成膜速度にて高純度なＰｔ膜を確実に
形成することができる。
反応温度で、高い成膜速度にて高純度なＰｔ膜を確実に
形成することができる。
【００３９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００４０】実施例１〜４ 図１に示す装置により、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法に
よりＰｔ膜の形成を行った。前記構造式で表される本発
明に係る有機Ｐｔ化合物を表２に示す有機溶媒に２０重
量％の割合で溶解した原料溶液を、０．１ｃｃ／ｍｉｎ
の流量で送給し、一方、キャリアーガスとしてＨ2を表
２に示す流量で送給し（配管１２の流量は６０ｓｃｃ
ｍ）、気化室において、表２に示す気化温度で気化させ
た後、蒸気を、基板としてＳｉ（１１１）基板を載置し
たチャンバー内に導入し、表２に示す基板温度及び圧力
にて表２に示す光を照射してＰｔ膜を形成した。
よりＰｔ膜の形成を行った。前記構造式で表される本発
明に係る有機Ｐｔ化合物を表２に示す有機溶媒に２０重
量％の割合で溶解した原料溶液を、０．１ｃｃ／ｍｉｎ
の流量で送給し、一方、キャリアーガスとしてＨ2を表
２に示す流量で送給し（配管１２の流量は６０ｓｃｃ
ｍ）、気化室において、表２に示す気化温度で気化させ
た後、蒸気を、基板としてＳｉ（１１１）基板を載置し
たチャンバー内に導入し、表２に示す基板温度及び圧力
にて表２に示す光を照射してＰｔ膜を形成した。
【００４１】成膜速度及び膜純度（炭素含有量（重量
％））は表２に示す通りであり、波長２４０ｎｍ以上の
光を照射する本発明の方法によれば１５０℃以下の低い
反応温度で高純度Ｐｔ膜を高い成膜速度にて形成するこ
とができることがわかる。
％））は表２に示す通りであり、波長２４０ｎｍ以上の
光を照射する本発明の方法によれば１５０℃以下の低い
反応温度で高純度Ｐｔ膜を高い成膜速度にて形成するこ
とができることがわかる。
【００４２】なお、実施例４においては、有機溶媒と有
機Ｐｔ化合物との適合性が十分でないために、膜純度が
若干劣るものとなっている。
機Ｐｔ化合物との適合性が十分でないために、膜純度が
若干劣るものとなっている。
【００４３】
【表２】
【００４４】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高純度Ｐｔ
膜の形成方法によれば、光を用いて、低い反応温度に
て、高純度Ｐｔ膜を容易かつ効率的に形成することがで
きる。特に、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、例
えば、レーザーのスキャニングによる直接描写やマスク
パターンの転写により、高純度Ｐｔの回路パターンを直
接基板上に容易かつ高精度に形成することができ、その
工業的有用性は極めて大である。
膜の形成方法によれば、光を用いて、低い反応温度に
て、高純度Ｐｔ膜を容易かつ効率的に形成することがで
きる。特に、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、例
えば、レーザーのスキャニングによる直接描写やマスク
パターンの転写により、高純度Ｐｔの回路パターンを直
接基板上に容易かつ高精度に形成することができ、その
工業的有用性は極めて大である。
【００４５】請求項２の方法によれば、有機Ｐｔ化合物
の高い有効利用効率のもとに、Ｐｔ膜の形成を行える。
の高い有効利用効率のもとに、Ｐｔ膜の形成を行える。
【００４６】請求項３、特に請求項４の方法によれば、
有機Ｐｔ化合物に最適な有機溶媒を用いて、効率的な成
膜を行え、また、蒸発速度のコントロール、有機Ｐｔ化
合物の安定性の適正化等も容易に行える。
有機Ｐｔ化合物に最適な有機溶媒を用いて、効率的な成
膜を行え、また、蒸発速度のコントロール、有機Ｐｔ化
合物の安定性の適正化等も容易に行える。
【００４７】請求項５の方法によれば、高純度のＰｔ膜
を確実に形成することができる。
を確実に形成することができる。
【図１】本発明の高純度Ｐｔ膜の形成方法の実施に好適
な装置の一例を示す構成図である。
な装置の一例を示す構成図である。
１ チャンバー ２ ヒーター ３ 基板 ４ 石英窓 ５ 光 ６ 圧力計 ７ ニードルバルブ ９ 原料容器 １０ 気化室 ２０ 恒温槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三 菱マテリアル株式会社中央研究所内 (56)参考文献 特開 平５−247650（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−132776（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−88239（ＪＰ，Ａ) ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．，Ｖ ＯＬ．53，ＮＯ．18，1988，1705−1707 ＮＥＷ．Ｊ．ＣＨＥＭ．，ＶＯＬ. 14，ＮＯ．６−７，1990，527−534 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 有機プラチナ化合物の蒸気の分解により
生じたプラチナを基板上に堆積させてプラチナ膜を形成
する方法において、 該有機プラチナ化合物として、下記構造式で表される化
合物を用いると共に、該有機プラチナ化合物の蒸気に波
長２４０ｎｍ以上の光を照射して該有機プラチナ化合物
を分解させることを特徴とする高純度プラチナ膜の形成
方法。 【化１】 - 【請求項２】 請求項１の方法において、有機プラチナ
化合物を有機溶媒に溶解した溶液をキャリアーガスと共
に加熱することにより該有機プラチナ化合物を気化さ
せ、これにより得られた有機プラチナ化合物の蒸気を、
内部に基板を載置した成膜室に導入すると共に、該有機
プラチナ化合物の蒸気に光を照射することを特徴とする
高純度プラチナ膜の形成方法。 - 【請求項３】 請求項２の方法において、該有機溶媒が
エーテル、脂肪族炭化水素或いはこれらの混合溶媒であ
ることを特徴とする高純度プラチナ膜の形成方法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、該有機溶媒が
テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグリム、ペンタ
ン、ヘキサン及びヘプタンよりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の混合溶媒であることを特徴とする高純度
プラチナ膜の形成方法。 - 【請求項５】 請求項２ないし４のいずれか１項の方法
において、成膜室及び基板の温度が１５０℃以下である
ことを特徴とする高純度プラチナ膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15586294A JP2800686B2 (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 高純度プラチナ膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15586294A JP2800686B2 (ja) | 1994-07-07 | 1994-07-07 | 高純度プラチナ膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0820870A JPH0820870A (ja) | 1996-01-23 |
| JP2800686B2 true JP2800686B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=15615137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-07-07 JP JP15586294A patent/JP2800686B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| ＡＰＰＬ．ＰＨＹＳ．ＬＥＴＴ．，ＶＯＬ．５３，ＮＯ．１８，１９８８，１７０５−１７０７ |
| ＮＥＷ．Ｊ．ＣＨＥＭ．，ＶＯＬ．１４，ＮＯ．６−７，１９９０，５２７−５３４ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0820870A (ja) | 1996-01-23 |
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