JPH0874055A - 高純度銀膜の形成方法 - Google Patents
高純度銀膜の形成方法Info
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- JPH0874055A JPH0874055A JP15931295A JP15931295A JPH0874055A JP H0874055 A JPH0874055 A JP H0874055A JP 15931295 A JP15931295 A JP 15931295A JP 15931295 A JP15931295 A JP 15931295A JP H0874055 A JPH0874055 A JP H0874055A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機Ａｇ化合物の蒸気を分解させてＡｇを基
板上に堆積させるＡｇ−ＭＯＣＶＤ法により、低い反応
温度により高純度Ａｇ膜を容易かつ効率的に形成する。 【構成】 有機Ａｇ化合物の蒸気に波長２４０ｎｍ以上
の光を照射して分解する。 【効果】 波長２４０ｎｍ以上の光により有機Ａｇ化合
物を分解する本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、２
００℃以下の温度での高速成膜が可能となり、従来の２
５０℃以上の高温高湿による熱分解ＭＯＣＶＤ法におけ
る問題点である、配位子の分解による膜純度の悪化や、
基板上でのＡｇの島状凝集による膜密度の低下を防止し
て、緻密で高純度のＡｇ膜を効率的に成膜することがで
きる。
板上に堆積させるＡｇ−ＭＯＣＶＤ法により、低い反応
温度により高純度Ａｇ膜を容易かつ効率的に形成する。 【構成】 有機Ａｇ化合物の蒸気に波長２４０ｎｍ以上
の光を照射して分解する。 【効果】 波長２４０ｎｍ以上の光により有機Ａｇ化合
物を分解する本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、２
００℃以下の温度での高速成膜が可能となり、従来の２
５０℃以上の高温高湿による熱分解ＭＯＣＶＤ法におけ
る問題点である、配位子の分解による膜純度の悪化や、
基板上でのＡｇの島状凝集による膜密度の低下を防止し
て、緻密で高純度のＡｇ膜を効率的に成膜することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高純度銀膜の形成方法に
係り、特に、半導体装置のコンタクトや配線等として用
いられる高純度Ａｇ薄膜を低い反応温度で形成する方法
に関する。
係り、特に、半導体装置のコンタクトや配線等として用
いられる高純度Ａｇ薄膜を低い反応温度で形成する方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置のコンタクトや配線等
として用いられるＡｇ薄膜は、真空蒸着法、スパッター
法等により形成されていた。また、有機金属化学蒸着法
(Metalorganic Chemical Vapor Deposition:以下「ＭＯ
ＣＶＤ法」と称す。）によるＡｇの成膜も試みられてい
る。従来のＡｇ−ＭＯＣＶＤ法では、有機Ａｇ化合物の
蒸気を熱により分解して基板上にＡｇを堆積させてい
る。
として用いられるＡｇ薄膜は、真空蒸着法、スパッター
法等により形成されていた。また、有機金属化学蒸着法
(Metalorganic Chemical Vapor Deposition:以下「ＭＯ
ＣＶＤ法」と称す。）によるＡｇの成膜も試みられてい
る。従来のＡｇ−ＭＯＣＶＤ法では、有機Ａｇ化合物の
蒸気を熱により分解して基板上にＡｇを堆積させてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の熱分解Ａｇ−Ｍ
ＯＣＶＤ法では、十分な成膜速度で成膜するためには、
反応温度２５０℃以上の高温を必要とし、配位子の分解
により生じる炭素が大量に膜中に取り込まれてしまうと
いう問題点があった(Neil H.Dryden,Jagadese J.Vitta
l,and Richard J.Puddephatt,Chem.Mater.1993,5,765-7
66.) 。また、このような高温での成膜では、基板上で
Ａｇが島状に凝集し易く、緻密な膜が得られないという
問題もある。
ＯＣＶＤ法では、十分な成膜速度で成膜するためには、
反応温度２５０℃以上の高温を必要とし、配位子の分解
により生じる炭素が大量に膜中に取り込まれてしまうと
いう問題点があった(Neil H.Dryden,Jagadese J.Vitta
l,and Richard J.Puddephatt,Chem.Mater.1993,5,765-7
66.) 。また、このような高温での成膜では、基板上で
Ａｇが島状に凝集し易く、緻密な膜が得られないという
問題もある。
【０００４】一方、有機金化合物の蒸気を波長３０８ｎ
ｍの光で励起分解して金を析出させる試みはあるが、下
記表１に示す如く、有機金化合物の化学形態、並びに、
有機金化合物の化学形態と光の波長及び強度との組み合
わせにより、得られる膜中不純物量は大きく変化するこ
とが報告されている(David Wexler,Jeffrey I.Zink,Lee
W.Tutt and Sharon R.Lunt,J.Phys Chem.,97,13563-13
567(1993))。
ｍの光で励起分解して金を析出させる試みはあるが、下
記表１に示す如く、有機金化合物の化学形態、並びに、
有機金化合物の化学形態と光の波長及び強度との組み合
わせにより、得られる膜中不純物量は大きく変化するこ
とが報告されている(David Wexler,Jeffrey I.Zink,Lee
W.Tutt and Sharon R.Lunt,J.Phys Chem.,97,13563-13
567(1993))。
【０００５】
【表１】
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、有機
Ａｇ化合物の蒸気を分解させてＡｇを基板上に堆積させ
るＡｇ−ＭＯＣＶＤ法により、低い反応温度により高純
度Ａｇ膜を容易かつ効率的に形成する方法を提供するこ
とを目的とする。
Ａｇ化合物の蒸気を分解させてＡｇを基板上に堆積させ
るＡｇ−ＭＯＣＶＤ法により、低い反応温度により高純
度Ａｇ膜を容易かつ効率的に形成する方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の高純度Ａｇ膜
の形成方法は、有機Ａｇ化合物の蒸気の分解により生じ
たＡｇを基板上に堆積させてＡｇ膜を形成する方法にお
いて、該有機Ａｇ化合物の蒸気に波長２４０ｎｍ以上の
光を照射して該有機Ａｇ化合物を分解させることを特徴
とする。
の形成方法は、有機Ａｇ化合物の蒸気の分解により生じ
たＡｇを基板上に堆積させてＡｇ膜を形成する方法にお
いて、該有機Ａｇ化合物の蒸気に波長２４０ｎｍ以上の
光を照射して該有機Ａｇ化合物を分解させることを特徴
とする。
【０００８】請求項２の高純度Ａｇ膜の形成方法は請求
項１の方法において、該有機Ａｇ化合物が下記一般式で
表される化合物であることを特徴とする。
項１の方法において、該有機Ａｇ化合物が下記一般式で
表される化合物であることを特徴とする。
【０００９】
【化２】
【００１０】（式中、Ｌは有機フォスフィン類、オレフ
ィン類、アルキン類、イソニトリル類を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 は、それぞれ独立してＣＦ3 又はＣ（ＣＨ3 ）3 を示
し、ｎは１〜４の整数を示す。） 請求項３の高純度Ａｇ膜の形成方法は、請求項１又は２
の方法において、有機Ａｇ化合物を有機溶媒に溶解した
溶液をキャリアーガスと共に加熱することにより該有機
Ａｇ化合物を気化させ、これにより得られた有機Ａｇ化
合物の蒸気を、内部に基板を載置した成膜室に導入する
と共に、該有機Ａｇ化合物の蒸気に光を照射することを
特徴とする。
ィン類、アルキン類、イソニトリル類を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 は、それぞれ独立してＣＦ3 又はＣ（ＣＨ3 ）3 を示
し、ｎは１〜４の整数を示す。） 請求項３の高純度Ａｇ膜の形成方法は、請求項１又は２
の方法において、有機Ａｇ化合物を有機溶媒に溶解した
溶液をキャリアーガスと共に加熱することにより該有機
Ａｇ化合物を気化させ、これにより得られた有機Ａｇ化
合物の蒸気を、内部に基板を載置した成膜室に導入する
と共に、該有機Ａｇ化合物の蒸気に光を照射することを
特徴とする。
【００１１】請求項４の高純度Ａｇ膜の形成方法は、請
求項３の方法において、該有機溶媒がアルコール、エー
テル、脂肪族炭化水素或いはこれらの混合溶媒であるこ
とを特徴とする。
求項３の方法において、該有機溶媒がアルコール、エー
テル、脂肪族炭化水素或いはこれらの混合溶媒であるこ
とを特徴とする。
【００１２】請求項５の高純度Ａｇ膜の形成方法は、請
求項４の方法において、該有機溶媒がエタノール、プロ
パノール、ブタノール、エチレングリコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジグリム、ペンタン、ヘキサ
ン及びヘプタンよりなる群から選ばれる１種又は２種以
上の混合溶媒であることを特徴とする。
求項４の方法において、該有機溶媒がエタノール、プロ
パノール、ブタノール、エチレングリコール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジグリム、ペンタン、ヘキサ
ン及びヘプタンよりなる群から選ばれる１種又は２種以
上の混合溶媒であることを特徴とする。
【００１３】請求項６の高純度Ａｇ膜の形成方法は、請
求項３ないし５のいずれか１項の方法において、成膜室
及び基板の温度が２００℃以下であることを特徴とす
る。
求項３ないし５のいずれか１項の方法において、成膜室
及び基板の温度が２００℃以下であることを特徴とす
る。
【００１４】以下に図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１５】図１は本発明の高純度Ａｇ膜の形成方法の
実施に好適な装置の一例を示す構成図である。
実施に好適な装置の一例を示す構成図である。
【００１６】図１中、１はチャンバー（成膜室）であ
り、内部にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が
載置される。また、チャンバー１の上部には石英窓４が
設けられており、光５を内部の基板３に向けて照射でき
るように構成されている。このチャンバー１内は圧力計
６及びニードルバルブ７を備える配管８により真空引き
される。
り、内部にヒーター２を有し、ヒーター２上に基板３が
載置される。また、チャンバー１の上部には石英窓４が
設けられており、光５を内部の基板３に向けて照射でき
るように構成されている。このチャンバー１内は圧力計
６及びニードルバルブ７を備える配管８により真空引き
される。
【００１７】９は原料容器であり、有機Ａｇ化合物を有
機溶媒に溶解した液が内蔵されている。１０は気化室で
ある。
機溶媒に溶解した液が内蔵されている。１０は気化室で
ある。
【００１８】１１，１２はキャリアーガスの導入管であ
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ａｇ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内において、光５を照射されることにより、原料有機Ａ
ｇ化合物の蒸気が光分解し、これにより発生したＡｇ
が、加熱された基板３上に堆積してＡｇ膜を形成する。
なお、１５，１６はガス流量調節装置、１７は溶液流量
調節装置であり、１８，１９はニードルバルブである。
原料容器９、気化室１０及び配管１３，１４等の蒸気発
生設備は、恒温槽２０内に設置されている。
り、導入管１１からのキャリアーガスは、原料容器９内
に導入され、原料溶液を配管１３より気化室１０に搬送
する。気化室で気化して蒸気となった有機Ａｇ化合物
は、更に、導入管１２からのキャリアーガスにより配管
１４を経てチャンバー１内に供給される。チャンバー１
内において、光５を照射されることにより、原料有機Ａ
ｇ化合物の蒸気が光分解し、これにより発生したＡｇ
が、加熱された基板３上に堆積してＡｇ膜を形成する。
なお、１５，１６はガス流量調節装置、１７は溶液流量
調節装置であり、１８，１９はニードルバルブである。
原料容器９、気化室１０及び配管１３，１４等の蒸気発
生設備は、恒温槽２０内に設置されている。
【００１９】このような本発明の方法において、用いる
波長２４０ｎｍ以上の紫外光の光源としては特に制限は
ないが、通常の場合、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等を光
源とする２４０〜３６０ｎｍ，１０〜１００Ｈｚ，１〜
５０ｍＪ／ｃｍ2 の光が好適に使用される。
波長２４０ｎｍ以上の紫外光の光源としては特に制限は
ないが、通常の場合、ＫｒＦ，ＸｅＣｌ，ＸｅＦ等を光
源とする２４０〜３６０ｎｍ，１０〜１００Ｈｚ，１〜
５０ｍＪ／ｃｍ2 の光が好適に使用される。
【００２０】光分解に用いる原料有機Ａｇ化合物として
は、下記一般式で表されるものが、紫外光照射により配
位子を分解させることなく、低温でＡｇと配位子との結
合が切断され、高速にＡｇを析出させることができ、低
温で高純度なＡｇを得ることができることから好まし
い。
は、下記一般式で表されるものが、紫外光照射により配
位子を分解させることなく、低温でＡｇと配位子との結
合が切断され、高速にＡｇを析出させることができ、低
温で高純度なＡｇを得ることができることから好まし
い。
【００２１】
【化３】
【００２２】（式中、Ｌは有機フォスフィン類、オレフ
ィン類、アルキン類、イソニトリル類を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 は、それぞれ独立してＣＦ3 又はＣ（ＣＨ3 ）3 を示
し、ｎは１〜４の整数を示す。） なお、Ｌの有機フォスフィン類としてはトリメチルホス
フィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン
等が、オレフィン類としてはトリメチルビニルシラン、
ビストリメチルビニルシラン、スチレン等が、アルキン
類としてはブチルトリメチルシリルアセチレン、ヘキシ
ン等が、イソニトリル類としては、ブチルイソシアニド
等が挙げられる。また、ｎは好ましくは１，４である。
ィン類、アルキン類、イソニトリル類を示し、Ｒ1 、Ｒ
2 は、それぞれ独立してＣＦ3 又はＣ（ＣＨ3 ）3 を示
し、ｎは１〜４の整数を示す。） なお、Ｌの有機フォスフィン類としてはトリメチルホス
フィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン
等が、オレフィン類としてはトリメチルビニルシラン、
ビストリメチルビニルシラン、スチレン等が、アルキン
類としてはブチルトリメチルシリルアセチレン、ヘキシ
ン等が、イソニトリル類としては、ブチルイソシアニド
等が挙げられる。また、ｎは好ましくは１，４である。
【００２３】上記一般式で表される有機Ａｇ化合物の具
体例としては、次のようなものが挙げられる。
体例としては、次のようなものが挙げられる。
【００２４】
【表２】
【００２５】また、このような有機Ａｇ化合物を溶解す
る有機溶媒としては、波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域
に大きな吸収をもたず、不活性な溶媒であることから、
エタノール、プロパノール（ｉｓｏ−プロパノール
等）、ブタノール（ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノー
ル等）、エチレングリコール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジグリム等のエー
テル、或いは、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪
族炭化水素が好ましく、これらの溶媒を適宜混合して用
いることにより、蒸発速度やＡｇ錯体の安定性の調整を
図ることも可能である。
る有機溶媒としては、波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域
に大きな吸収をもたず、不活性な溶媒であることから、
エタノール、プロパノール（ｉｓｏ−プロパノール
等）、ブタノール（ｎ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノー
ル等）、エチレングリコール等のアルコール、テトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）、ジオキサン、ジグリム等のエー
テル、或いは、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪
族炭化水素が好ましく、これらの溶媒を適宜混合して用
いることにより、蒸発速度やＡｇ錯体の安定性の調整を
図ることも可能である。
【００２６】本発明に係る有機Ａｇ化合物は、このよう
な有機溶媒に、５〜５０重量％程度の濃度で溶解して原
料溶液とするのが好ましく、気化温度５０〜１５０℃程
度で容易に気化させることができる。
な有機溶媒に、５〜５０重量％程度の濃度で溶解して原
料溶液とするのが好ましく、気化温度５０〜１５０℃程
度で容易に気化させることができる。
【００２７】一方、キャリアーガスとしてはＨ2 ，Ｈ
ｅ，Ａｒ等を用いることができる。
ｅ，Ａｒ等を用いることができる。
【００２８】原料溶液やキャリアーガスの流量は、その
他の温度や波長等の条件との組み合せで、必要とされる
成膜速度等に応じて適宜決定される。
他の温度や波長等の条件との組み合せで、必要とされる
成膜速度等に応じて適宜決定される。
【００２９】Ａｇ膜を形成させる基板は、用途に応じて
適宜選定され、通常の場合、半導体デバイス用途であれ
ばＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板等を、また、フ
ォトマスク用途であれば、石英ガラス基板等を用いるこ
とができる。
適宜選定され、通常の場合、半導体デバイス用途であれ
ばＳｉ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板等を、また、フ
ォトマスク用途であれば、石英ガラス基板等を用いるこ
とができる。
【００３０】本発明においては、基板及び成膜室内の温
度は、有機Ａｇ化合物の配位子の分解によるＡｇ膜純度
の低下及びＡｇ析出時の島状凝集による緻密度の低下を
防止するために２００℃以下とするのが好ましい。この
成膜温度は過度に低いと成膜速度が低下して成膜効率が
悪くなることから、特に１００〜１８０℃とするのが好
ましい。
度は、有機Ａｇ化合物の配位子の分解によるＡｇ膜純度
の低下及びＡｇ析出時の島状凝集による緻密度の低下を
防止するために２００℃以下とするのが好ましい。この
成膜温度は過度に低いと成膜速度が低下して成膜効率が
悪くなることから、特に１００〜１８０℃とするのが好
ましい。
【００３１】なお、成膜圧力は１０ｔｏｒｒ以下とす
る。
る。
【００３２】このような本発明の方法によれば、通常の
場合、２００℃以下の温度で５００〜７００ｎｍ／ｍｉ
ｎの成膜速度にて、不純物としての炭素含有量１重量％
以下の高純度かつ緻密なＡｇ膜を形成することができ
る。
場合、２００℃以下の温度で５００〜７００ｎｍ／ｍｉ
ｎの成膜速度にて、不純物としての炭素含有量１重量％
以下の高純度かつ緻密なＡｇ膜を形成することができ
る。
【００３３】
【作用】波長２４０ｎｍ以上の光により有機Ａｇ化合物
を分解する本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、２０
０℃以下の温度での高速成膜が可能となり、従来の２５
０℃以上の高温反応による熱分解ＭＯＣＶＤ法における
問題点である、配位子の分解による膜純度の悪化や、基
板上でのＡｇの島状凝集による膜密度の低下を防止し
て、緻密で高純度のＡｇ膜を効率的に成膜することがで
きる。
を分解する本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によれば、２０
０℃以下の温度での高速成膜が可能となり、従来の２５
０℃以上の高温反応による熱分解ＭＯＣＶＤ法における
問題点である、配位子の分解による膜純度の悪化や、基
板上でのＡｇの島状凝集による膜密度の低下を防止し
て、緻密で高純度のＡｇ膜を効率的に成膜することがで
きる。
【００３４】因みに、波長２４０ｎｍ未満の短波長光で
は、有機Ａｇ化合物の配位子（β−ジケトン配位子）の
分解を生起させ、得られるＡｇ膜中の炭素不純物量が増
え、好ましくない。
は、有機Ａｇ化合物の配位子（β−ジケトン配位子）の
分解を生起させ、得られるＡｇ膜中の炭素不純物量が増
え、好ましくない。
【００３５】請求項２の方法によれば、前記特定の有機
Ａｇ化合物により、光の照射により配位子を分解させる
ことなく、低温にて、Ａｇと配位子との結合のみを高速
で切断してＡｇを析出させることができ、高純度Ａｇ膜
を低温にて効率的に形成することができる。
Ａｇ化合物により、光の照射により配位子を分解させる
ことなく、低温にて、Ａｇと配位子との結合のみを高速
で切断してＡｇを析出させることができ、高純度Ａｇ膜
を低温にて効率的に形成することができる。
【００３６】請求項３の方法によれば、有機Ａｇ化合物
の有効利用効率を上げて、Ａｇ膜を効率的に成膜するこ
とができる。
の有効利用効率を上げて、Ａｇ膜を効率的に成膜するこ
とができる。
【００３７】即ち、有機金属化合物ガスの成膜室への供
給方法としては、有機金属化合物を気化容器に入れ、こ
れを加熱気化しキャリアーガスと共に成膜室に導入する
方法と、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、
定量的に気化室に導入し、キャリアーガスと共に加熱、
気化させた後、成膜室に導入する液体供給法が知られて
いるが、後者の方法は、前者に比べ、気化時に分解する
有機金属化合物の量を減らし、有機金属化合物の利用率
を向上させることができ、その上、有機金属化合物ガス
の成膜室への供給量の定量性においても優れている。
給方法としては、有機金属化合物を気化容器に入れ、こ
れを加熱気化しキャリアーガスと共に成膜室に導入する
方法と、有機金属化合物を有機溶媒に溶解した溶液を、
定量的に気化室に導入し、キャリアーガスと共に加熱、
気化させた後、成膜室に導入する液体供給法が知られて
いるが、後者の方法は、前者に比べ、気化時に分解する
有機金属化合物の量を減らし、有機金属化合物の利用率
を向上させることができ、その上、有機金属化合物ガス
の成膜室への供給量の定量性においても優れている。
【００３８】しかしながら用いる有機溶媒によっては、
有機金属化合物の蒸発特性を妨げる溶媒、有機金属化合
物の光励起分解を妨げる溶媒、膜中に不純物として残り
やすい溶媒も有ることから、適切な有機金属化合物と溶
媒、成膜方法の組み合わせを選ぶことが必要となる。
有機金属化合物の蒸発特性を妨げる溶媒、有機金属化合
物の光励起分解を妨げる溶媒、膜中に不純物として残り
やすい溶媒も有ることから、適切な有機金属化合物と溶
媒、成膜方法の組み合わせを選ぶことが必要となる。
【００３９】請求項４、特に請求項５の方法によれば、
波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域に大きな吸収をもた
ず、不活性な溶媒を用いて、Ａｇ膜中の不純物量を増や
すことなく安定かつ効率的な成膜を行え、また、これら
の溶媒を混合使用することにより、有機Ａｇ化合物の蒸
発速度、Ａｇ錯体の安定性を最適に調整することができ
る。
波長２４０ｎｍ以上の紫外線領域に大きな吸収をもた
ず、不活性な溶媒を用いて、Ａｇ膜中の不純物量を増や
すことなく安定かつ効率的な成膜を行え、また、これら
の溶媒を混合使用することにより、有機Ａｇ化合物の蒸
発速度、Ａｇ錯体の安定性を最適に調整することができ
る。
【００４０】請求項６の方法によれば、２００℃以下の
反応温度で、緻密で高純度なＡｇ膜を確実に形成するこ
とができる。
反応温度で、緻密で高純度なＡｇ膜を確実に形成するこ
とができる。
【００４１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００４２】実施例１〜２０，比較例１〜５ 図１に示す装置により、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法に
よりＡｇ膜の形成を行った。表３〜５に示す有機Ａｇ化
合物を表３〜５に示す有機溶媒に１０重量％の割合で溶
解した原料溶液を、０．１ｃｃ／ｍｉｎの流量で送給
し、一方、キャリアーガスとしてＨ2 を６０ｓｃｃｍの
流量で送給し、気化室において、表３〜５に示す気化温
度で気化させた後、蒸気を、基板としてＳｉ（１１１）
基板（実施例１〜１０及び比較例１〜５）又はＳｉ（１
１０）基板（実施例１１〜２０）を載置したチャンバー
内に導入し、表３〜５に示す基板温度及び圧力にて表３
〜５に示す光を照射してＡｇ膜を形成した。
よりＡｇ膜の形成を行った。表３〜５に示す有機Ａｇ化
合物を表３〜５に示す有機溶媒に１０重量％の割合で溶
解した原料溶液を、０．１ｃｃ／ｍｉｎの流量で送給
し、一方、キャリアーガスとしてＨ2 を６０ｓｃｃｍの
流量で送給し、気化室において、表３〜５に示す気化温
度で気化させた後、蒸気を、基板としてＳｉ（１１１）
基板（実施例１〜１０及び比較例１〜５）又はＳｉ（１
１０）基板（実施例１１〜２０）を載置したチャンバー
内に導入し、表３〜５に示す基板温度及び圧力にて表３
〜５に示す光を照射してＡｇ膜を形成した。
【００４３】成膜速度、膜純度（炭素含有量（重量
％））及び膜のモルフォロジーは表３〜５に示す通りで
あり、波長２４０ｎｍ以上の光を照射する本発明の方法
によれば２００℃以下の低い反応温度で高純度で緻密な
Ａｇ膜を高い成膜速度にて形成することができることが
わかる。
％））及び膜のモルフォロジーは表３〜５に示す通りで
あり、波長２４０ｎｍ以上の光を照射する本発明の方法
によれば２００℃以下の低い反応温度で高純度で緻密な
Ａｇ膜を高い成膜速度にて形成することができることが
わかる。
【００４４】一方、波長２４０ｎｍ未満の光を用いた比
較例１〜５では、高純度Ａｇ膜を形成することはできな
かった。
較例１〜５では、高純度Ａｇ膜を形成することはできな
かった。
【００４５】
【表３】
【００４６】
【表４】
【００４７】
【表５】
【００４８】比較例６〜１５ 光の照射を行わず、表６に示す条件を採用したこと以外
は実施例１と同様に行って、有機Ａｇ化合物の熱分解Ｍ
ＯＣＶＤ法によるＡｇ膜の形成を行った。
は実施例１と同様に行って、有機Ａｇ化合物の熱分解Ｍ
ＯＣＶＤ法によるＡｇ膜の形成を行った。
【００４９】成膜速度、膜純度（炭素含有量（重量
％））及び膜のモルフォロジーは表６に示す通りであ
り、熱分解ＭＯＣＶＤ法では得られる膜の純度が低く、
膜の緻密性も劣り、特に、基板温度を下げた場合には成
膜速度が著しく悪くなることがわかる。
％））及び膜のモルフォロジーは表６に示す通りであ
り、熱分解ＭＯＣＶＤ法では得られる膜の純度が低く、
膜の緻密性も劣り、特に、基板温度を下げた場合には成
膜速度が著しく悪くなることがわかる。
【００５０】
【表６】
【００５１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高純度Ａｇ
膜の形成方法によれば、光を用いて、低い反応温度に
て、高純度で緻密なＡｇ膜を容易かつ効率的に形成する
ことができる。特に、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によ
れば、例えば、レーザーのスキャニングによる直接描写
やマスクパターンの転写により、高純度で緻密なＡｇの
回路パターンを直接基板上に容易かつ高精度に形成する
ことができ、その工業的有用性は極めて大である。
膜の形成方法によれば、光を用いて、低い反応温度に
て、高純度で緻密なＡｇ膜を容易かつ効率的に形成する
ことができる。特に、本発明の光分解ＭＯＣＶＤ法によ
れば、例えば、レーザーのスキャニングによる直接描写
やマスクパターンの転写により、高純度で緻密なＡｇの
回路パターンを直接基板上に容易かつ高精度に形成する
ことができ、その工業的有用性は極めて大である。
【００５２】請求項２の方法によれば、著しく純度の高
いＡｇ膜を高い成膜速度にて確実に形成することができ
る。
いＡｇ膜を高い成膜速度にて確実に形成することができ
る。
【００５３】請求項３の方法によれば、有機Ａｇ化合物
の高い有効利用効率のもとに、Ａｇ膜の形成を行える。
の高い有効利用効率のもとに、Ａｇ膜の形成を行える。
【００５４】請求項４、特に請求項５の方法によれば、
有機Ａｇ化合物に最適な有機溶媒を用いて、効率的な成
膜を行え、また、蒸発速度のコントロール、有機Ａｇ化
合物の安定性の適正化等も容易に行える。
有機Ａｇ化合物に最適な有機溶媒を用いて、効率的な成
膜を行え、また、蒸発速度のコントロール、有機Ａｇ化
合物の安定性の適正化等も容易に行える。
【００５５】請求項６の方法によれば、緻密かつ高純度
のＡｇ膜を確実に形成することができる。
のＡｇ膜を確実に形成することができる。
【図１】本発明の高純度Ａｇ膜の形成方法の実施に好適
な装置の一例を示す構成図である。
な装置の一例を示す構成図である。
１ チャンバー ２ ヒーター ３ 基板 ４ 石英窓 ５ 光 ６ 圧力計 ７ ニードルバルブ ９ 原料容器 １０ 気化室 ２０ 恒温槽
フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 有機銀化合物の蒸気の分解により生じた
銀を基板上に堆積させて銀膜を形成する方法において、 該有機銀化合物の蒸気に波長２４０ｎｍ以上の光を照射
して該有機銀化合物を分解させることを特徴とする高純
度銀膜の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法において、該有機銀化合
物が下記一般式で表される化合物であることを特徴とす
る高純度銀膜の形成方法。 【化１】 （式中、Ｌは有機フォスフィン類、オレフィン類、アル
キン類、イソニトリル類を示し、Ｒ1 、Ｒ2 は、それぞ
れ独立してＣＦ3 又はＣ（ＣＨ3 ）3 を示し、ｎは１〜
４の整数を示す。） - 【請求項３】 請求項１又は２の方法において、有機銀
化合物を有機溶媒に溶解した溶液をキャリアーガスと共
に加熱することにより該有機銀化合物を気化させ、これ
により得られた有機銀化合物の蒸気を、内部に基板を載
置した成膜室に導入すると共に、該有機銀化合物の蒸気
に光を照射することを特徴とする高純度銀膜の形成方
法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、該有機溶媒が
アルコール、エーテル、脂肪族炭化水素或いはこれらの
混合溶媒であることを特徴とする高純度銀膜の形成方
法。 - 【請求項５】 請求項４の方法において、該有機溶媒が
エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリ
コール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジグリム、
ペンタン、ヘキサン及びヘプタンよりなる群から選ばれ
る１種又は２種以上の混合溶媒であることを特徴とする
高純度銀膜の形成方法。 - 【請求項６】 請求項３ないし５のいずれか１項の方法
において、成膜室及び基板の温度が２００℃以下である
ことを特徴とする高純度銀膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15931295A JPH0874055A (ja) | 1994-07-07 | 1995-06-26 | 高純度銀膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15586194 | 1994-07-07 | ||
| JP6-155861 | 1994-07-07 | ||
| JP15931295A JPH0874055A (ja) | 1994-07-07 | 1995-06-26 | 高純度銀膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0874055A true JPH0874055A (ja) | 1996-03-19 |
Family
ID=26483769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15931295A Withdrawn JPH0874055A (ja) | 1994-07-07 | 1995-06-26 | 高純度銀膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0874055A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100772790B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법 |
| US7838073B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-11-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
| CN115955893A (zh) * | 2023-03-15 | 2023-04-11 | 南京迪视泰光电科技有限公司 | 一种含有Ag电极的OLED器件的制备方法 |
-
1995
- 1995-06-26 JP JP15931295A patent/JPH0874055A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100772790B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2007-11-01 | 삼성전자주식회사 | 금속 패턴 형성용 유기금속 전구체 및 이를 이용한 금속패턴 형성방법 |
| US7838073B2 (en) | 2003-10-14 | 2010-11-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| US9012876B2 (en) | 2010-03-26 | 2015-04-21 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9190609B2 (en) | 2010-05-21 | 2015-11-17 | Entegris, Inc. | Germanium antimony telluride materials and devices incorporating same |
| US9640757B2 (en) | 2012-10-30 | 2017-05-02 | Entegris, Inc. | Double self-aligned phase change memory device structure |
| CN115955893A (zh) * | 2023-03-15 | 2023-04-11 | 南京迪视泰光电科技有限公司 | 一种含有Ag电极的OLED器件的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |