JP2002544116A - 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置 - Google Patents

基板上に材料をエピタキシャル成長させるための方法と装置

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 基板(1) 上に材料をエピタキシャル成長させる方法である。前記方法が、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核種を生成することを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術とその課題】
従来の方法は一般に有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）エピタキシャル反応
装置を利用する。このような反応では、成長させる元素を含む前駆物質を、加熱
したウェーハ・キャリヤー上に保持されたウェーハのような基板上に供給する。
熱は前駆物質まで移動し、その前駆物質は発生期原子(nascent atom)に分解また
は分離して、基板の表面で結合する。典型的な例では、水素と一緒にトリメチル
ガリウムとアンモニアを基板に供給して、窒化ガリウム層を形成する。
【０００３】 既知の反応装置の持つ問題点は、前駆物質が理想的な成長温度に比べかなり高
い分解温度を持つことである。例えば、アンモニアは、効率的に分解するために
は一般に最大１０００℃またはそれ以上の温度を必要とするが、理想的な成長温
度は約６５０℃である。
【０００４】 従来の反応装置の持つ問題点は、ウェーハ・キャリヤが基板を、一般に理想的
成長温度（この例では、６５０℃）であるとして選択される比較的安定した温度
に維持することである。アンモニアのようなV族の前駆物質は、この温度におい
て、分解効率が非常に低い。
【０００５】 特開昭５８−１２５６９８号と特開昭５８−１４０３９１号は、前駆物質と分
解核種のガス混合物を使用して、ＩｎＰを基板上に成長させる方法を開示してい
る。特開平４−０７４８５８号と特開平５−３３５６２２号は、別の高真空蒸着
プロセスを開示しており、そこでは分解核種が前駆物質雰囲気内で反応する。こ
の点で、前記問題点ヘの対処は、離れた位置で1 つの前駆物質を分解し、次に、
蒸着に先だって、分解核種を別の前駆物質およびそれらの分解核種と混合するこ
によりなされる。しかし、依然として残っている問題点は、混合における望まし
くない反応の発生であり、それによりプロセスの全体効率が低下する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの構成によれば、基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法
は、基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にま
で個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域において結
合する核種を生成することを含む。
【０００７】 既知の方法と異なり、発明者らは、基板の一つの領域、またはその近傍におい
て前駆物質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱する、また前記領域は核種が
結合する成長領域を構成する。この方法では、各前駆物質をそれの最も効率の高
い分解（クラッキング）温度に加熱でき、一方で、このプロセスを、基板表面に
到達する前に発生期原子が再結合するリスクを最小にする領域の近傍で実行でき
る。
【０００８】 前駆物質の分解により形成される核種は反応性が高く、すぐにより安定性の高
い生成物を形成する。核種が別の反応に関係する確率は、時間と濃度の関数であ
る。成長領域近傍の前駆物質を分解することにより、形成された核種は、望まし
くない反応生成物を形成することなく、基板上の成長した領域に結合するのを促
進される。成長領域に極めて近い位置での前駆物質の分解は、望ましくない反応
が発生する可能性のある時間長さを短くする。
【０００９】 好ましくは、各前駆物質からの核種は、順次に、個々に成長領域に供給される
。核種を前記領域に個々に供給するには、基板を移動して、前駆物質の分解が発
生する位置に対し前記領域を移動させることにより可能になる。一般に前駆物質
の少なくとも１つが、ガス流として前記領域に単体で供給される。
【００１０】 好ましくは、核種はIII族およびV族の元素から選択される。代替方法では、シ
リコンおよび炭素のようなIV族の元素を使用することもできる。
【００１１】 好ましい例では、前駆物質の１つ、好ましくは最低の分解温度を持つ前駆物質
を、基板を加熱することにより分解温度に加熱する。この好ましい例では、別の
前駆物質が、成長領域近傍の位置でその前駆物質の分解温度に加熱される。した
がって、基板は５５０〜８００℃、例えば６５０℃に加熱でき、一方で他の前駆
物質が、直接または触媒の存在中でその前駆物質の最適分解温度に加熱される。
一般に、この温度は４００〜１８００℃の範囲である。
【００１２】 本発明の第２の構成によれば、基板上に材料をエピタキシャル成長させるため
の装置は、基板支持体を含むチャンバを備える。このチャンバは、第１前駆物質
を供給するための第１注入口と、第１注入口から離れた、第２前駆物質を供給す
るための第２注入口とを有する。さらに、この装置は、前記第１と第２前駆物質
を、基板の一領域またはその近傍において、それぞれの分解温度にまで個々に加
熱して、前記領域において結合する核種を生成するための第１と第２加熱手段を
有する。
【００１３】 好ましくは、第２注入口が基板支持体に近接して配置される供給管で形成され
る。これにより、第２前駆物質を基板近くに導くのに都合のよい方法を実現する
。
【００１４】 第２注入口は、例えば円形孔またはこれに近い形の各種の形態にできるが、細
長いスロット（孔）の形態が望ましい。
【００１５】 第２加熱手段は、前記スロットの上流に間隔を空けて設けることもできるが、
スロット内またはそれの近くに設けるのが好都合である。
【００１６】 一般に供給管は、石英、窒化シリコン（ＳｉＮ）、またはアルミナなどの耐熱
材料で製作される。一方、好ましくは第２注入口は、例えば２ｍｍの横断寸法を
持つ噴射開口を形成する。
【００１７】 好ましくは第２注入口は、前駆物質の流出口方向を、基板支持体に対し鋭角に
なるように形成され、これによりベンチュリ効果が発生して、遠隔源から供給さ
れる水素のような他のガスが供給管の下を通過するのを促進させる。
【００１８】 一般に第２加熱手段は加熱ワイヤの形態であり、例えば鉄、ニッケル、アルミ
ニウム、プラチナ、またはそれらの合金、特にプラチナ−ロジウムから製作され
る。加熱ワイヤは一般にコイル状である。
【００１９】 大部分の用途では、エピタキシャル成長を基板上の比較的大きい領域に拡大す
るのが望まれる。これには基板上全域で領域を移動させる、例えば基板支持体と
少なくとも１つの注入口との間に相対的移動を生じさせる手段を設けることによ
り、最も都合よく達成される。
【００２０】 さらに、本発明は、単一基板上に単一領域を設けることのみに限定されない。
例えば、複数の供給管を備えて、供給管と基板支持体を相対的に移動可能で、供
給管を異なる領域に位置合わせできるようにして、同一または異なる前駆物質を
基板上の各領域に供給してもよい。供給管は、前駆物質を個々に、かつ順次に前
記領域に供給するように配置してもよい。
【００２１】 つぎに、本発明による方法と装置のいくつかの例を、添付の図面により説明す
る。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１に示す反応装置は反応チャンバ４を含み、その内部に基板支持体（ウェー
ハ・キャリヤ）２を保持する基板キャリヤ（サスセプタ）３を備える。図１では
、基板（ウェーハ）１が基板支持体２上の所定の位置にある状態を示している。
基板キャリヤ３は従来の方法、例えば誘導、赤外線または抵抗加熱方式によって
加熱されるグラファイト・ブロックにできる。
【００２３】 第１注入口６は反応チャンバ４の側壁に備えられ、一方、ガス・デフレクタ（
偏向板）７は反応チャンバ内に取り付けられ、注入口６から流入する前駆物質ガ
ス５をウェーハ１方向に誘導する。
【００２４】 供給管である噴射管９は反応チャンバ４を横切って延びており、例えば細長い
スロット１０を持つ石英の耐熱管の形態であり、第２注入口であるスロット１０
はウェーハ・キャリヤ２上で前記管の長さ方向に延びる噴射開口を形成している
( 図２参照) 。
【００２５】 直線ワイヤまたはコイル１１がスロット１０内に保持され、加熱エレメントを
形成している。
【００２６】 使用の際、基板１は基板支持体２上に置かれ、反応チャンバ４が閉じ、その後
チャンバ内の圧力が適正（一般に５〜１０００ｔｏｒｒ）に調整される。通常、
ウェーハ材料は、材料のエピタキシャル成長を促進するように選択され、またサ
ファイヤ、ＧａＮ、ＧａＡｓ，ＳｉＣ、またはＺｎＯを含むことができる。
【００２７】 １つまたは複数の反応性前駆物質ガス５が注入口６からチャンバ内に導入され
る。反応性ガスの例には、堆積層の必要な組成に依存して、トリメチルガリウム
（Ｇａ蒸着用）、トリメチルインジウム（インジウム蒸着用）その他を含む。こ
のような混合物は半導体ドーパント（dopant：少量の不純物）用の前駆物質を含
むものでもよい。また混合物５に水素などのガスを加えて、前駆物質の解離時に
生成された遊離基を安定化する。
【００２８】 基板キャリヤ３が加熱されることにより、基板キャリヤ３に近接している基板
１と基板支持体２も加熱されて、基板１が適正な成長温度（すなわち注入口６か
ら導入される前駆物質５が最も効率的に分解される温度）に到達する。ＧａＮの
成長に適する温度は６００〜８００℃の範囲である。
【００２９】 第２前駆物質ガス８（この例ではアンモニア）は、加圧された管９に沿って供
給され、噴射スロット１０を通り噴射されて加熱ワイヤ１１を通過する。ワイヤ
１１は一般に、アンモニアを分解してＮとＨ遊離基を発生させるのに最適の４０
０〜１８００℃の温度に加熱される。図２では、スロット１０をウェーハ１の主
面の法線に対して傾斜させ、ベンチュリ効果により、注入口６から導入されるガ
スを矢印３０で示されるように管９の下に引き込むようにしている。
【００３０】 前駆物質ガス５は、基板１に達すると、従来の方法で分解され、その結果得ら
れた核種（例えばＧａ原子）がガス８からの窒素基と結合し、基板１上に窒化ガ
リウムのエピタキシャル成長を発生させる。
【００３１】 好ましくはワイヤ１１をプラチナ−ロジウム合金のような触媒材料から製作し
、この合金の場合には、一般に６００〜７００℃の範囲に加熱する。これは、ワ
イヤ・エレメントがフィラメント・ワイヤの形態の場合には、電気抵抗加熱によ
り達成される。ワイヤ１１と基板１の間の距離は短くして、前駆物質８からの最
大量の分解生成物が基板表面で前駆物質混合物５と反応するようにする。この最
適距離は混合物５の流量によっても影響され、ＧａＮの生成におけるアンモニア
に対する典型的な条件では、０．３５ｍ／ｓｅｃの流速に対しては約５ｍｍの距
離である。
【００３２】 基板上への第２前駆物質ガス核種の噴射は、噴流がガス遮蔽として作用し、前
駆物質ガス５とその分解生成物を一掃し、基板上に付着させない利点を備える。
これにより、窒素基および水素基を高濃度で基板に到達させ、それらが基板に到
達する前に、前駆物質ガス５またはその分解核種と混合しないようにできる。し
たがってこの例では、各前駆物質の核種を基板表面に個々に付着させることがで
きる。
【００３３】 成長面積を制御するために、基板支持体２が基板キャリヤ３に移動可能に取り
付けられ、管９の下に矢印３１で示された方向、つまり管９の横方向に移動（手
段は示していない）できる。この移動により、各前駆物質からの核種は、他の前
駆物質またはその分解核種と混合することなく、順次、任意の順序で、個々に基
板表面に到達できる。
【００３４】 このプロセスを繰返して、別の層をウェーハ上に重ねて置き、異なる寸法、ド
ーパント、または組成の材料を含む多層ウェーハを生成できる。
【００３５】 廃ガスは最終的に流出口３３から排出される。
【００３６】 本発明の用途はマイクロ波デバイスおよびオプトエレクトロニクス・デバイス
の製作である。これらのデバイスは異なる電気特性を持つ異なる材料の複数の層
を重ねて形成する。これらの層の構成が、そのデバイスがマイクロ波または光放
射、すなわち電界効果トランジスタまたは発光ダイオード用かどうかを決定する
。最適性能を得るために、層は可能な限り最も理想的は温度で成長する必要があ
る。この温度は使用される材料と製作されるデバイスに依存して変化する。本発
明の利点は、材料の成長温度が、アンモニアのような前駆材料を分解するための
高温度を持つ必要性に合わせなくてもよいことである。都合のよいことは、本発
明は、ジシクロペンタジエニルマグネシウムのような、ガス相において不適合な
前駆物質、（例えばアンモニアからV族の核種を持つ低蒸気圧付加体を形成する
前駆物質）を使用できる可能性を提供する。
【００３７】 図４に本発明の第２実施形態を示す。この場合、反応チャンバ４’はセル・ブ
ロック端部６１に取り付けたほぼ円形断面の管状の石英外側セル６０を備える。
外側セル内に、ほぼ正方形の管状断面の内側セル６５が配置されている。取外し
可能なモリブデンのキャリヤ・プレート６６が内側セル６５内に置かれている。
キャリヤ・プレート６６は内側セル６５の底面に沿った方向に突出している。加
熱手段（図示なし）を備えた基板キャリヤ３はキャリヤ・プレート６６上に置か
れている。さらに、自己保持型の石英ガス・デフレクタ７’がキャリヤ・プレー
ト６６上に配置されている。ガスの流出孔６７がセル・ブロック端部６１を貫通
して設けられている。
【００３８】 噴射管９はセル・ブロック端部６１を貫通してセルに入り、図１に示す例とは
異なり、ガスの主流の方向（図４に矢印で示される）にほぼ平行な方向に置かれ
、基板１全体の中間点まで延びているだけである。細長いスロット１０と加熱エ
レメント１１（図２）は適正な寸法とされ、基板１の外側縁と中心の間の領域に
堆積物を生成する。この場合、基板支持体２は基板キャリヤ３にある凹所７０内
に配置される。基板支持体自体も凹所７１を含み、蒸着中はその凹所内に基板１
が置かれている。凹所１と基板１の両方の寸法は、基板１の上面と基板支持体２
が基板キャリヤ３の上面とほぼ面一になる寸法である。基板支持体２はシャフト
７５上方に取り付けられ、そのシャフト７５は下方からセルに入り、基板キャリ
ヤ３、キャリヤ・プレート６６、およびセル壁６０、６５の孔を貫通している。
セル壁６０、６５は適正なガス・シールを備えて、セルの気密を維持している。
シャフトの下端はモータ８０または他の適正な回転手段に取り付けられている。
【００３９】 動作中、外側および内側セル６０、６５の両方は排気され、内側セル壁６５の
内外の圧力差を減少している。前の例と同様に、１つまたは複数の前駆物質ガス
が図の右の注入口（図示なし）から内側セルに入る。材料の堆積物が同様な方法
で生成される。しかしここでは、モータによるシャフトの回転（図４で矢印７６
で示す）により、噴射管９に対して往復運動ではなく、相対回転が発生する。
【００４０】 この例では、噴射管９とシャフト７５は装置から取外し可能であり、キャリヤ
・プレート６６、ガス・デフレクタ７’、基板キャリヤ・アセンブリをスライド
させて取外しできる。
【００４１】 図５は、チャンバ（図示なし）内の加熱されたサスセプタ（基板キャリア）１
８上に取り付けられた複数の基板１７上に材料を成長させる装置を示す。管１９
とサスセプタ１８の一方または両方が回転する。半導体ウェーハの各層は、管９
と同様に、サスセプタの中心から噴射する複数の前駆物質供給管１９を使用して
順次堆積できる。１つの例では、供給管を図のようにグループ化して、両方の反
応核種に対する前駆物質を同時に単一領域に導くようにする。基板１７は管１９
と基板１７の相対移動により、供給管１９に近接する位置に順次移動される。こ
の例では、水素、窒素、アルゴン、または他の適正な掃気用ガスを基板支持体の
中心でシステムに導入し、前駆物質の１つに直接供給するのではなく、径方向外
方に向けて流す。この流れにより、使用済み反応生成物を一掃する。
【００４２】 図６に示す代替例では、管１９ａ，１９ｂは個々に前駆物質を成長領域に順次
供給する、各基板１７と各前駆物質管の速い相対移動により、各核種の供給の時
間間隔は短くなる。したがって、前駆物質からの核種が、他の前駆物質またはそ
の前駆物質自体からの核種と反応することなく、基板に到達できるので、蒸着プ
ロセスの効率が高くなる。
【００４３】 管１９ａと１９ｂは、環状サスセプタ１８の外周から前駆物質を供給する。基
板１７は、環状サスセプタ１８の表面に円周方向に並んで配置される。１つまた
は複数の管に、１つまたは複数の供給された前駆物質を分解するための手段を装
着できることは明らかである。
【００４４】 この例では、管の各々が別個の前駆物質をそれぞれの温度で分解するための加
熱ワイヤを装備している。管１９ａはV族の前駆物質アンモニアを供給し、管１
９ｂはIII族の前駆物質トリメチルガリウムを供給する。基板１７も前の例と同
様な方法で加熱される、加熱により堆積される材料の均一性を保証する。
【００４５】 この装置は特に、各基板の近くで化学物質のガス流れを切り換えることなく、
大量にデバイスを製造するために、装置をスケールアップできる利点がある。こ
れは、環状サスセプタ１８の半径を増加させて、より多くの基板をサセプタの周
囲に配置させ、それに合わせて、より多くの数の管１９ａと１９ｂを備えること
により達成できる。さらに、異なるサイズの基板を使用することもできる。
【００４６】 図６では示していないが、この例では水素の径方向流れも提供されている。代
替方法では、窒素またはアルゴンなどの他のガスも使用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態に係る装置の断面図である。
【図２】 図１に示す装置の一部の拡大断面図である。
【図３】 図１に示す装置の一部の底面図である。
【図４】 第２実施形態に係る装置の断面図である。
【図５】 第２実施形態の平面図である。
【図６】 第３実施形態の平面図である。
【符号の説明】
１，１７…基板、２…基板支持体、３…キャリヤ、４，４’…チャンバ、６…第
１注入口、９，１９…供給管、１０…第２注入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ )，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ， ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ， ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，Ｃ Ｎ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ， ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，Ｋ Ｐ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ， ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，Ｓ Ｇ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE15 DB08 EA10 EJ10 HA02 HA06 TB05 TH13 4K030 AA11 AA13 BA38 CA04 CA05 EA01 FA10 JA10 KA02 KA25 LA14 5F045 AA04 AB14 AC08 AC12 AD01 AD09 AD10 AD11 AD12 AF02 AF04 AF07 BB07 EE07

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に材料をエピタキシャル成長させる方法であって、 基板の一領域、またはその近傍において前駆物質をそれぞれの分解温度にまで
    個々に加熱することにより、前記領域に個々に供給されて前記領域に結合する核
    種を生成することを含む方法。
  2. 【請求項２】 請求項１において、それぞれの前駆物質からの前記核種が前
    記領域に順次に、個々に供給される方法。
  3. 【請求項３】 請求項１または２において、前記核種を基板の相対移動によ
    り前記領域に個々に供給して、前駆物質の分解が発生する位置に対して前記領域
    を移動させる方法。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかにおいて、少なくとも１つの前駆物
    質が、ガス流として、個々に前記領域に供給される方法。
  5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、前記核種がIII族およびV
    族元素よりなる群から選択されている方法。
  6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかにおいて、前記核種がIV族元素から
    選択されている方法。
  7. 【請求項７】 請求項５において、前記核種がガリウムおよび窒素を含んで
    いる方法。
  8. 【請求項８】 請求項６において、前記核種が炭素およびシリコンを含んで
    いる方法。
  9. 【請求項９】 請求項７において、前記前駆物質の１つがアンモニアである
    方法。
  10. 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかにおいて、前記基板がガリウム−
    砒化物(Gallium-Arsenide)のような半導体を含んでいる方法。
  11. 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれかにおいて、前記前駆物質の１つ
    が、基板を加熱することにより前駆物質の分解温度にまで加熱される方法。
  12. 【請求項１２】 請求項６において、前記基板が低分解温度を持つ前駆物質
    の分解温度にまで加熱される方法。
  13. 【請求項１３】 請求項１１または１２において、前記基板が５００〜８０
    ０℃の範囲の温度に加熱される方法。
  14. 【請求項１４】 請求項１〜１３のいずれかにおいて、前記前駆物質の１つ
    が、前記領域に近接した位置で前駆物質の分解温度にまで加熱される方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１４において、前記前駆物質が４００〜１８００℃
    の範囲の温度に加熱される方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１〜１５のいずれかにおいて、さらに、前記基板全
    体にわたって前記領域を移動させることを含む方法。
  17. 【請求項１７】 基板上に材料をエピタキシャル成長させるための装置であ
    って、 基板サポートを含むチャンバを備え、 前記チャンバは第１前駆物質を供給するための第１注入口と、第１注入口から
    離れた、第２前駆物質を供給するための第２注入口とを有し、 前記第１と第２前駆物質を、基板の前記領域またはその近傍において、前駆物
    質をそれぞれの分解温度にまで個々に加熱することにより、前記領域に個々に供
    給されて前記領域において結合する核種を生成させる第１と第２加熱手段を有し
    ている装置。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記第２注入口が前記基板サポート
    に近接して配置された供給管によって形成されている装置。
  19. 【請求項１９】 請求項１８において、前記第２注入口が細長いスロット形
    状である装置。
  20. 【請求項２０】 請求項１８または１９において、前記第２加熱手段を前記
    スロット内またはその近傍に備えている装置。
  21. 【請求項２１】 請求項１７〜２０のいずれかにおいて、前記第２加熱手段
    が加熱ワイヤである装置。
  22. 【請求項２２】 請求項１７〜２１のいずれかにおいて、前記第１加熱手段
    が前記基板サポートを加熱する位置に配置されている装置。
  23. 【請求項２３】 請求項１７〜２２のいずれかにおいて、さらに、前記基板
    サポートと前記注入口の少なくとも１つとの間に相対移動を発生させるための手
    段を備えている装置。
  24. 【請求項２４】 請求項１８に従属する請求項２３において、前記基板上の
    各領域に同一または異なる前駆物質を供給する複数の供給管を備え、前記管と基
    板サポートが相対移動可能に設定され、前記管を移動させて異なる領域に位置合
    わせする装置。
  25. 【請求項２５】 請求項２４において、前記供給管が、前駆物質を順次に、
    個々に前記領域に供給するように配置されている装置。
  26. 【請求項２６】 請求項２３において、前記基板サポートと注入管の少なく
    とも１つとの間の前記相対移動が、横方向移動である装置。
  27. 【請求項２７】 請求項２３において、前記基板サポートと注入管の少なく
    とも１つとの間の前記相対移動が、回転移動である装置。
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